TW202107741A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的一個方式提供一種可靠性良好的發光裝置及其製造方法。在元件形成基板上形成發光元件及端子電極，在發光元件及端子電極上隔著黏合層形成具有開口的第一基板，在開口中形成嵌入層，在第一基板及嵌入層上形成轉置基板，剝離元件形成基板，在發光元件及端子電極下形成第二基板，去除轉置基板及嵌入層。此外，在開口中形成各向異性導電連接層，在各向異性導電連接層上形成電極。藉由各向異性導電連接層使端子電極與電極電連接。

Description

發光裝置及其製造方法
本發明係關於一種發光裝置。或者，本發明係關於一種發光裝置的製造方法。
注意，在本說明書中，半導體裝置是指能夠利用半導體特性工作的所有裝置，電光裝置、發光裝置、顯示裝置、半導體電路及電子裝置都是半導體裝置。
近年來，對於利用電致發光(EL：Electroluminescence)的發光元件的研究開發日益火熱。作為這些發光元件的基本結構，有在一對電極之間夾有包含發光物質的層的結構。藉由將電壓施加到該元件，可以得到來源於發光物質的發光。
因為上述發光元件是自發光型發光元件，所以使用該發光元件的發光裝置具有如下優點：具有良好的可見度；不需要背光；以及耗電量低等。而且，使用發光元件的發光裝置還具有如下優點：能夠將其製造得薄且 輕；以及回應速度高等。
另外，由於具有上述發光元件的發光裝置能夠具有撓性，因此正在探討將上述發光裝置應用於撓性基板。
作為使用撓性基板的發光裝置的製造方法，已對如下技術進行開發：例如，在於玻璃基板或石英基板等基板上製造薄膜電晶體等半導體元件之後，在該半導體元件與基板之間填充有機樹脂，從玻璃基板或石英基板將半導體元件轉置到其他基板(例如撓性基板)的技術(專利文獻1)。
此外，關於形成在撓性基板上的發光元件，為了保護發光元件表面或防止來自外部的水分及雜質的侵入，有時在發光元件上還設置撓性基板。
在專利文獻2及專利文獻3中公開有如下技術思想：在撓性基板中形成槽，沿著該槽去除撓性基板的一部分，使用來從外部輸入信號的端子電極露出。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2000-150143號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2009-109770號公報
為了供應對發光裝置的信號或電力，需要去除撓性基板的一部分而使端子電極露出，並使FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)等電極電連接至端子電極。此外，為了減少因佈線電阻導致的信號或電 力的衰減等，較佳的是將端子電極配置在顯示區域附近。
此外，當在發光元件或端子電極上設置撓性基板時，在很多情況下，撓性基板隔著黏合層設置於發光元件或端子電極上。因此，在上述專利文獻所公開的方法中，在去除撓性基板的與端子電極重疊的部分時，有時黏合層殘留在端子電極上。此外，在去除黏合層時，容易損傷端子電極。
此外，在使用雷射或刀具去除撓性基板的一部分的方法中有如下問題：容易損傷發光裝置所具有的端子電極，由此容易降低發光裝置的可靠性或製造良率。另外，為了防止因使用上述方法導致的顯示區域的損傷，需要充分離開地設置顯示區域與端子電極，這容易產生因佈線電阻的增加導致的信號或電力的衰減等。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種不容易損傷端子電極的發光裝置的製造方法。
或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種不容易損傷顯示區域的發光裝置的製造方法。
或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性良好的發光裝置及其製造方法。
或者，本發明的一個方式是提供一種新穎的發光裝置及其製造方法。
本發明的一個方式是一種發光裝置的製造方 法，包括如下步驟：在元件形成基板上隔著剝離層形成發光元件及端子電極；在發光元件及端子電極上隔著具有第二開口的黏合層形成具有第一開口的第一基板；在開口中形成嵌入層；在第一基板及嵌入層上形成轉置基板；從發光元件及端子電極剝離元件形成基板；在發光元件及端子電極下形成第二基板；去除轉置基板及嵌入層；在開口中形成各向異性導電連接層；以及形成藉由各向異性導電連接層與端子電極電連接的外部電極。
此外，在發光裝置的製造方法中，使第一基板所具有的第一開口及黏合層所具有的第二開口與端子電極重疊。
藉由作為第一基板使用撓性基板，可以製造具有撓性形狀的發光裝置。此外，藉由作為第二基板使用撓性基板，可以製造具有撓性形狀的發光裝置。
嵌入層較佳地使用可溶性樹脂形成。
或者，本發明的一個方式是一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在元件形成基板上隔著剝離層形成發光元件及端子電極；在發光元件及端子電極上隔著第一黏合層形成第一基板；從發光元件及端子電極剝離元件形成基板；在發光元件下隔著第二黏合層形成具有開口的第二基板；與開口重疊地形成各向異性導電連接層；以及形成藉由各向異性導電連接層與端子電極電連接的外部電極。
或者，本發明的一個方式是一種發光裝置的 製造方法，包括：在元件形成基板上形成剝離層的第一製程；在剝離層上形成絕緣層的第二製程；選擇性地去除絕緣層的一部分來形成第一開口，在第一開口中使剝離層的一部分露出的第三製程；使露出的剝離層的表面氧化的第四製程；形成與第一開口重疊的端子電極的第五製程；形成發光元件的第六製程；在發光元件及端子電極上隔著第一黏合層形成第一基板的第七製程；剝離元件形成基板的第八製程；在發光元件及端子電極下隔著第二黏合層形成具有第二開口的第二基板的第九製程；以及在第二開口中形成與端子電極電連接的外部電極的第十製程。此外，藉由使第一開口與第二開口重疊，可以實現端子電極與外部電極的電連接。
藉由作為第一基板使用撓性基板，可以製造具有撓性形狀的發光裝置。此外，藉由作為第二基板使用撓性基板，可以製造具有撓性形狀的發光裝置。
由於藉由以其開口與端子電極重疊的方式進行具有開口的第二基板的貼合，不需要使用雷射或刀具等去除第二基板的與端子電極重疊的區域，所以不容易損傷顯示區域及端子電極。此外，由於可以縮短顯示區域與開口之間的距離，所以可以降低信號或電力的衰減。另外，由於使製程簡化，所以可以提高發光裝置的生產率。
或者，本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：在第一基板上形成發光元件及端子電極；在端子電極上形成第一層；在第一層上形成第二層；在發光元件、 第一層、第二層及金屬層上隔著黏合層形成具有第一部分的第二基板；以及第一部分與端子電極、第一層及第二層重疊。
作為第一基板使用撓性基板。此外，作為第二基板使用撓性基板。
第一層使用有機材料形成，第二層使用金屬材料形成。
或者，本發明的一個方式是一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在元件形成基板上隔著剝離層形成發光元件及端子電極；在端子電極上形成第一層；在第一層上形成第二層；在發光元件、端子電極、第一層及第二層上以第一部分與端子電極、第一層及第二層重疊的方式隔著黏合層形成具有第一部分的第二基板；從發光元件及端子電極剝離元件形成基板；以及在發光元件及端子電極下形成第一基板。
作為第一基板使用撓性基板。此外，作為第二基板使用撓性基板。
第一層使用有機材料形成，第二層使用金屬材料形成。
第一部分由打孔圍繞，由此容易使第一部分從第二基板分離。此外，藉由與第一部分重疊地設置第一層及第二層，在使第一部分分離的同時，可以去除與第一部分重疊的黏合層，可以更容易地使端子電極露出。
露出的端子電極可以與外部電極電連接。
作為外部電極可以使用FPC或金屬線。在作為外部電極使用金屬線的情況下，當連接該金屬線與端子電極時不使用各向異性導電連接層，而可以使用打線接合法或焊接來進行連接。
根據本發明的一個方式可以提供一種不容易損傷端子電極的發光裝置的製造方法。
根據本發明的一個方式可以提供一種不容易損傷顯示區域的發光裝置的製造方法。
根據本發明的一個方式可以提供一種可靠性良好的發光裝置及其製造方法。
根據本發明的一個方式可以提供一種新穎的發光裝置及其製造方法。
100:發光裝置
101:元件形成基板
102:轉置基板
103:紫外線
104:層
105:層
107:遮罩
109:層
111:基板
112:黏合層
113:剝離層
114:分隔壁
115:電極
116:端子電極
117:EL層
118:電極
119:基底層
120:黏合層
121:基板
122:開口
123:各向異性導電連接層
124:外部電極
125:發光元件
131:顯示區域
200:發光裝置
205:絕緣層
206:閘極電極
207:閘極絕緣層
208:半導體層
210:絕緣層
211:絕緣層
216:端子電極
219:佈線
231:顯示區域
232:電晶體
251:週邊電路
252:電晶體
264:遮光膜
266:著色層
268:覆蓋層
318:電極
320:EL層
322:電極
330:發光元件
331:發光元件
2100:發光裝置
2101:元件形成基板
2111:基板
2112:黏合層
2113:剝離層
2114:分隔壁
2115:電極
2116:端子電極
2117:EL層
2118:電極
2119:基底層
2120:黏合層
2121:基板
2122:開口
2123:各向異性導電連接層
2124:外部電極
2125:發光元件
2126:氧電漿
2131:顯示區域
2200:發光裝置
2205:絕緣層
2206:閘極電極
2207:閘極絕緣層
2208:半導體層
2210:絕緣層
2211:絕緣層
2216:端子電極
2219:佈線
2231:顯示區域
2232:電晶體
2251:週邊電路
2252:電晶體
2264:遮光膜
2266:著色層
2268:覆蓋層
2300:發光裝置
3100:發光裝置
3101:元件形成基板
3104:層
3105:層
3111:基板
3112:黏合層
3113:剝離層
3114:分隔壁
3115:電極
3116:端子電極
3117:EL層
3118:電極
3119:基底層
3120:黏合層
3121:基板
3122:開口
3123:各向異性導電連接層
3124:外部電極
3125:發光元件
3131:顯示區域
3141:槽部
3150:部分
3200:發光裝置
3205:絕緣層
3206:閘極電極
3207:閘極絕緣層
3208:半導體層
3210:絕緣層
3211:絕緣層
3216:端子電極
3219:佈線
3231:顯示區域
3232:電晶體
3251:週邊電路
3252:電晶體
3264:遮光膜
3266:著色層
3268:覆蓋層
7100:可攜式顯示裝置
7101:外殼
7102:顯示部
7103:操作按鈕
7104:收發裝置
7200:照明設備
7201:底座
7202:發光部
7203:操作開關
7210:照明設備
7212:發光部
7220:照明設備
7222:發光部
7300:顯示裝置
7301:外殼
7302:顯示部
7303:操作按鈕
7304:構件
7305:控制部
7400:行動電話機
7401:外殼
7402:顯示部
7403:操作按鈕
7404:外部連接埠
7405:揚聲器
7406:麥克風
122a:開口
122b:開口
209a:源極電極
209b:汲極電極
2122a:開口
2122b:開口
2209a:源極電極
2209b:汲極電極
3121a:部分
3209a:源極電極
3209b:汲極電極
320a:電荷產生層
在圖式中：
圖1A和圖1B是說明發光裝置的俯視圖及剖面圖；
圖2A至圖2E是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖3A至圖3C是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖4A和圖4B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖5A和圖5B是說明發光裝置的製造方法的剖面 圖；
圖6A和圖6B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖7A至圖7D是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖8A和圖8B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖9A和圖9B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖10A和圖10B是說明發光裝置的俯視圖及剖面圖；
圖11A和圖11B是說明發光裝置的透視圖及俯視圖；
圖12是說明發光裝置的剖面圖；
圖13A至圖13D是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖14A至圖14D是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖15A至圖15C是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖16A和圖16B是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；
圖17A和圖17B是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；
圖18A至圖18D是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；
圖19A至圖19C是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；
圖20A和圖20B是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；
圖21A至圖21E是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖22A和圖22B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖23A和圖23B是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖24A至圖24C是說明發光裝置的製造方法的剖面圖；
圖25A至圖25E是說明槽的配置例的圖；
圖26A至圖26E是說明槽的配置例的圖；
圖27A和圖27B是說明發光裝置的透視圖及剖面圖；
圖28A和圖28B是說明發光元件的結構例的圖；
圖29A至圖29E是說明電子裝置及照明設備的一個例子的圖；
圖30A和圖30B是說明電子裝置的一個例子的圖。
以下，參照圖式對實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在以下說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略重複說明。
注意，在本說明書所說明的每一個圖式中，有時為明確表示發明內容起見，誇大表示或省略各構成要素的大小、層的厚度、區域。因此，本發明並不一定限定於上述尺寸。尤其是在俯視圖中，為了易於理解圖式，有時省略構成要素的一部分。
此外，為了容易理解發明，圖式等所示出的各結構的位置、大小和範圍等有時不表示實際上的位置、大小和範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
注意，本說明書等中的“第一”、“第二”等的序數詞是為了避免構成要素的混同而使用的，其並不表示製程順序或者層疊順序等的順序或次序。注意，關於本說明書等中不附加序數詞的用詞，為了避免構成要素的混同在申請專利範圍中有時對該用詞附加序數詞。注意，關於本說明書等中附加序數詞的用詞，在申請專利範圍中有時對該用詞附加其他序數詞。注意，關於本說明書等中 附加序數詞的用詞，在申請專利範圍中有時省略其序數詞。
注意，在本說明書等中，“電極”或“佈線”不在功能上限定其構成要素。例如，有時將“電極”用作“佈線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“佈線”還包括多個“電極”或“佈線”被形成為一體的情況等。
另外，在本說明書等中，“上”或“下”不侷限於構成要素的位置關係為“正上”或“正下”且直接接觸的情況。例如，“絕緣層A上的電極B”不需要在絕緣層A上直接接觸地形成有電極B，也可以包括在絕緣層A與電極B之間包括其他構成要素的情況。
實施方式1
參照圖1A和圖1B對本發明的一個方式的發光裝置100的結構例進行說明。圖1A是發光裝置100的俯視圖，圖1B是沿圖1A中的A1-A2的點劃線的部分的剖面圖。此外，本說明書所公開的發光裝置100是作為顯示元件使用發光元件的顯示裝置。
<發光裝置的結構>
本實施方式所示的發光裝置100包括：電極115；EL層117；電極118；分隔壁114；以及端子電極116。電極115與端子電極116電連接。此外，在發光裝置100中， 在電極115上具有分隔壁114，在電極115及分隔壁114上具有EL層117，在EL層117上具有電極118。
由電極115、EL層117及電極118形成發光元件125。此外，在基板111上隔著黏合層112、剝離層113及基底層119形成發光元件125。此外，在顯示區域131內設置有多個發光元件125。
此外，在本實施方式所示的發光裝置100中，在電極118上隔著黏合層120形成有基板121。此外，基板121包括與端子電極116重疊的開口122a。此外，黏合層120包括與開口122a重疊的開口122b。在本說明書中，將開口122a及開口122b總稱為開口122。在開口122中，藉由各向異性導電連接層123使外部電極124與端子電極116電連接。
此外，也可以在發光元件125與端子電極116之間設置用來控制供應給發光元件125的信號的切換元件。例如，也可以在發光元件125與端子電極116之間設置電晶體。
電晶體是半導體元件的一種，可以進行電流或電壓的放大、控制導通或非導通的切換操作等。藉由在發光元件125與端子電極116之間設置電晶體，可以更容易地實現顯示區域131的大面積化或高清晰化。此外，不侷限於電晶體等的切換元件，也可以在顯示區域131內設置電阻元件、電感器、電容器等。
[基板]
作為基板121及基板111可以使用有機樹脂材料或具有可彎的厚度的玻璃材料等。在作為發光裝置100使用底面發射型發光裝置或雙面發射型發光裝置的情況下，作為基板111使用對於來自EL層117的發光具有透光性的材料。在作為發光裝置100使用頂面發射型發光裝置或雙面發射型發光裝置的情況下，作為基板121使用對於來自EL層117的發光具有透光性的材料。
作為可以用於基板121及基板111的具有撓性及對可見光的透光性的材料，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。
此外，基板121及基板111的熱膨脹係數較佳為30ppm/K以下，更佳為10ppm/K以下。另外，也可以在基板121及基板111表面上預先形成具有低透水性的保護膜，諸如氮化矽或氧氮化矽等含有氮和矽的膜、氮化鋁等含有氮和鋁的膜等。另外，也可以將在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體(所謂的預浸料)用於基板121及基板111。
[基底層]
基底層119較佳地使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、 氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁或氮氧化鋁等的單層或疊層形成。可以藉由濺射法、CVD法、熱氧化法、塗敷法、印刷法等來形成基底層119。
基底層119可以防止或抑制雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到發光元件125中。
[端子電極]
端子電極116可以使用導電材料形成。例如，可以使用選自鋁、鉻、銅、銀、金、鉑、鉭、鎳、鈦、鉬、鎢、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、錳、鎂、鋯、鈹等中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或者組合上述金屬元素的合金等。此外，也可以使用以包含磷等雜質元素的多晶矽為代表的半導體以及鎳矽化物等矽化物。對導電材料的形成方法沒有特別的限制，可以使用蒸鍍法、CVD法、濺射法、旋塗法等各種形成方法。
另外，作為端子電極116，也可以採用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加氧化矽的銦錫氧化物等包含氧的導電材料。另外，也可以採用上述包含氧的導電材料與上述包含金屬元素的材料的疊層結構。
端子電極116可以具有單層結構或兩層以上的疊層結構。例如，有包含矽的鋁層的單層結構、在鋁層上層疊有鈦層的兩層結構、在氮化鈦層上層疊有鈦層的兩 層結構、在氮化鈦層上層疊有鎢層的兩層結構、在氮化鉭層上層疊有鎢層的兩層結構以及鈦層、在該鈦層上層疊有鋁層並且在該鋁層上形成有鈦層的三層結構等。另外，也可以使用組合鋁與選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的元素的層、組合多種元素的合金層或氮化物層。
[電極115]
電極115較佳地使用高效地反射後面形成的EL層117所發射的光的導電材料形成。此外，電極115不侷限於單層，也可以採用多層的疊層結構。例如，也可以當將電極115用作陽極時，作為接觸於EL層117的層使用其功函數比由銦錫氧化物等形成的EL層117大且具有透光性的層，與該層接觸地設置反射率較高的層(鋁層、包含鋁的合金層或銀層等)。
另外，雖然本實施方式例示出頂部發射結構的發光裝置，但是當採用底部發射結構(下面發射結構)及雙發射結構(雙面發射結構：dual emission structure)的發光裝置時，將透光導電材料用於電極115，即可。
[分隔壁]
分隔壁114是為了防止相鄰的電極118之間的電氣短路而設置的。此外，分隔壁114也具有如下功能：在當形成後面所述的EL層117時使用金屬遮罩的情況下，金屬遮罩不與形成發光元件125的區域接觸。分隔壁114使用 環氧樹脂、丙烯酸樹脂、亞胺樹脂等有機樹脂材料、氧化矽等無機材料形成。分隔壁114的側壁較佳地形成為錐形形狀或具有連續曲率的傾斜面。藉由作為分隔壁114的側壁採用上述形狀，可以實現後面形成的EL層117或電極118的良好的覆蓋性。
[EL層]
在實施方式9中說明EL層117的結構。
[電極118]
在本實施方式中由於將電極118用作陰極，所以較佳地使用能夠對後面所述的EL層117注入電子的功函數小的材料形成電極118。此外，將形成幾nm的功函數小的鹼金屬或鹼土金屬的層而不是功函數小的單個金屬用作緩衝層，在其上使用鋁等金屬材料、銦錫氧化物等導電氧化物材料或半導體材料形成電極118，即可。此外，緩衝層也可以使用鹼土金屬的氧化物、鹵化物或鎂-銀等合金形成。
此外，在透過電極118提取EL層117所發射的光的情況下，較佳的是電極118對可見光具有透光性。
[黏合層]
在本實施方式中黏合層120與電極118接觸地形成。基板121被黏合層120固定。此外，黏合層112與剝離層 113接觸地形成。基板111被黏合層112固定。作為黏合層120及黏合層112可以使用光固化黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固性黏合劑或厭氧型黏合劑。例如，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、亞胺樹脂等。在頂部發射結構的情況下在黏合層120中，在底部發射結構的情況下在黏合層112中，混合光的波長以下的尺寸的乾燥劑(沸石等)或具有高折射率的填料(氧化鈦、鋯等)，EL層117所發射的光的提取效率得到提高，所以是較佳的。
[剝離層]
剝離層113可以使用選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素、含有上述元素的合金材料、含有上述元素的化合物材料形成。此外，可以使用上述材料的單層或疊層形成。此外，剝離層113的結晶結構也可以是非晶、微晶、多晶中的任何一種。此外，剝離層113也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或InGaZnO(IGZO)等金屬氧化物形成。
剝離層113可以藉由濺射法、CVD法、塗敷法、印刷法等形成。另外，塗敷法包括旋塗法、液滴噴射法、分配器方法。
在以單層形成剝離層113的情況下，較佳地使用鎢、鉬或含有鎢和鉬的合金材料。或者，在以單層形成剝離層113的情況下，較佳地使用鎢的氧化物或氧氮化 物、鉬的氧化物或氧氮化物或者包含鎢和鉬的合金的氧化物或氧氮化物。
另外，當作為剝離層113例如形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以應用如下現象：藉由以與包含鎢的層接觸的方式形成絕緣氧化物層，在包含鎢的層與絕緣氧化物層之間的介面形成氧化鎢。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、使用諸如臭氧水等高氧化性的溶液的處理等來形成包含鎢的氧化物的層。
[各向異性導電連接層]
作為各向異性導電連接層123可以使用各種各向異性導電薄膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或各向異性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
各向異性導電連接層123是使對熱固性或熱固性及光固化性的樹脂混合導電粒子的膏狀或片狀的材料固化的。各向異性導電連接層123藉由光照射或熱壓接合而成為呈現各向異性的導電材料。作為用於各向異性導電連接層123的導電粒子，例如可以使用由薄膜狀的金屬諸如Au、Ni、Co等覆蓋球狀的有機樹脂的粒子。
<發光裝置的製造方法>
接著，參照圖2A至圖6B示出發光裝置100的製造方法。圖2A至圖6B相當於沿圖1A中的A1-A2的點劃線 的部分的剖面。
[剝離層的形成]
首先，在元件形成基板101上形成剝離層113(參照圖2A)。此外，作為元件形成基板101可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板等。此外，也可以使用具有能夠承受本實施方式的處理溫度的耐熱性的塑膠基板。
另外，作為玻璃基板，例如使用如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鋇硼矽酸鹽玻璃等玻璃材料。注意，藉由使玻璃基板含有較多氧化鋇(BaO)，可以得到實用性更高的耐熱玻璃。此外，還可以使用晶化玻璃等。
在本實施方式中，剝離層113藉由濺射法使用鎢形成。
[基底層的形成]
接著，在剝離層113上形成基底層119(參照圖2A)。在本實施方式中，基底層119藉由電漿CVD法使用氧化矽形成。
[端子電極的形成]
接著，在基底層119上形成端子電極116。首先，在基底層119上藉由濺射法形成在兩層鉬之間夾有鋁的三層結構的金屬膜。接著，在金屬膜上形成光阻遮罩，使用該 光阻遮罩將金屬膜蝕刻為所希望的形狀來可以形成端子電極116。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，由此可以降低製造成本。
作為金屬膜的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。當利用濕蝕刻法對金屬膜進行蝕刻時，作為蝕刻劑，可以使用混合有磷酸、醋酸及硝酸的溶液、包含草酸的溶液、包含磷酸的溶液等。在蝕刻處理結束之後去除光阻遮罩(參照圖2B)。
[電極115的形成]
接著，在基底層119上形成電極115。電極115也可以與端子電極116同樣地形成。在本實施方式中，電極115使用在銀上層疊銦錫氧化物的材料形成。電極115與端子電極116電連接(參照圖2B)。
[分隔壁的形成]
接著，形成分隔壁114(參照圖2C)。在本實施方式中，藉由對感光性有機樹脂材料進行塗敷法而加工為所希望的形狀，來形成分隔壁114。在本實施方式中，使用感光性亞胺樹脂形成分隔壁114。
[EL層的形成]
接著，在電極115及分隔壁114上形成EL層117 (參照圖2D)。
[電極118的形成]
接著，以與EL層117接觸的方式形成電極118。可以藉由蒸鍍法、濺射法等形成電極118(參照圖2E)。
[基板的形成]
接著，在電極118上隔著黏合層120形成具有開口122a的基板121。此時，以與端子電極116重疊的方式配置基板121的開口122a。此外，在黏合層120的與開口122a重疊的區域中具有開口122b。如上所述，在本說明書中，將開口122a及開口122b總稱為開口122(參照圖3A)。
[嵌入層的形成]
接著，在開口122內形成嵌入層109(參照圖3B)。在不在開口122內形成嵌入層109的情況下，當在後面的製程中進行的元件形成基板101的剝離時有可能損傷端子電極116的與開口122重疊的區域。此外，由於在後面將去除嵌入層109，所以嵌入層109較佳地使用可以溶於水或有機溶劑的材料形成。作為這種材料，可以使用可溶性丙烯酸樹脂、可溶性聚醯亞胺樹脂、可溶性環氧樹脂等可溶性樹脂形成。此外，嵌入層109的表面位置較佳的是與基板121的表面大致一致。在本實施方式中，嵌入層109 使用水溶性丙烯酸樹脂形成。
[轉置基板的形成]
接著，將轉置基板102貼合於基板121上(參照圖3C)。由於在後面將去除轉置基板102，所以轉置基板102可以使用因紫外線的照射而黏合力變弱的UV膠帶、切割膠帶(dicing tape)、因加熱而黏合力變弱的膠帶、弱黏合性的膠帶形成。在本實施方式中作為轉置基板102使用UV膠帶。
[基板的剝離]
接著，從基底層119與剝離層113一起剝離元件形成基板101(參照圖4A)。作為剝離方法，施加機械力(使用人手或夾具來剝離的處理或使滾筒轉動來進行分離的處理、超音波處理等)，即可。例如，使用鋒利的刀具或雷射照射等在剝離層113中形成切口，且向該切口中注入水。藉由由於毛細現象而水滲到剝離層113與基底層119之間，可以更容易地從基底層剝離元件形成基板101。
[發光裝置與基板的貼合]
接著，隔著黏合層112將基板111貼合於基底層119(參照圖4B)。
[轉置基板的剝離]
接著，剝離轉置基板102。在本實施方式中由於作為轉置基板102使用UV膠帶，所以對轉置基板102照射紫外線103(參照圖5A)，可以更容易地剝離轉置基板102(參照圖5B)。
[嵌入層的去除]
接著，使用適應於去除嵌入層109的溶劑諸如水或有機溶劑等去除嵌入層109(參照圖6A)。
[外部電極的形成]
接著，在開口122中形成各向異性導電連接層123。此外，在開口122中的與端子電極116重疊的位置上形成用來對發光裝置100輸入電力或信號的外部電極124(參照圖6B)。外部電極124藉由各向異性導電連接層123與端子電極116電連接。像這樣，可以對發光裝置100輸入電力或信號。此外，作為外部電極124可以使用FPC。
此外，作為外部電極124也可以使用金屬線。該金屬線與端子電極116的連接可以藉由打線接合法進行而不使用各向異性導電連接層123。此外，也可以藉由焊接進行該金屬線與端子電極116的連接。
根據本發明的一個方式，由於不需要為了對發光裝置100輸入電力或信號而使用雷射或刀具去除基板121的一部分，所以不容易損傷發光裝置100或端子電極116。根據本發明的一個方式可以提供製造良率良好且可 靠性良好的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中，對使用與實施方式1所公開的方法不同的方法製造發光裝置100的方法進行說明。注意，為了避免重複說明，在本實施方式中主要對與實施方式1不同的部分進行說明。
<發光裝置的製造方法>
到分隔壁114的形成可以與實施方式1同樣地進行(參照圖2C)。
[EL層的形成]
接著，在電極115及分隔壁114上形成EL層117。此時，在形成EL層117的同時，在端子電極116上的與開口122重疊的區域形成層104(參照圖7A)。層104可以使用與EL層117相同的材料及方法形成。
[電極118的形成]
接著，以與EL層117接觸的方式形成電極118。此時，在層104上的與開口122重疊的區域形成層105。層105可以使用與電極118同時形成的層的一部分形成(參 照圖7B)。
[基板121的形成]
接著，在電極118上隔著黏合層120形成基板121。此時，基板121中的開口122以與端子電極116、層105及層104重疊的方式配置(參照圖7C)。此外，由於黏合層120不形成在與開口122重疊的區域，所以黏合層120也具有與開口122重疊的開口。
此外，在俯視時，層104是以具有層104的週邊部分位於黏合層的開口的外側的尺寸的方式形成的。另外，在俯視時，層105是以具有層105的週邊部分位於黏合層的開口的內側的尺寸的方式形成的。
[嵌入層及轉置基板的形成]
接著，與實施方式1同樣地形成嵌入層109及轉置基板102(參照圖7D)。然後，剝離元件形成基板101，隔著黏合層112將基板111貼合於基底層119。
[轉置基板的剝離]
接著，對轉置基板102照射紫外線103，使轉置基板102的黏合力變弱來剝離轉置基板102。在照射紫外線103之前，在與嵌入層109重疊的區域配置遮罩107，以免紫外線103照射到轉置基板102的與嵌入層109重疊的區域(參照圖8A)。
像這樣，轉置基板102的與嵌入層109重疊的區域的黏合力被保持而不變弱。此外，由於層104與層105之間的介面的緊密性弱，所以在剝離轉置基板102的同時去除嵌入層109及層105(參照圖8B)。
[層104的去除]
接著，使用乙醇等有機溶劑去除層104，使端子電極116表面的一部分露出(參照圖9A)。
[外部電極的形成]
接著，在開口122中形成各向異性導電連接層123，在各向異性導電連接層123上形成用來對發光裝置100輸入電力或信號的外部電極124(參照圖9B)。藉由各向異性導電連接層123使外部電極124與端子電極116電連接。像這樣，可以對發光裝置100輸入電力或信號。此外，作為外部電極124可以使用FPC。
根據本發明的一個方式，由於不需要為了對發光裝置100輸入電力或信號而去除基板121的一部分，所以不容易損傷發光裝置100或端子電極116。根據本發明的一個方式可以提供製造良率良好且可靠性良好的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖10A和圖10B對具有與上述實施方式所示的發光裝置100不同的結構的發光裝置200進行說明。圖10A是發光裝置200的俯視圖，圖10B是沿圖10A中的B1-B2的點劃線的部分的剖面圖。
<發光裝置的結構>
本實施方式所示的發光裝置200具有顯示區域231及週邊電路251。此外，發光裝置200具有包括電極115、EL層117及電極118的發光元件125以及端子電極216。在顯示區域231中形成有多個發光元件125。此外，各發光元件125與用來控制發光元件125的發光量的電晶體232連接。
端子電極216藉由形成在開口122中的各向異性導電連接層123與外部電極124電連接。此外，端子電極216與週邊電路251電連接。
週邊電路251由多個電晶體252構成。週邊電路251具有決定將從外部電極124供應的信號供應給顯示區域231中的發光元件125中的哪一個的功能。
圖10A和圖10B所示的發光裝置200具有隔著黏合層120使基板111與基板121貼合的結構。在基板111上隔著黏合層112形成有絕緣層205。絕緣層205較佳地使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁或氮氧化鋁等的單層或疊層形成。可以藉由 濺射法、CVD法、熱氧化法、塗敷法、印刷法等來形成絕緣層205。
此外，絕緣層205用作基底層，可以防止或抑制雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到電晶體或發光元件中。
此外，在絕緣層205上形成有電晶體232、電晶體252、端子電極216、佈線219。注意，在本實施方式中，作為電晶體232及電晶體252例示出底閘極型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體，但是也可以使用通道保護型電晶體或頂閘極型電晶體等。此外，也可以使用由兩個閘極電極夾住形成有通道的半導體層的結構的雙閘極(dual gate)型電晶體。
電晶體232與電晶體252也可以具有同樣的結構。但是，可以在各電晶體中適當地調整電晶體的尺寸(例如，通道長度及通道寬度)等。
電晶體232及電晶體252具有閘極電極206、閘極絕緣層207、半導體層208、源極電極209a以及汲極電極209b。
端子電極216、佈線219、閘極電極206、源極電極209a及汲極電極209b可以使用與端子電極116相同的材料及方法形成。此外，閘極絕緣層207可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
半導體層208可以使用非晶半導體、微晶半導體、多晶半導體等形成。例如，可以使用非晶矽或微晶 鍺等。此外，也可以使用碳化矽、鎵砷、氧化物半導體、氮化物半導體等化合物半導體、有機半導體等。
此外，氧化物半導體的能隙大，即3.0eV以上，對於可見光的穿透率較大。此外，在以適當的條件對氧化物半導體進行加工而得到的電晶體中，在使用時的溫度條件下(例如，25℃)，可以將關態電流(off-state current)設定為100zA(1×10-19A)以下、10zA(1×10-20A)以下或1zA(1×10-21A)以下。由此，可以提供耗電量低的發光裝置。
此外，當作為半導體層208使用氧化物半導體時，較佳的是作為與半導體層208接觸的絕緣層使用含氧的絕緣層。
此外，在電晶體232及電晶體252上形成有絕緣層210，在絕緣層210上形成有絕緣層211。絕緣層210用作保護絕緣層，並可以防止或抑制雜質元素從絕緣層210的上層擴散到電晶體232及電晶體252中。絕緣層210可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
此外，為了減少發光元件125的被形成面的表面凹凸也可以對絕緣層211進行平坦化處理。對平坦化處理沒有特別的限制，可以使用拋光處理(如化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing：CMP))或乾蝕刻處理。
此外，藉由使用具有平坦化功能的絕緣材料形成絕緣層211，可以省略拋光處理。作為具有平坦化功 能的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成絕緣層211。
此外，在絕緣層211上形成用來將發光元件125與其他發光元件125隔開的分隔壁114。
此外，基板121設置有遮光膜264、著色層266、覆蓋層268。發光裝置200是來自發光元件125的光透過著色層266從基板121一側發射的所謂頂部發射結構(上面發射結構)的發光裝置。
此外，發光元件125在設置在絕緣層211及絕緣層210中的開口中與電晶體232電連接。
另外，雖然在本實施方式中示出主動矩陣型的發光裝置作為發光裝置的一個例子，但是也可以將本實施方式應用於被動矩陣型的發光裝置。
此外，本發明的一個方式不侷限於作為顯示元件使用發光元件的發光裝置，也可以用於作為顯示元件使用液晶元件的液晶顯示裝置、電子紙、DMD(Digital Micromirror Device：數位微鏡裝置)、PDP(Plasma Display Panel：電漿顯示面板)、FED(Field Emission Display：場致發射顯示器)、SED(Surface Conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等顯示裝置。
作為液晶元件的一個例子，有利用液晶的光 學調變作用來控制光的透射或非透射的元件。該元件可以由一對電極和液晶層構成。另外，液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。另外，明確而言，作為液晶的一個例子，可以舉出向列液晶、膽固醇相液晶、層列相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、鐵電液晶、反鐵電液晶、主鏈型液晶、側鏈型高分子液晶、香蕉型液晶等。另外，作為液晶的驅動方法也可以使用如下模式：TN(Twisted Nematic：扭轉向列)模式；STN(Super Twisted Nematic ：超扭曲向列)模式；IPS(In-Plane-Switching：平面內切換)模式；FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式；MVA(Multi-domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式；PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式；ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式；ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式：OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式；ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式；FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電液晶)模式：AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式；PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散型液晶)模式；PNLC(Polymer Network Liquid Crystal：聚合物網路型液晶)模式；賓主模式；藍相( Blue Phase)模式等。但是，不侷限於此而還可以使用各種液晶元件及其驅動方式。
作為電子紙的顯示方法的一個例子，可以使用：利用分子來進行顯示的裝置(如光學各向異性、染料分子配向等)；利用粒子來進行顯示的裝置(如電泳、粒子移動、粒子旋轉、相變等)；藉由使薄膜的一端移動而進行顯示的裝置；利用分子的發色/相變來進行顯示的裝置；藉由分子的光吸收而進行顯示的裝置；藉由電子和電洞相結合而自發光來進行顯示的裝置；等。明確而言，作為電子紙的顯示方法的一個例子，有微囊型電泳、水平移動型電泳、垂直移動型電泳、球狀扭轉球、磁性扭轉球、圓柱扭轉球方式、帶電色粉、電子粉粒流體、磁泳型、磁熱敏式、電潤濕、光散射(透明/白濁變化)、膽固醇相液晶/光導電層、膽固醇相液晶、雙穩態向列液晶、強介電液晶、二色性色素．液晶分散型、可動薄膜、利用無色染料的著色和去色、光致變色、電致變色、電沉積、撓性有機EL等。但是，不侷限於此，作為電子紙及其顯示方法，可以使用各種電子紙及顯示方法。在此，藉由使用微囊型電泳，可以解決遷移粒子的凝集和沉澱。電子粉粒流體具有高速回應性、高反射率、廣視角、低耗電量、儲存性等的優點。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式4
參照圖11A、圖11B及圖12對本發明的一個方式的發光裝置2100的結構例進行說明。圖11A是示出發光裝置2100的外觀的透視圖，圖11B是發光裝置2100的俯視圖。此外，圖12是沿圖11A和圖11B中的C1-C2的點劃線的部分的剖面圖。此外，本說明書所公開的發光裝置2100是作為顯示元件使用發光元件的顯示裝置。
<發光裝置的結構>
本實施方式所示的發光裝置2100包括：電極2115；EL層2117；電極2118；分隔壁2114；以及端子電極2116。電極2115與端子電極2116電連接。此外，在發光裝置2100中，在電極2115上具有分隔壁2114，在電極2115及分隔壁2114上具有EL層2117，在EL層2117上具有電極2118。
由電極2115、EL層2117及電極2118形成發光元件2125。此外，在基板2111上隔著黏合層2112及基底層2119形成發光元件2125。此外，在顯示區域2131內設置有多個發光元件2125。
此外，在本實施方式所示的發光裝置2100中，在電極2118上隔著黏合層2120形成有基板2121。
此外，基底層2119包括與端子電極2116重疊的開口2122a。此外，黏合層2112及基板2111包括與開口2122a重疊的開口2122b。在本說明書中，將開口 2122a及開口2122b總稱為開口2122。在開口2122中，藉由各向異性導電連接層2123使外部電極2124與端子電極2116電連接。
此外，也可以在發光元件2125與端子電極2116之間設置用來控制供應給發光元件2125的信號的切換元件。例如，也可以在發光元件2125與端子電極2116之間設置電晶體。
電晶體是半導體元件的一種，可以進行電流或電壓的放大、控制導通或非導通的切換操作等。藉由在發光元件2125與端子電極2116之間設置電晶體，可以更容易地實現顯示區域2131的大面積化或高清晰化。此外，不侷限於電晶體等的切換元件，也可以在顯示區域2131內設置電阻元件、電感器、電容器等。
[基板]
作為基板2121及基板2111可以使用與上述實施方式所公開的基板121及基板111相同的材料。在作為發光裝置2100使用底面發射型發光裝置或雙面發射型發光裝置的情況下，作為基板2111使用對於來自EL層2117的發光具有透光性的材料。此外，在作為發光裝置2100使用頂面發射型發光裝置或雙面發射型發光裝置的情況下，作為基板2121使用對於來自EL層2117的發光具有透光性的材料。
[基底層]
基底層2119可以使用與上述實施方式所公開的基底層119相同的材料及方法形成。
基底層2119可以防止或抑制雜質元素從基板2111或黏合層2112等擴散到發光元件2125中。
[端子電極]
端子電極2116可以使用與上述實施方式所公開的端子電極116相同的材料及方法形成。
[電極2115]
電極2115較佳地使用高效地反射後面形成的EL層2117所發射的光的導電材料形成。電極2115可以使用與上述實施方式所公開的電極115相同的材料及方法形成。
另外，雖然本實施方式例示出頂部發射結構的發光裝置，但是當採用底部發射結構(下面發射結構)及雙發射結構(雙面發射結構)的發光裝置時，將透光導電材料用於電極2115，即可。
[分隔壁]
分隔壁2114是為了防止相鄰的電極2118之間的電氣短路而設置的。此外，分隔壁2114也具有如下功能：在當形成後面所述的EL層2117時使用金屬遮罩的情況下，金屬遮罩不與形成發光元件2125的區域接觸。分隔壁 2114可以使用與上述實施方式所公開的分隔壁114相同的材料及方法形成。分隔壁2114的側壁較佳地形成為錐形形狀或具有連續曲率的傾斜面。藉由作為分隔壁2114的側壁採用上述形狀，可以實現後面形成的EL層2117或電極2118的良好的覆蓋性。
[EL層]
在實施方式9中說明EL層2117的結構。
[電極2118]
在本實施方式中由於將電極2118用作陰極，所以較佳地使用能夠對後面所述的EL層2117注入電子的功函數小的材料形成電極2118。電極2118可以使用與上述實施方式所公開的電極118相同的材料及方法形成。
此外，在透過電極2118提取EL層2117所發射的光的情況下，較佳的是電極2118對可見光具有透光性。
[黏合層]
在本實施方式中黏合層2120與電極2118接觸地形成。基板2121被黏合層2120固定。此外，黏合層2112與基底層2119接觸地形成。基板2111被黏合層2112固定。黏合層2120及黏合層2112可以使用與上述實施方式所公開的黏合層120及黏合層112相同的材料及方法形 成。此外，在頂部發射結構的情況下在黏合層2120中，在底部發射結構的情況下在黏合層2112中，混合光的波長以下的尺寸的乾燥劑(沸石等)或具有高折射率的填料(氧化鈦、鋯等)，EL層2117所發射的光的提取效率得到提高，所以是較佳的。
[各向異性導電連接層]
各向異性導電連接層2123可以使用與上述實施方式所公開的各向異性導電連接層123相同的材料及方法形成。
<發光裝置的製造方法>
接著，參照圖13A至圖15C示出發光裝置2100的製造方法。圖13A至圖15C相當於沿圖11A和圖11B中的C1-C2的點劃線的部分的剖面。
[剝離層的形成]
首先，在元件形成基板2101上形成剝離層2113(參照圖13A)。此外，作為元件形成基板2101可以使用與上述實施方式所公開的元件形成基板101相同的材料形成。
剝離層2113可以使用與上述實施方式所公開的剝離層113相同的材料及方法形成。
在本實施方式中，剝離層2113藉由濺射法使 用鎢形成。
[基底層的形成]
接著，在剝離層2113上形成基底層2119(參照圖13A)。在本實施方式中，基底層2119藉由電漿CVD法使用氧化矽形成。
[開口部的形成]
接著，選擇性地去除基底層2119的一部分以形成開口2122a(參照圖13B)。明確而言，在基底層2119上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩對基底層2119的一部分選擇性地進行蝕刻。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，由此可以降低製造成本。此外，作為基底層2119的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。較佳的是採用基底層2119的蝕刻速度比剝離層2113的蝕刻速度快的條件來進行基底層2119的蝕刻。
[開口部的氧化處理]
接著，將藉由形成開口2122a而露出的剝離層2113表面氧化。露出的剝離層2113表面接觸於過氧化氫水、含有臭氧的水等具有氧化力的溶液來可以進行露出的剝離層2113表面的氧化。此外，露出的剝離層2113表面暴露於氧氛圍中，且對其照射紫外線，由此可以將露出的剝離 層2113表面氧化。此外，將露出的剝離層2113表面暴露於氧電漿。在本實施方式中，藉由使剝離層2113表面暴露於氧電漿2126，將藉由形成開口2122a而露出的剝離層2113表面氧化(參照圖13C)。
藉由在剝離層2113表面上形成氧化層，可以更容易地進行後面製程中的元件形成基板2101的剝離。
[端子電極的形成]
接著，形成與基底層2119及開口2122a重疊的端子電極2116(參照圖13D)。端子電極2116可以使用與上述實施方式所公開的端子電極116相同的材料及方法形成。
另外，在開口2122a中剝離層2113與端子電極2116隔著被上述氧化處理氧化的剝離層2113表面接觸。藉由在剝離層2113與端子電極2116之間的介面設置氧化層，當後面製程中進行的元件形成基板2101的剝離時，可以防止端子電極2116與剝離層2113一起剝離的現象。
[電極2115的形成]
接著，在基底層2119上形成電極2115。電極2115也可以與端子電極2116同樣地形成。在本實施方式中，電極2115使用在銀上層疊銦錫氧化物的材料形成。電極2115與端子電極2116電連接(參照圖14A)。
[分隔壁的形成]
接著，形成分隔壁2114(參照圖14B)。在本實施方式中，藉由對感光性有機樹脂材料進行塗敷法而加工為所希望的形狀，來形成分隔壁2114。在本實施方式中，使用感光性亞胺樹脂形成分隔壁2114。
[EL層的形成]
接著，在電極2115及分隔壁2114上形成EL層2117(參照圖14C)。
[電極2118的形成]
接著，以與EL層2117接觸的方式形成電極2118。可以藉由蒸鍍法、濺射法等形成電極2118(參照圖14D)。
[基板2121的形成]
接著，在電極2118上隔著黏合層2120形成基板2121(參照圖15A)。
[基板的剝離]
接著，從基底層2119及端子電極2116與剝離層2113一起剝離元件形成基板2101(參照圖15B)。作為剝離方法可以使用與上述實施方式所公開的基板的剝離方 法相同的方法。
[發光裝置與基板的貼合]
接著，將具有開口2122b的基板2111隔著黏合層2112與基底層2119貼合(參照圖15C)。此時，基板2111中的開口2122b配置於重疊於開口2122a的位置。此外，黏合層2112不在與開口2122b重疊的區域中形成。此外，如上所述，在本說明書中，將開口2122a及開口2122b總稱為開口2122。
[外部電極的形成]
接著，在開口2122中形成各向異性導電連接層2123。此外，在開口2122中的與端子電極2116重疊的位置上形成用來對發光裝置2100輸入電力或信號的外部電極2124(參照圖12)。外部電極2124藉由各向異性導電連接層2123與端子電極2116電連接。像這樣，可以對發光裝置2100輸入電力或信號。外部電極2124可以使用與上述實施方式所公開的外部電極124相同的材料及方法形成。
根據本發明的一個方式，由於不需要使用雷射或刀具等去除基板2121的一部分，所以不容易損傷顯示區域2131或端子電極2116。此外，由於可以縮短顯示區域2131與開口2122之間的距離，所以可以減少信號或電力的衰減。另外，由於使製程簡化，所以可以提高發光 裝置的生產率。根據本發明的一個方式可以提供製造良率良好且可靠性良好的發光裝置。此外，可以提供顯示品質良好的發光裝置。
<變形例>
此外，本發明的一個方式可以採用如圖16A和圖16B所示的發光裝置2200那樣的結構。圖16A是示出發光裝置2200的外觀的透視圖，圖16B是沿圖16A中的D1-D2的點劃線的部分的剖面圖。
發光裝置2200中的基板2111的形狀與發光裝置2100不同。發光裝置2200所具有的基板2111沒有開口2122b。此外，基板2111以不與開口2122a重疊的方式與基底層2119貼合。因此，圖16A和圖16B所示的發光裝置2200具有基板2121的端部與基板2111的端部不一致的結構。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖17A和圖17B對具有與上述實施方式所示的發光裝置2100不同的結構的發光裝置2300進行說明。圖17A是發光裝置2300的透視圖，圖17B是沿圖17A中的E1-E2的點劃線的部分的剖面圖。
<發光裝置的結構>
本實施方式所示的發光裝置2300具有顯示區域2231及週邊電路2251。此外，發光裝置2300具有包括電極2115、EL層2117及電極2118的發光元件2125以及端子電極2216。在顯示區域2231中形成有多個發光元件2125。此外，各發光元件2125與用來控制發光元件2125的發光量的電晶體2232連接。
端子電極2216藉由形成在開口2122中的各向異性導電連接層2123與外部電極2124電連接。此外，端子電極2216與週邊電路2251電連接。
週邊電路2251由多個電晶體2252構成。週邊電路2251具有決定將從外部電極2124供應的信號供應給顯示區域2231中的發光元件2125中的哪一個的功能。在圖17A中示出顯示區域2231的外側具有四個週邊電路2251的結構，但是本發明的一個方式不侷限於此。
圖17A和圖17B所示的發光裝置2300具有隔著黏合層2120使基板2111與基板2121貼合的結構。在基板2111上隔著黏合層2112形成有絕緣層2205。絕緣層2205可以使用與上述實施方式所公開的絕緣層205相同的材料及方法形成。
此外，絕緣層2205用作基底層，可以防止或抑制雜質元素從基板2111或黏合層2112等擴散到電晶體或發光元件中。
此外，在絕緣層2205上形成有電晶體2232、 電晶體2252、端子電極2216、佈線2219。注意，在本實施方式中，作為電晶體2232及電晶體2252例示出底閘極型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體，但是也可以使用通道保護型電晶體或頂閘極型電晶體等。
電晶體2232與電晶體2252具有同樣的結構。但是，可以在各電晶體中適當地調整電晶體的尺寸(例如，通道長度及通道寬度)等。
電晶體2232及電晶體2252具有閘極電極2206、閘極絕緣層2207、半導體層2208、源極電極2209a以及汲極電極2209b。
端子電極2216、佈線2219、閘極電極2206、源極電極2209a及汲極電極2209b可以使用與端子電極2116相同的材料及方法形成。此外，閘極絕緣層2207可以使用與絕緣層2205相同的材料及方法形成。
半導體層2208可以使用與上述實施方式所公開的半導體層208相同的材料及方法形成。
此外，當作為半導體層2208使用氧化物半導體時，較佳的是作為與半導體層2208接觸的絕緣層使用含氧的絕緣層。
此外，在電晶體2232及電晶體2252上形成有絕緣層2210，在絕緣層2210上形成有絕緣層2211。絕緣層2210用作保護絕緣層，並可以防止或抑制雜質元素從絕緣層2210的上層擴散到電晶體2232及電晶體2252中。絕緣層2210可以使用與絕緣層2205相同的材料及方 法形成。
此外，為了減少發光元件2125的被形成面的表面凹凸也可以對絕緣層2211進行平坦化處理。對平坦化處理沒有特別的限制，可以使用拋光處理(如化學機械拋光)或乾蝕刻處理。
此外，藉由使用具有平坦化功能的絕緣材料形成絕緣層2211，可以省略拋光處理。作為具有平坦化功能的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成絕緣層2211。
此外，在絕緣層2211上形成用來將發光元件2125與其他發光元件2125隔開的分隔壁2114。
此外，基板2121設置有遮光膜2264、著色層2266、覆蓋層2268。發光裝置2300是來自發光元件2125的光透過著色層2266從基板2121一側發射的所謂頂部發射結構(上面發射結構)的發光裝置。
此外，發光元件2125在設置在絕緣層2211及絕緣層2210中的開口中與電晶體2232電連接。
另外，雖然在本實施方式中示出主動矩陣型的發光裝置作為發光裝置的一個例子，但是也可以將本實施方式應用於被動矩陣型的發光裝置。
此外，本發明的一個方式不侷限於作為顯示元件使用發光元件的發光裝置，也可以用於作為顯示元件 使用液晶元件的液晶顯示裝置、電子紙、DMD、PDP、FED、SED等顯示裝置。
作為液晶元件的一個例子可以使用與上述實施方式所公開的液晶元件相同的材料。此外，作為液晶元件的驅動方法可以使用與上述實施方式所公開的液晶元件的驅動方法相同的方法。
此外，作為電子紙的顯示方法可以使用與上述實施方式所公開的電子紙的顯示方法相同的方法。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式6
參照圖18A至圖20B對本發明的一個方式的發光裝置3100的結構例進行說明。圖18A是發光裝置3100的透視圖，圖18B是圖18A所示的部分3150的放大圖。此外，圖18C及圖18D是沿圖18A中的F1-F2的點劃線的部分的剖面圖。此外，本說明書所公開的發光裝置3100是作為顯示元件使用發光元件的顯示裝置。
<發光裝置的結構>
本實施方式所示的發光裝置3100包括：電極3115；EL層3117；電極3118；分隔壁3114；以及端子電極3116。電極3115與端子電極3116電連接。此外，在發光裝置3100中，在電極3115上具有分隔壁3114，在電極 3115及分隔壁3114上具有EL層3117，在EL層3117上具有電極3118。
由電極3115、EL層3117及電極3118形成發光元件3125。此外，在基板3111上隔著黏合層3112及基底層3119形成發光元件3125。此外，在顯示區域3131內設置有多個發光元件3125。
此外，在本實施方式所示的發光裝置3100中，在電極3118上隔著黏合層3120形成有基板3121。
基板3121具有槽部3141。圖18A至圖18C所示的槽部3141在基板3121的厚度方向上貫穿，但是槽部3141不一定需要在基板3121的厚度方向上貫穿。槽部3141如圖18D所示也可以具有一定深度而不貫穿基板3121。在不貫穿基板3121的情況下的槽部3141的深度較佳為基板3121的厚度的二分之一以上，更佳為三分之二以上。此外，將在俯視時基板3121中的由槽部3141圍繞的區域稱為部分3121a。
此外，在端子電極3116上形成層3104，在層3104上形成層3105。端子電極3116上的層3104及層3105形成於重疊於部分3121a的位置上。
如圖19A至圖19C所示，藉由使部分3121a及重疊於部分3121a的黏合層3120從發光裝置3100分離，可以使端子電極3116的一部分露出。圖19A是示出部分3121a及重疊於部分3121a的黏合層3120的分離中途的樣子的透視圖，圖19B是示出部分3121a及重疊於部 分3121a的黏合層3120的分離之後的樣子的透視圖。此外，圖19C是沿圖19B中的F1-F2的點劃線的部分的剖面圖。
藉由去除部分3121a及重疊於部分3121a的黏合層3120形成開口3122，由此可以使端子電極3116的一部分露出。
藉由在與部分3121a重疊的位置上設置層3104及層3105，容易使部分3121a與重疊於部分3121a的黏合層3120一起分離，可以使端子電極3116露出。此外，後面詳細說明層3104及層3105。
此外，如圖20A和圖20B所示，可以在開口3122中藉由各向異性導電連接層3123使外部電極3124與端子電極3116電連接。因此，將基板3121的與開口3122重疊的區域也稱為“外部電極連接區域”。圖20A是連接有外部電極3124的發光裝置3100的透視圖，圖20B是沿圖20A中的F1-F2的點劃線的部分的剖面圖。
此外，也可以在發光元件3125與端子電極3116之間設置用來控制供應給發光元件3125的信號的切換元件。例如，也可以在發光元件3125與端子電極3116之間設置電晶體。
電晶體是半導體元件的一種，可以進行電流或電壓的放大、控制導通或非導通的切換操作等。藉由在發光元件3125與端子電極3116之間設置電晶體，可以更容易地實現顯示區域3131的大面積化或高清晰化。此 外，不侷限於電晶體等的切換元件，也可以在顯示區域3131內設置電阻元件、電感器、電容器等。
[基板]
作為基板3111及基板3121可以使用與上述實施方式所公開的基板121及基板111相同的材料。在作為發光裝置3100使用底面發射型發光裝置或雙面發射型發光裝置的情況下，作為基板3111使用對於來自EL層3117的發光具有透光性的材料。此外，在作為發光裝置3100使用頂面發射型發光裝置或雙面發射型發光裝置的情況下，作為基板3121使用對於來自EL層3117的發光具有透光性的材料。
[基底層]
基底層3119可以使用與上述實施方式所公開的基底層119相同的材料及方法形成。
基底層3119可以防止或抑制雜質元素從基板3111或黏合層3112等擴散到發光元件3125中。
[端子電極]
端子電極3116可以使用與上述實施方式所公開的端子電極116相同的材料及方法形成。
[電極3115]
電極3115較佳地使用高效地反射後面形成的EL層3117所發射的光的導電材料形成。電極3115可以使用與上述實施方式所公開的電極115相同的材料及方法、形成。
另外，雖然本實施方式例示出頂部發射結構的發光裝置，但是當採用底部發射結構(下面發射結構)及雙發射結構(雙面發射結構)的發光裝置時，將透光導電材料用於電極3115，即可。
[分隔壁]
分隔壁3114是為了防止相鄰的電極3118之間的電氣短路而設置的。此外，分隔壁3114也具有如下功能：在當形成後面所述的EL層3117時使用金屬遮罩的情況下，金屬遮罩不與形成發光元件3125的區域接觸。分隔壁3114可以使用與上述實施方式所公開的分隔壁114相同的材料及方法形成。分隔壁3114的側壁較佳地形成為錐形形狀或具有連續曲率的傾斜面。藉由作為分隔壁3114的側壁採用上述形狀，可以實現後面形成的EL層3117或電極3118的良好的覆蓋性。
[EL層]
在實施方式9中說明EL層3117的結構。
[電極3118]
在本實施方式中由於將電極3118用作陰極，所以較 佳地使用能夠對後面所述的EL層3117注入電子的功函數小的材料形成電極3118。電極3118可以使用與上述實施方式所公開的電極118相同的材料及方法形成。
此外，在透過電極3118提取EL層3117所發射的光的情況下，較佳的是電極3118對可見光具有透光性。
[黏合層]
在本實施方式中黏合層3120與電極3118接觸地形成。基板3121被黏合層3120固定。此外，基板3111被黏合層3112固定。黏合層3120及黏合層3112可以使用與上述實施方式所公開的黏合層120及黏合層112相同的材料及方法形成。此外，在頂部發射結構的情況下在黏合層3120中，在底部發射結構的情況下在黏合層3112中，混合光的波長以下的尺寸的乾燥劑(沸石等)或具有高折射率的填料(氧化鈦、鋯等)，EL層3117所發射的光的提取效率得到提高，所以是較佳的。
[各向異性導電連接層]
各向異性導電連接層3123可以使用與上述實施方式所公開的各向異性導電連接層123相同的材料及方法形成。
<發光裝置的製造方法>
接著，參照圖21A至圖24C示出發光裝置3100的製造方法。圖21A至圖24C相當於沿圖18A至圖20B中的F1-F2的點劃線的部分的剖面。
[剝離層的形成]
首先，在元件形成基板3101上形成剝離層3113(參照圖21A)。此外，作為元件形成基板3101可以使用與上述實施方式所公開的元件形成基板101相同的材料形成。
剝離層3113可以使用與上述實施方式所公開的剝離層113相同的材料及方法形成。
在本實施方式中，剝離層3113藉由濺射法使用鎢形成。
[基底層的形成]
接著，在剝離層3113上形成基底層3119(參照圖21A)。在本實施方式中，基底層3119藉由電漿CVD法使用氧化矽形成。
[端子電極的形成]
接著，在基底層3119上形成端子電極3116。首先，在基底層3119上藉由濺射法形成在兩層鉬之間夾有鋁的三層結構的金屬膜。接著，在金屬膜上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩將金屬膜蝕刻為所希望的形狀來可以形成端 子電極3116。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，由此可以降低製造成本。
作為金屬膜的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。當利用濕蝕刻法對金屬膜進行蝕刻時，作為蝕刻劑，可以使用混合有磷酸、醋酸及硝酸的溶液、包含草酸的溶液、包含磷酸的溶液等。在蝕刻處理結束之後去除光阻遮罩(參照圖21B)。
[電極的形成]
接著，在基底層3119上形成電極3115。電極3115也可以與端子電極3116同樣地形成。在本實施方式中，電極3115使用在銀上層疊銦錫氧化物的材料形成。電極3115與端子電極3116電連接(參照圖21B)。
[分隔壁的形成]
接著，形成分隔壁3114(參照圖21C)。在本實施方式中，藉由對感光性有機樹脂材料進行塗敷法而加工為所希望的形狀，來形成分隔壁3114。在本實施方式中，使用感光性亞胺樹脂形成分隔壁3114。
[EL層的形成]
接著，在電極3115及分隔壁3114上形成EL層3117。此時，在形成EL層3117的同時，在端子電極 3116上的與開口3122重疊的區域形成層3104(參照圖21D)。層3104可以使用與EL層3117相同的材料及方法形成。
[電極的形成]
接著，以與EL層3117接觸的方式形成電極3118。此時，在形成電極3118的同時在層3104上的開口3122重疊的區域形成層3105。使用與電極3118同時形成的層的一部分形成層3105。可以藉由蒸鍍法、濺射法等形成電極3118及層3105(參照圖21E)。
[基板的形成]
接著，在電極3118上隔著黏合層3120形成具有以在厚度方向上貫穿基板3121的方式形成的槽部3141的基板3121。此時，以與端子電極3116、層3105及層3104重疊的方式形成基板3121的部分3121a(參照圖22A)。
此外，在俯視時，層3104是以具有層3104的週邊部分位於部分3121a的外側的尺寸的方式形成的。另外，在俯視時，層3105是以具有層3105的週邊部分位於部分3121a的內側的尺寸的方式形成的。
此外，當槽部3141是具有一定深度的槽時，也可以在電極3118上形成未形成槽部3141的基板3121之後使用鋒利的刀具或雷射在基板3121中形成槽部3141。
此時，若鋒利的刀具或雷射貫穿基板3121，則有可能損傷端子電極3116及其他部分。因此，當在電極3118上形成基板3121之後形成槽部3141時，需要防止槽部3141貫穿基板3121。
另一方面，若形成的槽部3141的深度較淺，則不容易實施後面進行的部分3121a的分離。在不貫穿基板3121的情況下的槽部3141的深度較佳為基板3121的厚度的二分之一以上，更佳為三分之二以上。
[基板的剝離]
接著，從基底層3119與剝離層3113一起剝離元件形成基板3101(參照圖22B)。作為剝離方法可以使用與上述實施方式所公開的基板的剝離方法相同的方法。
[發光裝置與基板的貼合]
接著，隔著黏合層3112將基板3111貼合於基底層3119(參照圖23A)。像這樣，可以製造發光裝置3100(參照圖23B)。
接著，對使端子電極3116與外部電極3124電連接的製程進行說明。
[端子電極表面的露出]
在基板3121的部分3121a上貼合黏合膠帶，然後以揭掉黏合膠帶的方式將黏合膠帶掀起，部分3121a則沿著 槽部3141從基板3121分離。此時，由於層3104及層3105之間的介面的緊密性較弱，所以可以與部分3121a的剝離一起去除與部分3121a重疊的黏合層3120及層3105(參照圖19A、圖24A)。
此外，不一定需要形成層3105，但是若在黏合層3120與層3104之間的介面設置層3105，則當使部分3121a分離時，與部分3121a重疊的黏合層3120不容易殘留在發光裝置3100一側。因此，藉由在黏合層3120與層3104之間的介面設置層3105，可以提高製造良率。
[層3104的去除]
接著，使用乙醇等有機溶劑去除層3104，使端子電極3116表面的一部分露出(參照圖19B、圖24B)。
[外部電極的形成]
接著，在開口3122中形成各向異性導電連接層3123，在各向異性導電連接層3123上形成用來對發光裝置3100輸入電力或信號的外部電極3124(參照圖24C)。藉由各向異性導電連接層3123使外部電極3124與端子電極3116電連接。像這樣，可以對發光裝置3100輸入電力或信號。此外，外部電極3124可以使用與上述實施方式所公開的外部電極124相同的材料及方法形成。
根據本發明的一個方式，藉由在基板3121中形成槽部3141，在黏合層3120與端子電極3116之間的 介面形成層3104及層3105，可以使端子電極3116容易露出。因此，由於不需要為了使端子電極3116露出而使用鋒利的刀具等打穿並去除基板3121的一部分，所以不容易損傷發光裝置3100或端子電極3116。
此外，層3104可以與EL層3117在同一製程中製造。層3105可以與電極3118在同一製程中製造。由此，可以更容易地去除部分3121a而不增加發光裝置3100的製程數。根據本發明的一個方式可以提供製造良率良好且可靠性良好的發光裝置。
此外，部分3121a具有保護端子電極3116的功能。藉由在不使部分3121a分離的狀態下進行發光裝置3100的保管及傳送，可以在保管及傳送時保護端子電極3116，由此可以防止因靜電等導致的發光裝置3100的損傷。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式7
圖25A至圖25E及圖26A至圖26E是放大基板3121的與端子電極3116重疊的區域的平面圖。在圖25A至圖25E及圖26A至圖26E示出槽部3141的配置例。
在俯視時由槽部3141圍繞的區域是部分3121a。換言之，槽部3141沿著部分3121a的週邊部分形成。當槽部3141在基板3121的厚度方向上貫穿地形成 時，需要防止在將基板3121貼合於基板3111上之前無意中使部分3121a從基板3121分離而降低製造良率。由此，沿著部分3121a的週邊至少需要形成不形成槽部3141的區域(以下稱為“間隔a”)。
圖25A至圖25E及圖26A示出在俯視時沿著長方形的部分3121a的週邊形成打孔狀的槽部3141的例子。此外，“打孔”是指不連接地形成的孔以容易分離，槽部3141相當於孔。
此外，當不使槽部3141在基板3121的厚度方向上貫穿時，即使不形成打孔狀的槽部3141也可以防止無意中使部分3121a分離。因此，當不使槽部3141在基板3121的厚度方向上貫穿時，可以由一個槽部3141圍繞部分3121a的週邊。此外，也可以以打孔狀形成不在基板3121的厚度方向上貫穿的槽部3141。
在圖25A中，不在部分3121a的每個短邊的兩端部形成槽部3141，形成在長邊上的槽部3141與形成在短邊上的槽部3141由間隔a分離。
圖25B是圖25A的變形例，並示出分別由兩個槽部3141形成部分3121a的每個長邊的例子。
此外，間隔a的長度是從槽部3141的端部到相鄰的槽部3141的端部的最短距離。當以打孔狀配置多個槽部3141時，若間隔a太大，則不容易使部分3121a分離。間隔a的長度較佳為基板3121的厚度的50倍以下，更佳為20倍以下，進一步較佳為10倍以下。此外， 一個槽部3141的長度b越長越容易使部分3121a分離。一個槽部3141的長度b較佳為間隔a的長度以上。
圖25C是圖25A的其他變形例，並示出分別由八個槽部3141形成每個長邊的例子。
圖25D示出配置在部分3121a的週邊的槽部3141的四個邊分別在其中央部分分離的例子。圖25D示出由四個L字型的槽部3141形成長方形的部分3121a的例子。
圖25E示出在部分3121a的週邊形成有槽部3141，且兩個短邊都在其一部分具有間隔a的結構。圖25E示出由兩個L字型的槽部3141形成部分3121a的例子。
圖26A示出部分3121a的一個長邊及一個短邊是L字狀的槽部3141，在其他兩邊上形成打孔狀的槽部3141的例子。
圖26B示出部分3121a的短邊使用V字形的槽部3141形成的例子。
圖26C是圖26B的變形例，並示出由多個槽部3141分別形成平行的兩個槽部3141的例子。
圖26D是圖26B的變形例，並示出使用圓弧形的槽部3141代替V字形的槽部3141的例子。
如圖26B至圖26D所示，在俯視時使部分3121a的端部形成為凸出的形狀，可以進一步容易使部分3121a分離。
此外，如圖26E所示，也可以以橫穿基板3121的方式形成槽部3141。注意，由於當保管及傳送發光裝置3100時，保管工具或夾具等容易接觸部分3121a的端部，所以有可能發生部分3121a的無意的分離或部分性的剝離。此外，由於當使部分3121a分離以使端子電極3116露出時，該區域即外部電極連接區域的機械強度顯著降低，所以容易無意中改變外部電極連接區域的形狀，由此容易產生發光裝置3100的損傷等。
另一方面，藉由在俯視時將部分3121a設置於基板3121的端部的內側，可以形成使用基板3121及基板3111支撐外部電極連接區域的週邊部分的結構。由此，不容易降低外部電極連接區域的機械強度，由此可以減輕外部電極連接區域的無意的變形。因此，可以防止發光裝置3100的損傷，且可以提高發光裝置3100的可靠性。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式8
在本實施方式中，參照圖27A和圖27B對具有與上述實施方式所示的發光裝置3100不同的結構的發光裝置3200進行說明。圖27A是發光裝置3200的俯視圖，圖27B是沿圖27A中的G1-G2的點劃線的部分的剖面圖。
<發光裝置的結構>
本實施方式所示的發光裝置3200具有顯示區域3231及週邊電路3251。此外，發光裝置3200具有包括電極3115、EL層3117及電極3118的發光元件3125以及端子電極3216。在顯示區域3231中形成有多個發光元件3125。此外，各發光元件3125與用來控制發光元件3125的發光量的電晶體3232連接。
端子電極3216藉由形成在開口3122中的各向異性導電連接層3123與外部電極3124電連接。此外，端子電極3216與週邊電路3251電連接。
週邊電路3251由多個電晶體3252構成。週邊電路3251具有決定將從外部電極3124供應的信號供應給顯示區域3231中的發光元件3125中的哪一個的功能。
圖27A和圖27B所示的發光裝置3200具有隔著黏合層3120使基板3111與基板3121貼合的結構。在基板3111上隔著黏合層3112形成有絕緣層3205。絕緣層3205可以使用與上述實施方式所公開的絕緣層205相同的材料及方法形成。
此外，絕緣層3205用作基底層，可以防止或抑制雜質元素從基板3111或黏合層3112等擴散到電晶體或發光元件中。
此外，在絕緣層3205上形成有電晶體3232、電晶體3252、端子電極3216、佈線3219。注意，在本實施方式中，作為電晶體3232及電晶體3252例示出底閘極 型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體，但是也可以使用通道保護型電晶體或頂閘極型電晶體等。此外，也可以使用由兩個閘極電極夾住形成有通道的半導體層的結構的雙閘極型電晶體。
電晶體3232與電晶體3252也可以具有同樣的結構。但是，可以在各電晶體中適當地調整電晶體的尺寸(例如，通道長度及通道寬度)等。
電晶體3232及電晶體3252具有閘極電極3206、閘極絕緣層3207、半導體層3208、源極電極3209a以及汲極電極3209b。
端子電極3216、佈線3219、閘極電極3206、源極電極3209a及汲極電極3209b可以使用與端子電極3116相同的材料及方法形成。此外，閘極絕緣層3207可以使用與絕緣層3205相同的材料及方法形成。
半導體層3208可以使用與上述實施方式所公開的半導體層208相同的材料及方法形成。
此外，當作為半導體層3208使用氧化物半導體時，較佳的是作為與半導體層3208接觸的絕緣層使用含氧的絕緣層。
此外，在電晶體3232及電晶體3252上形成有絕緣層3210，在絕緣層3210上形成有絕緣層3211。絕緣層3210用作保護絕緣層，並可以防止或抑制雜質元素從絕緣層3210的上層擴散到電晶體3232及電晶體3252中。絕緣層3210可以使用與絕緣層3205相同的材料及方 法形成。
此外，為了減少發光元件3125的被形成面的表面凹凸也可以對絕緣層3211進行平坦化處理。對平坦化處理沒有特別的限制，可以使用拋光處理(如化學機械拋光)或乾蝕刻處理。
此外，藉由使用具有平坦化功能的絕緣材料形成絕緣層3211，可以省略拋光處理。作為具有平坦化功能的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成絕緣層3211。
此外，在絕緣層3211上形成用來將發光元件3125與其他發光元件3125隔開的分隔壁3114。
此外，基板3121設置有遮光膜3264、著色層3266、覆蓋層3268。發光裝置3200是來自發光元件3125的光透過著色層3266從基板3121一側發射的所謂頂部發射結構(上面發射結構)的發光裝置。
此外，發光元件3125在設置在絕緣層3211及絕緣層3210中的開口中與電晶體3232電連接。
另外，雖然在本實施方式中示出主動矩陣型的發光裝置作為發光裝置的一個例子，但是也可以將本實施方式應用於被動矩陣型的發光裝置。
此外，本發明的一個方式不侷限於作為顯示元件使用發光元件的發光裝置，也可以用於作為顯示元件 使用液晶元件的液晶顯示裝置、電子紙、DMD、PDP、FED、SED等顯示裝置。
作為液晶元件的一個例子可以使用與上述實施方式所公開的液晶元件相同的材料。此外，作為液晶元件的驅動方法可以使用與上述實施方式所公開的液晶元件的驅動方法相同的方法。
此外，作為電子紙的顯示方法可以使用與上述實施方式所公開的電子紙的顯示方法相同的方法。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式9
在本實施方式中，對可以用於發光元件125、發光元件2125及發光元件3125的發光元件的結構例進行說明。注意，本實施方式所示的EL層320相當於上述實施方式所示的EL層117、EL層2117及EL層3117。
<發光元件的結構>
圖28A所示的發光元件330具有在一對電極(第一電極318、第二電極322)之間夾有EL層320的結構。此外，在以下的本實施方式的說明中，作為例子，將第一電極318用作陽極，而將第二電極322用作陰極。
此外，EL層320至少包括發光層而形成即可，也可以採用除了發光層以外還包括功能層的疊層結 構。作為發光層以外的功能層，可以使用包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、雙極性(電子及電洞的傳輸性高的物質)的物質等的層。明確而言，可以將電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層適當地組合而使用。
在圖28A所示的發光元件330中，產生在第一電極318和第二電極322之間的電位差使電流流過，在EL層320中電洞和電子再結合，而得到發光。換言之，在EL層320中形成有發光區域。
在本發明中，來自發光元件330的發光從第一電極318一側或第二電極322一側被提取到外部。因此，第一電極318和第二電極322中的任一個由透光物質構成。
另外，如圖28B所示的發光元件331那樣，可以在第一電極318和第二電極322之間層疊多個EL層320。當EL層320具有n(n是2以上的自然數)層的疊層結構時，較佳的是在第m(m是滿足1
Figure 109121806-A0202-12-0065-91
m<n的自然數)個EL層320和第(m+1)個EL層320之間分別設置電荷產生層320a。
電荷產生層320a可以使用如下材料形成：有機化合物和金屬氧化物的複合材料；金屬氧化物；有機化合物和鹼金屬、鹼土金屬或這些的化合物的複合材料。除此之外，還可以適當地組合上述材料來形成電荷產生層 320a。作為有機化合物和金屬氧化物的複合材料，例如是包含有機化合物和氧化釩、氧化鉬或氧化鎢等金屬氧化物的複合材料。作為有機化合物，可以使用各種化合物：芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴等低分子化合物；或者高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)。此外，作為具有電洞傳輸性的有機化合物，較佳地使用其電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。另外，由於用於電荷產生層320a的這些材料具有優異的載子注入性、載子傳輸性，所以可以實現發光元件330的低電流驅動及低電壓驅動。
另外，電荷產生層320a也可以使用有機化合物和金屬氧化物的複合材料與其他材料的組合來形成。例如，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與包含選自電子供給物質中的一種化合物和電子傳輸性高的化合物的層而形成電荷產生層320a。另外，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與透明導電膜而形成電荷產生層320a。
具有上述結構的發光元件331不容易產生能量的移動或淬滅等的問題，並且因為具有上述結構的發光元件的材料的選擇範圍變大，所以可以更容易地形成兼有高發光效率和長使用壽命的發光元件。另外，也容易從一個EL層得到磷光發光而從另一個發光層得到螢光發光。
另外，電荷產生層320a當對第一電極318和 第二電極322施加電壓時具有對接觸於電荷產生層320a地形成的一個EL層320注入電洞的功能，並具有對另一個EL層320注入電子的功能。
圖28B所示的發光元件331藉由改變用於EL層320的發光物質的種類來可以得到各種發光顏色。另外，藉由作為發光物質使用多個不同發光物質，也可以得到寬光譜的發光或白色發光。
當使用圖28B所示的發光元件331得到白色發光時，多個EL層的組合採用包括紅色、藍色及綠色的光而發射白色光的結構即可，例如可以舉出如下結構：即具有包括藍色的螢光材料作為發光物質的第一發光層和包括綠色和紅色的磷光材料作為發光物質的第二發光層的結構。也可以採用具有呈現紅色發光的第一發光層、呈現綠色發光的第二發光層和呈現藍色發光的第三發光層的結構。或者，藉由採用具有發射處於補色關係的光的發光層的結構，也可以獲得白色發光。在層疊有兩個發光層的疊層型元件中，當使從第一發光層獲得的發光顏色和從第二發光層獲得的發光顏色處於補色關係時，作為補色關係可以舉出藍色和黃色或者藍綠色和紅色等。
另外，在上述疊層型元件的結構中，藉由在層疊的發光層之間配置電荷產生層，可以在保持低電流密度的狀態下實現高亮度區域中的長使用壽命的元件。另外，由於可以降低電極材料的電阻所導致的電壓下降，因此可以實現大面積的均勻發光。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式10
在本實施方式中，參照圖式說明應用本發明的一個方式的發光裝置的電子裝置或照明設備的例子。
作為應用具有撓性的發光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示幕、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等的大型遊戲機等。
此外，也可以將照明或顯示裝置沿著在房屋及高樓等的內壁或外壁、汽車的內部裝修或外部裝修的曲面組裝。
圖29A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400包括組裝在外殼7401中的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，藉由將發光裝置用於顯示部7402製造行動電話機7400。
圖29A所示的行動電話機7400藉由用手指等觸摸顯示部7402，可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等的所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以切換電源的ON、OFF或顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
在此，在顯示部7402中組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，可以提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
圖29B是腕帶型的顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103以及收發裝置7104。
可攜式顯示裝置7100能夠由收發裝置7104接收影像信號，且可以將所接收的影像顯示在顯示部7102。此外，也可以將聲音信號發送到其他接收設備。
此外，可以由操作按鈕7103進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換或者音量調整等。
在此，顯示部7102組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，可以提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式顯示裝置。
圖29C至圖29E示出照明設備的一個例子。照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220分別包括具備操作開關7203的底座7201、以及由底座7201支撐的發光部。
圖29C所示的照明設備7200具備具有波狀的發光面的發光部7202。因此，提供一種設計性高的照明設備。
圖29D所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用對稱地配置彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此，可以以照明設備7210為中心全方位地照射光。
圖29E所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，因為將來自發光部7222的發光聚集到照明設備7220的前面，所以適合應用於照亮特定的範圍的情況。
此外，因為照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220所具備的各發光部具有撓性，所以也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定該發光部，按照用途可以隨意彎曲發光部的發光面。
在此，在照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220所具備的各個發光部中組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，可以提供一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。
圖30A示出可攜式顯示裝置的一個例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301中具備卷起來的具有撓性的顯示部7102。
此外，顯示裝置7300可以由控制部7305接收影像信號，而將所接收的影像顯示在顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，也可以採用控制部7305具備連接器，而直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換等。
圖30B示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態。在該狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。此外，藉由使用配置在外殼7301的表面上的操作按鈕7303可以以單手容易進行操作。
此外，也可以在顯示部7302的端部設置用來加強的框，以防止當取出顯示部7302時該顯示部7302彎曲。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器而使用與影像信號同時接收的音聲信號輸出音聲的結構。
顯示部7302組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，因為顯示部7302是具有撓性和高可靠性的顯示部，所以作為顯示裝置7300可以實現輕量且可靠性高的顯示裝置。
另外，不用說，如果具備本發明的一個方式的發光裝置，則並不侷限於如上所示的電子裝置或照明設備。
本實施方式可以與本說明書中所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
111:基板
112:黏合層
113:剝離層
114:分隔壁
115:電極
116:端子電極
117:EL層
118:電極
119:基底層
120:黏合層
121:基板
122:開口
122a、122b:開口
123:各向異性導電連接層
124:外部電極
125:發光元件
131:顯示區域

Claims (4)

  1. 一種用於形成發光裝置的方法，該方法包括如下步驟：
    在端子電極上形成與其接觸的第一層；
    在第一電極上形成與其接觸的EL層；
    在該第一層上形成與其接觸的第二層；
    在該EL層上形成與其接觸的第二電極；
    在該第二電極上形成包括第一開口的第一樹脂層；
    在該第一樹脂層上形成包括第二開口的基板；
    在該第二層上並且在該第一開口及該第二開口彼此重疊的區域中形成第二樹脂層；
    去除該第二樹脂層、該第一層以及該第二層以暴露出該端子電極的表面；以及
    形成藉由該第一開口及該第二開口與該端子電極的該表面接觸的導電層，
    其中，發光元件包括該第一電極、該EL層以及該第二電極，
    其中，該第一層以及該EL層包括第一材料，並且
    其中，該第二層以及該第二電極包括第二材料。
  2. 一種用於形成發光裝置的方法，該方法包括如下步驟：
    在端子電極上形成與其接觸的第一層；
    在第一電極上形成與其接觸的EL層；
    在該第一層上形成與其接觸的第二層；
    在該EL層上形成與其接觸的第二電極；
    在該第二電極上形成包括第一開口的第一樹脂層；
    在該第一樹脂層上形成包括第二開口的基板；
    在該第二層上並且在該第一開口及該第二開口彼此重疊的區域中形成第二樹脂層；
    去除該第二樹脂層以及該第二層；
    藉由使用有機溶劑去除該第一層以暴露出該端子電極的表面；以及
    形成藉由該第一開口及該第二開口與該端子電極的該表面接觸的導電層，
    其中，發光元件包括該第一電極、該EL層以及該第二電極，
    其中，該第一層以及該EL層包括第一材料，並且
    其中，該第二層以及該第二電極包括第二材料。
  3. 根據請求項1或2之用於形成發光裝置的方法，其中，該第一材料為有機材料。
  4. 根據請求項1或2之用於形成發光裝置的方法，其中，該第二材料為金屬材料、導電氧化物材料或半導體材料。
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