JP2015015232A - 発光装置および発光装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様の発光装置100の構成例について、図1を用いて説明する。図1(A)は発光装置100の上面図であり、図1(B)は、図1(A)中でA1−A2の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する発光装置100は、表示素子に発光素子を用いた表示装置である。
本実施の形態に示す発光装置100は、電極115、EL層117、電極118、隔壁114、および端子電極116を有する。電極115および端子電極116は電気的に接続されている。また、発光装置100は、電極115上に隔壁114を有し、電極115および隔壁114上にEL層117を有し、EL層117上に電極118を有している。
基板121および基板111としては、有機樹脂材料や可撓性を有する程度の厚さのガラス材料などを用いることができる。発光装置100を下面射出型の発光装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板111にEL層117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、発光装置100を上面射出型の発光装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板121にEL層117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
下地層119は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または多層で形成するのが好ましい。下地層119は、スパッタリング法やCVD法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
端子電極116は、導電性を有する材料を用いて形成することができる。例えば、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム等から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。導電性を有する材料の形成方法は特に限定されず、蒸着法、CVD法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種形成方法を用いることができる。
電極115は、後に形成されるEL層117が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成することが好ましい。なお、電極115は単層に限らず、複数層の積層構造としてもよい。例えば、電極115を陽極として用いる場合、EL層117と接する層を、インジウム錫酸化物などのEL層117よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層(アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など)を設けてもよい。
隔壁114は、隣接する電極118間の電気的ショートを防止するために設ける。また、後述するEL層117の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子125を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁114は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成することができる。隔壁114は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁114の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるEL層117や電極118の被覆性を良好なものとすることができる。
EL層117の構成については、実施の形態9で説明する。
本実施の形態では電極118を陰極として用いるため、電極118を後述するEL層117に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数nm形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成してもよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム−銀等の合金を用いることもできる。
本実施の形態では、接着層120は、電極118に接して形成している。基板121は接着層120により固定されている。また、接着層112は剥離層113に接して形成している。基板111は接着層112により固定されている。接着層120および接着層112としては、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用いることができる。トップエミッション構造の場合は接着層120に、ボトムエミッション構造の場合は接着層112に、光の波長以下の大きさの乾燥剤(ゼオライト等)や、屈折率の大きいフィラー(酸化チタンや、ジルコニウム等)を混合すると、EL層117が発する光の取り出し効率が向上するため好適である。
剥離層113は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、または前記元素を含む合金材料、または前記元素を含む化合物材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層又は積層して形成することができる。なお、剥離層113の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。また、剥離層113を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、またはInGaZnO(IGZO)等の金属酸化物を用いて形成することもできる。
異方性導電接続層123は、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いて形成することができる。
次に、図2乃至図6を用いて、発光装置100の作製方法を例示する。図2乃至図6は、図1(A)中、A1−A2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
まず、素子形成基板101上に剥離層113を形成する(図2(A)参照。)。なお、素子形成基板101としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。
次に、剥離層113上に下地層119を形成する(図2(A)参照。)。本実施の形態では、下地層119としてプラズマCVD法により酸化シリコンを形成する。
次に、下地層119上に端子電極116を形成する。まず、下地層119上に、スパッタリング法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する。続いて、金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属膜を所望の形状にエッチングして端子電極116を形成することができる。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
次に、下地層119上に電極115を形成する。電極115も端子電極116と同様に形成することができる。本実施の形態では、電極115を、銀の上にインジウム錫酸化物を積層した材料で形成する。電極115と端子電極116は電気的に接続されている(図2(B)参照)。
次に、隔壁114を形成する(図2(C)参照)。本実施の形態では、隔壁114を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。本実施の形態では、隔壁114を、感光性を有するイミド樹脂を用いて形成する。
次に、EL層117を電極115および隔壁114上に形成する(図2(D)参照)。
次に、電極118をEL層117に接するように形成する。電極118は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる(図2(E)参照)。
次に、開口122aを有する基板121を、接着層120を介して電極118上に形成する。この時、基板121の開口122aを端子電極116と重畳するように配置する。また、接着層120は、開口122aと重畳する領域に、開口122bを有する。前述した通り、本明細書では、開口122aおよび開口122bを併せて開口122と呼ぶ(図3(A)参照)。
次に、開口122内に埋め込み層109を形成する(図3(B)参照)。開口122内に埋め込み層109を形成しない場合、後の工程で行う素子形成基板101の剥離時に、端子電極116の開口122と重畳する領域を損傷する恐れがある。なお、埋め込み層109は後に除去するため、水や有機溶剤に可溶な材料で形成することが好ましい。このような材料として、可溶性アクリル樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、可溶性エポキシ樹脂などの可溶性樹脂を用いることができる。また、埋め込み層109の表面位置は、基板121の表面と概略一致していることが好ましい。本実施の形態では、埋め込み層109として水溶性のアクリル樹脂を用いる。
次に、転載基板102を、基板121上に貼り合わせる(図3(C)参照)。転載基板102は後に除去するため、転載基板102として、紫外線の照射により接着力が低下するUVテープや、ダイシングテープ、または、加熱により接着力が低下するテープや、弱粘性のテープを用いて形成することができる。本実施の形態では、転載基板102としてUVテープを用いる。
次に、素子形成基板101を剥離層113とともに下地層119から剥離する(図4(A)参照)。剥離方法としては、機械的な力を加えること(人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等)を用いて行えばよい。たとえば、剥離層113に鋭利な刃物またはレーザ光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。毛細管現象により水が剥離層113と下地層119の間にしみこむことにより、素子形成基板101を容易に剥離することができる。
次に、接着層112を介して基板111を下地層119に貼り合わせる(図4(B)参照)。
次に、転載基板102を剥離する。本実施の形態では転載基板102としてUVテープを用いたため、転載基板102に紫外線103を照射することで(図5(A)参照)、転載基板102を容易に剥離することができる(図5(B)参照)。
次に、水や有機溶剤などの、埋め込み層109の除去に適した溶剤を用いて埋め込み層109を除去する(図6(A)参照)。
次に、開口122に異方性導電接続層123を形成する。また、開口122において端子電極116と重畳する位置に、発光装置100に電力や信号を入力するための外部電極124を形成する(図6(B)参照)。外部電極124は、異方性導電接続層123を介して端子電極116と電気的に接続する。このようにして、発光装置100に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極124として、FPCを用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態1で開示した方法と異なる方法で発光装置100を作製する方法について説明する。なお、説明の重複を防ぐため、本実施の形態では、主に実施の形態1と異なる部分について説明する。
隔壁114の形成までは、実施の形態1と同様に行うことができる(図2(C)参照。)
次に、EL層117を電極115および隔壁114上に形成する。この時、EL層117の形成と同時に、端子電極116上の開口122と重畳する領域に層104を形成する(図7(A)参照)。層104はEL層117と同じ材料および方法を用いて形成することができる。
次に、電極118をEL層117に接するように形成する。この時、層104上の開口122と重畳する領域に層105を形成する。層105は、電極118と同じ層の一部を用いて形成することができる(図7(B)参照)。
次に、基板121を、接着層120を介して電極118上に形成する。この時、基板121の開口122を、端子電極116、層105、および層104と重畳するように配置する(図7(C)参照)。なお、接着層120は、開口122と重畳する領域には形成しないため、接着層120も開口122と重畳する開口を有する。
次に、実施の形態1と同様に、埋め込み層109と転載基板102を形成する(図7(D)参照)。その後、素子形成基板101を剥離し、接着層112を介して基板111を貼り合わせる。
次に、転載基板102に紫外線103を照射し、転載基板102の接着力を弱めて転載基板102を剥離する。紫外線103の照射に先立ち、埋め込み層109と重畳する領域にマスク107を配置して、転載基板102の埋め込み層109と重畳する領域に紫外線103が照射されないようにする(図8(A)参照)。
次に、エチルアルコールなどの有機溶剤を用いて、層104を除去し、端子電極116表面の一部を露出させる(図9(A)参照)。
次に、開口122に異方性導電接続層123を形成し、異方性導電接続層123上に、発光装置100に電力や信号を入力するための外部電極124を形成する(図9(B)参照)。異方性導電接続層123を介して外部電極124と端子電極116を電気的に接続する。このようにして、発光装置100に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極124として、FPCを用いることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置100と異なる構成を有する発光装置200について、図10を用いて説明する。図10(A)は発光装置200の上面図であり、図10(B)は、図10(A)中でB1−B2の一点鎖線で示す部位の断面図である。
本実施の形態に示す発光装置200は、表示領域231と、周辺回路251を有する。また、発光装置200は、電極115、EL層117、電極118を含む発光素子125と、端子電極216を有する。発光素子125は、表示領域231中に複数形成されている。また、各発光素子125には、発光素子125の発光量を制御するトランジスタ232が接続されている。
本発明の一態様の発光装置2100の構成例について、図11および図12を用いて説明する。図11(A)は発光装置2100の外観を示す斜視図であり、図11(B)は、発光装置2100の上面図である。また、図12は、図11においてC1−C2の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する発光装置2100は、表示素子に発光素子を用いた表示装置である。
本実施の形態に示す発光装置2100は、電極2115、EL層2117、電極2118、隔壁2114、および端子電極2116を有する。電極2115および端子電極2116は電気的に接続されている。また、発光装置2100は、電極2115上に隔壁2114を有し、電極2115および隔壁2114上にEL層2117を有し、EL層2117上に電極2118を有している。
基板2121および基板2111としては、上記実施の形態で開示した基板121および基板111と同様の材料を用いることができる。発光装置2100を下面射出型の発光装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板2111にEL層2117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、発光装置2100を上面射出型の発光装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板2121にEL層2117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
下地層2119は、上記実施の形態で開示した下地層119と同様の材料および方法で形成することができる。
端子電極2116は、上記実施の形態で開示した端子電極116と同様の材料および方法で形成することができる。
電極2115は、後に形成されるEL層2117が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成することが好ましい。電極2115は、上記実施の形態で開示した電極115と同様の材料および方法で形成することができる。
隔壁2114は、隣接する電極2118間の電気的ショートを防止するために設ける。また、後述するEL層2117の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子2125を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁2114は、上記実施の形態で開示した隔壁114と同様の材料および方法で形成することができる。隔壁2114は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁2114の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるEL層2117や電極2118の被覆性を良好なものとすることができる。
EL層2117の構成については、実施の形態9で説明する。
本実施の形態では電極2118を陰極として用いるため、電極2118を後述するEL層2117に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。電極2118は、上記実施の形態で開示した電極118と同様の材料および方法で形成することができる。
本実施の形態では、接着層2120は、電極2118に接して形成している。基板2121は接着層2120により固定されている。また、接着層2112は下地層2119に接して形成している。基板2111は接着層2112により固定されている。接着層2120および接着層2112としては、上記実施の形態で開示した接着層120および接着層112と同様の材料および方法で形成することができる。また、トップエミッション構造の場合は接着層2120に、ボトムエミッション構造の場合は接着層2112に、光の波長以下の大きさの乾燥剤(ゼオライト等)や、屈折率の大きいフィラー(酸化チタンや、ジルコニウム等)を混合すると、EL層2117が発する光の取り出し効率が向上するため好適である。
異方性導電接続層2123は、上記実施の形態で開示した異方性導電接続層123と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、図13乃至図15を用いて、発光装置2100の作製方法を例示する。図13乃至図15は、図11においてC1−C2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
まず、素子形成基板2101上に剥離層2113を形成する(図13(A)参照。)。なお、素子形成基板2101としては、上記実施の形態で開示した素子形成基板101と同様の材料を用いることができる。
次に、剥離層2113上に下地層2119を形成する(図13(A)参照。)。本実施の形態では、下地層2119としてプラズマCVD法により酸化シリコンを形成する。
次に、下地層2119の一部を選択的に除去し、開口2122aを形成する(図13(B)参照。)。具体的には、下地層2119上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、下地層2119の一部を選択的にエッチングする。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、下地層2119のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。下地層2119のエッチングは、剥離層2113のエッチング速度よりも下地層2119のエッチング速度のほうが速い条件で行うことが好ましい。
次に、開口2122aの形成により露出した剥離層2113表面を酸化させる。露出した剥離層2113表面の酸化は、露出した剥離層2113表面に、過酸化水素水や、オゾンを含有させた水などの、酸化力を有する溶液に触れさせることで行うことができる。また、露出した剥離層2113表面を酸素雰囲気中に曝し、さらに紫外線を照射することで、露出した剥離層2113表面を酸化させることができる。また、露出した剥離層2113表面を酸素プラズマに曝してもよい。本実施の形態では、剥離層2113表面を酸素プラズマ2126に曝すことにより、開口2122aの形成により露出した剥離層2113の表面を酸化させる(図13(C)参照。)。
次に、下地層2119および開口2122aに重畳する端子電極2116を形成する(図13(D)参照)。端子電極2116は、上記実施の形態で開示した端子電極116と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、下地層2119上に電極2115を形成する。電極2115も端子電極2116と同様に形成することができる。本実施の形態では、電極2115を、銀の上にインジウム錫酸化物を積層した材料で形成する。また、電極2115と端子電極2116は電気的に接続されている(図14(A)参照)。
次に、隔壁2114を形成する(図14(B)参照)。本実施の形態では、隔壁2114を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。本実施の形態では、隔壁2114を、感光性を有するイミド樹脂を用いて形成する。
次に、EL層2117を電極2115および隔壁2114上に形成する(図14(C)参照)。
次に、電極2118をEL層2117に接するように形成する。電極2118は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる(図14(D)参照)。
次に、基板2121を、接着層2120を介して電極2118上に形成する(図15(A)参照。)。
次に、素子形成基板2101を剥離層2113とともに、下地層2119および端子電極2116から剥離する(図15(B)参照)。剥離方法は、上記実施の形態で開示した基板の剥離方法と同様に行うことができる。
次に、開口2122bを有する基板2111を、接着層2112を介して下地層2119に貼り合わせる(図15(C)参照)。この時、基板2111の開口2122bを、開口2122aと重畳する位置に配置する。また、接着層2112は、開口2122bと重畳する領域には形成しない。なお、前述した通り、本明細書では、開口2122aおよび開口2122bを併せて開口2122と呼ぶ。
次に、開口2122に異方性導電接続層2123を形成する。また、開口2122において端子電極2116と重畳する位置に、発光装置2100に電力や信号を入力するための外部電極2124を形成する(図12参照)。外部電極2124は、異方性導電接続層2123を介して端子電極2116と電気的に接続される。このようにして、発光装置2100に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極2124は、上記実施の形態で開示した外部電極124と同様の材料および方法で形成することができる。
また、本発明の一態様は、図16に示す発光装置2200のように構成することも可能である。図16(A)は、発光装置2200の外観を示す斜視図であり、図16(B)は、図16(A)におけるD1−D2の一点鎖線で示す部位の断面図である。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置2100と異なる構成を有する発光装置2300について、図17を用いて説明する。図17(A)は発光装置2300の斜視図であり、図17(B)は、図17(A)中でE1−E2の一点鎖線で示す部位の断面図である。
本実施の形態に示す発光装置2300は、表示領域2231と、周辺回路2251を有する。また、発光装置2300は、電極2115、EL層2117、電極2118を含む発光素子2125と、端子電極2216を有する。発光素子2125は、表示領域2231中に複数形成されている。また、各発光素子2125には、発光素子2125の発光量を制御するトランジスタ2232が接続されている。
また、ゲート絶縁層2207は、絶縁層2205と同様の材料および方法により形成することができる。
本発明の一態様の発光装置3100の構成例について、図18乃至図20を用いて説明する。図18(A)は発光装置3100の斜視図であり、図18(B)は、図18(A)に示す部位3150の拡大図である。また、図18(C)及び18(D)は、図18(A)中でF1−F2に一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する発光装置3100は、表示素子に発光素子を用いた表示装置である。
本実施の形態に示す発光装置3100は、電極3115、EL層3117、電極3118、隔壁3114、および端子電極3116を有する。電極3115および端子電極3116は電気的に接続されている。また、発光装置3100は、電極3115上に隔壁3114を有し、電極3115および隔壁3114上にEL層3117を有し、EL層3117上に電極3118を有している。
基板3111および基板3121としては、上記実施の形態で開示した基板121および基板111と同様の材料を用いることができる。発光装置3100を下面射出型の発光装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板3111にEL層3117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、発光装置3100を上面射出型の発光装置、または両面射出型の発光装置とする場合には、基板3121にEL層3117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
下地層3119は上記実施の形態で開示した下地層119と同様の材料および方法で形成することができる。
端子電極3116は、上記実施の形態で開示した端子電極116と同様の材料および方法で形成することができる。
電極3115は、後に形成されるEL層3117が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成することが好ましい。電極3115は、上記実施の形態で開示した電極115と同様の材料および方法で形成することができる。
隔壁3114は、隣接する電極3118間の電気的ショートを防止するために設ける。また、後述するEL層3117の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子3125を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁3114は、上記実施の形態で開示した隔壁114と同様の材料および方法で形成することができる。隔壁3114は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁3114の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるEL層3117や電極3118の被覆性を良好なものとすることができる。
EL層3117の構成については、実施の形態9で説明する。
本実施の形態では電極3118を陰極として用いるため、電極3118を後述するEL層3117に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。電極3118は、上記実施の形態で開示した電極118と同様の材料および方法で形成することができる。
本実施の形態では、接着層3120は、電極3118に接して形成している。基板3121は接着層3120により固定されている。また、基板3111は接着層3112により固定されている。接着層3120および接着層3112としては、上記実施の形態で開示した接着層120および接着層112と同様の材料および方法で形成することができる。また、トップエミッション構造の場合は接着層3120に、ボトムエミッション構造の場合は接着層3112に、光の波長以下の大きさの乾燥剤(ゼオライト等)や、屈折率の大きいフィラー(酸化チタンや、ジルコニウム等)を混合すると、EL層3117が発する光の取り出し効率が向上するため好適である。
異方性導電接続層3123は、上記実施の形態で開示した異方性導電接続層123と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、図21乃至図24を用いて、発光装置3100の作製方法を例示する。図21乃至図24は、図18乃至図20中、F1−F2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
まず、素子形成基板3101上に剥離層3113を形成する(図21(A)参照。)。なお、素子形成基板3101としては、上記実施の形態で開示した素子形成基板101と同様の材料を用いることができる。
次に、剥離層3113上に下地層3119を形成する(図21(A)参照。)。本実施の形態では、下地層3119としてプラズマCVD法により酸化シリコンを形成する。
次に、下地層3119上に端子電極3116を形成する。まず、下地層3119上に、スパッタリング法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する。続いて、金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、金属膜を所望の形状にエッチングして端子電極3116を形成することができる。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
次に、下地層3119上に電極3115を形成する。電極3115も端子電極3116と同様に形成することができる。本実施の形態では、電極3115を、銀の上にインジウム錫酸化物を積層した材料で形成する。電極3115と端子電極3116は電気的に接続されている(図21(B)参照)。
次に、隔壁3114を形成する(図21(C)参照)。本実施の形態では、隔壁3114を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。本実施の形態では、隔壁3114を、感光性を有するイミド樹脂を用いて形成する。
次に、EL層3117を電極3115および隔壁3114上に形成する。この時、EL層3117の形成と同時に、端子電極3116上の開口3122と重畳する領域に層3104を形成する(図21(D)参照)。層3104はEL層3117と同じ材料および方法を用いて形成することができる。
次に、電極3118をEL層3117に接するように形成する。この時、電極3118の形成と同時に、層3104上の開口3122と重畳する領域に層3105を形成する。層3105は電極3118と同じ層の一部を用いて形成することができる。電極3118および層3105は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる(図21(E)参照)。
次に、厚さ方向に貫通して形成された溝部3141を有する基板3121を、接着層3120を介して電極3118上に形成する。この時、基板3121の部位3121aが、端子電極3116、層3105、および層3104と重畳するように形成する。(図22(A)参照)。
次に、素子形成基板3101を剥離層3113とともに下地層3119から剥離する(図22(B)参照)。剥離方法は、上記実施の形態で開示した基板の剥離方法と同様に行うことができる。
次に、接着層3112を介して基板3111を下地層3119に貼り合わせる(図23(A)参照)。このようにして、発光装置3100を作製することができる(図23(B)参照)。
基板3121の部位3121a上に粘着テープを貼り、その後、粘着テープを剥がすように引き上げると、部位3121aが溝部3141に沿って基板3121から分離する。この時、層3104と層3105の界面は密着性が低いので、部位3121aの剥離と共に部位3121aと重畳する接着層3120と層3105を除去することができる(図19(A)、図24(A)参照)。
次に、エチルアルコールなどの有機溶剤を用いて、層3104を除去し、端子電極3116表面の一部を露出させる(図19(B)、図24(B)参照)。
次に、開口3122に異方性導電接続層3123を形成し、異方性導電接続層3123上に、発光装置3100に電力や信号を入力するための外部電極3124を形成する(図24(C)参照)。異方性導電接続層3123を介して外部電極3124と端子電極3116を電気的に接続する。このようにして、発光装置3100に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極3124は、上記実施の形態で開示した外部電極124と同様の材料および方法で形成することができる。
図25(A)乃至図25(E)、および図26(A)乃至図26(E)は、基板3121の端子電極3116と重畳する領域を拡大した平面図である。図25(A)乃至図25(E)、および図26(A)乃至図26(E)に、溝部3141の配置例を示す。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置3100と異なる構成を有する発光装置3200について、図27を用いて説明する。図27(A)は発光装置3200の上面図であり、図27(B)は、図27(A)中でG1−G2の一点鎖線で示す部位の断面図である。
本実施の形態に示す発光装置3200は、表示領域3231と、周辺回路3251を有する。また、発光装置3200は、電極3115、EL層3117、電極3118を含む発光素子3125と、端子電極3216を有する。発光素子3125は、表示領域3231中に複数形成されている。また、各発光素子3125には、発光素子3125の発光量を制御するトランジスタ3232が接続されている。
本実施の形態では、発光素子125、発光素子2125、および発光素子3125に用いることができる発光素子の構成例について説明する。なお、本実施の形態に示すEL層320が、上記実施の形態に示したEL層117、EL層2117、およびEL層3117に相当する。
図28(A)に示す発光素子330は、一対の電極(第1の電極318、第2の電極322)間にEL層320が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、第1の電極318を陽極として用い、第2の電極322を陰極として用いるものとする。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図面を参照して説明する。
101 素子形成基板
102 転載基板
103 紫外線
104 層
105 層
107 マスク
109 層
111 基板
112 接着層
113 剥離層
114 隔壁
115 電極
116 端子電極
117 EL層
118 電極
119 下地層
120 接着層
121 基板
122 開口
123 異方性導電接続層
124 外部電極
125 発光素子
131 表示領域
200 発光装置
205 絶縁層
206 ゲート電極
207 ゲート絶縁層
208 半導体層
210 絶縁層
211 絶縁層
216 端子電極
219 配線
231 表示領域
232 トランジスタ
251 周辺回路
252 トランジスタ
264 遮光膜
266 着色層
268 オーバーコート層
318 電極
320 EL層
322 電極
330 発光素子
331 発光素子
2100 発光装置
2101 素子形成基板
2111 基板
2112 接着層
2113 剥離層
2114 隔壁
2115 電極
2116 端子電極
2117 EL層
2118 電極
2119 下地層
2120 接着層
2121 基板
2122 開口
2123 異方性導電接続層
2124 外部電極
2125 発光素子
2126 酸素プラズマ
2131 表示領域
2200 発光装置
2205 絶縁層
2206 ゲート電極
2207 ゲート絶縁層
2208 半導体層
2210 絶縁層
2211 絶縁層
2216 端子電極
2219 配線
2231 表示領域
2232 トランジスタ
2251 周辺回路
2252 トランジスタ
2264 遮光膜
2266 着色層
2268 オーバーコート層
2300 発光装置
3100 発光装置
3101 素子形成基板
3104 層
3105 層
3111 基板
3112 接着層
3113 剥離層
3114 隔壁
3115 電極
3116 端子電極
3117 EL層
3118 電極
3119 下地層
3120 接着層
3121 基板
3122 開口
3123 異方性導電接続層
3124 外部電極
3125 発光素子
3131 表示領域
3141 溝部
3150 部位
3200 発光装置
3205 絶縁層
3206 ゲート電極
3207 ゲート絶縁層
3208 半導体層
3210 絶縁層
3211 絶縁層
3216 端子電極
3219 配線
3231 表示領域
3232 トランジスタ
3251 周辺回路
3252 トランジスタ
3264 遮光膜
3266 着色層
3268 オーバーコート層
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
122a 開口
122b 開口
209a ソース電極
209b ドレイン電極
2122a 開口
2122b 開口
2209a ソース電極
2209b ドレイン電極
3121a 部位
3209a ソース電極
3209b ドレイン電極
320a 電荷発生層
Claims (28)
- 素子形成基板上に剥離層を介して発光素子と端子電極を形成し、
前記発光素子と前記端子電極上に、
第1の開口を有する第1の基板を、第2の開口を有する接着層を介して形成し、
前記第1の開口および前記第2の開口に埋め込み層を形成し、
前記第1の基板と前記埋め込み層上に転載基板を形成し、
前記発光素子および前記端子電極から前記素子形成基板を剥離し、
前記発光素子および前記端子電極の下に第2の基板を形成し、
前記転載基板と前記埋め込み層を除去し、
前記開口に異方性導電接続層を形成し、
前記異方性導電接続層を介して
前記端子電極と電気的に接続する外部電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の基板に、可撓性を有する基板を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の基板に、可撓性を有する基板を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1の開口と、前記第2の開口が、前記端子電極と重畳することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記埋め込み層は、可溶性樹脂で形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記外部電極として、FPCを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 素子形成基板上に剥離層を介して発光素子と端子電極を形成し、
前記発光素子と前記端子電極上に、
第1の接着層を介して第1の基板を形成し、
前記発光素子および前記端子電極から前記素子形成基板を剥離し、
前記発光素子および前記端子電極の下に、第2の接着層を介して、開口を有する第2の基板を形成し、
前記開口と重畳して異方性導電接続層を形成し、
前記異方性導電接続層を介して前記端子電極と電気的に接続する外部電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第1の基板に、可撓性を有する基板を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項7または請求項8において、
前記第2の基板に、可撓性を有する基板を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか一において、
前記開口が、前記端子電極と重畳することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項7乃至請求項10のいずれか一において、
前記外部電極として、FPCを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 素子形成基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層上に絶縁層を形成する第2の工程と、
前記絶縁層の一部を選択的に除去して第1の開口を形成し、
前記第1の開口において前記剥離層の一部を露出させる第3の工程と、
露出した前記剥離層の表面を酸化させる第4の工程と、
前記第1の開口と重畳する端子電極を形成する第5の工程と、
発光素子を形成する第6の工程と、
前記発光素子および前記端子電極上に、第1の接着層を介して第1の基板を形成する第7の工程と、
前記素子形成基板を剥離する第8の工程と、
前記発光素子および前記端子電極の下に、第2の接着層を介して、第2の開口を有する第2の基板を形成する第9の工程と、
前記第2の開口において前記端子電極と電気的に接続する外部電極を形成する第10の工程と、
を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項12において、
前記第4の工程は、酸素プラズマを用いて行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項12または請求項13において、
前記第1の開口と前記第2の開口が重畳することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項12乃至請求項14のいずれか一において、
前記端子電極と前記外部電極は、異方性導電接続層を介して電気的に接続することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項12乃至請求項15のいずれか一において、
前記外部電極として、FPCを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 基板上に発光素子と端子電極が形成され、
前記端子電極上に第1の層が形成され、前記第1の層上に第2の層が形成され、
前記発光素子、前記第1の層、および前記第2の層上に、
接着層を介して第1の部位を有する基板が形成され、
前記第1の部位は、前記端子電極、前記第1の層、および前記第2の層と重畳することを特徴とする発光装置。 - 請求項17において、
前記基板は、可撓性を有する基板であることを特徴とする発光装置。 - 請求項17または請求項18において、
前記第1の部位を有する基板は、可撓性を有する基板であることを特徴とする発光装置。 - 請求項17乃至請求項19のいずれか一項において、
前記第1の層は、有機材料を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項17乃至請求項20のいずれか一項において、
前記第2の層は、金属材料を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項17乃至請求項21のいずれか一項において、
前記第1の部位は、溝部で囲まれていることを特徴とする発光装置。 - 素子形成基板上に剥離層を介して発光素子と端子電極を形成し、
前記端子電極上に第1の層を形成し、
前記第1の層上に第2の層を形成し、
前記発光素子、前記端子電極、前記第1の層、および前記第2の層上に、
第1の部位が、前記端子電極、前記第1の層、および前記第2の層と重畳するように、
接着層を介して前記第1の部位を有する第1の基板を形成し、
前記発光素子および前記端子電極から前記素子形成基板を剥離し、
前記発光素子および前記端子電極の下に第2の基板を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項23において、
前記第1の基板は、可撓性を有する基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項23または請求項24において、
前記第2の基板は、可撓性を有する基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項25のいずれか一項において、
前記第1の層は、有機材料を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項26のいずれか一項において、
前記第2の層は、金属材料を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項23乃至請求項26のいずれか一項において、
前記第1の部位は、溝部で囲まれていることを特徴とする発光装置の作製方法。
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