JP6725717B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6725717B2
JP6725717B2 JP2019035436A JP2019035436A JP6725717B2 JP 6725717 B2 JP6725717 B2 JP 6725717B2 JP 2019035436 A JP2019035436 A JP 2019035436A JP 2019035436 A JP2019035436 A JP 2019035436A JP 6725717 B2 JP6725717 B2 JP 6725717B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode
light
substrate
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019035436A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019117797A (ja
Inventor
章裕 千田
章裕 千田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2019117797A publication Critical patent/JP2019117797A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6725717B2 publication Critical patent/JP6725717B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)

Description

本発明は、発光装置に関する。または、発光装置の作製方法に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、発光装置、表示装置、半導体回路および電子機器は全て半導
体装置といえる。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を
利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、
一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加するこ
とにより、発光性の物質からの発光が得られる。
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れバックラ
イトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、
応答速度が高いなどの利点も有する。
また、上述の発光素子を有する発光装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を有
する基板の採用が検討されている。
可撓性を有する基板を用いた発光装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板といっ
た基板上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、例えば該半導体素子と基板
の間に有機樹脂を充填し、ガラス基板や石英基板から他の基板（例えば可撓性を有する基
板）へと半導体素子を転置する技術が開発されている（特許文献１）。
また、可撓性を有する基板上に形成された発光素子は、発光素子表面の保護や外部からの
水分や不純物の浸入を防ぐため、発光素子上にさらに可撓性を有する基板を設けることが
ある。
特許文献２および特許文献３では、可撓性を有する基板に溝を形成し、当該溝に沿って可
撓性を有する基板の一部を除去して、外部から信号を入力するための端子電極を露出させ
る技術思想が開示されている。
特開２００３−１７４１５３号公報 特開２０００−１５０１４３号公報 特開２００９−１０９７７０号公報
発光装置への信号や電力を供給するためには、可撓性を有する基板の一部を除去して端子
電極を露出させ、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）等の電
極を接続する必要がある。また、配線抵抗による信号や電力の減衰などを少なくするため
、端子電極は表示領域の近くに配置することが好ましい。
また、発光素子や端子電極上に可撓性を有する基板を設ける場合、可撓性を有する基板は
発光素子や端子電極上に接着層を介して設けられることが多い。よって、上記先行技術文
献に開示された方法では、可撓性を有する基板の端子電極と重畳する部位の除去時に、端
子電極上に接着層が残存する場合がある。また、接着層の除去時に端子電極にダメージを
与えやすい。
また、可撓性を有する基板の一部をレーザ光や刃物を用いて除去する方法では、発光装置
が有する端子電極にダメージを与えやすく、発光装置の信頼性や作製歩留まりが低下しや
すいという問題がある。また、上記方法による表示領域へのダメージを防ぐため、表示領
域と端子電極を十分に離して設置する必要があり、配線抵抗の増加による信号や電力の減
衰などが生じやすい。
本発明の一態様は、端子電極にダメージを与えにくい発光装置の作製方法を提供すること
を課題の一つとする。
または、本発明の一態様は、表示領域にダメージを与えにくい発光装置の作製方法を提供
することを課題の一つとする。
または、本発明の一態様は、信頼性の良好な発光装置、およびその作製方法を提供するこ
とを課題の一つとする。
または、本発明の一態様は、新規な発光装置、およびその作製方法を提供することを課題
の一つとする。
本発明の一態様は、素子形成基板上に剥離層を介して発光素子と端子電極を形成し、発光
素子と端子電極上に、第１の開口を有する第１の基板を、第２の開口を有する接着層を介
して形成し、開口に埋め込み層を形成し、第１の基板と埋め込み層上に転載基板を形成し
、発光素子および端子電極から素子形成基板を剥離し、発光素子および端子電極の下に第
２の基板を形成し、転載基板と埋め込み層を除去し、開口に異方性導電接続層を形成し、
異方性導電接続層を介して端子電極と電気的に接続する外部電極を形成することを特徴と
する発光装置の作製方法である。
また、第１の基板が有する第１の開口と、接着層が有する第２の開口を端子電極と重畳さ
せることを特徴とする発光装置の作製方法である。
第１の基板に可撓性を有する基板を用いることで、フレキシブルな形状を備える発光装置
を作製することができる。また、第２の基板に可撓性を有する基板を用いることで、フレ
キシブルな形状を備える発光装置を作製することができる。
埋め込み層は、可溶性樹脂で形成されることが好ましい。
または、本発明の一態様は、素子形成基板上に剥離層を介して発光素子と端子電極を形成
し、発光素子と端子電極の上に、第１の接着層を介して第１の基板を形成し、発光素子お
よび端子電極から素子形成基板を剥離し、発光素子の下に第２の接着層を介して開口を有
する第２の基板を形成し、開口と重畳して異方性導電接続層を形成し、異方性導電接続層
を介して端子電極と電気的に接続する外部電極を形成することを特徴とする発光装置の作
製方法である。
または、本発明の一態様は、素子形成基板上に剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上
に絶縁層を形成する第２の工程と、絶縁層の一部を選択的に除去して第１の開口を形成し
、第１の開口において剥離層の一部を露出させる第３の工程と、露出した剥離層の表面を
酸化させる第４の工程と、第１の開口と重畳する端子電極を形成する第５の工程と、発光
素子を形成する第６の工程と、発光素子および端子電極上に、第１の接着層を介して第１
の基板を形成する第７の工程と、素子形成基板を剥離する第８の工程と、発光素子および
端子電極の下に、第２の接着層を介して、第２の開口を有する第２の基板を形成する第９
の工程と、第２の開口において端子電極と電気的に接続する外部電極を形成する第１０の
工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。なお、第１の開口と第２
の開口を重畳させることで、端子電極と外部電極の電気的な接続を可能とする。
第１の基板に可撓性を有する基板を用いることで、フレキシブルな形状を備える発光装置
を作製することができる。また、第２の基板に可撓性を有する基板を用いることで、フレ
キシブルな形状を備える発光装置を作製することができる。
開口を有する第２の基板を、該開口が端子電極と重畳するように貼り合わせることで、第
２の基板の端子電極と重畳する領域をレーザ光や刃物などを用いて除去する必要がないた
め、表示領域や端子電極にダメージを与えにくい。また、表示領域と開口までの距離を短
くすることができるため、信号や電力の減衰を少なくすることができる。また、作製工程
が簡略化されるため、発光装置の生産性を高めることができる。
または、本発明の一態様は、第１の基板上に発光素子と端子電極が形成され、端子電極上
に第１の層が形成され、第１の層上に第２の層が形成され、発光素子、第１の層、第２の
層、および金属層上に、接着層を介して第１の部位を有する第２の基板が形成され、第１
の部位は、端子電極、第１の層、および第２の層と重畳することを特徴とする発光装置で
ある。
第１の基板に、可撓性を有する基板を用いる。また、第２の基板に、可撓性を有する基板
を用いる。
第１の層は、有機材料を用いて形成し、第２の層は、金属材料を用いて形成する。
または、本発明の一態様は、素子形成基板上に剥離層を介して発光素子と端子電極を形成
し、端子電極上に第１の層を形成し、第１の層上に第２の層を形成し、発光素子、端子電
極、第１の層、および第２の層上に、第１の部位が、端子電極、第１の層、および第２の
層と重畳するように、接着層を介して第１の部位を有する第２の基板を形成し、発光素子
および端子電極から素子形成基板を剥離し、発光素子および端子電極の下に第１の基板を
形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
第１の基板に、可撓性を有する基板を用いる。また、第２の基板に、可撓性を有する基板
を用いる。
第１の層は、有機材料を用いて形成し、第２の層は、金属材料を用いて形成する。
第１の部位をミシン目で囲むことにより、第１の部位を第２の基板から分離しやすくする
ことができる。また、第１の部位と重畳して第１の層、および第２の層を設けることで、
第１の部位の分離と同時に、第１の部位と重畳する接着層も除去可能とし、端子電極を容
易に露出させることができる。
露出した端子電極は、外部電極と電気的に接続することができる。
外部電極としては、ＦＰＣや金属線を用いることができる。外部電極として金属線を用い
る場合は、該金属線と端子電極の接続は異方性導電接続層を用いずに、ワイヤーボンディ
ング法やハンダ付けにより行うことができる。
本発明の一態様によれば、端子電極にダメージを与えにくい発光装置の作製方法を提供す
ることができる。
本発明の一態様によれば、表示領域にダメージを与えにくい発光装置の作製方法を提供す
ることができる。
本発明の一態様によれば、信頼性の良好な発光装置、およびその作製方法を提供すること
ができる。
本発明の一態様によれば、新規な発光装置、およびその作製方法を提供することができる
。
発光装置を説明する上面図および断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置を説明する上面図および断面図。 発光装置を説明する斜視図および上面図。 発光装置を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置を説明する斜視図および断面図。 発光装置を説明する斜視図および断面図。 発光装置を説明する斜視図および断面図。 発光装置を説明する斜視図および断面図。 発光装置を説明する斜視図および断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 発光装置の作製方法を説明する断面図。 溝の配置例を説明する図。 溝の配置例を説明する図。 発光装置を説明する斜視図および断面図。 発光素子の構成例を説明する図。 電子機器および照明装置の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、発
明を明瞭化するために誇張または省略されている場合がある。よって、必ずしもそのスケ
ールに限定されない。特に上面図において、図面をわかりやすくするため一部の構成要素
の記載を省略する場合がある。
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易とす
るため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する
発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるた
めに付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものではな
い。また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混同
を避けるため、特許請求の範囲において序数詞が付される場合がある。また、本明細書等
において序数詞が付されている用語であっても、特許請求の範囲において異なる序数詞が
付される場合がある。また、本明細書等において序数詞が付されている用語であっても、
特許請求の範囲において序数詞が省略される場合がある。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直
下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極
Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶
縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
（実施の形態１）
本発明の一態様の発光装置１００の構成例について、図１を用いて説明する。図１（Ａ）
は発光装置１００の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中でＡ１−Ａ２の一点鎖線
で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する発光装置１００は、表示素子に発
光素子を用いた表示装置である。
＜発光装置の構成＞
本実施の形態に示す発光装置１００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８、隔壁１
１４、および端子電極１１６を有する。電極１１５および端子電極１１６は電気的に接続
されている。また、発光装置１００は、電極１１５上に隔壁１１４を有し、電極１１５お
よび隔壁１１４上にＥＬ層１１７を有し、ＥＬ層１１７上に電極１１８を有している。
電極１１５、ＥＬ層１１７、および電極１１８により、発光素子１２５が形成される。ま
た、発光素子１２５は、基板１１１上に、接着層１１２、剥離層１１３、および下地層１
１９を介して形成されている。なお、発光素子１２５は、表示領域１３１内に複数設けら
れている。
また、本実施の形態に示す発光装置１００は、電極１１８上に接着層１２０を介して基板
１２１が形成されている。また、基板１２１は、端子電極１１６と重畳する開口１２２ａ
を有する。また、接着層１２０は、開口１２２ａと重畳する開口１２２ｂを有する。本明
細書では、開口１２２ａおよび開口１２２ｂを併せて開口１２２と呼ぶ。開口１２２にお
いて、外部電極１２４と端子電極１１６が、異方性導電接続層１２３を介して電気的に接
続されている。
また、発光素子１２５と端子電極１１６の間に、発光素子１２５に供給する信号を制御す
るスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子１２５と端子電極１１６の間に、
トランジスタを設けてもよい。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御
するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子１２５と端子電極１１６の
間にトランジスタを設けることで、表示領域１３１の大面積化や、高精細化を容易とする
ことができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限らず、抵抗素子、インダ
クタ、キャパシタなどを表示領域１３１内に設けることもできる。
〔基板〕
基板１２１および基板１１１としては、有機樹脂材料や可撓性を有する程度の厚さのガラ
ス材料などを用いることができる。発光装置１００を下面射出型の発光装置、または両面
射出型の発光装置とする場合には、基板１１１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性
を有する材料を用いる。また、発光装置１００を上面射出型の発光装置、または両面射出
型の発光装置とする場合には、基板１２１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有
する材料を用いる。
基板１２１および基板１１１に用いることができる可撓性及び可視光に対する透光性を有
する材料として、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポ
リアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを用いることができ
る。
また、基板１２１および基板１１１の熱膨張係数は、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さ
らに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下とする。また、基板１２１および基板１１１の表面に
、予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の
窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても良い。なお
、基板１２１および基板１１１として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プ
リプレグとも言う）を用いてもよい。
〔下地層〕
下地層１１９は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、
酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層また
は多層で形成するのが好ましい。下地層１１９は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化
法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
下地層１１９は、基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２５への不純物元素の拡
散を防止、または低減することができる。
〔端子電極〕
端子電極１１６は、導電性を有する材料を用いて形成することができる。例えば、アルミ
ニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タング
ステン、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、マンガン、マグネシ
ウム、ジルコニウム、ベリリウム等から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とす
る合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。また、
リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイ
ドなどのシリサイドを用いてもよい。導電性を有する材料の形成方法は特に限定されず、
蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種形成方法を用いること
ができる。
また、端子電極１１６は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加した
インジウム錫酸化物などの酸素を含む導電性材料を適用することもできる。また、上記酸
素を含む導電性材料と、上記金属元素を含む材料の積層構造とすることもできる。
端子電極１１６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコン
を含むアルミニウム層の単層構造、アルミニウム層上にチタン層を積層する二層構造、窒
化チタン層上にチタン層を積層する二層構造、窒化チタン層上にタングステン層を積層す
る二層構造、窒化タンタル層上にタングステン層を積層する二層構造、チタン層と、その
チタン層上にアルミニウム層を積層し、さらにその上にチタン層を形成する三層構造など
がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の層、または複数組み合わせた合金層、もし
くは窒化物層を用いてもよい。
〔電極１１５〕
電極１１５は、後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料を
用いて形成することが好ましい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造と
してもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を、
インジウム錫酸化物などのＥＬ層１１７よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とし、
その層に接して反射率の高い層（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など
）を設けてもよい。
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示するが
、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、及びデュアルエミッション構造（両面射出
構造）の発光装置とする場合においては、電極１１５に透光性を有する導電性材料を用い
ればよい。
〔隔壁〕
隔壁１１４は、隣接する電極１１８間の電気的ショートを防止するために設ける。また、
後述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子１２
５を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁１１４は、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成す
ることができる。隔壁１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成さ
れる傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁１１４の側壁をこのような形状と
することで、後に形成されるＥＬ層１１７や電極１１８の被覆性を良好なものとすること
ができる。
〔ＥＬ層〕
ＥＬ層１１７の構成については、実施の形態９で説明する。
〔電極１１８〕
本実施の形態では電極１１８を陰極として用いるため、電極１１８を後述するＥＬ層１１
７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕
事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類
金属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、
インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成して
もよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグ
ネシウム−銀等の合金を用いることもできる。
また、電極１１８を介して、ＥＬ層１１７が発する光を取り出す場合には、電極１１８は
、可視光に対し透光性を有することが好ましい。
〔接着層〕
本実施の形態では、接着層１２０は、電極１１８に接して形成している。基板１２１は接
着層１２０により固定されている。また、接着層１１２は剥離層１１３に接して形成して
いる。基板１１１は接着層１１２により固定されている。接着層１２０および接着層１１
２としては、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着
剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用いる
ことができる。トップエミッション構造の場合は接着層１２０に、ボトムエミッション構
造の場合は接着層１１２に、光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率
の大きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層１１７が発す
る光の取り出し効率が向上するため好適である。
〔剥離層〕
剥離層１１３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
シリコンから選択された元素、または前記元素を含む合金材料、または前記元素を含む化
合物材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層又は積層して形成す
ることができる。なお、剥離層１１３の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの
場合でもよい。また、剥離層１１３を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二
酸化チタン、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、またはＩｎＧ
ａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）等の金属酸化物を用いて形成することもできる。
剥離層１１３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。な
お、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層１１３を単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンと
モリブデンを含む合金材料を用いることが好ましい。または、剥離層１１３を単層で形成
する場合、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化
窒化物、またはタングステンとモリブデンを含む合金の酸化物若しくは酸化窒化物を用い
ることが好ましい。
また、剥離層１１３として、例えば、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含
む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層に接して絶縁性酸化物層を形成す
ることで、タングステンを含む層と絶縁性酸化物層との界面に、酸化タングステンが形成
されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素
プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物
を含む層を形成してもよい。
〔異方性導電接続層〕
異方性導電接続層１２３は、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔ
ｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる。
異方性導電接続層１２３は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子を
混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続層
１２３は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続層
１２３に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃｏ等の
薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
＜発光装置の作製方法＞
次に、図２乃至図６を用いて、発光装置１００の作製方法を例示する。図２乃至図６は、
図１（Ａ）中、Ａ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
〔剥離層の形成〕
まず、素子形成基板１０１上に剥離層１１３を形成する（図２（Ａ）参照。）。なお、素
子形成基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、
金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を
有するプラスチック基板を用いてもよい。
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
本実施の形態では、剥離層１１３としてスパッタリング法によりタングステンを形成する
。
〔下地層の形成〕
次に、剥離層１１３上に下地層１１９を形成する（図２（Ａ）参照。）。本実施の形態で
は、下地層１１９としてプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンを形成する。
〔端子電極の形成〕
次に、下地層１１９上に端子電極１１６を形成する。まず、下地層１１９上に、スパッタ
リング法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する。
続いて、金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属膜を所望
の形状にエッチングして端子電極１１６を形成することができる。レジストマスクの形成
は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる
。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造
コストを低減できる。
金属膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を
用いてもよい。ウェットエッチング法により、金属膜のエッチングを行う場合は、エッチ
ング液として、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液や、シュウ酸を含む溶液や、リン酸を含む
溶液などを用いることができる。エッチング処理終了後に、レジストマスクを除去する（
図２（Ｂ）参照）。
〔電極１１５の形成〕
次に、下地層１１９上に電極１１５を形成する。電極１１５も端子電極１１６と同様に形
成することができる。本実施の形態では、電極１１５を、銀の上にインジウム錫酸化物を
積層した材料で形成する。電極１１５と端子電極１１６は電気的に接続されている（図２
（Ｂ）参照）。
〔隔壁の形成〕
次に、隔壁１１４を形成する（図２（Ｃ）参照）。本実施の形態では、隔壁１１４を感光
性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。
本実施の形態では、隔壁１１４を、感光性を有するイミド樹脂を用いて形成する。
〔ＥＬ層の形成〕
次に、ＥＬ層１１７を電極１１５および隔壁１１４上に形成する（図２（Ｄ）参照）。
〔電極１１８の形成〕
次に、電極１１８をＥＬ層１１７に接するように形成する。電極１１８は、蒸着法、スパ
ッタリング法等で形成することができる（図２（Ｅ）参照）。
〔基板の形成〕
次に、開口１２２ａを有する基板１２１を、接着層１２０を介して電極１１８上に形成す
る。この時、基板１２１の開口１２２ａを端子電極１１６と重畳するように配置する。ま
た、接着層１２０は、開口１２２ａと重畳する領域に、開口１２２ｂを有する。前述した
通り、本明細書では、開口１２２ａおよび開口１２２ｂを併せて開口１２２と呼ぶ（図３
（Ａ）参照）。
〔埋め込み層の形成〕
次に、開口１２２内に埋め込み層１０９を形成する（図３（Ｂ）参照）。開口１２２内に
埋め込み層１０９を形成しない場合、後の工程で行う素子形成基板１０１の剥離時に、端
子電極１１６の開口１２２と重畳する領域を損傷する恐れがある。なお、埋め込み層１０
９は後に除去するため、水や有機溶剤に可溶な材料で形成することが好ましい。このよう
な材料として、可溶性アクリル樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、可溶性エポキシ樹脂などの
可溶性樹脂を用いることができる。また、埋め込み層１０９の表面位置は、基板１２１の
表面と概略一致していることが好ましい。本実施の形態では、埋め込み層１０９として水
溶性のアクリル樹脂を用いる。
〔転載基板の形成〕
次に、転載基板１０２を、基板１２１上に貼り合わせる（図３（Ｃ）参照）。転載基板１
０２は後に除去するため、転載基板１０２として、紫外線の照射により接着力が低下する
ＵＶテープや、ダイシングテープ、または、加熱により接着力が低下するテープや、弱粘
性のテープを用いて形成することができる。本実施の形態では、転載基板１０２としてＵ
Ｖテープを用いる。
〔基板の剥離〕
次に、素子形成基板１０１を剥離層１１３とともに下地層１１９から剥離する（図４（Ａ
）参照）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処
理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等）を用いて行えばよい。たとえ
ば、剥離層１１３に鋭利な刃物またはレーザ光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに
水を注入する。毛細管現象により水が剥離層１１３と下地層１１９の間にしみこむことに
より、素子形成基板１０１を容易に剥離することができる。
〔発光装置と基板の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して基板１１１を下地層１１９に貼り合わせる（図４（Ｂ）参照
）。
〔転載基板の剥離〕
次に、転載基板１０２を剥離する。本実施の形態では転載基板１０２としてＵＶテープを
用いたため、転載基板１０２に紫外線１０３を照射することで（図５（Ａ）参照）、転載
基板１０２を容易に剥離することができる（図５（Ｂ）参照）。
〔埋め込み層の除去〕
次に、水や有機溶剤などの、埋め込み層１０９の除去に適した溶剤を用いて埋め込み層１
０９を除去する（図６（Ａ）参照）。
〔外部電極の形成〕
次に、開口１２２に異方性導電接続層１２３を形成する。また、開口１２２において端子
電極１１６と重畳する位置に、発光装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１
２４を形成する（図６（Ｂ）参照）。外部電極１２４は、異方性導電接続層１２３を介し
て端子電極１１６と電気的に接続する。このようにして、発光装置１００に電力や信号を
入力することが可能となる。なお、外部電極１２４として、ＦＰＣを用いることができる
。
なお、外部電極１２４として金属線を用いることもできる。該金属線と端子電極１１６の
接続は、異方性導電接続層１２３を用いずに、ワイヤーボンディング法により行うことが
できる。また、該金属線と端子電極１１６の接続をハンダ付けにより行ってもよい。
本発明の一態様によれば、発光装置１００に電力や信号を入力するために、レーザ光や刃
物を用いて基板１２１の一部を除去する必要がないため、発光装置１００や端子電極１１
６にダメージを与えにくい。本発明の一態様によれば、作製歩留まりが良く、信頼性の良
好な発光装置を提供することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で開示した方法と異なる方法で発光装置１００を作製す
る方法について説明する。なお、説明の重複を防ぐため、本実施の形態では、主に実施の
形態１と異なる部分について説明する。
＜発光装置の作製方法＞
隔壁１１４の形成までは、実施の形態１と同様に行うことができる（図２（Ｃ）参照。）
〔ＥＬ層の形成〕
次に、ＥＬ層１１７を電極１１５および隔壁１１４上に形成する。この時、ＥＬ層１１７
の形成と同時に、端子電極１１６上の開口１２２と重畳する領域に層１０４を形成する（
図７（Ａ）参照）。層１０４はＥＬ層１１７と同じ材料および方法を用いて形成すること
ができる。
〔電極１１８の形成〕
次に、電極１１８をＥＬ層１１７に接するように形成する。この時、層１０４上の開口１
２２と重畳する領域に層１０５を形成する。層１０５は、電極１１８と同じ層の一部を用
いて形成することができる（図７（Ｂ）参照）。
〔基板１２１の形成〕
次に、基板１２１を、接着層１２０を介して電極１１８上に形成する。この時、基板１２
１の開口１２２を、端子電極１１６、層１０５、および層１０４と重畳するように配置す
る（図７（Ｃ）参照）。なお、接着層１２０は、開口１２２と重畳する領域には形成しな
いため、接着層１２０も開口１２２と重畳する開口を有する。
なお、層１０４は、上面から見た時に、層１０４の外周部分が接着層の開口の外側に位置
する大きさで形成する。また、層１０５は、上面から見た時に、層１０５の外周部分が接
着層の開口の内側に位置する大きさで形成する。
〔埋め込み層と転載基板の形成〕
次に、実施の形態１と同様に、埋め込み層１０９と転載基板１０２を形成する（図７（Ｄ
）参照）。その後、素子形成基板１０１を剥離し、接着層１１２を介して基板１１１を貼
り合わせる。
〔転載基板の剥離〕
次に、転載基板１０２に紫外線１０３を照射し、転載基板１０２の接着力を弱めて転載基
板１０２を剥離する。紫外線１０３の照射に先立ち、埋め込み層１０９と重畳する領域に
マスク１０７を配置して、転載基板１０２の埋め込み層１０９と重畳する領域に紫外線１
０３が照射されないようにする（図８（Ａ）参照）。
このようにすることで、転載基板１０２の埋め込み層１０９と重畳する領域の接着力は、
低下せずに維持される。また、層１０４と層１０５の界面は密着性が低いので、転載基板
１０２の剥離と同時に、埋め込み層１０９と層１０５を除去することができる（図８（Ｂ
）参照）。
〔層１０４の除去〕
次に、エチルアルコールなどの有機溶剤を用いて、層１０４を除去し、端子電極１１６表
面の一部を露出させる（図９（Ａ）参照）。
〔外部電極の形成〕
次に、開口１２２に異方性導電接続層１２３を形成し、異方性導電接続層１２３上に、発
光装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図９（Ｂ）参照
）。異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と端子電極１１６を電気的に接続す
る。このようにして、発光装置１００に電力や信号を入力することが可能となる。なお、
外部電極１２４として、ＦＰＣを用いることができる。
本発明の一態様によれば、発光装置１００に電力や信号を入力するために、基板１２１の
一部を除去する必要がないため、発光装置１００や端子電極１１６にダメージを与えにく
い。本発明の一態様によれば、作製歩留まりが良く、信頼性の良好な発光装置を提供する
ことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置１００と異なる構成を有する発光装
置２００について、図１０を用いて説明する。図１０（Ａ）は発光装置２００の上面図で
あり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）中でＢ１−Ｂ２の一点鎖線で示す部位の断面図であ
る。
＜発光装置の構成＞
本実施の形態に示す発光装置２００は、表示領域２３１と、周辺回路２５１を有する。ま
た、発光装置２００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８を含む発光素子１２５と
、端子電極２１６を有する。発光素子１２５は、表示領域２３１中に複数形成されている
。また、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２３２
が接続されている。
端子電極２１６は、開口１２２に形成された異方性導電接続層１２３を介して外部電極１
２４と電気的に接続されている。また、端子電極２１６は、周辺回路２５１に電気的に接
続されている。
周辺回路２５１は、複数のトランジスタ２５２により構成されている。周辺回路２５１は
、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域２３１中のどの発光素子１２５に供給
するかを決定する機能を有する。
図１０に示す発光装置２００は、接着層１２０を介して基板１１１と基板１２１が貼り合
わされた構造を有する。基板１１１上には、接着層１１２を介して絶縁層２０５が形成さ
れている。絶縁層２０５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化
シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を
、単層または多層で形成するのが好ましい。絶縁層２０５は、スパッタリング法やＣＶＤ
法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
なお、絶縁層２０５は下地層として機能し、基板１１１や接着層１１２などからトランジ
スタや発光素子への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
また、絶縁層２０５上に、トランジスタ２３２、トランジスタ２５２、端子電極２１６、
配線２１９が形成されている。なお、本実施の形態では、トランジスタ２３２およびトラ
ンジスタ２５２として、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネルエッチ型の
トランジスタを例示しているが、チャネル保護型のトランジスタやトップゲート型のトラ
ンジスタなどを用いることも可能である。また、チャネルが形成される半導体層を２つの
ゲート電極で挟む構造の、デュアルゲート型のトランジスタを用いることも可能である。
トランジスタ２３２とトランジスタ２５２は、同様の構造を有していてもよい。ただし、
トランジスタのサイズ（例えば、チャネル長、およびチャネル幅）等は、各トランジスタ
で適宜調整することができる。
トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極２０６、ゲート絶縁層２０
７、半導体層２０８、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂを有する。
端子電極２１６、配線２１９、ゲート電極２０６、ソース電極２０９ａ、およびドレイン
電極２０９ｂは、端子電極１１６と同様の材料および方法により形成することができる。
また、ゲート絶縁層２０７は、絶縁層２０５と同様の材料および方法により形成すること
ができる。
半導体層２０８は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体等を用いて形成すること
ができる。例えば、非晶質シリコンや、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。ま
た、炭化シリコン、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、
有機半導体等を用いることができる。
なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ以上と大きく、可視光に対する
透過率が大きい。また、酸化物半導体を適切な条件で加工して得られたトランジスタにお
いては、オフ電流を使用時の温度条件下（例えば、２５℃）において、１００ｚＡ（１×
１０−１９Ａ）以下、もしくは１０ｚＡ（１×１０−２０Ａ）以下、さらには１ｚＡ（１
×１０−２１Ａ）以下とすることができる。このため、消費電力の少ない発光装置を提供
することができる。
また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８に接する絶縁層に
酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。
また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１０が形成され、絶縁
層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。絶縁層２１０は、保護絶縁層として機能し
、絶縁層２１０よりも上の層からトランジスタ２３２およびトランジスタ２５２への不純
物元素が拡散することを防止または低減することができる。絶縁層２１０は、絶縁層２０
５と同様の材料及び方法で形成することができる。
また、発光素子１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために絶縁層２１１に平坦化処理
を行ってもよい。平坦化処理としては、特に限定されないが、研磨処理（例えば、化学的
機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）
）、やドライエッチング処理により行うことができる。
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層２１１を形成することで、研磨処理を
省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂、
アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材
料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜
を複数積層させることで、絶縁層２１１を形成してもよい。
また、絶縁層２１１上に、発光素子１２５と、各発光素子１２５を離間するための隔壁１
１４が形成されている。
また、基板１２１には、遮光膜２６４、着色層２６６、及びオーバーコート層２６８が形
成されている。発光装置２００は、発光素子１２５からの光を、着色層２６６を介して基
板１２１側から射出する、所謂トップエミッション構造（上面射出構造）の発光装置であ
る。
また、発光素子１２５は、絶縁層２１１、および絶縁層２１０に設けられた開口でトラン
ジスタ２３２と電気的に接続されている。
また、本実施の形態では、発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置に
ついて例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。
また、本発明の一態様は、表示素子に発光素子を用いた発光装置に限らず、表示素子に液
晶素子を用いた液晶表示装置や、電子ペーパー、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍ
ｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、
ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−
ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）等の表示
装置に用いることも可能である。
液晶素子の一例としては、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する
素子がある。その素子は一対の電極と液晶層により構造されることが可能である。なお、
液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向
の電界を含む）によって制御される。なお、具体的には、液晶の一例としては、ネマチッ
ク液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピッ
ク液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）
、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バナナ型液晶などを挙げ
ることができる。また液晶の駆動方法としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ
）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉ
ｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａ
ｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モード、ＡＳ
Ｍ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モ
ード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎ
ｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆ
ｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）
モードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として様々な
ものを用いることができる。
電子ペーパーの表示方法の一例としては、分子により表示されるもの（光学異方性、染料
分子配向など）、粒子により表示されるもの（電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化な
ど）、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色／相変化により
表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発
光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの表示方
法の一例としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気
泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー
、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッテイング、光散乱（透明／白
濁変化）、コレステリック液晶／光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液
晶、強誘電性液晶、２色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、
フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機
ＥＬなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々
なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによっ
て、泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射
率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態４）
本発明の一態様の発光装置２１００の構成例について、図１１および図１２を用いて説明
する。図１１（Ａ）は発光装置２１００の外観を示す斜視図であり、図１１（Ｂ）は、発
光装置２１００の上面図である。また、図１２は、図１１においてＣ１−Ｃ２の一点鎖線
で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する発光装置２１００は、表示素子に
発光素子を用いた表示装置である。
＜発光装置の構成＞
本実施の形態に示す発光装置２１００は、電極２１１５、ＥＬ層２１１７、電極２１１８
、隔壁２１１４、および端子電極２１１６を有する。電極２１１５および端子電極２１１
６は電気的に接続されている。また、発光装置２１００は、電極２１１５上に隔壁２１１
４を有し、電極２１１５および隔壁２１１４上にＥＬ層２１１７を有し、ＥＬ層２１１７
上に電極２１１８を有している。
電極２１１５、ＥＬ層２１１７、および電極２１１８により、発光素子２１２５が形成さ
れる。また、発光素子２１２５は、基板２１１１上に、接着層２１１２、および下地層２
１１９を介して形成されている。なお、発光素子２１２５は、表示領域２１３１内に複数
設けられている。
また、本実施の形態に示す発光装置２１００は、電極２１１８上に接着層２１２０を介し
て基板２１２１が形成されている。
また、下地層２１１９は、端子電極２１１６と重畳する開口２１２２ａを有する。また、
接着層２１１２および基板２１１１は、開口２１２２ａと重畳する開口２１２２ｂを有す
る。本明細書では、開口２１２２ａおよび開口２１２２ｂを併せて開口２１２２と呼ぶ。
開口２１２２において、外部電極２１２４と端子電極２１１６が、異方性導電接続層２１
２３を介して電気的に接続されている。
また、発光素子２１２５と端子電極２１１６の間に、発光素子２１２５に供給する信号を
制御するスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子２１２５と端子電極２１１
６の間に、トランジスタを設けてもよい。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御
するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子２１２５と端子電極２１１
６の間にトランジスタを設けることで、表示領域２１３１の大面積化や、高精細化を容易
とすることができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限らず、抵抗素子、
インダクタ、キャパシタなどを表示領域２１３１内に設けることもできる。
〔基板〕
基板２１２１および基板２１１１としては、上記実施の形態で開示した基板１２１および
基板１１１と同様の材料を用いることができる。発光装置２１００を下面射出型の発光装
置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板２１１１にＥＬ層２１１７からの
発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、発光装置２１００を上面射出型の発光
装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板２１２１にＥＬ層２１１７から
の発光に対して透光性を有する材料を用いる。
〔下地層〕
下地層２１１９は、上記実施の形態で開示した下地層１１９と同様の材料および方法で形
成することができる。
下地層２１１９は、基板２１１１や接着層２１１２などから発光素子２１２５への不純物
元素の拡散を防止、または低減することができる。
〔端子電極〕
端子電極２１１６は、上記実施の形態で開示した端子電極１１６と同様の材料および方法
で形成することができる。
〔電極２１１５〕
電極２１１５は、後に形成されるＥＬ層２１１７が発する光を効率よく反射する導電性材
料を用いて形成することが好ましい。電極２１１５は、上記実施の形態で開示した電極１
１５と同様の材料および方法で形成することができる。
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示するが
、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、及びデュアルエミッション構造（両面射出
構造）の発光装置とする場合においては、電極２１１５に透光性を有する導電性材料を用
いればよい。
〔隔壁〕
隔壁２１１４は、隣接する電極２１１８間の電気的ショートを防止するために設ける。ま
た、後述するＥＬ層２１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素
子２１２５を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁２１１４は、上記
実施の形態で開示した隔壁１１４と同様の材料および方法で形成することができる。隔壁
２１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるよ
うに形成することが好ましい。隔壁２１１４の側壁をこのような形状とすることで、後に
形成されるＥＬ層２１１７や電極２１１８の被覆性を良好なものとすることができる。
〔ＥＬ層〕
ＥＬ層２１１７の構成については、実施の形態９で説明する。
〔電極２１１８〕
本実施の形態では電極２１１８を陰極として用いるため、電極２１１８を後述するＥＬ層
２１１７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。電
極２１１８は、上記実施の形態で開示した電極１１８と同様の材料および方法で形成する
ことができる。
また、電極２１１８を介して、ＥＬ層２１１７が発する光を取り出す場合には、電極２１
１８は、可視光に対し透光性を有することが好ましい。
〔接着層〕
本実施の形態では、接着層２１２０は、電極２１１８に接して形成している。基板２１２
１は接着層２１２０により固定されている。また、接着層２１１２は下地層２１１９に接
して形成している。基板２１１１は接着層２１１２により固定されている。接着層２１２
０および接着層２１１２としては、上記実施の形態で開示した接着層１２０および接着層
１１２と同様の材料および方法で形成することができる。また、トップエミッション構造
の場合は接着層２１２０に、ボトムエミッション構造の場合は接着層２１１２に、光の波
長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、
ジルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層２１１７が発する光の取り出し効率が向上するた
め好適である。
〔異方性導電接続層〕
異方性導電接続層２１２３は、上記実施の形態で開示した異方性導電接続層１２３と同様
の材料および方法で形成することができる。
＜発光装置の作製方法＞
次に、図１３乃至図１５を用いて、発光装置２１００の作製方法を例示する。図１３乃至
図１５は、図１１においてＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
〔剥離層の形成〕
まず、素子形成基板２１０１上に剥離層２１１３を形成する（図１３（Ａ）参照。）。な
お、素子形成基板２１０１としては、上記実施の形態で開示した素子形成基板１０１と同
様の材料を用いることができる。
剥離層２１１３は、上記実施の形態で開示した剥離層１１３と同様の材料および方法で形
成することができる。
本実施の形態では、剥離層２１１３としてスパッタリング法によりタングステンを形成す
る。
〔下地層の形成〕
次に、剥離層２１１３上に下地層２１１９を形成する（図１３（Ａ）参照。）。本実施の
形態では、下地層２１１９としてプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンを形成する。
〔開口部の形成〕
次に、下地層２１１９の一部を選択的に除去し、開口２１２２ａを形成する（図１３（Ｂ
）参照。）。具体的には、下地層２１１９上にレジストマスクを形成し、該レジストマス
クを用いて、下地層２１１９の一部を選択的にエッチングする。レジストマスクの形成は
、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。
レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コ
ストを低減できる。また、下地層２１１９のエッチングは、ドライエッチング法でもウェ
ットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。下地層２１１９のエッチングは、剥離
層２１１３のエッチング速度よりも下地層２１１９のエッチング速度のほうが速い条件で
行うことが好ましい。
〔開口部の酸化処理〕
次に、開口２１２２ａの形成により露出した剥離層２１１３表面を酸化させる。露出した
剥離層２１１３表面の酸化は、露出した剥離層２１１３表面に、過酸化水素水や、オゾン
を含有させた水などの、酸化力を有する溶液に触れさせることで行うことができる。また
、露出した剥離層２１１３表面を酸素雰囲気中に曝し、さらに紫外線を照射することで、
露出した剥離層２１１３表面を酸化させることができる。また、露出した剥離層２１１３
表面を酸素プラズマに曝してもよい。本実施の形態では、剥離層２１１３表面を酸素プラ
ズマ２１２６に曝すことにより、開口２１２２ａの形成により露出した剥離層２１１３の
表面を酸化させる（図１３（Ｃ）参照。）。
剥離層２１１３の表面に酸化層を形成することで、後の工程で行われる素子形成基板２１
０１の剥離を容易とすることができる。
〔端子電極の形成〕
次に、下地層２１１９および開口２１２２ａに重畳する端子電極２１１６を形成する（図
１３（Ｄ）参照）。端子電極２１１６は、上記実施の形態で開示した端子電極１１６と同
様の材料および方法で形成することができる。
なお、開口２１２２ａにおいて、剥離層２１１３と端子電極２１１６は、先の酸化処理に
より酸化された剥離層２１１３の表面を介して接している。剥離層２１１３と端子電極２
１１６の界面に酸化層を設けることで、後の工程で行われる素子形成基板２１０１の剥離
時に、端子電極２１１６が剥離層２１１３と一緒に剥がれてしまう現象を防ぐことができ
る。
〔電極２１１５の形成〕
次に、下地層２１１９上に電極２１１５を形成する。電極２１１５も端子電極２１１６と
同様に形成することができる。本実施の形態では、電極２１１５を、銀の上にインジウム
錫酸化物を積層した材料で形成する。また、電極２１１５と端子電極２１１６は電気的に
接続されている（図１４（Ａ）参照）。
〔隔壁の形成〕
次に、隔壁２１１４を形成する（図１４（Ｂ）参照）。本実施の形態では、隔壁２１１４
を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成
する。本実施の形態では、隔壁２１１４を、感光性を有するイミド樹脂を用いて形成する
。
〔ＥＬ層の形成〕
次に、ＥＬ層２１１７を電極２１１５および隔壁２１１４上に形成する（図１４（Ｃ）参
照）。
〔電極２１１８の形成〕
次に、電極２１１８をＥＬ層２１１７に接するように形成する。電極２１１８は、蒸着法
、スパッタリング法等で形成することができる（図１４（Ｄ）参照）。
〔基板２１２１の形成〕
次に、基板２１２１を、接着層２１２０を介して電極２１１８上に形成する（図１５（Ａ
）参照。）。
〔基板の剥離〕
次に、素子形成基板２１０１を剥離層２１１３とともに、下地層２１１９および端子電極
２１１６から剥離する（図１５（Ｂ）参照）。剥離方法は、上記実施の形態で開示した基
板の剥離方法と同様に行うことができる。
〔発光装置と基板の貼り合わせ〕
次に、開口２１２２ｂを有する基板２１１１を、接着層２１１２を介して下地層２１１９
に貼り合わせる（図１５（Ｃ）参照）。この時、基板２１１１の開口２１２２ｂを、開口
２１２２ａと重畳する位置に配置する。また、接着層２１１２は、開口２１２２ｂと重畳
する領域には形成しない。なお、前述した通り、本明細書では、開口２１２２ａおよび開
口２１２２ｂを併せて開口２１２２と呼ぶ。
〔外部電極の形成〕
次に、開口２１２２に異方性導電接続層２１２３を形成する。また、開口２１２２におい
て端子電極２１１６と重畳する位置に、発光装置２１００に電力や信号を入力するための
外部電極２１２４を形成する（図１２参照）。外部電極２１２４は、異方性導電接続層２
１２３を介して端子電極２１１６と電気的に接続される。このようにして、発光装置２１
００に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極２１２４は、上記実施の
形態で開示した外部電極１２４と同様の材料および方法で形成することができる。
本発明の一態様によれば、レーザ光や刃物などを用いて基板２１２１の一部を除去する必
要がないため、表示領域２１３１や端子電極２１１６にダメージを与えにくい。また、表
示領域２１３１と開口２１２２までの距離を短くすることができるため、信号や電力の減
衰を少なくすることができる。また、作製工程が簡略化されるため、発光装置の生産性を
高めることができる。本発明の一態様によれば、作製歩留まりが良く、信頼性の良好な発
光装置を提供することができる。また、表示品位の良好な発光装置を提供することができ
る。
＜変形例＞
また、本発明の一態様は、図１６に示す発光装置２２００のように構成することも可能で
ある。図１６（Ａ）は、発光装置２２００の外観を示す斜視図であり、図１６（Ｂ）は、
図１６（Ａ）におけるＤ１−Ｄ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。
発光装置２２００は、発光装置２１００とは基板２１１１の形状が異なる。発光装置２２
００が有する基板２１１１は、開口２１２２ｂを有さない。また、基板２１１１は、開口
２１２２ａと重畳しないように下地層２１１９に貼り合わされている。よって、図１６に
示す発光装置２２００は、基板２１２１と基板２１１１の端部が一致しない構成を有して
いる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置２１００と異なる構成を有する発光
装置２３００について、図１７を用いて説明する。図１７（Ａ）は発光装置２３００の斜
視図であり、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）中でＥ１−Ｅ２の一点鎖線で示す部位の断面
図である。
＜発光装置の構成＞
本実施の形態に示す発光装置２３００は、表示領域２２３１と、周辺回路２２５１を有す
る。また、発光装置２３００は、電極２１１５、ＥＬ層２１１７、電極２１１８を含む発
光素子２１２５と、端子電極２２１６を有する。発光素子２１２５は、表示領域２２３１
中に複数形成されている。また、各発光素子２１２５には、発光素子２１２５の発光量を
制御するトランジスタ２２３２が接続されている。
端子電極２２１６は、開口２１２２に形成された異方性導電接続層２１２３を介して外部
電極２１２４と電気的に接続されている。また、端子電極２２１６は、周辺回路２２５１
に電気的に接続されている。
周辺回路２２５１は、複数のトランジスタ２２５２により構成されている。周辺回路２２
５１は、外部電極２１２４から供給された信号を、表示領域２２３１中のどの発光素子２
１２５に供給するかを決定する機能を有する。図１７（Ａ）では、表示領域２２３１の外
側に４つの周辺回路２２５１を有する構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限定
されない。
図１７に示す発光装置２３００は、接着層２１２０を介して基板２１１１と基板２１２１
が貼り合わされた構造を有する。基板２１１１上には、接着層２１１２を介して絶縁層２
２０５が形成されている。絶縁層２２０５は、上記実施の形態で開示した絶縁層２０５と
同様の材料および方法で形成することができる。
なお、絶縁層２２０５は下地層として機能し、基板２１１１や接着層２１１２などからト
ランジスタや発光素子への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
また、絶縁層２２０５上に、トランジスタ２２３２、トランジスタ２２５２、端子電極２
２１６、配線２２１９が形成されている。なお、本実施の形態では、トランジスタ２２３
２およびトランジスタ２２５２として、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャ
ネルエッチ型のトランジスタを例示しているが、チャネル保護型のトランジスタやトップ
ゲート型のトランジスタなどを用いることも可能である。
トランジスタ２２３２とトランジスタ２２５２は、同様の構成を有する。ただし、トラン
ジスタのサイズ（例えば、チャネル長、およびチャネル幅）等は、各トランジスタで適宜
調整することができる。
トランジスタ２２３２およびトランジスタ２２５２は、ゲート電極２２０６、ゲート絶縁
層２２０７、半導体層２２０８、ソース電極２２０９ａ、ドレイン電極２２０９ｂを有す
る。
端子電極２２１６、配線２２１９、ゲート電極２２０６、ソース電極２２０９ａ、および
ドレイン電極２２０９ｂは、端子電極２１１６と同様の材料および方法により形成するこ
とができる。
また、ゲート絶縁層２２０７は、絶縁層２２０５と同様の材料および方法により形成する
ことができる。
半導体層２２０８は、上記実施の形態で開示した半導体層２０８と同様の材料および方法
で形成することができる。
また、半導体層２２０８に酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２２０８に接する絶縁
層に酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。
また、トランジスタ２２３２およびトランジスタ２２５２上に絶縁層２２１０が形成され
、絶縁層２２１０上に絶縁層２２１１が形成されている。絶縁層２２１０は、保護絶縁層
として機能し、絶縁層２２１０よりも上の層からトランジスタ２２３２およびトランジス
タ２２５２へ不純物元素が拡散することを防止または低減することができる。絶縁層２２
１０は、絶縁層２２０５と同様の材料及び方法で形成することができる。
また、発光素子２１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために絶縁層２２１１に平坦化
処理を行ってもよい。平坦化処理としては、特に限定されないが、研磨処理（例えば、化
学的機械研磨法）、やドライエッチング処理により行うことができる。
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層２２１１を形成することで、研磨処理
を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂
、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率
材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁
膜を複数積層させることで、絶縁層２２１１を形成してもよい。
また、絶縁層２２１１上に、発光素子２１２５と、各発光素子２１２５を離間するための
隔壁２１１４が形成されている。
また、基板２１２１には、遮光膜２２６４、着色層２２６６、及びオーバーコート層２２
６８が形成されている。発光装置２３００は、発光素子２１２５からの光を、着色層２２
６６を介して基板２１２１側から射出する、所謂トップエミッション構造（上面射出構造
）の発光装置である。
また、発光素子２１２５は、絶縁層２２１１、および絶縁層２２１０に設けられた開口で
トランジスタ２２３２と電気的に接続されている。
また、本実施の形態では、発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置に
ついて例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。
また、本発明の一態様は、表示素子に発光素子を用いた発光装置に限らず、表示素子に液
晶素子を用いた液晶表示装置や、電子ペーパー、ＤＭＤ、ＰＤＰ、ＦＥＤ、ＳＥＤ等の表
示装置に用いることも可能である。
液晶素子の一例としては、上記実施の形態に開示した液晶素子と同様の材料を用いること
ができる。また、液晶素子の駆動方法は、上記実施の形態に開示した液晶素子の駆動方法
と同様に行うことができる。
また、電子ペーパーの表示方法は、上記実施の形態に開示した電子ペーパーの表示方法と
同様に行うことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態６）
本発明の一態様の発光装置３１００の構成例について、図１８乃至図２０を用いて説明す
る。図１８（Ａ）は発光装置３１００の斜視図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）に
示す部位３１５０の拡大図である。また、図１８（Ｃ）及び１８（Ｄ）は、図１８（Ａ）
中でＦ１−Ｆ２に一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する発光装
置３１００は、表示素子に発光素子を用いた表示装置である。
＜発光装置の構成＞
本実施の形態に示す発光装置３１００は、電極３１１５、ＥＬ層３１１７、電極３１１８
、隔壁３１１４、および端子電極３１１６を有する。電極３１１５および端子電極３１１
６は電気的に接続されている。また、発光装置３１００は、電極３１１５上に隔壁３１１
４を有し、電極３１１５および隔壁３１１４上にＥＬ層３１１７を有し、ＥＬ層３１１７
上に電極３１１８を有している。
電極３１１５、ＥＬ層３１１７、および電極３１１８により、発光素子３１２５が形成さ
れる。また、発光素子３１２５は、基板３１１１上に、接着層３１１２、および下地層３
１１９を介して形成されている。なお、発光素子３１２５は、表示領域３１３１内に複数
設けられている。
また、本実施の形態に示す発光装置３１００は、電極３１１８上に接着層３１２０を介し
て基板３１２１が形成されている。
基板３１２１は、溝部３１４１を有する。図１８（Ａ）乃至図１８（Ｃ）に示す溝部３１
４１は、基板３１２１の厚さ方向に貫通しているが、溝部３１４１は、必ずしも基板３１
２１の厚さ方向に貫通している必要はない。溝部３１４１は、図１８（Ｄ）に示すように
、基板３１２１を貫通せずに、一定の深さを有していてもよい。溝部３１４１が基板３１
２１を貫通しない場合の溝部３１４１の深さは、基板３１２１の厚さの２分の１以上が好
ましく、３分の２以上がより好ましい。なお、平面視において基板３１２１中の溝部３１
４１に囲まれた領域を部位３１２１ａと呼ぶ。
また、端子電極３１１６上に層３１０４が形成され、層３１０４上に層３１０５が形成さ
れている。端子電極３１１６上の層３１０４および層３１０５は、部位３１２１ａと重畳
する位置に形成される。
図１９に示すように、部位３１２１ａおよび部位３１２１ａと重畳する接着層３１２０を
発光装置３１００から分離することで、端子電極３１１６の一部を露出させることができ
る。図１９（Ａ）は、部位３１２１ａおよび部位３１２１ａと重畳する接着層３１２０の
分離途中の様子を示す斜視図であり、図１９（Ｂ）は、部位３１２１ａおよび部位３１２
１ａと重畳する接着層３１２０の分離後の様子を示す斜視図である。また、図１９（Ｃ）
は、図１９（Ｂ）中にＦ１−Ｆ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。
部位３１２１ａおよび部位３１２１ａと重畳する接着層３１２０を除去することで、開口
３１２２が形成され、端子電極３１１６の一部を露出させることができる。
部位３１２１ａと重畳する位置に層３１０４および層３１０５を設けることにより、部位
３１２１ａを、部位３１２１ａと重畳する接着層３１２０と一緒に容易に分離し、端子電
極３１１６を露出させることができる。なお、層３１０４および層３１０５については追
って詳述する。
また、図２０に示すように、開口３１２２において、外部電極３１２４と端子電極３１１
６が、異方性導電接続層３１２３を介して電気的に接続することができる。よって、基板
３１２１の開口３１２２と重畳する領域を「外部電極接続領域」ともいう。図２０（Ａ）
は外部電極３１２４が接続された発光装置３１００の斜視図であり、図２０（Ｂ）は、図
２０（Ａ）中にＦ１−Ｆ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。
また、発光素子３１２５と端子電極３１１６の間に、発光素子３１２５に供給する信号を
制御するスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子３１２５と端子電極３１１
６の間に、トランジスタを設けてもよい。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御
するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子３１２５と端子電極３１１
６の間にトランジスタを設けることで、表示領域３１３１の大面積化や、高精細化を容易
とすることができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限らず、抵抗素子、
インダクタ、キャパシタなどを表示領域３１３１内に設けることもできる。
〔基板〕
基板３１１１および基板３１２１としては、上記実施の形態で開示した基板１２１および
基板１１１と同様の材料を用いることができる。発光装置３１００を下面射出型の発光装
置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板３１１１にＥＬ層３１１７からの
発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、発光装置３１００を上面射出型の発光
装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板３１２１にＥＬ層３１１７から
の発光に対して透光性を有する材料を用いる。
〔下地層〕
下地層３１１９は上記実施の形態で開示した下地層１１９と同様の材料および方法で形成
することができる。
下地層３１１９は、基板３１１１や接着層３１１２などから発光素子３１２５への不純物
元素の拡散を防止、または低減することができる。
〔端子電極〕
端子電極３１１６は、上記実施の形態で開示した端子電極１１６と同様の材料および方法
で形成することができる。
〔電極３１１５〕
電極３１１５は、後に形成されるＥＬ層３１１７が発する光を効率よく反射する導電性材
料を用いて形成することが好ましい。電極３１１５は、上記実施の形態で開示した電極１
１５と同様の材料および方法で形成することができる。
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示するが
、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、及びデュアルエミッション構造（両面射出
構造）の発光装置とする場合においては、電極３１１５に透光性を有する導電性材料を用
いればよい。
〔隔壁〕
隔壁３１１４は、隣接する電極３１１８間の電気的ショートを防止するために設ける。ま
た、後述するＥＬ層３１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素
子３１２５を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁３１１４は、上記
実施の形態で開示した隔壁１１４と同様の材料および方法で形成することができる。隔壁
３１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるよ
うに形成することが好ましい。隔壁３１１４の側壁をこのような形状とすることで、後に
形成されるＥＬ層３１１７や電極３１１８の被覆性を良好なものとすることができる。
〔ＥＬ層〕
ＥＬ層３１１７の構成については、実施の形態９で説明する。
〔電極３１１８〕
本実施の形態では電極３１１８を陰極として用いるため、電極３１１８を後述するＥＬ層
３１１７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。電
極３１１８は、上記実施の形態で開示した電極１１８と同様の材料および方法で形成する
ことができる。
また、電極３１１８を介して、ＥＬ層３１１７が発する光を取り出す場合には、電極３１
１８は、可視光に対し透光性を有することが好ましい。
〔接着層〕
本実施の形態では、接着層３１２０は、電極３１１８に接して形成している。基板３１２
１は接着層３１２０により固定されている。また、基板３１１１は接着層３１１２により
固定されている。接着層３１２０および接着層３１１２としては、上記実施の形態で開示
した接着層１２０および接着層１１２と同様の材料および方法で形成することができる。
また、トップエミッション構造の場合は接着層３１２０に、ボトムエミッション構造の場
合は接着層３１１２に、光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大
きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層３１１７が発する
光の取り出し効率が向上するため好適である。
〔異方性導電接続層〕
異方性導電接続層３１２３は、上記実施の形態で開示した異方性導電接続層１２３と同様
の材料および方法で形成することができる。
＜発光装置の作製方法＞
次に、図２１乃至図２４を用いて、発光装置３１００の作製方法を例示する。図２１乃至
図２４は、図１８乃至図２０中、Ｆ１−Ｆ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
〔剥離層の形成〕
まず、素子形成基板３１０１上に剥離層３１１３を形成する（図２１（Ａ）参照。）。な
お、素子形成基板３１０１としては、上記実施の形態で開示した素子形成基板１０１と同
様の材料を用いることができる。
剥離層３１１３は、上記実施の形態で開示した剥離層１１３と同様の材料および方法で形
成することができる。
本実施の形態では、剥離層３１１３としてスパッタリング法によりタングステンを形成す
る。
〔下地層の形成〕
次に、剥離層３１１３上に下地層３１１９を形成する（図２１（Ａ）参照。）。本実施の
形態では、下地層３１１９としてプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンを形成する。
〔端子電極の形成〕
次に、下地層３１１９上に端子電極３１１６を形成する。まず、下地層３１１９上に、ス
パッタリング法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成
する。続いて、金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属膜
を所望の形状にエッチングして端子電極３１１６を形成することができる。レジストマス
クの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うこと
ができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないた
め、製造コストを低減できる。
金属膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を
用いてもよい。ウェットエッチング法により、金属膜のエッチングを行う場合は、エッチ
ング液として、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液や、シュウ酸を含む溶液や、リン酸を含む
溶液などを用いることができる。エッチング処理終了後に、レジストマスクを除去する（
図２１（Ｂ）参照）。
〔電極の形成〕
次に、下地層３１１９上に電極３１１５を形成する。電極３１１５も端子電極３１１６と
同様に形成することができる。本実施の形態では、電極３１１５を、銀の上にインジウム
錫酸化物を積層した材料で形成する。電極３１１５と端子電極３１１６は電気的に接続さ
れている（図２１（Ｂ）参照）。
〔隔壁の形成〕
次に、隔壁３１１４を形成する（図２１（Ｃ）参照）。本実施の形態では、隔壁３１１４
を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成
する。本実施の形態では、隔壁３１１４を、感光性を有するイミド樹脂を用いて形成する
。
〔ＥＬ層の形成〕
次に、ＥＬ層３１１７を電極３１１５および隔壁３１１４上に形成する。この時、ＥＬ層
３１１７の形成と同時に、端子電極３１１６上の開口３１２２と重畳する領域に層３１０
４を形成する（図２１（Ｄ）参照）。層３１０４はＥＬ層３１１７と同じ材料および方法
を用いて形成することができる。
〔電極の形成〕
次に、電極３１１８をＥＬ層３１１７に接するように形成する。この時、電極３１１８の
形成と同時に、層３１０４上の開口３１２２と重畳する領域に層３１０５を形成する。層
３１０５は電極３１１８と同じ層の一部を用いて形成することができる。電極３１１８お
よび層３１０５は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる（図２１（Ｅ）
参照）。
〔基板の形成〕
次に、厚さ方向に貫通して形成された溝部３１４１を有する基板３１２１を、接着層３１
２０を介して電極３１１８上に形成する。この時、基板３１２１の部位３１２１ａが、端
子電極３１１６、層３１０５、および層３１０４と重畳するように形成する。（図２２（
Ａ）参照）。
なお、層３１０４は、上面から見た時に、層３１０４の外周部分が部位３１２１ａの外側
に位置する大きさで形成する。また、層３１０５は、上面から見た時に、層３１０５の外
周部分が部位３１２１ａの内側に位置する大きさで形成する。
なお、溝部３１４１を一定の深さを有する溝とする場合は、溝部３１４１が形成されてい
ない基板３１２１を電極３１１８上に形成した後、鋭利な刃物やレーザ光を用いて、基板
３１２１に溝部３１４１を形成してもよい。
この際、鋭利な刃物やレーザ光が基板３１２１を貫通すると、端子電極３１１６や他の部
位を損傷する恐れがある。よって、基板３１２１を電極３１１８上に形成した後に溝部３
１４１を形成する場合は、溝部３１４１が基板３１２１を貫通しないようにする必要があ
る。
一方で、形成した溝部３１４１の深さが浅いと、後に行う部位３１２１ａの分離がしにく
くなる。溝部３１４１が基板３１２１を貫通しない場合の溝部３１４１の深さは、基板３
１２１の厚さの２分の１以上が好ましく、３分の２以上がより好ましい。
〔基板の剥離〕
次に、素子形成基板３１０１を剥離層３１１３とともに下地層３１１９から剥離する（図
２２（Ｂ）参照）。剥離方法は、上記実施の形態で開示した基板の剥離方法と同様に行う
ことができる。
〔発光装置と基板の貼り合わせ〕
次に、接着層３１１２を介して基板３１１１を下地層３１１９に貼り合わせる（図２３（
Ａ）参照）。このようにして、発光装置３１００を作製することができる（図２３（Ｂ）
参照）。
続いて、端子電極３１１６と外部電極３１２４を電気的に接続させるための工程について
説明する。
〔端子電極表面の露出〕
基板３１２１の部位３１２１ａ上に粘着テープを貼り、その後、粘着テープを剥がすよう
に引き上げると、部位３１２１ａが溝部３１４１に沿って基板３１２１から分離する。こ
の時、層３１０４と層３１０５の界面は密着性が低いので、部位３１２１ａの剥離と共に
部位３１２１ａと重畳する接着層３１２０と層３１０５を除去することができる（図１９
（Ａ）、図２４（Ａ）参照）。
なお、層３１０５は形成しなくても構わないが、接着層３１２０と層３１０４の界面に層
３１０５を設けると、部位３１２１ａの分離時に、部位３１２１ａと重畳する接着層３１
２０が発光装置３１００側に残りにくい。よって、接着層３１２０と層３１０４の界面に
層３１０５を設けることで、作製歩留まりを向上させることができる。
〔層３１０４の除去〕
次に、エチルアルコールなどの有機溶剤を用いて、層３１０４を除去し、端子電極３１１
６表面の一部を露出させる（図１９（Ｂ）、図２４（Ｂ）参照）。
〔外部電極の形成〕
次に、開口３１２２に異方性導電接続層３１２３を形成し、異方性導電接続層３１２３上
に、発光装置３１００に電力や信号を入力するための外部電極３１２４を形成する（図２
４（Ｃ）参照）。異方性導電接続層３１２３を介して外部電極３１２４と端子電極３１１
６を電気的に接続する。このようにして、発光装置３１００に電力や信号を入力すること
が可能となる。なお、外部電極３１２４は、上記実施の形態で開示した外部電極１２４と
同様の材料および方法で形成することができる。
本発明の一態様によれば、基板３１２１に溝部３１４１を形成し、接着層３１２０と端子
電極３１１６の界面に層３１０４および層３１０５を形成することで、端子電極３１１６
の露出を容易とすることができる。よって、端子電極３１１６を露出させるために鋭利な
刃物等を用いて基板３１２１の一部をくり貫き除去する必要がないため、発光装置３１０
０や端子電極３１１６にダメージを与えにくい。
また、層３１０４はＥＬ層３１１７と同一行程で作製することができる。また、層３１０
５は電極３１１８と同一行程で作製することができる。よって、発光装置３１００の作製
工程数を増加させることなく、部位３１２１ａの除去を容易とすることができる。本発明
の一態様によれば、作製歩留まりが良く、信頼性の良好な発光装置を提供することができ
る。
また、部位３１２１ａは、端子電極３１１６を保護する機能を有する。部位３１２１ａを
分離せずに発光装置３１００の保管および搬送を行うことで、保管および搬送時に端子電
極３１１６を保護し、静電気等による発光装置３１００の破損を防ぐことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態７）
図２５（Ａ）乃至図２５（Ｅ）、および図２６（Ａ）乃至図２６（Ｅ）は、基板３１２１
の端子電極３１１６と重畳する領域を拡大した平面図である。図２５（Ａ）乃至図２５（
Ｅ）、および図２６（Ａ）乃至図２６（Ｅ）に、溝部３１４１の配置例を示す。
平面視において溝部３１４１に囲まれた領域が部位３１２１ａである。言い換えると、溝
部３１４１は部位３１２１ａの外周部に沿って形成される。溝部３１４１が基板３１２１
の厚さ方向に貫通して形成されている場合は、基板３１２１を基板３１１１上に貼り合せ
る前に基板３１２１から部位３１２１ａが意図せず分離して、製造歩留まりを低下させる
ことを防ぐ必要がある。このため、部位３１２１ａの外周に沿って、少なくとも２か所の
溝部３１４１が形成されていない領域（以下、「間隔ａ」という。）を形成する必要があ
る。
図２５（Ａ）乃至図２５（Ｅ）、および図２６（Ａ）は、平面視において長方形の部位３
１２１ａの外周に沿って溝部３１４１をミシン目状に形成する例を示している。なお、「
ミシン目」とは、切り離しし易いように断続的に形成された穴であり、溝部３１４１が穴
に相当する。
なお、溝部３１４１を基板３１２１の厚さ方向に貫通させない場合は、溝部３１４１をミ
シン目状に形成せずとも部位３１２１ａの意図しない分離を防ぐことができる。よって、
溝部３１４１を基板３１２１の厚さ方向に貫通させない場合は、部位３１２１ａの外周を
一つの溝部３１４１で囲うことができる。なお、基板３１２１の厚さ方向に貫通しない溝
部３１４１をミシン目状に形成してもよい。
図２５（Ａ）は、部位３１２１ａのそれぞれの短辺の両端部に溝部３１４１が形成されて
おらず、長辺に形成された溝部３１４１と短辺に形成された溝部３１４１は、間隔ａによ
り分離している。
図２５（Ｂ）は、図２５（Ａ）の変形例であり、さらに部位３１２１ａのそれぞれの長辺
を２つの溝部３１４１で形成した例を示している。
なお、間隔ａの長さは、溝部３１４１の端部から隣接する溝部３１４１の端部までの最短
距離である。複数の溝部３１４１をミシン目状に配置する場合、間隔ａが大きすぎると部
位３１２１ａの分離が難しくなる。間隔ａの長さは、基板３１２１の厚さの５０倍以下が
好ましく、２０倍以下がより好ましく、１０倍以下がさらに好ましい。また、一つの溝部
３１４１の長さｂは、より長い方が部位３１２１ａの分離がしやすくなる。一つの溝部３
１４１の長さｂは、間隔ａの長さ以上とすることが好ましい。
図２５（Ｃ）は、図２５（Ａ）の他の変形例であり、それぞれの長辺を、一辺あたり８つ
の溝部３１４１で形成した例を示している。
図２５（Ｄ）は、部位３１２１ａの外周に配置された溝部３１４１が、四辺それぞれの中
央部分で分離されている例を示している。図２５（Ｄ）は、４つのＬ字型の溝部３１４１
で長方形の部位３１２１ａを形成する例を示している。
図２５（Ｅ）は、部位３１２１ａの外周に溝部３１４１が形成され、２つの短辺のそれぞ
れの一部に間隔ａを有する構成を例示している。図２５（Ｅ）は、２つのＬ字型の溝部３
１４１で部位３１２１ａを形成する例を示している。
図２６（Ａ）は、部位３１２１ａの１つの長辺と１つの短辺をＬ字状の溝部３１４１とし
、他の二辺にミシン目状の溝部３１４１を形成する例を示している。
図２６（Ｂ）は、部位３１２１ａを、平行に形成された２つの溝部３１４１の両端部に、
くの字型に折れ曲がった溝部３１４１を形成する例を示している。
図２６（Ｃ）は、図２６（Ｂ）の変形例であり、平行に形成された２つの溝部３１４１を
、それぞれ複数の溝部３１４１で形成する例を示している。
図２６（Ｄ）は、図２６（Ｂ）の変形例であり、くの字型の溝部３１４１を円弧状の溝部
３１４１とする例を示している。
図２６（Ｂ）乃至図２６（Ｄ）に示すように、平面視において部位３１２１ａの端部に突
出した形状を付与することで、部位３１２１ａの分離をさらに容易とすることができる。
なお、図２６（Ｅ）に示すように、基板３１２１を横切って溝部３１４１を形成してもよ
い。ただし、発光装置３１００の保管および搬送時に、保管器具や治具等と部位３１２１
ａの端部が接触しやすくなるため、部位３１２１ａの意図しない分離や、部分的なはがれ
が生じる恐れがある。また、部位３１２１ａを分離して端子電極３１１６を露出させると
、当該領域すなわち外部電極接続領域の機械的強度が著しく低下するため、外部電極接続
領域が意図せず変形しやすく、発光装置３１００の破損等が生じやすくなる。
一方、平面視において部位３１２１ａを基板３１２１の端部より内側に設けることで、外
部電極接続領域の外周部分を基板３１２１と基板３１１１で支える構造とすることができ
る。このため、外部電極接続領域の機械的強度が低下しづらく、外部電極接続領域の意図
しない変形を軽減することができる。よって、発光装置３１００の破損を防ぎ、発光装置
３１００の信頼性を高めることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置３１００と異なる構成を有する発光
装置３２００について、図２７を用いて説明する。図２７（Ａ）は発光装置３２００の上
面図であり、図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）中でＧ１−Ｇ２の一点鎖線で示す部位の断面
図である。
＜発光装置の構成＞
本実施の形態に示す発光装置３２００は、表示領域３２３１と、周辺回路３２５１を有す
る。また、発光装置３２００は、電極３１１５、ＥＬ層３１１７、電極３１１８を含む発
光素子３１２５と、端子電極３２１６を有する。発光素子３１２５は、表示領域３２３１
中に複数形成されている。また、各発光素子３１２５には、発光素子３１２５の発光量を
制御するトランジスタ３２３２が接続されている。
端子電極３２１６は、開口３１２２に形成された異方性導電接続層３１２３を介して外部
電極３１２４と電気的に接続されている。また、端子電極３２１６は、周辺回路３２５１
に電気的に接続されている。
周辺回路３２５１は、複数のトランジスタ３２５２により構成されている。周辺回路３２
５１は、外部電極３１２４から供給された信号を、表示領域３２３１中のどの発光素子３
１２５に供給するかを決定する機能を有する。
図２７に示す発光装置３２００は、接着層３１２０を介して基板３１１１と基板３１２１
が貼り合わされた構造を有する。基板３１１１上には、接着層３１１２を介して絶縁層３
２０５が形成されている。絶縁層３２０５は、上記実施の形態で開示した絶縁層２０５と
同様の材料および方法で形成することができる。
なお、絶縁層３２０５は下地層として機能し、基板３１１１や接着層３１１２などからト
ランジスタや発光素子への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
また、絶縁層３２０５上に、トランジスタ３２３２、トランジスタ３２５２、端子電極３
２１６、配線３２１９が形成されている。なお、本実施の形態では、トランジスタ３２３
２およびトランジスタ３２５２として、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャ
ネルエッチ型のトランジスタを例示しているが、チャネル保護型のトランジスタや、トッ
プゲート型のトランジスタなどを用いることも可能である。また、チャネルが形成される
半導体層を２つのゲート電極で挟む構造の、デュアルゲート型のトランジスタを用いるこ
とも可能である。
トランジスタ３２３２とトランジスタ３２５２は、同様の構造を有していてもよい。ただ
し、トランジスタのサイズ（例えば、チャネル長、およびチャネル幅）等は、各トランジ
スタで適宜調整することができる。
トランジスタ３２３２およびトランジスタ３２５２は、ゲート電極３２０６、ゲート絶縁
層３２０７、半導体層３２０８、ソース電極３２０９ａ、ドレイン電極３２０９ｂを有す
る。
端子電極３２１６、配線３２１９、ゲート電極３２０６、ソース電極３２０９ａ、および
ドレイン電極３２０９ｂは、端子電極３１１６と同様の材料および方法により形成するこ
とができる。また、ゲート絶縁層３２０７は、絶縁層３２０５と同様の材料および方法に
より形成することができる。
半導体層３２０８は、上記実施の形態で開示した半導体層２０８と同様の材料および方法
で形成することができる。
また、半導体層３２０８に酸化物半導体を用いる場合は、半導体層３２０８に接する絶縁
層に酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。
また、トランジスタ３２３２およびトランジスタ３２５２上に絶縁層３２１０が形成され
、絶縁層３２１０上に絶縁層３２１１が形成されている。絶縁層３２１０は、保護絶縁層
として機能し、絶縁層３２１０よりも上の層からトランジスタ３２３２およびトランジス
タ３２５２へ不純物元素が拡散することを防止または低減することができる。絶縁層３２
１０は、絶縁層３２０５と同様の材料及び方法で形成することができる。
また、発光素子３１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために絶縁層３２１１に平坦化
処理を行ってもよい。平坦化処理としては、特に限定されないが、研磨処理（例えば、化
学的機械研磨法）、やドライエッチング処理により行うことができる。
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層３２１１を形成することで、研磨処理
を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂
、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率
材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁
膜を複数積層させることで、絶縁層３２１１を形成してもよい。
また、絶縁層３２１１上に、発光素子３１２５と、各発光素子３１２５を離間するための
隔壁３１１４が形成されている。
また、基板３１２１には、遮光膜３２６４、着色層３２６６、及びオーバーコート層３２
６８が形成されている。発光装置３２００は、発光素子３１２５からの光を、着色層３２
６６を介して基板３１２１側から射出する、所謂トップエミッション構造（上面射出構造
）の発光装置である。
また、発光素子３１２５は、絶縁層３２１１、および絶縁層３２１０に設けられた開口で
トランジスタ３２３２と電気的に接続されている。
また、本実施の形態では、発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置に
ついて例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。
また、本発明の一態様は、表示素子に発光素子を用いた発光装置に限らず、表示素子に液
晶素子を用いた液晶表示装置や、電子ペーパー、ＤＭＤ、ＰＤＰ、ＦＥＤ、ＳＥＤ等の表
示装置に用いることも可能である。
液晶素子の一例としては、上記実施の形態に開示した液晶素子と同様の材料を用いること
ができる。また、液晶素子の駆動方法は、上記実施の形態に開示した液晶素子の駆動方法
と同様に行うことができる。
また、電子ペーパーの表示方法は、上記実施の形態に開示した電子ペーパーの表示方法と
同様に行うことができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態９）
本実施の形態では、発光素子１２５、発光素子２１２５、および発光素子３１２５に用い
ることができる発光素子の構成例について説明する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層３
２０が、上記実施の形態に示したＥＬ層１１７、ＥＬ層２１１７、およびＥＬ層３１１７
に相当する。
＜発光素子の構成＞
図２８（Ａ）に示す発光素子３３０は、一対の電極（第１の電極３１８、第２の電極３２
２）間にＥＬ層３２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明におい
ては、例として、第１の電極３１８を陽極として用い、第２の電極３２２を陰極として用
いるものとする。
また、ＥＬ層３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の
機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い
物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポー
ラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体
的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせ
て用いることができる。
図２８（Ａ）に示す発光素子３３０は、第１の電極３１８と第２の電極３２２との間に生
じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層３２０において正孔と電子とが再結合し、発光する
ものである。つまりＥＬ層３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
本発明において、発光素子３３０からの発光は、第１の電極３１８、または第２の電極３
２２側から外部に取り出される。従って、第１の電極３１８、または第２の電極３２２の
いずれか一方は透光性を有する物質で成る。
なお、ＥＬ層３２０は図２８（Ｂ）に示す発光素子３３１のように、第１の電極３１８と
第２の電極３２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積
層構造を有する場合には、ｍ番目（ｍは、１≦ｍ＜ｎを満たす自然数）のＥＬ層３２０と
、（ｍ＋１）番目のＥＬ層３２０との間には、それぞれ電荷発生層３２０ａを設けること
が好ましい。
電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物と
アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適
宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例
えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物
を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水
素等の低分子化合物、または、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）
など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機
化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好まし
い。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよ
い。なお、電荷発生層３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送
性に優れているため、発光素子３３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することが
できる。
なお、電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合
わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供
与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わ
せて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜
とを組み合わせて形成してもよい。
このような構成を有する発光素子３３１は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり
難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とす
ることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易
である。
なお、電荷発生層３２０ａとは、第１の電極３１８と第２の電極３２２に電圧を印加した
ときに、電荷発生層３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層３２０に対して正孔を注入
する機能を有し、他方のＥＬ層３２０に電子を注入する機能を有する。
図２８（Ｂ）に示す発光素子３３１は、ＥＬ層３２０に用いる発光物質の種類を変えるこ
とにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の
発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもでき
る。
図２８（Ｂ）に示す発光素子３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み
合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば
、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物
質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す第１の発
光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の発光層とを有する構
成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっ
ても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において、第１の発光層か
ら得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場
合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置す
ることにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することが
できる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一な発
光が可能となる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が適用された電子機器や照明装置の例につ
いて、図面を参照して説明する。
フレキシブルな形状を備える発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン
装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジ
タルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、
携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、照明や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装の曲
面に沿って組み込むことも可能である。
図２９（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光
装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図２９（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示さ
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。
図２９（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１００
は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び送受信装置７１０４を備
える。
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
図２９（Ｃ）乃至図２９（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照
明装置７２１０、照明装置７２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２
０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
図２９（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図２９（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
図２９（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０が備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの
部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
ここで、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０が備える各々の発光
部には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したがって、湾曲した発光部を
備え、且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。
図３０（Ａ）に、携帯型の表示装置の一例を示す。表示装置７３００は、筐体７３０１、
表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５を備える
。
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７１０２を備える。
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそなえ
る。また、制御部７３０５にコネクタを備え、映像信号や電力を直接供給する構成として
もよい。
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
図３０（Ｂ）に、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態を示す。
この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筐体７３０１の表面に
配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が湾曲しないよう、表示部７３０
２の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
表示部７３０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。したがって、表示
部７３０２はフレキシブルで且つ信頼性の高い表示部であるため、表示装置７３００は軽
量で且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。
なお、本発明の一態様の発光装置を具備していれば、上記で示した電子機器や照明装置に
特に限定されないことは言うまでもない。
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施すること
ができる。
１００ 発光装置
１０１ 素子形成基板
１０２ 転載基板
１０３ 紫外線
１０４ 層
１０５ 層
１０７ マスク
１０９ 層
１１１ 基板
１１２ 接着層
１１３ 剥離層
１１４ 隔壁
１１５ 電極
１１６ 端子電極
１１７ ＥＬ層
１１８ 電極
１１９ 下地層
１２０ 接着層
１２１ 基板
１２２ 開口
１２３ 異方性導電接続層
１２４ 外部電極
１２５ 発光素子
１３１ 表示領域
２００ 発光装置
２０５ 絶縁層
２０６ ゲート電極
２０７ ゲート絶縁層
２０８ 半導体層
２１０ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１６ 端子電極
２１９ 配線
２３１ 表示領域
２３２ トランジスタ
２５１ 周辺回路
２５２ トランジスタ
２６４ 遮光膜
２６６ 着色層
２６８ オーバーコート層
３１８ 電極
３２０ ＥＬ層
３２２ 電極
３３０ 発光素子
３３１ 発光素子
２１００ 発光装置
２１０１ 素子形成基板
２１１１ 基板
２１１２ 接着層
２１１３ 剥離層
２１１４ 隔壁
２１１５ 電極
２１１６ 端子電極
２１１７ ＥＬ層
２１１８ 電極
２１１９ 下地層
２１２０ 接着層
２１２１ 基板
２１２２ 開口
２１２３ 異方性導電接続層
２１２４ 外部電極
２１２５ 発光素子
２１２６ 酸素プラズマ
２１３１ 表示領域
２２００ 発光装置
２２０５ 絶縁層
２２０６ ゲート電極
２２０７ ゲート絶縁層
２２０８ 半導体層
２２１０ 絶縁層
２２１１ 絶縁層
２２１６ 端子電極
２２１９ 配線
２２３１ 表示領域
２２３２ トランジスタ
２２５１ 周辺回路
２２５２ トランジスタ
２２６４ 遮光膜
２２６６ 着色層
２２６８ オーバーコート層
２３００ 発光装置
３１００ 発光装置
３１０１ 素子形成基板
３１０４ 層
３１０５ 層
３１１１ 基板
３１１２ 接着層
３１１３ 剥離層
３１１４ 隔壁
３１１５ 電極
３１１６ 端子電極
３１１７ ＥＬ層
３１１８ 電極
３１１９ 下地層
３１２０ 接着層
３１２１ 基板
３１２２ 開口
３１２３ 異方性導電接続層
３１２４ 外部電極
３１２５ 発光素子
３１３１ 表示領域
３１４１ 溝部
３１５０ 部位
３２００ 発光装置
３２０５ 絶縁層
３２０６ ゲート電極
３２０７ ゲート絶縁層
３２０８ 半導体層
３２１０ 絶縁層
３２１１ 絶縁層
３２１６ 端子電極
３２１９ 配線
３２３１ 表示領域
３２３２ トランジスタ
３２５１ 周辺回路
３２５２ トランジスタ
３２６４ 遮光膜
３２６６ 着色層
３２６８ オーバーコート層
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
１２２ａ 開口
１２２ｂ 開口
２０９ａ ソース電極
２０９ｂ ドレイン電極
２１２２ａ 開口
２１２２ｂ 開口
２２０９ａ ソース電極
２２０９ｂ ドレイン電極
３１２１ａ 部位
３２０９ａ ソース電極
３２０９ｂ ドレイン電極
３２０ａ 電荷発生層

Claims (4)

  1. 第１の基板上の第１の電極及びトランジスタと、
    前記第１の電極上の導電層と、
    前記導電層上の第２の電極と、
    前記トランジスタ上及び前記第１の電極上の絶縁層と、
    前記絶縁層上の、前記トランジスタと電気的に接続された第３の電極と、
    前記第３の電極上の隔壁と、
    前記隔壁上及び前記第３の電極上のＥＬ層と、
    前記ＥＬ層上の第４の電極と、
    前記第１の電極上及び前記第４の電極上の樹脂層と、
    前記樹脂層上の第２の基板と、を有し、
    前記絶縁層は、前記第１の電極上に第１の開口を有し、
    前記樹脂層は、前記第１の開口と重なる領域に第２の開口を有し、
    前記第２の基板は、前記第２の開口と重なる領域に第３の開口を有し、
    前記導電層は、前記第１の開口内、前記第２の開口内、及び前記第３の開口内に設けられ、
    前記第２の電極は、前記導電層を介して、前記第１の電極と電気的に接続される、
    発光装置。
  2. 第１の基板上の第１の電極、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタと、
    前記第１の電極上の導電層と、
    前記導電層上の第２の電極と、
    前記第１のトランジスタ上、前記第２のトランジスタ上、及び前記第１の電極上の絶縁層と、
    前記絶縁層上の、前記第１のトランジスタと電気的に接続された第３の電極と、
    前記第３の電極上の隔壁と、
    前記隔壁上及び前記第３の電極上のＥＬ層と、
    前記ＥＬ層上の第４の電極と、
    前記第１の電極上及び前記第４の電極上の樹脂層と、
    前記樹脂層上の第２の基板と、を有し、
    前記絶縁層は、前記第１の電極上に第１の開口を有し、
    前記樹脂層は、前記第１の開口と重なる領域に第２の開口を有し、
    前記第２の基板は、前記第２の開口と重なる領域に第３の開口を有し、
    前記導電層は、前記第１の開口内、前記第２の開口内、及び前記第３の開口内に設けられ、
    前記第２の電極は、前記導電層を介して、前記第１の電極と電気的に接続され、
    前記第１の電極は、前記第２のトランジスタと電気的に接続される、
    発光装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第２の電極として、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いる、
    発光装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記導電層は、導電性粒子を有する、
    発光装置。
JP2019035436A 2013-03-14 2019-02-28 発光装置 Active JP6725717B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013051231 2013-03-14
JP2013051231 2013-03-14
JP2013093328 2013-04-26
JP2013093328 2013-04-26
JP2013120369 2013-06-07
JP2013120369 2013-06-07

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014044692A Division JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2014-03-07 発光装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020109243A Division JP2020155420A (ja) 2013-03-14 2020-06-25 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019117797A JP2019117797A (ja) 2019-07-18
JP6725717B2 true JP6725717B2 (ja) 2020-07-22

Family

ID=51523630

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014044692A Active JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2014-03-07 発光装置の作製方法
JP2019035436A Active JP6725717B2 (ja) 2013-03-14 2019-02-28 発光装置
JP2020109243A Withdrawn JP2020155420A (ja) 2013-03-14 2020-06-25 発光装置
JP2021155099A Active JP7169414B2 (ja) 2013-03-14 2021-09-24 発光装置の作製方法
JP2022172877A Withdrawn JP2023011765A (ja) 2013-03-14 2022-10-28 発光装置の作製方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014044692A Active JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2014-03-07 発光装置の作製方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020109243A Withdrawn JP2020155420A (ja) 2013-03-14 2020-06-25 発光装置
JP2021155099A Active JP7169414B2 (ja) 2013-03-14 2021-09-24 発光装置の作製方法
JP2022172877A Withdrawn JP2023011765A (ja) 2013-03-14 2022-10-28 発光装置の作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (10) US9065034B2 (ja)
JP (5) JP6490901B2 (ja)
KR (3) KR102213495B1 (ja)
TW (4) TWI754311B (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9356049B2 (en) 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112015000866T5 (de) * 2014-02-19 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung und Ablöseverfahren
TWI748456B (zh) 2014-02-28 2021-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法
KR102292148B1 (ko) 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
JP6325318B2 (ja) * 2014-04-08 2018-05-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI832717B (zh) 2014-04-25 2024-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102377341B1 (ko) 2014-06-23 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
US9933812B2 (en) 2014-09-05 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, and data processor
CN104409656B (zh) * 2014-11-27 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
KR102298367B1 (ko) * 2015-01-05 2021-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI696108B (zh) 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
US10204535B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2016208020A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
CN104992956B (zh) * 2015-05-15 2018-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 无边框显示装置及其制作方法
JP6761276B2 (ja) 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
KR20230093078A (ko) 2015-07-23 2023-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
JP6764704B2 (ja) * 2015-07-29 2020-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US9941475B2 (en) 2015-07-29 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device and method for manufacturing electronic device
KR102632066B1 (ko) * 2015-07-30 2024-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 제작 방법, 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
US10181424B2 (en) 2016-04-12 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
KR102388701B1 (ko) 2016-04-12 2022-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
KR102327117B1 (ko) * 2016-04-22 2021-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
KR102378976B1 (ko) * 2016-05-18 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
TWI727041B (zh) 2016-05-20 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US10170600B2 (en) 2017-01-12 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20180100013A (ko) 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2018211376A1 (ja) 2017-05-18 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器
KR102462421B1 (ko) * 2017-11-15 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
DE102017129524A1 (de) * 2017-12-12 2019-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display
TWI681554B (zh) * 2018-05-10 2020-01-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其驅動方法
JP7227458B2 (ja) * 2018-11-21 2023-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109659324B (zh) * 2018-12-18 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
KR20200136550A (ko) 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
CN110289372A (zh) * 2019-07-02 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和有机发光组件的封装方法
TWI744678B (zh) * 2019-08-21 2021-11-01 友達光電股份有限公司 電子裝置及其製作方法
WO2022123378A1 (ja) * 2020-12-07 2022-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法、および車両

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127199A (en) * 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP3056471B2 (ja) 1998-11-13 2000-06-26 俊一 植澤 エレクトロルミネセンス素子
JP4253883B2 (ja) * 1998-11-24 2009-04-15 カシオ計算機株式会社 発光素子の製造方法
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8610645B2 (en) * 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4244120B2 (ja) * 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US6903377B2 (en) 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4310984B2 (ja) * 2002-02-06 2009-08-12 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
JP2004349513A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 薄膜回路装置及びその製造方法、並びに電気光学装置、電子機器
JP3897173B2 (ja) * 2003-05-23 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
KR100886292B1 (ko) * 2003-09-09 2009-03-04 산요덴키가부시키가이샤 회로 소자를 포함하는 반도체 모듈과 반도체 장치, 그들의 제조 방법 및 표시 장치
US7314785B2 (en) * 2003-10-24 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR100579184B1 (ko) * 2003-11-24 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7863188B2 (en) * 2005-07-29 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4696796B2 (ja) 2005-09-07 2011-06-08 株式会社豊田自動織機 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2009109770A (ja) 2007-10-30 2009-05-21 Fujitsu Ltd 表示装置製造方法および表示装置
US8754997B2 (en) * 2011-02-11 2014-06-17 Japan Display West Inc. Electro-optical device and electronic equipment
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
EP2178133B1 (en) * 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
KR101824425B1 (ko) 2008-12-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR20110067970A (ko) * 2009-12-15 2011-06-22 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
JP2011192567A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ装置
KR20130012119A (ko) * 2010-03-24 2013-02-01 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 발광 소자의 제조 방법 및 그것을 사용하여 이루어지는 발광 소자
JP2012003988A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
KR102001889B1 (ko) * 2010-12-24 2019-07-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR102109009B1 (ko) * 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP2012178262A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Canon Inc 発光装置の製造方法
KR102040242B1 (ko) * 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
US8785258B2 (en) * 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5812887B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-17 株式会社沖データ 表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP6490901B2 (ja) * 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN107768408A (zh) * 2013-04-15 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US9356049B2 (en) * 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
KR102292148B1 (ko) 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
JP6761276B2 (ja) 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140273317A1 (en) 2014-09-18
JP2015015232A (ja) 2015-01-22
TW202107741A (zh) 2021-02-16
TWI754311B (zh) 2022-02-01
TW202218196A (zh) 2022-05-01
TWI632707B (zh) 2018-08-11
TWI773627B (zh) 2022-08-01
TW201906201A (zh) 2019-02-01
KR20220054561A (ko) 2022-05-03
US9978981B2 (en) 2018-05-22
US10490766B2 (en) 2019-11-26
US9444020B2 (en) 2016-09-13
KR20140113466A (ko) 2014-09-24
KR20210016004A (ko) 2021-02-10
KR102213495B1 (ko) 2021-02-08
JP2023011765A (ja) 2023-01-24
US9065034B2 (en) 2015-06-23
JP2019117797A (ja) 2019-07-18
JP7169414B2 (ja) 2022-11-10
US20150162569A1 (en) 2015-06-11
KR102389436B1 (ko) 2022-04-25
JP2021192391A (ja) 2021-12-16
JP6490901B2 (ja) 2019-03-27
US8956891B2 (en) 2015-02-17
US20200358023A1 (en) 2020-11-12
US20200020875A1 (en) 2020-01-16
KR102519774B1 (ko) 2023-04-10
US20140264425A1 (en) 2014-09-18
US20180233690A1 (en) 2018-08-16
US20220102667A1 (en) 2022-03-31
US20160072021A1 (en) 2016-03-10
US20170084860A1 (en) 2017-03-23
JP2020155420A (ja) 2020-09-24
TW201442303A (zh) 2014-11-01
TWI699013B (zh) 2020-07-11
US20240130157A1 (en) 2024-04-18
US11201308B2 (en) 2021-12-14
US10734596B2 (en) 2020-08-04
US9196813B2 (en) 2015-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6725717B2 (ja) 発光装置
JP6977194B2 (ja) 電子機器
JP6676140B2 (ja) 表示装置
TWI611582B (zh) 半導體裝置及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190328

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190328

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200501

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200625

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6725717

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250