WO2022123378A1

WO2022123378A1 - 表示装置およびその作製方法、および車両

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Publication number: WO2022123378A1
Application number: PCT/IB2021/060900
Authority: WO
Inventors: 山崎舜平; 江口晋吾; 桑原秀明
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2020-12-07
Filing date: 2021-11-24
Publication date: 2022-06-16
Also published as: JPWO2022123378A1; US20240096242A1

Abstract

本発明の一態様は、車両の移動体に搭乗する運転手または同乗者が所望の情報を得やすい表示装置を提供する。本発明の一態様は、表示パネルを有する表示装置であって、表示パネルは、窓ガラスを有する移動体の内部に設置され、移動体の窓ガラスと表示パネルとの間に遮光層を有するフィルムを有する。表示パネルを制御する駆動手段を設けることにより、窓ガラスと表示パネルとの位置関係を変化させる。または遮光層を有するフィルムを制御する駆動手段を設けることにより、窓ガラスと、遮光層を有するフィルムとの位置関係を変化させる。

Description

表示装置およびその作製方法、および車両

本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、車両に搭載可能な表示装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、表示装置としては、薄型化ができ、製造コスト、消費電力の点で有利な液晶表示装置が他のディスプレイ方式の表示装置（ＣＲＴ、またはプラズマテレビ）に比べ普及している。また、液晶表示装置は、バックライトを使用する透過型が一般的に普及しているが、他のディスプレイ方式に比べ表示の鮮やかさ、または、視野角の問題があり、いろいろ改善するために日々開発が続けられている。

表示の鮮やかさに関してはバックライトにＬＥＤを用いる、またはカラーフィルタの光学フィルムの改良が進められている。また、視野角に関しては横電界方式の液晶素子を用いることで大幅に改善している。

また、有機ＥＬ素子を用いた表示装置も研究が盛んに行われている。

なお、特許文献１乃至特許文献３には、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の１つとして、両面射出型表示装置が開示されている。

自動車の車内の計器表示の一部を有機ＥＬ表示装置に置き換える方向で開発が進められている。また、より多くの情報（車の周囲の状況情報または交通情報または地理情報）を活用するため、車内の表示を利用し、自動車の運転者を支援する取り組みがなされている。

また、特許文献４には車両に搭載する両面射出型表示装置が開示されている。

特開２００５−１８３００６号公報国際公開２００４／０６１８０７号国際公開２００４−０６８９１０号特開２００５−６７３６７号公報

本発明の一態様は、車両の移動体に搭乗する運転手または同乗者が所望の情報を得やすい表示装置を提供することを課題の一とする。または、省スペースに適し、車内の美観を損なわない表示装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、明細書の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、表示パネルと、該表示パネルを制御する第１の駆動手段とを有する表示装置であって、表示パネルは、窓ガラスを有する移動体の内部に設置され、移動体の窓ガラスと表示パネルとの間に遮光層を有するフィルムと、遮光層を有するフィルムを制御する第２の駆動手段とを有する表示装置である。

上記構成において、第１の駆動手段は、窓ガラスと表示パネルとの位置関係を変化させる。具体的には、第１の駆動手段は、移動体の運転者または同乗者から見た方向において窓ガラスと表示パネルとが重なる領域を変化させる。第１の駆動手段により、同乗者は窓ガラスと重なる位置に表示パネルを移動（スライド）させて表示パネルの映像を見ることができる。また、表示パネルとして発光素子の一対の電極が透光性を有する両面射出型表示装置とすることで表示パネル及び窓ガラス越しに外の景色を見ることができる。また、外の景色を重視して見たい場合には、第１の駆動手段により、表示パネルを収納することで同乗者は窓ガラス越しに外の景色を見ることができる。

表示パネルとして発光素子の一対の電極が透光性を有する両面射出型表示パネルを用いると、後部座席に搭乗する同乗者から見て表示が外の景色と重なって見える。従って外の景色または外光によって表示が鮮明にならない場合がある。このような場合に遮光層を有するフィルムを用いることでコントラストを向上させることができる。

また、上記構成において、第２の駆動手段は、窓ガラスと、遮光層を有するフィルムとの位置関係を変化させる。具体的には、第２の駆動手段は、移動体の運転者または同乗者から見た方向において窓ガラスと遮光層を有するフィルムが重なる領域を変化させる。第２の駆動手段により、遮光層を有するフィルムを移動（スライド）させて表示パネルと重ねることで、外光を部分的に遮光することができ、コントラストの高い映像表示を行うことができる。日中の外光が強い状況で、両面射出型表示装置の映像のコントラストが低下する場合に第２の駆動手段及び遮光層を有するフィルムは有効である。

上記構成において、遮光層を有するフィルムは、省スペースに適し、車内の美観を損なわないため、第２の駆動手段により巻き取られるように収納されることが好ましい。

また、上記構成において、表示パネルは、第１の基板と、第２の基板と、有機発光素子を有する表示部と、封止層と、保護層と、を有することが好ましい。

また、上記構成において、表示パネルは、第１の基板及び第２の基板をガラス基板のような透光性の高い基板を用いることができ、特に可撓性を有するフィルムを用いると、フレキシブルな表示パネルとすることができる。その場合、表示パネルは、第１の駆動手段により、巻き取られるように収納される構成とすることができる。

また、上記構成において、第１の駆動手段と、第２の駆動手段とを有する構成としているが、いずれか一方のみを有する構成としてもよい。また、第１の駆動手段及び第２の駆動手段の両方を有さず、移動体の窓ガラスの内側面に表示パネルを固定してもよく、その場合には窓ガラスは曲面を有しているため、フレキシブルな表示パネルを用いることが好ましい。

また、上記構成において、移動体は、窓ガラスを少なくとも有する車両を指しており、自動車、具体的にはガソリンのような化石燃料を燃料とするエンジンを搭載した化石燃料自動車、または、ハイブリッド車（ＨＶ）、電気自動車（ＥＶ）、またはプラグインハイブリッド車（ＰＨＶ）の次世代クリーンエネルギー自動車を指している。また、電動トラクタのような農業機械、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、電動カート、小型または大型船舶、潜水艦、固定翼機または回転翼機の航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機または惑星探査機、または宇宙船の輸送用車両に本発明の一態様に係る表示装置を搭載することもできる。

また、上記構成において、遮光層を有するフィルムとしては、ストライプ状の遮光層を有するフィルムまたは、ストライプ状の遮光層が交差し、碁盤の目のように遮光層が配置されたフィルムを用いることが好ましい。また、遮光層を有するフィルムに代えて光学フィルム、例えば偏光フィルムを用いてもよい。

本明細書において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

なお、本明細書において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の発光デバイスとすることができる。

また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層のような中間層を設けると好適である。

また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

本発明の一態様によれば、移動体に適した表示装置を提供できる。または、省スペースに適した表示装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、または請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは、本発明の一態様を示す上面模式図であり、図１Ｂは一部の拡大図であり、図１Ｃは、車内から見た表示装置の斜視図である。
図２Ａは本発明の一態様を示す断面図であり、図２Ｂは変形例を示す断面図である。
図３Ａは発光装置の一形態を説明する斜視図であり、図３Ｂ、図３Ｄは、画素部の一部拡大図であり、図３Ｃは発光装置の一形態を説明する断面図である。
図４Ａは、発光装置の一形態を説明するブロック図であり、図４Ｂは、発光装置の画素回路図である。
図５Ａ乃至図５Ｅは発光装置の作製方法例を説明する断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、発光装置の作製方法例を説明する断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは発光装置の作製方法例を説明する断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは発光装置の作製方法例を説明する断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは発光装置の作製方法例を説明する断面図である。
図１０Ａは発光装置の一形態を説明する斜視図であり、図１０Ｂは発光装置の一形態を説明する断面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは発光装置の一形態を説明する断面図である。
図１２Ａ及び図１２Ｂは発光装置の一形態を説明する断面図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは発光素子の構成例を説明する断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは、本発明の一態様を示す表示パネルの他の構成例を説明する断面図である。
図１５Ａは、上面図であり、図１５Ｂ及び図１５Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｆは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｅは、表示装置の作製方法例及び表示装置の構成例を示す断面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｅは、表示装置の作製方法例及び表示装置の構成例を示す断面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。図２０Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２１Ａ及び図２１Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２３Ａ及び図２３Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２６Ａは、表示装置の一例を示す断面図であり、図２６Ｂは、表示装置の一部を拡大した断面図である。
図２７Ａは、表示装置の一例を示す上面図であり、図２７Ｂ乃至図２７Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３０Ａ乃至図３０Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３１は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｅは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３４Ａ及び図３４Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｆは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図３６Ａは、表示装置の一例を示す断面図であり、図３６Ｂは、表示装置の一部を拡大した断面図である。
図３７Ａは、表示装置の一例を示す断面図であり、図３７Ｂは、表示装置の一部を拡大した断面図である。
図３８は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図３９Ａ及び図３９Ｂは、表示パネルの一例を示す斜視図である。
図４０Ａ乃至図４０Ｄは、発光素子の構成例を示す断面図である。
図４１Ａ乃至図４１Ｄは、輸送用車両の一例を示す斜視図である。
図４２Ａ乃至図４２Ｃは、表示装置の応用例を示す斜視図であり、図４２Ｄは表示装置の断面の一例を示す図である。

以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
図１Ａは移動体の一例である電動車両の上面模式図である。

電動車両１１は、操舵前輪１２と、駆動後輪１３と、２つの駆動後輪１３を駆動するためのモータ１４と、モータ１４の駆動力を２つの駆動後輪１３に分配して伝えるトランスミッション１５のような駆動装置を有している。ハンドル１８を操作することで操舵前輪１２の向きをかえることができる。

モータ１４は交流モータであり、インバータ１６によって二次電池１７の直流電力を交流化してモータ１４に供給している。

運転手の右側面には窓ガラス３０Ｒが配置されている。また補助席の左側面には窓ガラス３０Ｌが配置されている。運転手は、ハンドル１８を操作し、アクセルペダル（図示しない）を踏むことで、制御回路がアクセルペダルストロークセンサ（図示しない）からの信号を検知し、その信号に基づいてモータ１４の出力を制御する。これらの信号の制御は、ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）と呼ばれる制御回路によって行われる。ＥＣＵは、電動車両に設けられたＣＡＮ（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）に接続される。ＣＡＮは、車内ＬＡＮとして用いられるシリアル通信規格の一つである。また、ＥＣＵは、マイクロコンピュータを含む。また、ＥＣＵは、ＣＰＵまたはＧＰＵを用いる。ＥＣＵは、二次電池１７への充電または放電の制御も行う。

二次電池１７は、後部座席の下方に配置されており、後部座席に搭乗する同乗者の左右側面には窓ガラス２０Ｒ、２０Ｌがそれぞれ配置されている。遮光層を有するフィルム２２Ｒとしては偏光フィルムを用いてもよい。日中の走行時では外光が強いため、表示パネル２１Ｒと遮光層を有するフィルム２２Ｒが重ねられている状態のほうが表示を視認しやすい。夜間の走行時では、遮光層を有するフィルム２２Ｒが不要であり、重ねない状態のほうが表示を視認しやすい。また、窓の内側にスモークフィルムが常時張り付けられている場合には、遮光層を有するフィルム２２Ｒ及びその移動機構は不要とすることができる。

また、窓ガラス２０Ｒの近傍の拡大上面図を図１Ｂに示す。

後部座席に搭乗する同乗者からみて表示パネル２１Ｒは、窓ガラス２０Ｒと重なるように配置され、表示パネル２１Ｒと窓ガラス２０Ｒの間に遮光層を有するフィルム２２Ｒが配置される。

また、本実施の形態において、表示パネル２１Ｒは、デュアルエミッション構造とも呼ばれる、両面射出型表示装置を用いることが好ましい。なお、両面射出型表示装置は、ボトムエミッション構造またはトップエミッション構造において発光素子の一対の電極が透光性を有する場合の構造を指している。

表示パネル２１Ｒとして両面射出型表示装置を用いると、後部座席に搭乗する同乗者から見て表示が外の景色と重なって見える。従って外の景色または外光によって表示が鮮明にならない場合がある。このような場合に遮光層を有するフィルム２２Ｒを用いることでコントラストを向上させることができる。

また、後部座席に搭乗する同乗者から見た斜視図を図１Ｃに示す。窓ガラス２０Ｒが設けられている後部ドアに表示パネル２１Ｒが配置され、遮光層を有するフィルム２２Ｒ及び窓ガラス２０Ｒと重なる領域を有していることを図示している。また、ドアトリム２３Ｒに設けられた開口部２４Ｒから遮光層を有するフィルム２２Ｒ及び表示パネル２１Ｒを突出させている。

図１Ｃではわかりやすくするために窓ガラス２０Ｒの約半分と重なっている例を示しているが、後に説明する第１の駆動手段により窓ガラスの大部分と重なるように表示パネル２１Ｒの位置を移動させることができる。

また、表示パネル２１Ｒは完全に収納されなくてもよく、常時、一部分が露出されるように配置されてもよい。

図２Ａにドアトリム２３Ｒ及び窓ガラス２０Ｒ近傍の断面構造図を示す。なお、簡略化のため、平坦な面を有する窓ガラス２０Ｒを示しているが、実際には車体に合わせて窓ガラスは湾曲した面を有している。

ドアトリム２３Ｒの上部には開口部２４Ｒが設けられており、その開口部２４Ｒから表示パネル２１Ｒと、遮光層を有するフィルム２２Ｒを突出させる、または収納する機構を有している。

後部座席の同乗者からみて表示パネル２１Ｒが窓ガラス２０Ｒと重なるようにローラ２５、２６及びローラ２５、２６を回転させるためのモータ（図示しない）で構成された第１の駆動手段が設けられている。第１の駆動手段により表示パネル２１Ｒが上下に移動する。第１の駆動手段は、窓ガラス２０Ｒとドアトリム２３Ｒの間に設けられた空間に配置される。ドアトリム２３Ｒは硬質プラスチック材料を用いる。

また、遮光層を有するフィルム２２Ｒは、巻き取り軸２２Ａに巻き付けられており、巻き取り軸２２Ａを回転させるためのモータ（図示しない）または固定部（図示しない）で構成された第２の駆動手段が設けられている。第２の駆動手段は、窓ガラス２０Ｒとドアトリム２３Ｒの間に設けられた空間に配置される。

また、図２Ａの窓ガラス２０Ｒの外側には車両の外装体部分２７が設けられ、外装体部分２７と窓ガラス２０Ｒの間には雨が隙間に入らないようにゴム部材２９が設けられている。また、窓ガラス２０Ｒとドアトリム２３Ｒの間にもゴム部材２９が設けられている。また、外装体部分２７は、内装体部分２８と同じ金属材料で構成されてドアの骨格として機能する。

また、表示パネル２１Ｒにタッチ入力パネルを設けてもよい。タッチ入力パネルを設けることにより同乗者が自由に表示パネルの位置を調節可能とすることができる。

また、表示パネル２１Ｒを完全に収納する場合には、フレキシブルな表示パネル３１Ｒとすることが好ましい。図２Ｂに図２Ａの変形例を示す。

図２Ｂは図２Ａと共通する部分には同じ符号を用い、同じ部分の説明は省略することとする。

図２Ｂには、巻き取り軸３１Ａに巻きつけることのできるフレキシブルな表示パネル３１Ｒを図示している。後部座席の同乗者からみて、フレキシブルな表示パネル３１Ｒが窓ガラス２０Ｒと重なるように巻き取り軸３１Ａを回転させるためのモータ（図示しない）で構成された第１の駆動手段が設けられている。

フレキシブルな表示パネル３１Ｒの厚さも薄くなるため、ドアトリム２３Ｒに設ける開口部２４Ｒの面積が小さくなり、好ましい。また、ドアトリム２３Ｒの内側にフレキシブルな表示パネル３１Ｒを収納するスペースも小さくすることができるため、収納することができる。

本実施の形態では、右ハンドルの車両の例を示したが特に限定されない。また、二次電池を用いる電動車両を一例と示したが、特に限定されない。

また、後部座席の同乗者が使用する表示パネルの例を示したが特に限定されず、運転席の運転手が使用する表示パネルとしてもよい。その場合には窓ガラス３０Ｒの近傍に表示パネル及び遮光層を有するフィルムを設置することになる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示したフレキシブルな表示パネル３１Ｒに対応する表示パネル２５０について、図３乃至図１２を用いて説明する。図３Ａは、表示パネル２５０の斜視図である。本実施の形態に示す表示パネル２５０は、表示領域２３１、駆動回路２３２、および駆動回路２３３を有する。図３Ｂは、図３Ａ中に部位２３１ａと示した表示領域２３１の一部の拡大図である。また、図３Ｃは、図３Ａ中に一点鎖線Ｄ１−Ｄ２で示した部位の断面図である。

＜発光装置の構成例＞
本実施の形態では、表示パネル２５０として、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の発光装置を例示する。表示パネル２５０は、マトリクス状に配置された複数の発光部１３２を有する。複数の発光部１３２が、表示領域２３１中にマトリクス状に配置されている。また、発光部１３２は、電極１１５、ＥＬ層１１７、および電極１１８を含む発光素子１２５を有する。また、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２４２が接続されている。表示領域２３１において、発光部１３２が形成されていない領域は、可視光を透過する領域を含む。表示領域２３１において、可視光を透過する領域を、透光部１３３と呼ぶ。本実施の形態では、透光部１３３と重なる遮光層を有するフィルム２２Ｒの遮光パターンの例を図３Ｄに示す。本実施の形態に例示する表示パネル２５０は、アクティブマトリクス型の表示装置として機能する。

また、表示パネル２５０は、端子電極２１６を有する。端子電極２１６は、異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と電気的に接続されている。また、端子電極２１６は、駆動回路２３２および駆動回路２３３に電気的に接続されている。

駆動回路２３２および駆動回路２３３は、複数のトランジスタ２５２により構成されている。駆動回路２３２および駆動回路２３３は、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域２３１中のどの発光素子１２５に供給するかを決定する機能を有する。

トランジスタ２４２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極２０６、ゲート絶縁層２０７、半導体層２０８、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂを有する。また、ソース電極２０９ａ、およびドレイン電極２０９ｂと同じ層に、配線２１９が形成されている。また、トランジスタ２４２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１０が形成され、絶縁層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。また、電極１１５が絶縁層２１１上に形成されている。電極１１５は、絶縁層２１０および絶縁層２１１に形成された開口を介してドレイン電極２０９ｂに電気的に接続されている。また、電極１１５上に隔壁１０４が形成され、電極１１５および隔壁１０４上に、ＥＬ層１１７および電極１１８が形成されている。

また、表示パネル２５０は、接着層１２０を介して基板１５１と基板１０３が貼り合わされた構造を有する。

また、基板１５１上には、接着層１５２を介して絶縁層２０３が形成されている。絶縁層２０３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムを、単層または多層で形成するのが好ましい。絶縁層２０３は、スパッタリング法またはＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法を用いて形成することが可能である。

なお、絶縁層２０３は下地層として機能し、基板１５１または接着層１５２から、トランジスタまたは発光素子への水分または不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。

本実施の形態に例示する表示パネル２５０は、複数の発光素子１２５を任意の輝度で点灯、または消灯させることにより、表示領域２３１に文字または映像を表示することができる。よって、本実施の形態に示す表示パネル２５０は、照明装置としてだけでなく、表示装置としても機能することができる。

本発明の一態様によれば、表示品位の良好な表示装置を実現することができる。また、本発明の一態様によれば、消費電力の少ない表示装置を実現することができる。

また、表示領域２３１の占有面積に対する透光部１３３の占有面積の百分率（以下、「透光率」ともいう。）は、８０％以下が好ましく、５０％以下がより好ましく、２０％以下がさらに好ましい。透光率が小さいほど、表示領域２３１をより均一に発光させることができ、表示品位の良好な映像を表示させることができる。一方で、透光率が大きいと、基板１０３側の様子をより明確に視認することができる。

また、図３Ｂに、隣接する２つの発光部１３２の中心から中心までの距離をピッチＰとして示す。ピッチＰを小さくすると、基板１０３側の様子をより明確に視認することができる。また、ピッチＰを小さくすると、発光部１３２をより均一に発光させることができる。ピッチＰは、１ｃｍ以下が好ましく、５ｍｍ以下がより好ましく、１ｍｍ以下がさらに好ましい。

また、１インチ当たりの発光部１３２の数を２００個以上（２００ｄｐｉ以上、ピッチＰ換算で約１２７μｍ以下）、好ましくは３００個以上（３００ｄｐｉ以上、ピッチＰ換算で約８０μｍ以下）とすると、発光部１３２から発せられた光の均一性と、基板１０３側の視認性を良好なものとすることができる。また、表示品位の良好な映像を表示させることができる。

また、発光部１３２と重畳する位置に、マイクロレンズアレイまたは、光拡散フィルムを設けてもよい。

なお、本実施の形態では、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の発光装置について例示するが、トップエミッション構造（上面射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の発光装置とすることもできる。

＜画素回路構成例＞
次に、図４を用いて、表示パネル２５０のより具体的な構成例について説明する。図４Ａは、表示パネル２５０の構成を説明するためのブロック図である。表示パネル２５０は、表示領域２３１、駆動回路２３２、および駆動回路２３３を有する。駆動回路２３２は、例えば走査線駆動回路として機能する。また、駆動回路２３３は、例えば信号線駆動回路として機能する。

また、表示パネル２５０は、各々が平行又は略平行に配設され、且つ、駆動回路２３２によって電位が制御されるｍ本の走査線１３５と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ、駆動回路２３３によって電位が制御されるｎ本の信号線１３６と、を有する。さらに、表示領域２３１はマトリクス状に配設された複数の発光部１３２を有する。また、駆動回路２３２および駆動回路２３３をまとめて駆動回路部という場合がある。

各走査線１３５は、表示領域２３１においてｍ行ｎ列に配設された発光部１３２のうち、いずれかの行に配設されたｎ個の発光部１３２と電気的に接続される。また、各信号線１３６は、ｍ行ｎ列に配設された発光部１３２のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の発光部１３２に電気的に接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。

〔発光表示装置用画素回路の一例〕
図４Ｂは、図４Ａに示す表示装置の発光部１３２に用いることができる回路構成を示している。図４Ｂに示す発光部１３２は、トランジスタ４３１と、容量素子２４３と、トランジスタ２４２と、発光素子１２５と、を有する。

トランジスタ４３１のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４３１のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気的に接続される。

トランジスタ４３１は、データ信号のノード４３５への書き込みを制御する機能を有する。

容量素子２４３の一対の電極の一方は、ノード４３５に電気的に接続され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。また、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極の他方は、ノード４３５に電気的に接続される。

容量素子２４３は、ノード４３５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。

トランジスタ２４２のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に接続され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ２４２のゲート電極は、ノード４３５に電気的に接続される。

発光素子１２５のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。

発光素子１２５としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）を用いることができる。ただし、発光素子１２５としては、これに限定されず、無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。

なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。

図４Ｂの発光部１３２を有する表示装置では、駆動回路２３２により各行の発光部１３２を順次選択し、トランジスタ４３１をオン状態にしてデータ信号をノード４３５に書き込む。

ノード４３５にデータが書き込まれた発光部１３２は、トランジスタ４３１がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、ノード４３５に書き込まれたデータの電位に応じてトランジスタ２４２のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子１２５は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。

なお、表示素子として、発光素子１２５以外の表示素子を適用することも可能である。例えば、表示素子として、液晶素子、電気泳動素子、電子インク、エレクトロウェッティング素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システムズ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、またはＩＭＯＤ（インターフェロメトリック・モジュレーション）素子を用いることも可能である。

＜発光装置の作製工程例１＞
次に、図５乃至２２を用いて、表示パネル２５０の作製工程例について説明する。図５乃至２２は、図３Ａ中に一点鎖線Ｄ１−Ｄ２で示した部位の断面に相当する図である。

［剥離層１５３の形成］
まず、素子形成基板１０２上に剥離層１５３を形成する（図５Ａ参照。）。なお、素子形成基板１０２としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板を用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのようなガラス材料が用いられている。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラスを用いることができる。

剥離層１５３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、または前記元素を含む合金材料、または前記元素を含む化合物材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層又は積層して形成することができる。なお、剥離層１５３の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。また、剥離層１５３を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）の金属酸化物を用いて形成することもできる。

剥離層１５３は、スパッタリング法またはＣＶＤ法、塗布法、印刷法により形成できる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層１５３を単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンとモリブデンを含む材料を用いることが好ましい。または、剥離層１５３を単層で形成する場合、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物、またはタングステンとモリブデンを含む材料の酸化物若しくは酸化窒化物を用いることが好ましい。

また、剥離層１５３として、例えば、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層に接して酸化物絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と酸化物絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水のような酸化力の強い溶液での処理を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。

本実施の形態では、素子形成基板１０２としてガラス基板を用いる。また、剥離層１５３として素子形成基板１０２上にスパッタリング法によりタングステンを形成する。

［絶縁層２０３の形成］
次に、剥離層１５３上に下地層として絶縁層２０３を形成する（図５Ａ参照。）。絶縁層２０３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムを、単層または多層で形成するのが好ましい。例えば、絶縁層２０３を、酸化シリコンと窒化シリコンを積層した２層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた５層構造としてもよい。絶縁層２０３は、スパッタリング法またはＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法を用いて形成することが可能である。

絶縁層２０３の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすればよい。

絶縁層２０３は、素子形成基板１０２または剥離層１５３からの不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。また、素子形成基板１０２を基板１５１に換えた後も、基板１５１または接着層１５２から発光素子１２５への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。本実施の形態では、絶縁層２０３としてプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコンと厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコンの積層膜を用いる。

［ゲート電極２０６の形成］
次に、絶縁層２０３上にゲート電極２０６を形成する（図５Ａ参照。）。ゲート電極２０６は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極２０６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。

また、ゲート電極２０６は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物のような透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。

まず、絶縁層２０３上にスパッタリング法、ＣＶＤ法、または蒸着法により、後にゲート電極２０６となる導電膜を積層し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成する。次に、レジストマスクを用いてゲート電極２０６となる導電膜の一部をエッチングして、ゲート電極２０６を形成する。この時、他の配線および電極も同時に形成することができる。

導電膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。なお、ドライエッチング法によりエッチングを行った場合、レジストマスクを除去する前にアッシング処理を行うと、剥離液を用いたレジストマスクの除去を容易とすることができる。

なお、ゲート電極２０６は、上記形成方法の代わりに、電解メッキ法、印刷法、またはインクジェット法で形成してもよい。

導電膜の厚さ、すなわち、ゲート電極２０６の厚さは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

また、ゲート電極２０６を、遮光性を有する導電性材料を用いて形成することで、外部からの光が、ゲート電極２０６側から半導体層２０８に到達しにくくすることができる。その結果、光照射によるトランジスタの電気特性の変動を抑制することができる。

［ゲート絶縁層２０７の形成］
次に、ゲート絶縁層２０７を形成する（図５Ａ参照。）。ゲート絶縁層２０７は、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムと酸化シリコンの混合物、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはＧａ−Ｚｎ系金属酸化物、または窒化シリコンを用いればよく、積層または単層で設ける。

また、ゲート絶縁層２０７として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ_ｘ）、窒素が添加されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）、窒素が添加されたハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムのようなｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。例えば、酸化窒化シリコンと酸化ハフニウムの積層としてもよい。

ゲート絶縁層２０７の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とするとよい。

ゲート絶縁層２０７は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、または蒸着法で形成することができる。

ゲート絶縁層２０７として酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、トリシラン、フッ化シランがある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素がある。

また、ゲート絶縁層２０７は、窒化物絶縁層と酸化物絶縁層をゲート電極２０６側から順に積層する積層構造としてもよい。ゲート電極２０６側に窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６側から水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。なお、一般に、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属は、半導体の不純物元素として機能する。また、水素は、酸化物半導体の不純物元素として機能する。よって、本明細書における「不純物」には、水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属が含まれるものとする。

また、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８側に酸化物絶縁層を設けることで、ゲート絶縁層２０７と半導体層２０８の界面における欠陥準位を低減することが可能である。この結果、電気特性の劣化の少ないトランジスタを得ることができる。なお、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、酸化物絶縁層として、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁層を用いて形成すると、ゲート絶縁層２０７と半導体層２０８の界面における欠陥準位をさらに低減することが可能であるため好ましい。

また、ゲート絶縁層２０７を、上記のように窒化物絶縁層と酸化物絶縁層の積層とする場合、酸化物絶縁層よりも窒化物絶縁層を厚くすることが好ましい。

窒化物絶縁層は酸化物絶縁層よりも比誘電率が大きいため、ゲート絶縁層２０７の膜厚を厚くしても、ゲート電極２０６に生じる電界を効率よく半導体層２０８に伝えることができる。また、ゲート絶縁層２０７全体を厚くすることで、ゲート絶縁層２０７の絶縁耐圧を高めることができる。よって、発光装置の信頼性を高めることができる。

また、ゲート絶縁層２０７は、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層と、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層と、酸化物絶縁層とが、ゲート電極２０６側から順に積層される積層構造とすることができる。ゲート絶縁層２０７に、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層２０７の絶縁耐圧を向上させることができる。特に、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、ゲート絶縁層２０７に、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６及び第１の窒化物絶縁層に含まれる水素が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。

第１の窒化物絶縁層、第２の窒化物絶縁層の作製方法の一例を以下に示す。はじめに、シラン、窒素、及びアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、欠陥の少ない窒化シリコン膜を第１の窒化物絶縁層として形成する。次に、原料ガスを、シラン及び窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素をブロッキングすることが可能な窒化シリコン膜を第２の窒化物絶縁層として成膜する。このような形成方法により、欠陥が少なく、且つ水素のブロッキング性を有する窒化物絶縁層が積層されたゲート絶縁層２０７を形成することができる。

また、ゲート絶縁層２０７は、不純物のブロッキング性が高い第３の窒化物絶縁層と、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層と、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層と、酸化物絶縁層とが、ゲート電極２０６側から順に積層される積層構造とすることができる。ゲート絶縁層２０７に、不純物のブロッキング性が高い第３の窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６から水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。

第１の窒化物絶縁層乃至第３の窒化物絶縁層の作製方法の一例を以下に示す。はじめに、シラン、窒素、及びアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、不純物のブロッキング性が高い窒化シリコン膜を第３の窒化物絶縁層として形成する。次に、アンモニアの流量の増加させることで、欠陥の少ない窒化シリコン膜を第１の窒化物絶縁層として形成する。次に、原料ガスを、シラン及び窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素をブロッキングすることが可能な窒化シリコン膜を第２の窒化物絶縁層として成膜する。このような形成方法により、欠陥が少なく、且つ不純物のブロッキング性を有する窒化物絶縁層が積層されたゲート絶縁層２０７を形成することができる。

また、ゲート絶縁層２０７として酸化ガリウム膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することができる。

なお、トランジスタのチャネルが形成される半導体層２０８と、酸化ハフニウムを含む絶縁層を、酸化物絶縁層を介して積層し、酸化ハフニウムを含む絶縁層に電子を注入することで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。

［半導体層２０８の形成］
半導体層２０８は、非晶質半導体、微結晶半導体、または多結晶半導体を用いて形成することができる。例えば、非晶質シリコンまたは、微結晶ゲルマニウムを用いることができる。また、炭化シリコン、ガリウム砒素、酸化物半導体、または窒化物半導体のような化合物半導体または、有機半導体を用いることができる。

半導体層２０８は、プラズマＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、メタルＣＶＤ法、またはＭＯＣＶＤ法のようなＣＶＤ法または、ＡＬＤ法、スパッタリング法、または蒸着法により形成することができる。なお、半導体層２０８をＭＯＣＶＤ法のようなプラズマを用いない方法で成膜すると、被形成面へのダメージを少なくすることができる。

半導体層２０８の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。本実施の形態では、半導体層２０８として、スパッタリング法により厚さ３０ｎｍの酸化物半導体膜を形成する。

続いて、酸化物半導体膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて酸化物半導体膜の一部を選択的にエッチングすることで、半導体層２０８を形成する。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、またはインクジェット法を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。

酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。酸化物半導体膜のエッチング終了後、レジストマスクを除去する（図５Ｂ参照。）。

［ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂの形成］
次に、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６を形成する（図５Ｃ参照。）。まず、ゲート絶縁層２０７、半導体層２０８上に導電膜を形成する。

導電膜としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造を用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造、タングステン膜上に銅膜を積層し、さらにその上にタングステン膜を形成する三層構造がある。

なお、インジウム錫酸化物、亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物のような酸素を含む導電性材料、窒化チタン、窒化タンタルのような窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。また、前述した金属元素を含む材料、酸素を含む導電性材料、および窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。

また、導電膜の厚さは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。本実施の形態では、導電膜として厚さ３００ｎｍのインジウム錫酸化膜を形成する。

次に、レジストマスクを用いて、導電膜の一部を選択的にエッチングし、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６（これと同じ層で形成される他の電極または配線を含む）を形成する。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、またはインクジェット法を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。

導電膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。なお、エッチング工程により、露出した半導体層２０８の一部が除去される場合がある。導電膜のエッチング終了後、レジストマスクを除去する。

ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂが設けられることにより、トランジスタ２４２、およびトランジスタ２５２が形成される。

［絶縁層を形成する］
次に、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６上に、絶縁層２１０を形成する（図５Ｄ参照。）。絶縁層２１０は、絶縁層２０３と同様の材料および方法で形成することができる。

また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、少なくとも絶縁層２１０の半導体層２０８と接する領域に、酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。例えば、絶縁層２１０を複数層の積層とする場合、少なくとも半導体層２０８と接する層を酸化シリコンで形成すればよい。

［開口１２８の形成］
次に、レジストマスクを用いて、絶縁層２１０の一部を選択的にエッチングし、開口１２８を形成する（図５Ｄ参照。）。この時、図示しない他の開口も同時に形成することができる。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、またはインクジェット法を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。

絶縁層２１０のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。

開口１２８の形成により、ドレイン電極２０９ｂ、端子電極２１６の一部が露出する。開口１２８の形成後、レジストマスクを除去する。

［絶縁層２１１を形成する］
次に、絶縁層２１０上に絶縁層２１１を形成する（図５Ｅ参照。）。絶縁層２１１は、絶縁層２０３と同様の材料および方法で形成することができる。

また、発光素子１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために、絶縁層２１１に平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理として特に限定はないが、研磨処理（例えば、化学的機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ））、またはドライエッチング処理により行うことができる。

また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層２１１を形成することで、研磨処理を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂のような有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、絶縁層２１１を形成してもよい。

また、開口１２８と重畳する領域の絶縁層２１１の一部を除去して、開口１２９を形成する（図５Ｅ参照。）。この時、図示しない他の開口部も同時に形成することができる。また、後に外部電極１２４が接続する領域の絶縁層２１１は除去する。なお、開口１２９は、絶縁層２１１上にフォトリソグラフィ工程によるレジストマスクの形成を行い、絶縁層２１１のレジストマスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成できる。開口１２９を形成することにより、ドレイン電極２０９ｂの表面を露出させる。

また、絶縁層２１１に感光性を有する材料を用いることで、レジストマスクを用いることなく開口１２９を形成することができる。本実施の形態では、感光性のアクリル樹脂を用いて絶縁層２１１および開口１２９を形成する。

［電極１１５の形成］
次に、絶縁層２１１上に電極１１５を形成する（図６Ａ参照。）。電極１１５は、後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を透過する導電性材料を用いて形成することが好ましい。電極１１５として、ＥＬ層１１７よりも仕事関数が大きく透光性を有する材料、例えばインジウム錫酸化物を用いる。電極１１５は電解メッキ法、印刷法、またはインクジェット法で形成してもよい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造としてもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を、インジウム錫酸化物のようなＥＬ層１１７よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とすればよい。

なお、本実施の形態では、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置について例示するが、トップエミッション構造（上面射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とすることもできる。

電極１１５は、絶縁層２１１上に電極１１５となる導電膜を形成し、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜のレジストマスクに覆われていない領域をエッチングすることで形成できる。該導電膜のエッチングは、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、または双方を組み合わせたエッチング法を用いることができる。レジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、またはインクジェット法を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。電極１１５の形成後、レジストマスクを除去する。

［隔壁１０４の形成］
次に、隔壁１０４を形成する（図６Ｂ参照。）。隔壁１０４は、隣接する発光部１３２が有するそれぞれの発光素子１２５が意図せず電気的に短絡し、誤発光することを防ぐために設ける。また、後述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが電極１１５に接触しないようにする機能も有する。隔壁１０４は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、またはイミド樹脂のような有機樹脂材料または、酸化シリコンのような無機材料で形成することができる。隔壁１０４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁１０４の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるＥＬ層１１７または電極１１８の被覆性を良好なものとすることができる。

［ＥＬ層１１７の形成］
次に、電極１１５上にＥＬ層１１７を形成する（図６Ｃ参照。）。なお、ＥＬ層１１７の構成については、実施の形態３で説明する。

［電極１１８の形成］
次に、ＥＬ層１１７上に電極１１８を形成する（図６Ｃ参照。）。電極１１８は、陰極として用いるため、電極１１８をＥＬ層１１７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の小さい金属単層ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上に、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、またはマクネシウム（Ｍｇ）のような金属材料、インジウム錫酸化物のような導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を積層して形成してもよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム−銀の合金を用いることもできる。

本実施の形態では、電極１１８としてアルミニウムとチタンの積層を用いる。電極１１８は、メタルマスクを用いた蒸着法により形成することができる。また、本実施の形態では、ＥＬ層１１７に電子を注入しやすくするため、ＥＬ層１１７と電極１１８の間に、厚さ数ｎｍのフッ化リチウムを形成する。本実施の形態で用いるメタルマスクは、マトリクス状に配置された複数の開口部を有する金属板である。まず、該メタルマスクを介してフッ化リチウムを蒸着し、続いてアルミニウムを蒸着し、続いてチタンを蒸着することにより、ＥＬ層１１７上の該メタルマスクが有する開口部と重畳する位置に、フッ化リチウムと電極１１８を形成することができる。

このようにして、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８により、発光素子１２５が形成される。

［基板１０３を貼り合わせる］
次に、素子形成基板１０２上に、接着層１２０を介して基板１０３を形成する（図６Ｄ、図７Ａ参照。）。基板１０３は、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂を用いることができる。接着層１２０としては、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂を用いることができる。接着層１２０に乾燥剤（ゼオライト）を混ぜてもよい。なお、基板１０３は素子形成基板１０２と向かい合うように形成されるため、基板１０３を「対向基板」と呼ぶ場合がある。

［素子形成基板を絶縁層２０３から剥離する］
次に、剥離層１５３を介して絶縁層２０３と接する素子形成基板１０２を、絶縁層２０３から剥離する（図７Ｂ参照。）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手または治具で引き剥がす処理または、ローラを回転させながら分離する処理、超音波）を用いて行えばよい。たとえば、剥離層１５３に鋭利な刃物またはレーザ光照射で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。または、その切り込みに霧状の水を吹き付ける。毛細管現象により水が剥離層１５３と絶縁層２０３の間にしみこむことにより、素子形成基板１０２を絶縁層２０３から容易に剥離することができる。

［基板を貼り合わせる］
次に、接着層１５２を介して基板１５１を絶縁層２０３に貼り合わせる（図８Ａ、図８Ｂ参照。）。接着層１５２は、接着層１２０と同様の材料を用いることができる。本実施の形態では、基板１５１として、厚さ２０μｍのアラミド（ポリアミド樹脂）を用いる。

［開口１２２の形成］
次に、端子電極２１６および開口１２８と重畳する領域の、基板１０３、および接着層１２０を除去して、開口１２２を形成する（図９Ａ参照。）。開口１２２を形成することにより、端子電極２１６の表面の一部が露出する。

［外部電極を形成する］
次に、開口１２２に異方性導電接続層１２３を形成し、異方性導電接続層１２３上に、表示パネル２５０に電力または信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図９Ｂ参照）。端子電極２１６は、異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と電気的に接続される。なお、外部電極１２４としては、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いることができる。

異方性導電接続層１２３は、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）または、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）を用いて形成することができる。

異方性導電接続層１２３は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続層１２３は、光照射または熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続層１２３に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕまたはＮｉ、Ｃｏの薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。

このようにして、表示パネル２５０を作製することができる。

＜発光装置の変形例１＞
本実施の形態に示したボトムエミッション構造の表示パネル２５０を変形し、トップエミッション構造の表示パネル３００とする例について、図１０を用いて説明する。図１０Ａは、トップエミッション構造の表示パネル３００の斜視図である。また、図１０Ｂは、図１０Ａ中に一点鎖線Ｄ３−Ｄ４で示した部位の断面図である。

ボトムエミッション構造の表示パネル２５０をトップエミッション構造の表示パネル３００とする場合は、電極１１５を、光を反射する機能を有する材料を用いて形成し、電極１１８を、光を透過する機能を有する材料を用いて形成する。

なお、電極１１５および電極１１８は、単層に限らず複数層の積層構造としてもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を、インジウム錫酸化物のような、ＥＬ層１１７よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀）を設けてもよい。

基板１５１側からトップエミッション構造の表示パネル３００に入射する外光１９１は、透光部１３３を介して基板１０３側に透過する。すなわち、透光部１３３を介して、基板１５１側の様子を基板１０３側で観察することができる。

また、発光素子１２５から発せられた光１９２は、基板１０３側に射出される。すなわち、発光部１３２と重畳する位置にトランジスタを形成しても、光１９２の射出の妨げにならない。よって、光１９２を効率よく射出することができ、消費電力を低減することができる。また、回路設計がしやすくなるため、発光装置の生産性を高めることができる。また、透光部１３３と重畳して配置された配線を発光部１３２と重畳する位置に配置することで、透光部１３３の透過率を向上することができる。よって、基板１５１側の様子をより明確に視認することができる。

＜発光装置の変形例２＞
トップエミッション構造の表示パネル３００に着色層を付加し、カラー表示可能なトップエミッション構造の表示パネル３００とするための構成例を、図１１Ａに示す。図１１Ａは、図１０Ａ中に一点鎖線Ｄ３−Ｄ４で示した部位の断面に相当する図である。

図１１Ａに示すトップエミッション構造の表示パネル３００は、基板１０３上に着色層２６６と、着色層２６６を覆うオーバーコート層２６８を有する。着色層２６６は発光部１３２と重畳して形成される。光１９２は、着色層２６６を透過することで、任意の色に着色される。例えば、隣接する３つの発光部１３２において、重畳するそれぞれの着色層２６６を、赤色の着色層、緑色の着色層、青色の着色層とすることで、フルカラー表示可能な発光装置を実現することができる。着色層２６６は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いて形成することができる。

オーバーコート層２６８としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドの有機絶縁層を用いることができる。オーバーコート層２６８を形成することによって、例えば、着色層２６６中に含まれる不純物を発光素子１２５側に拡散することを抑制することができる。ただし、オーバーコート層２６８は、必ずしも設ける必要はなく、オーバーコート層２６８を形成しない構造としてもよい。

また、オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を形成してもよい。オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を設けることで、発光素子１２５から発せられた光２３５を透過し、かつ、イオン化した不純物の透過を防ぐことができる。

透光性を有する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛を用いて形成することができる。また、グラフェンの他、透光性を有する程度に薄く形成された金属膜を用いてもよい。

なお、図１１Ａでは、駆動回路２３３を構成するトランジスタ２５２の半導体層２０８と重畳する領域に、絶縁層２１０を介して電極２６３を設ける例を示している。電極２６３は、ゲート電極２０６と同様の材料および方法により形成することができる。

電極２６３は、ゲート電極として機能させることができる。なお、ゲート電極２０６および電極２６３のどちらか一方を、単に「ゲート電極」という場合、他方を「バックゲート電極」という場合がある。また、ゲート電極２０６および電極２６３のどちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合がある。

一般に、バックゲート電極は導電膜で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位としてもよく、ＧＮＤ電位または、任意の電位としてもよい。バックゲート電極の電位を変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。

また、ゲート電極とバックゲート電極は導電膜で形成されるため、トランジスタの外部で生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気に対する静電遮蔽機能）も有する。

半導体層２０８を挟んでゲート電極２０６および電極２６３を設けることで、更にはゲート電極２０６および電極２６３を同電位とすることで、半導体層２０８の上下両方からキャリアが誘起され、半導体層２０８においてキャリアの流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、トランジスタのオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。

また、ゲート電極２０６および電極２６３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、ゲート電極２０６よりも下層、電極２６３よりも上層に存在する電荷が、半導体層２０８に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲートに負の電圧を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ　Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）または、ゲートに正の電圧を印加する＋ＧＢＴストレス試験の前後におけるしきい値電圧の変動が小さい。また、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。

なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。

また、ゲート電極２０６および電極２６３を有し、且つゲート電極２０６および電極２６３を同電位とすることで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。

なお、表示領域２３１中に形成されるトランジスタ２４２に、バックゲート電極を設けてもよい。

＜発光装置の変形例３＞
トップエミッション構造の表示パネル３００を、着色層２６６を用いずにフルカラー表示可能なトップエミッション構造の表示パネルとするための他の構成例を、図１１Ｂに示す。

図１１Ｂに示すトップエミッション構造の表示パネルは、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けないかわりにＥＬ層１１７Ｒ、ＥＬ層１１７Ｇ、およびＥＬ層１１７Ｂ（図示せず）を用いることによって、カラー表示を行うことが出来る。ＥＬ層１１７Ｒ、ＥＬ層１１７Ｇ、またはＥＬ層１１７Ｂは、それぞれ、赤、緑、青、の異なる色で発光させることが出来る。例えば、ＥＬ層１１７Ｒからは赤色の波長を有する光１９２Ｒが発せられ、ＥＬ層１１７Ｇからは緑色の波長を有する光１９２Ｇが発せられ、ＥＬ層１１７Ｂからは青色の波長を有する光１９２Ｂ（図示せず）が発せられる。

また、着色層２６６を用いないことによって、光１９２Ｒ、光１９２Ｇ、および光１９２Ｂが着色層２６６を透過する際に生じる輝度の低下を無くすことが出来る。また、光１９２Ｒ、光１９２Ｇ、および光１９２Ｂの波長に応じて、ＥＬ層１１７Ｒ、ＥＬ層１１７Ｇ、およびＥＬ層１１７Ｂの厚さを調整することで、色純度を向上させることができる。

＜発光装置の変形例４＞
図１２Ａに示すように、ボトムエミッション構造の表示パネル２５０において、基板１５１側に、タッチセンサを有する基板を設けてもよい。タッチセンサは、導電層９９１と導電層９９３を用いて構成されている。また、それらの間には、絶縁層９９２が設けられている。

なお、導電層９９１、及び／又は、導電層９９３は、インジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物の透明導電膜を用いることが望ましい。ただし、抵抗を下げるため、導電層９９１、及び／又は、導電層９９３の一部、または、全部に、低抵抗な材料を持つ層を用いてもよい。例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造を用いることができる。または、導電層９９１、及び／又は、導電層９９３として、金属ナノワイヤを用いてもよい。その場合の金属としては、銀が好適である。これにより、抵抗値を下げることが出来るため、センサの感度を向上させることが出来る。

絶縁層９９２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウムを、単層または多層で形成するのが好ましい。絶縁層９９２は、スパッタリング法またはＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法を用いて形成することが可能である。

なお、図１２Ａではタッチセンサを基板１５１側に設ける例を示しているが、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。タッチセンサは基板１０３側に設けることもできる。

なお、基板９９４として、光学フィルムの機能を持たせてもよい。つまり、基板９９４は、偏光板または位相差板の機能を有していてもよい。

また、図１２Ｂに示すように、基板１５１に直接タッチセンサを形成してもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、発光素子１２５に用いることができる発光素子の構成例について説明する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層３２０が、他の実施の形態に示したＥＬ層１１７に相当する。

＜発光素子の構成＞
図１３Ａに示す発光素子３３０は、一対の電極（電極３１８、電極３２２）間にＥＬ層３２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、電極３１８を陽極として用い、電極３２２を陰極として用いるものとする。

また、ＥＬ層３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のような機能層を適宜組み合わせて用いることができる。

図１３Ａに示す発光素子３３０は、電極３１８と電極３２２との間に与えられた電位差により電流が流れ、ＥＬ層３２０において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまりＥＬ層３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。

本発明において、発光素子３３０からの発光は、電極３１８、または電極３２２側から外部に取り出される。従って、電極３１８、または電極３２２のいずれか一方は透光性を有する物質で成る。

なお、ＥＬ層３２０は図１３Ｂに示す発光素子３３１のように、電極３１８と電極３２２との間に複数積層されていても良い。ｘ層（ｘは２以上の自然数）の積層構造を有する場合には、ｙ番目（ｙは、１≦ｙ＜ｘを満たす自然数）のＥＬ層３２０と、（ｙ＋１）番目のＥＬ層３２０との間には、それぞれ電荷発生層３２０ａを設けることが好ましい。

電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物と酸化バナジウムまたは酸化モリブデンまたは酸化タングステンのような金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素のような低分子化合物、または、それらの低分子化合物のオリゴマー、デンドリマー、ポリマー、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子３３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。

なお、電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。

このような構成を有する発光素子３３１は、エネルギーの移動または消光の問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。

なお、電荷発生層３２０ａとは、電極３１８と電極３２２に電圧を印加したときに、電荷発生層３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層３２０に対して正孔を注入する機能を有し、他方のＥＬ層３２０に電子を注入する機能を有する。

図１３Ｂに示す発光素子３３１は、ＥＬ層３２０に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光または白色発光を得ることもできる。

図１３Ｂに示す発光素子３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す発光層と、緑色の発光を示す発光層と、青色の発光を示す発光層とを有する構成とすることもできる。または、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において、一方の発光層から得られる発光の発光色と他方の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色が挙げられる。なお、ＥＬ層３２０としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）が、画素ごとにそれぞれ独立に設けられた構造（ＳＢＳ、Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ構造）、またはタンデム構造（Ｒ、Ｇ、Ｂの複数の色が中間層（電荷発生層）を介して直列に接続された構造）と、着色層（例えば、カラーフィルタ）と、を組み合わせた構造を用いることができる。また、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。なお、ＥＬ層３２０から発光される光の輝度としては、例えば、５００ｃｄ／ｍ^２以上、好ましくは１０００ｃｄ／ｍ^２以上１００００ｃｄ／ｍ^２以下、さらに好ましくは２０００ｃｄ／ｍ^２以上５０００ｃｄ／ｍ^２以下とすることができる。

なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一な発光が可能となる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、表示パネルに入射する外光１９１に対して表示パネルの種類と、その変形例について図１４を用いて説明する。なお、図１と共通する部分には同じ符号を用い、詳細な説明は省略することとする。

図１４Ａは、図１Ｂと対応している断面模式図である。図１Ｂの図面に対して、表示パネルに入射する外光１９１と、発光素子１２５から発せられた光１９２とを書き加えた断面図を示している。

図１４Ａにおいて、上述の実施の形態に示したように、表示パネル２１Ｒとしては、図３に示すボトムエミッション構造の表示パネル２５０を用いる場合、発光素子からの光１９２は基板１５１を通過して搭乗者に映像を提供することができる。また、外光１９１は、窓ガラス２０Ｒ、遮光層を有するフィルム２２Ｒ、基板１０３、及び基板１５１を通過して搭乗者の目に入る。

また、表示パネル２１Ｒとして図１０に示すトップエミッション構造の表示パネル３００を用いる場合、発光素子からの光１９２は基板１０３を通過して搭乗者に映像を提供することができる。

また、表示パネル２１Ｒとしては、デュアルエミッション構造の表示パネルとすることもできる。

図１４Ｂは、遮光層を有するフィルム２２Ｒの外光を遮る割合が高い場合の例を示している。遮光層を有するフィルム２２Ｒは遮光パターンが開口面積の割合によって透過する光の量を調節することができる。遮光層を有するフィルム２２Ｒに代えて、全面に光量減衰させる層が設けられたスモークフィルムとも呼ばれるカーフィルムを用いてもよい。カーフィルムは外からの紫外線を低減し、車内のプライバシーを守る機能を有している。このようなフィルムを用いる場合には窓ガラス２０Ｒまたは表示パネル２１Ｒに樹脂層を用いて貼り付け固定してもよい。スモークフィルムを張り付ける場合、第２の駆動手段は不要とすることができる。

また、図１４Ｂの構造においても、表示パネル２１Ｒとして、図３に示すボトムエミッション構造の表示パネル２５０、または図１０に示すトップエミッション構造の表示パネル３００、またはデュアルエミッション構造の表示パネルを用いることができる。

図１４Ｃは、図１４Ａ及び図１４Ｂとは一部異なる他の構成例を示している。

図１４Ｃは、表示パネル２１Ｒの基板１５１または基板１０３として遮光層を有するフィルム２２Ｒを用いる例を示している。部材を少なくすることができ、全体の表示装置の厚さもより薄くできる。また、第２の駆動手段を不要とすることができる。

また、さらに窓ガラス２０Ｒに表示パネル２１Ｒを固定すると、第１の駆動手段を不要とすることができる。また、表示パネル２１Ｒとして、デュアルエミッション構造の表示パネルとすることで映像を車内だけでなく、車外にも表示させることができる。車外に向けて注意喚起または文字による連絡も可能である。この場合には。表示パネルが樹脂層で固定された窓ガラスと呼ぶことができる。

また、図１４Ｃにおいて、表示パネル２１Ｒは、デュアルエミッション構造の表示パネルに限らず、図３に示すボトムエミッション構造の表示パネル２５０、または図１０に示すトップエミッション構造の表示パネル３００を用いることもできる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び表示装置の作製方法例について説明する。

本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、少なくとも異なる色の光を発する２つの発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。異なる色を発する２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。

ここで、異なる色の発光素子間で、ＥＬ層を作り分ける場合、メタルマスクのようなシャドーマスクを用いた蒸着法により形成することが知られている。しかしながら、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱による成膜される膜の輪郭の広がりのような、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、高精細化、及び高開口率化が困難である。そのため、ペンタイル配列のような特殊な画素配列方式を適用することにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

本発明の一態様は、ＥＬ層をメタルマスクのようなシャドーマスクを用いることなく、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

ここでは、簡単のために、２色の発光素子のＥＬ層を作り分ける場合について説明する。まず、画素電極を覆って、第１のＥＬ膜と、第１の犠牲膜とを積層して形成する。続いて、第１の犠牲膜上にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第１の犠牲膜の一部、及び第１のＥＬ膜の一部をエッチングし、第１のＥＬ層、および第１のＥＬ層上の第１の犠牲層を形成する。

続いて、第２のＥＬ膜と、第２の犠牲膜とを積層して形成する。続いて、レジストマスクを用いて、第２の犠牲膜の一部、及び第２のＥＬ膜の一部をエッチングし、第２のＥＬ層、および第２のＥＬ層上の第２の犠牲層を形成する。次に、第１の犠牲層および第２の犠牲層をマスクとして、画素電極の加工を行い、第１のＥＬ層と重畳する第１の画素電極、および第２のＥＬ層と重畳する第２の画素電極を形成する。このようにして、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層を作り分けることができる。最後に、第１の犠牲層及び第２の犠牲層を除去し、共通電極を形成することで、二色の発光素子を作り分けることができる。

さらに、上記を繰り返すことで、３色以上の発光素子のＥＬ層を作り分けることができ、３色、または４色以上の発光素子を有する表示装置を実現できる。

ＥＬ層の端部においては、画素電極およびＥＬ層が設けられる領域と、画素電極およびＥＬ層が設けられない領域と、に起因する段差が生じている。ＥＬ層上に共通電極を形成する際に、ＥＬ層の端部の段差に起因して、共通電極の被覆性が悪くなり、共通電極が切断する懸念がある。また、共通電極が薄くなり、電気抵抗が上昇する懸念がある。

また、画素電極の端部がＥＬ層の端部と概略揃う場合、および、画素電極の端部がＥＬ層の端部より外側に位置する場合においては、ＥＬ層上に共通電極を形成する際に、共通電極と画素電極とが短絡する場合がある。

本発明の一態様は、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層の間に絶縁層を設けることにより、共通電極を設ける面の凹凸を小さくすることができる。よって、第１のＥＬ層の端部、および第２のＥＬ層の端部における共通電極の被覆性を高めることができ、共通電極の良好な導電性を実現することができる。また、共通電極と画素電極の短絡を抑制することができる。

また、本発明の一態様は、レジストマスクを用いて犠牲層を形成し、形成された犠牲層を用いてＥＬ層および画素電極の加工を行うことができるため、画素電極の加工とＥＬ層の加工において、異なるレジストマスクを用いずに発光素子を形成することができる。よって、画素電極とＥＬ層の端部の位置のマージンを設けずとも発光素子を形成することができる。位置のマージンを小さくすることにより、発光領域を広くすることができるため、発光素子の開口率を高めることができる。また、位置のマージンを小さくすることにより、画素サイズの縮小が可能となり、表示装置の高精細化が可能となる。また、レジストマスクを用いる回数を減らすことができるため、工程を簡略化することができ、コストの低減および歩留まりの向上が可能となる。

異なる色のＥＬ層が隣接する場合、隣接するＥＬ層の間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光素子間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

さらに、ＥＬ層自体のパターンについても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、上記作製方法によれば、高い精細度と高い開口率を兼ね備えることができる。

このように、上記作製方法によれば、微細な発光素子を集積した表示装置を実現することができるため、例えばペンタイル方式のような特殊な画素配列方式を適用し、疑似的に精細度を高める必要が無いため、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ一方向に配列させた、いわゆるストライプ配置で、且つ、５００ｐｐｉ以上、１０００ｐｐｉ以上、または２０００ｐｐｉ以上、さらには３０００ｐｐｉ以上、さらには５０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を実現することができる。

以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例及び作製方法例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図１５Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図１５Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１５Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、デルタ配列、またはジグザグ配列の配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）のＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。

図１５Ｂは、図１５Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図１５Ｃは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

図１５Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面を示している。発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、ＥＬ層１１２Ｒ、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、ＥＬ層１１２Ｇ、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、ＥＬ層１１２Ｂ、及び共通電極１１３を有する。

発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｒを有する。ＥＬ層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｇを有する。ＥＬ層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｂを有する。ＥＬ層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。

ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ発光性の有機化合物を含む層（発光層）を有する。発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していてもよい。ホスト材料、アシスト材料としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いることができる。ホスト材料、アシスト材料としては、励起錯体を形成する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。

発光素子には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物（量子ドット材料）を含んでいてもよい。

ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂのそれぞれは、発光層のほかに、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有していてもよい。

画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とする。

また、各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることもでき、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることもできる。

隣接する発光素子１１０Ｒ（または発光素子１００Ｇ、または発光素子１００Ｂ）の間には、絶縁層１３１が設けられている。絶縁層１３１は、発光素子１１０Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが有するそれぞれのＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂ）の間に位置する。また、絶縁層１３１上には共通電極１１３が設けられている。

絶縁層１３１は例えば、それぞれが異なる色を呈する２つのＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂのいずれか２つ）の間に設けられる。あるいは絶縁層１３１は例えば、同じ色を呈する２つのＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂ）の間に設けられる。あるいは絶縁層１３１が、異なる色を呈する２つのＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂのいずれか２つ）の間に設けられ、同じ色を呈する２つのＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂ）の間には設けられない構成としてもよい。

絶縁層１３１は例えば、上面視において、２つのＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂのいずれか２つ）の間に設けられる。

ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ画素電極の上面に接する領域と、絶縁層１３１の側面に接する領域と、を有することが好ましい。ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの端部は、絶縁層１３１の側面と接することが好ましい。

異なる色の発光素子間に絶縁層１３１を設けることにより、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｇが、互いに接することを抑制することができる。これにより、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

絶縁層１３１の上面は、ＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）の上面と概略揃うことが好ましい。また、絶縁層１３１の上面は例えば、平坦な形状を有する。

また、絶縁層１３１の上面がＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）の上面よりも高くなる場合がある（後述の図２０Ｃ）。また、絶縁層１３１の上面がＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）の上面よりも低くなる場合がある（後述の図２１Ａ）。

また、絶縁層１３１の上面の形状が凹部を有する場合がある（後述する図２２Ｂ）。また、絶縁層１３１の上面の形状が凸部を有する場合がある（後述する図２３Ａ）。

絶縁層１３１の上面とＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）の上面の高さの差は例えば、絶縁層１３１の厚さの０．５倍以下が好ましく、絶縁層１３１の厚さの０．３倍以下がより好ましい。また例えば、ＥＬ層１１２の上面が絶縁層１３１の上面よりも高くなるように、絶縁層１３１を設ければよい。また例えば、絶縁層の上面がＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）が有する発光層の上面よりも高くなるように、絶縁層１３１を設ければよい。また、絶縁層１３１の厚さは例えば、画素電極１１１の下面から、ＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）の上面までの厚さと概略同じである。また、絶縁層１３１の厚さは例えば、画素電極１１１の下面から、ＥＬ層（ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、またはＥＬ層１１２Ｂのいずれか一）の上面までの厚さの０．３倍以上、あるいは０．５倍以上、あるいは０．７倍以上であることが好ましい。

絶縁層１３１として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体が挙げられる。

また、共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水のような不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜の酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物のような半導体材料を用いてもよい。

また、保護層１２１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイ）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

［構成例２］
図１６Ａおよび図１６Ｂに示す表示装置１００Ａは、共通層１１４を有する点で、図１５Ｂおよび図１５Ｃに示す表示装置１００と主に相違している。図１６Ａは、図１５Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図１６Ｂは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

共通層１１４は、共通電極１１３と同様、複数の発光素子にわたって設けられる。共通層１１４は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って設けられている。共通層１１４を有する構成とすることで、作製工程を簡略化できるため、作製コストを低減できる。共通層１１４と共通電極１１３は、間にエッチングの工程を挟まずに連続して形成することができる。よって、共通層１１４と共通電極の界面を清浄な面とすることができ、発光素子において、良好な特性を得ることができる。

共通層１１４は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの上面の一以上と接することが好ましい。

ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは例えば、少なくともそれぞれ、一の色を発光する発光材料を含む発光層を有していることが好ましい。また、共通層１１４は例えば、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、または正孔輸送層のうち、一以上を含む層とすることが好ましい。画素電極をアノード、共通電極をカソードとした発光素子においては、共通層１１４として、電子注入層を含む構成、または電子注入層と電子輸送層の２つを含む構成を、用いることができる。

［作製方法例２］
以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した表示装置１００を例に挙げて説明する。図１７Ａ乃至図１８Ｅは、以下で例示する表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、またはリフトオフ法により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームのようなビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、またはサンドブラスト法を用いることができる。

〔基板１０１の準備〕
透光性を有する基板１０１としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。透光性を有する基板１０１として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、または有機樹脂基板を用いることができる。

続いて、基板１０１上に画素電極１１１となる導電膜１１１ｆを成膜する。

画素電極として可視光に対して透過性を有する導電膜を用いる。画素電極は、可視光の波長域全域で透過率ができるだけ高い材料（例えば透明導電膜）を適用することが好ましい。例えば、導電膜１１１ｆは、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを含むインジウム亜鉛酸化物のような導電性酸化物を用いることができる。これにより、発光素子の光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。また、上記透過性を有する導電膜と、可視光が透過する薄い膜厚の金属膜（アルミニウム）との積層を用いることもできる。

〔ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成〕
続いて、導電膜１１１ｆ上に、後にＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆを成膜する。

ＥＬ膜１１２Ｒｆは、少なくとも発光性の化合物を含む膜を有する。このほかに、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、または正孔注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。ＥＬ膜１１２Ｒｆは、例えば蒸着法、スパッタリング法、またはインクジェット法により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

〔犠牲膜１４４ａの形成〕
続いて、ＥＬ膜１１２Ｒｆを覆って犠牲膜１４４ａを形成する。

犠牲膜１４４ａは、ＥＬ膜１１２Ｒｆのような各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４ａは、後述する保護膜１４６ａとのエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。さらに、犠牲膜１４４ａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。

犠牲膜１４４ａとしては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、または無機絶縁膜の無機膜を用いることができる。

犠牲膜１４４ａとしては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、タンタルの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀の低融点材料を用いることが好ましい。

また、犠牲膜１４４ａとしては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）のような金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、またはインジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）を用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物を用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

また、犠牲膜１４４ａとしては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いることができる。

〔保護膜１４６ａの形成〕
続いて、犠牲膜１４４ａ上に、保護膜１４６ａを形成する。

保護膜１４６ａは、後に犠牲膜１４４ａをエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、後の保護膜１４６ａの加工時には、犠牲膜１４４ａが露出する。したがって、犠牲膜１４４ａと保護膜１４６ａとは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、犠牲膜１４４ａのエッチング条件、及び保護膜１４６ａのエッチング条件に応じて、保護膜１４６ａに用いることのできる膜を選択することができる。

例えば、保護膜１４６ａのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金を、保護膜１４６ａに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては、ＩＧＺＯ、またはＩＴＯのような金属酸化物膜があり、これを犠牲膜１４４ａに用いることができる。

なお、これに限られず、保護膜１４６ａは、様々な材料の中から、犠牲膜１４４ａのエッチング条件、及び保護膜１４６ａのエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記犠牲膜１４４ａに用いることのできる膜の中から選択することもできる。

また、保護膜１４６ａとしては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、または窒化ゲルマニウムを用いることもできる。

また、保護膜１４６ａとして、ＥＬ膜１１２Ｒｆに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、ＥＬ膜１１２Ｒｆ、ＥＬ膜１１２Ｇｆ、またはＥＬ膜１１２Ｂｆに用いる有機膜と同じ膜を、保護膜１４６ａに用いることができる。このような有機膜を用いることで、ＥＬ膜１１２Ｒｆの成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。

〔レジストマスク１４３ａの形成〕
続いて、保護膜１４６ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する（図１７Ａ）。

レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

ここで、保護膜１４６ａを有さずに、犠牲膜１４４ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、犠牲膜１４４ａにピンホールのような欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ膜１１２Ｒｆが溶解してしまう恐れがある。保護膜１４６ａを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

〔保護膜１４６ａのエッチング〕
続いて、保護膜１４６ａの、レジストマスク１４３ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状または帯状の保護層１４７ａを形成する。

保護膜１４６ａのエッチングの際、犠牲膜１４４ａが当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。保護膜１４６ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、保護膜１４６ａのパターンが縮小することを抑制できる。

〔レジストマスク１４３ａの除去〕
続いて、レジストマスク１４３ａを除去する。

レジストマスク１４３ａの除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３ａを除去することが好ましい。

このとき、レジストマスク１４３ａの除去は、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、犠牲膜１４４ａに覆われた状態で行われるため、ＥＬ膜１１２Ｒｆへの影響が抑制されている。特に、ＥＬ膜１１２Ｒｆが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

〔犠牲膜１４４ａのエッチング〕
続いて、保護層１４７ａをマスクとして用いて、犠牲膜１４４ａの保護層１４７ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状または帯状の犠牲層１４５ａを形成する。

犠牲膜１４４ａのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチング法を用いると、パターンの縮小を抑制できるため好ましい。

〔ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチング〕
続いて、犠牲層１４５ａに覆われないＥＬ膜１１２Ｒｆの一部をエッチングにより除去し、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｒを形成する（図１７Ｂ）。

ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、ＥＬ膜１１２Ｒｆの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅの貴ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。ここで、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングにおいて、保護層１４７ａを除去してもよい。

〔ＥＬ層１１２Ｇ、ＥＬ層１１２Ｂの形成〕
続いて、犠牲層１４５ａ、及び露出した導電膜１１１ｆ上にＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆを成膜する。ＥＬ膜１１２Ｇｆについては、ＥＬ膜１１２Ｒｆの記載を参照することができる。

続いて、ＥＬ膜１１２Ｇｆ上に犠牲膜１４４ｂを成膜し、犠牲膜１４４ｂ上に保護膜１４６ｂを成膜する。犠牲膜１４４ｂについては、犠牲膜１４４ａの記載を参照することができる。保護膜１４６ｂについては、保護膜１４６ａの記載を参照することができる。

続いて、保護膜１４６ｂ上にレジストマスク１４３ｂを形成する（図１７Ｃ）。

続いて、レジストマスク１４３ｂを用いて保護膜１４６ｂをエッチングして保護層１４７ｂを形成する。その後、レジストマスク１４３ｂを除去する。

続いて、保護層１４７ｂをマスクとして、犠牲膜１４４ｂ及びＥＬ膜１１２Ｇｆをそれぞれエッチングして犠牲層１４５ｂ及びＥＬ層１１２Ｇを形成する（図１７Ｄ）。

続いて、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び露出した導電膜１１１ｆ上にＥＬ層１１２ＢとなるＥＬ膜１１２Ｂｆを成膜する。ＥＬ膜１１２Ｂｆについては、ＥＬ膜１１２Ｒｆの記載を参照することができる。

続いて、ＥＬ膜１１２Ｂｆ上に犠牲膜１４４ｃを成膜し、犠牲膜１４４ｃ上に保護膜１４６ｃを成膜する。犠牲膜１４４ｃについては、犠牲膜１４４ａの記載を参照することができる。保護膜１４６ｃについては、保護膜１４６ａの記載を参照することができる。

続いて、保護膜１４６ｃ上にレジストマスク１４３ｃを形成する（図１７Ｅ）。

続いて、レジストマスク１４３ｃを用いて保護膜１４６ｃをエッチングして保護層１４７ｃを形成する。その後、レジストマスク１４３ｃを除去する。

続いて、保護層１４７ｃをマスクとして、犠牲膜１４４ｃ及びＥＬ膜１１２Ｂｆをそれぞれエッチングして犠牲層１４５ｃ及びＥＬ層１１２Ｂを形成する（図１７Ｆ）。

〔画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの形成〕
続いて、導電膜１１１ｆにおいて、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、ＥＬ層１１２Ｂ、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、犠牲層１４５ｃ、保護層１４７ａ、保護層１４７ｂ、及び保護層１４７ｃに覆われない一部をエッチングし、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成する（図１８Ａ）。

導電膜１１１ｆのエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。ここで、導電膜１１１ｆのエッチングの条件として、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることにより、ＥＬ層１１２へのダメージを低減することができる。また、後述する図１９Ａ乃至図１９Ｅにおいて説明する通り、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂをあらかじめ形成することにより、ＥＬ層１１２へのダメージを低減できる場合がある。

〔絶縁層１３１の形成〕
続いて、絶縁層１３１となる絶縁膜１３１ｆを形成する（図１８Ｂ）。絶縁膜１３１ｆは、保護層１４７、犠牲層１４５、ＥＬ層１１２、画素電極１１１を覆うように設けられる。絶縁膜１３１ｆは、平坦化膜であることが好ましい。

絶縁膜１３１ｆとして、樹脂を用いることが好ましい。絶縁膜１３１ｆは例えば、有機絶縁膜である。

絶縁膜１３１ｆに用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体が挙げられる。

続いて、絶縁膜１３１ｆのエッチングを行い、保護層１４７の上面を露出させる（図１８Ｃ）。絶縁膜１３１ｆのエッチングは、絶縁膜１３１ｆの上面に対し略均一に施される。なお、このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバックともいう。

絶縁膜１３１ｆのエッチングは、ドライエッチング法、ウェットエッチング法を用いることができる。また、酸素プラズマを用いたアッシングにより絶縁膜１３１ｆのエッチングを行ってもよい。なお、酸素プラズマを用いたアッシングは、制御性が高い、面内均一性がよく大判基板を用いた処理に適しているという利点を有するため、絶縁膜１３１ｆの一部の除去に好適に用いることができる。また、絶縁膜１３１ｆのエッチングとして、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｃｈｉｎｇ）を用いてもよい。

なお、絶縁膜１３１ｆのエッチングを行う際には、エッチングによるＥＬ層１１２へのダメージを抑制することが好ましい。よって例えば、ＥＬ層１１２の側面の露出が少なくなるように絶縁膜１３１ｆをエッチングすることが好ましい。

また、ＥＬ層１１２上に犠牲層１４５を設けた状態で、絶縁膜１３１ｆのエッチングを行うことにより、エッチングによるＥＬ層１１２の上面へのダメージを抑制することができる。

図１８Ｃに示すように、絶縁層１３１の上面が、ＥＬ層１１２の上面と概略揃うように絶縁膜１３１ｆのエッチングを行えばよい。絶縁層１３１の上面とＥＬ層の上面が概略揃うように絶縁層１３１を設けることにより、後述する図１８Ｅに示す共通電極１１３の形成において、共通電極１１３を設ける面の凹凸を小さくすることができ、被覆性を高めることができる。

図１８Ｃは、保護層１４７の上面と側面、及び犠牲層１４５の側面が露出するように絶縁層１３１が形成される例を示す。

絶縁膜１３１ｆは、被形成面の凹凸、及び被形成面に形成されるパターンの疎密により、表面の平坦性が変化する場合がある。また、絶縁膜１３１ｆとして用いる材料の粘度により、絶縁膜１３１ｆの平坦性が変化する場合がある。

絶縁膜１３１ｆは例えば、複数のＥＬ層１１２の間の領域において、ＥＬ層１１２上の領域に比べて厚さが薄くなる場合がある。このような場合には例えば、絶縁膜１３１ｆのエッチバックを行うことにより、絶縁層１３１の上面の高さは、保護層１４７の上面の高さ、あるいは犠牲層１４５の上面の高さよりも低くなる場合がある。

また、絶縁膜１３１ｆは複数のＥＬ層１１２の間の領域においてくぼんだ形状、膨らんだ形状になる場合がある。

図１８Ｃには、絶縁層１３１の上面とＥＬ層の上面が概略揃うように絶縁層１３１を設ける例を示すが、後に示す図２０Ａ乃至図２０Ｄにて詳述するように、絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より高くなるように絶縁層１３１を設けてもよい。あるいは、後に示す図２１Ａ及び図２１Ｂにて詳述するように、絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より低くなるように絶縁層１３１を設けてもよい。

また、絶縁層１３１の上面の形状は、後に示す図２２Ａ乃至図２２Ｃにて詳述するように、凹部を有してもよい。また、絶縁層１３１の上面の形状は、後に示す図２３Ａ及び図２３Ｂにて詳述するように、凸部を有してもよい。

また、絶縁層１３１の上面の形状及び高さは、後述する図１８Ｄに示す保護層及び犠牲層の除去により、変化する場合がある。

〔保護層及び犠牲層の除去〕
続いて、保護層１４７ａ、保護層１４７ｂ、保護層１４７ｃ、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃを除去し、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの上面を露出させる（図１８Ｄ）。

図１８Ｄにおいては、絶縁層１３１の上面の高さをＥＬ層１１２の上面の高さと概略揃うように絶縁層１３１を設ける例を示す。図１８Ｄにおいては、ＥＬ層１１２の上面が露出し、ＥＬ層１１２の側面は、絶縁層１３１により覆われている。ＥＬ層１１２の側面が絶縁層１３１に覆われることにより、保護層１４７のエッチングにおけるＥＬ層へのダメージを低減することができる。

保護層１４７ａ、保護層１４７ｂ、及び保護層１４７ｃは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去することができる。

犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去することができる。このとき、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。特に、ウェットエッチング法を用いることが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。これらのウェットエッチングの条件を用いることにより例えば、絶縁層へのダメージを低減することができる。

このようにして、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを作り分けることができる。

〔共通電極１１３の形成〕
続いて、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って、共通電極１１３を形成する。共通電極１１３は、例えばスパッタリング法または蒸着法により形成することができる。

以上の工程により、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを作製することができる。

〔保護層１２１の形成〕
続いて、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する（図１８Ｅ）。保護層１２１に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールのような欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

以上の工程により、図１５Ｂ及び図１５Ｃに示す表示装置１００を作製することができる。

上記作製方法を用いることで、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂへのプロセスダメージを軽減することができるため、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。

〔共通層１１４の形成〕
なお、共通電極１１３の形成の前に、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って共通層１１４の形成を行った後、共通電極１１３の形成を行うことにより、図１６Ａ及び図１６Ｂに示す表示装置１００Ａを作製することができる。

［構成例２の変形例］
なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆを形成する前に、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成してもよい。

まず、図１９Ａに示すように、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成する。その後、図１７Ａ乃至図１７Ｆにおいて述べたように、レジストマスクを用いて、各発光素子１１０に対応するＥＬ層１１２、犠牲層１４５及び保護層１４７を形成する（図１９Ｂ）。その後、絶縁層１３１を形成し（図１９Ｃ）、犠牲層１４５及び保護層１４７を除去し（図１９Ｄ）、図１９Ｅに示す表示装置１００を得る。

図１９Ｅに示すそれぞれの発光素子１１０において、画素電極１１１の端部は、ＥＬ層１１２の端部よりも外側に位置する。また、画素電極１１１の上面において、端部及びその近傍は、絶縁層１３１に覆われる。

［構成例３］
なお、絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より高くなるように絶縁層１３１を設けてもよい。

図２０Ａに示す構成は、絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より高くなるように絶縁層１３１が設けられる点において、図１８Ｃに示す構成と異なる。

図２０Ａに示す構成において、保護層１４７および犠牲層１４５を除去し、図２０Ｂに示す構成を得る。図２０Ｂにおいて、絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より高くなるように絶縁層１３１が設けられており、絶縁層１３１の端面の一部が露出する。なお、保護層１４７および犠牲層１４５の除去により、絶縁層１３１の一部がエッチングされ、絶縁層１３１の形状が変化する場合がある。例えば、絶縁層１３１の厚さが薄くなる場合がある。また例えば、絶縁層１３１の上面と側面が形成する角が丸くなる場合がある。また例えば、絶縁層１３１の上面が凸状、凹状の形状に変化する場合がある。絶縁層１３１の上面と側面が形成する角が丸くなることにより、共通電極１１３、あるいは共通層１１４の被覆性が向上する場合がある。

図２０Ｂに示す工程において、共通電極１１３及び保護層１２１を形成し、図２０Ｃに示す表示装置１００を得る。また、図２０Ｂに示す工程において、共通層１１４、共通電極１１３及び保護層１２１を形成し、図２０Ｄに示す表示装置１００Ａを得る。

絶縁層１３１の上面をＥＬ層１１２の上面より高くすることにより、ＥＬ層１１２の側面を絶縁層１３１により覆うことができる。よって、保護層１４７の除去におけるＥＬ層１１２のダメージを低減することができる。

［構成例４］
また、絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より低くなるように絶縁層１３１を設けることにより、図２１Ａに示す表示装置１００、及び図２１Ｂに示す表示装置１００Ａを得る。

絶縁層１３１の上面がＥＬ層１１２の上面より低くなるように絶縁層１３１を設けることにより、共通電極１１３、あるいは共通層１１４のＥＬ層１１２の上面への被覆性が向上する場合がある。

［構成例５］
絶縁層１３１の上面は凹部を有する場合がある。

図２２Ａは、絶縁膜１３１ｆのエッチバックを行った後の構成を示す。図２２Ａに示すように、エッチバックにより形成された絶縁層１３１の上面の形状は凹部を有する場合がある。絶縁層１３１の上面の形状は例えば、なだらかな窪みを有する。

図２２Ａの構成において、共通電極１１３及び保護層１２１を形成し、図２２Ｂに示す表示装置１００を得る。あるいは、図２２Ａの構成において、共通層１１４、共通電極１１３及び保護層１２１を形成し、図２２Ｃに示す表示装置１００Ａを得る。

［構成例６］
また、絶縁層１３１の上面の形状は凸部を有する場合がある。図２３Ａ及び図２３Ｂに示す絶縁層１３１の上面の形状は、上に向かって凸のなだらかな曲面を有する。

図２３Ａに示す表示装置１００において、ＥＬ層１１２と、複数のＥＬ層の間に設けられ、上面の形状が凸部を有する絶縁層１３１と、の上に共通電極１１３が設けられている。図２３Ｂに示す表示装置１００において、ＥＬ層１１２と、複数のＥＬ層の間に設けられ、上面の形状が凸部を有する絶縁層１３１と、の上に共通層１１４が設けられている。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

［表示装置４００Ａ］
図２４に、表示装置４００Ａの断面図を示す。また、図３８に、図２４に対応する表示装置４００Ａの斜視図を示す。

表示装置４００Ａは、基板４５２と基板４５４とが貼り合わされた構成を有する。図３８では、基板４５２を破線で明示している。

表示装置４００Ａは、表示部４６２、回路４６４、配線４６５を有する。図３８では表示装置４００ＡにＩＣ４７３及びＦＰＣ４７２が実装されている例を示している。そのため、図３８に示す構成は、表示装置４００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示パネルということもできる。

回路４６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線４６５は、表示部４６２及び回路４６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ４７２を介して外部から、またはＩＣ４７３から配線４６５に入力される。

図３８では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式により、基板４５４にＩＣ４７３が設けられている例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置４００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。図３８に示す表示装置４００Ａの構成、即ち、表示部、ＩＣ及びＦＰＣを有するデバイスを表示モジュールと呼ぶ場合もある。

図２５に、表示装置４００Ａの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図２５に示す表示装置４００Ａは、基板４５４と基板４５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子４３０ａ、緑色の光を発する発光素子４３０ｂ、及び、青色の光を発する発光素子４３０ｃを有する。

発光素子４３０ａ、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃには、実施の形態３で例示した発光素子を適用することができる。

ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光素子を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素が挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素が挙げられる。

保護層４１６と基板４５２は接着層４４２を介して接着されている。発光素子の封止には、固体封止構造または中空封止構造が適用できる。図２５では、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５４に囲まれた空間４４３が、不活性ガス（窒素またはアルゴン）で充填されており、中空封止構造が適用されている。接着層４４２は、発光素子と重ねて設けられていてもよい。また、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５４に囲まれた空間４４３を、接着層４４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

画素電極４１１ａ、４１１ｂ、４１１ｃは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。画素電極は可視光を透過する材料を含み、対向電極は可視光を透過する材料を含む。

発光素子４３０ａと発光素子４３０ｂの間、及び発光素子４３０ｂと発光素子４３０ｃの間には絶縁層４２１が設けられている。絶縁層４２１を形成する際にはマスクを用いて端子部周辺の絶縁層を除去する。

発光素子が発する光は、基板４５２側または基板４５４側に射出される。基板４５４及び基板４５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板４５４上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板４５４上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素のような不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または窒化アルミニウム膜を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、または酸化ネオジム膜を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置４００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置４００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置４００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置４００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体が挙げられる。

図２５に示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

なお、図２６に示すように、絶縁層２１４に設けられた開口部に画素電極４１１ａ、４１１ｂ、及び４１１ｃを形成した後、開口部を覆うように形成された凹部を埋め込むように層４１４を設けてもよい。層４１４を設けることにより、光学調整層４１５ａ、４１５ｂ、４１５ｃ、ＥＬ層４１３ａ、４１３ｂ、及び４１３ｃの被形成面の凹凸を低減し、被覆性を向上することができる。

層４１４は絶縁層であることが好ましい。あるいは、層４１４は導電層であってもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３０、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３０との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３０との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタを用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、または単結晶シリコン）が挙げられる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路４６４が有するトランジスタと、表示部４６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路４６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部４６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

基板４５４の、基板４５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び異方性導電接続層１２３を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、光学調整層と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層４６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを異方性導電接続層１２３を介して電気的に接続することができる。

基板４５２の基板４５４側の面には、遮光層４１７を設けることが好ましい。また、基板４５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルム）、反射防止層、及び集光フィルムが挙げられる。また、基板４５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層を配置してもよい。

発光素子を覆う保護層４１６を設けることで、発光素子に水のような不純物が入り込むことを抑制し、発光素子の信頼性を高めることができる。

表示装置４００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層４１６とが互いに接することが好ましい。特に、絶縁層２１５が有する無機絶縁膜と保護層４１６が有する無機絶縁膜とが互いに接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制することができる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

基板４５４及び基板４５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、または樹脂を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板４５４及び基板４５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板４５４または基板４５２として偏光板を用いてもよい。

基板４５４及び基板４５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバーを用いることができる。基板４５４及び基板４５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリル樹脂フィルムが挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生する形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

接着層としては、紫外線硬化型の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤の各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂が挙げられる。特に、エポキシ樹脂の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シートを用いてもよい。

異方性導電接続層１２３としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、または異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）を用いることができる。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極のような導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金が挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛のような導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）を用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜を用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極のような導電層、及び、発光素子が有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、または酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムのような無機絶縁材料が挙げられる。

［表示装置４００Ｂ］
図２６Ａに、表示装置４００Ｂの断面図を示す。表示装置４００Ｂの斜視図は表示装置４００Ａ（図３８）と同様である。図２６Ａには、表示装置４００Ｂの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、及び、表示部４６２の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。図２６Ａでは、表示部４６２のうち、特に、緑色の光を発する発光素子４３０ｂと青色の光を発する発光素子４３０ｃを含む領域を切断したときの断面の一例を示す。なお、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略することがある。

図２６Ａに示す表示装置４００Ｂは、基板４５３と基板４５４の間に、トランジスタ２０２、トランジスタ２１７、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃを有する。

基板４５４と保護層４１６とは接着層４４２を介して接着されている。接着層４４２は、発光素子４３０ｂ及び発光素子４３０ｃそれぞれと重ねて設けられており、表示装置４００Ｂには、固体封止構造が適用されている。

基板４５３と絶縁層２１２とは接着層４５５によって貼り合わされている。

表示装置４００Ｂの作製方法としては、まず、絶縁層２１２、各トランジスタ、各発光素子が設けられた作製基板と、遮光層４１７が設けられた基板４５４と、を接着層４４２によって貼り合わせる。そして、作製基板を剥離し露出した面に基板４５３を貼ることで、作製基板上に形成した各構成要素を、基板４５３に転置する。基板４５３及び基板４５４は、それぞれ、可撓性を有することが好ましい。これにより、表示装置４００Ｂの可撓性を高めることができる。

絶縁層２１２には、それぞれ、絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

画素電極は、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２１７が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２２ｂは、絶縁層２１５及び絶縁層２２５に設けられた開口を介して、低抵抗領域２３０ｎと接続される。トランジスタ２１７は、発光素子の駆動を制御する機能を有する。

画素電極の端部は、絶縁層４２１によって覆われている。

発光素子４３０ｂ、４３０ｃが発する光は、基板４５４側または基板４５３側に射出される。基板４５３及び基板４５４には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

基板４５３の、基板４５４が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び異方性導電接続層１２３を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得ることができる。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを異方性導電接続層１２３を介して電気的に接続することができる。

トランジスタ２０２及びトランジスタ２１７は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３０ｉ及び一対の低抵抗領域２３０ｎを有する半導体層、一対の低抵抗領域２３０ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３０ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３０ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、導電層２２３とチャネル形成領域２３０ｉとの間に位置する。

導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３０ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

図２６Ａでは、絶縁層２２５が半導体層の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３０ｎと接続される。

基板４５３上に形成するトランジスタは、図２６Ａに示すトランジスタ２０２及びトランジスタ２１７に限定されず、図２６Ｂに示すトランジスタ２０９を用いることもできる。

図２６Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５は、半導体層２３０のチャネル形成領域２３０ｉと重なり、低抵抗領域２３０ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２６Ｂに示す構造を作製できる。図２６Ｂでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３０ｎと接続されている。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面は、少なくともその一部を他の構成例、または図面と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び表示装置の作製方法例について説明する。

ここで、異なる色の発光素子間で、ＥＬ層を作り分ける場合、メタルマスクであるシャドーマスクを用いた蒸着法により形成することが知られている。しかしながら、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び蒸気の散乱による成膜される膜の輪郭の広がりのような様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、高精細化、及び高開口率化が困難である。そのため、ペンタイル配列のような特殊な画素配列方式を適用することにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。

本発明の一態様は、ＥＬ層をメタルマスクであるシャドーマスクを用いることなく、微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

ここでは、簡単のために、２色の発光素子のＥＬ層を作り分ける場合について説明する。まず、２つの画素電極を覆って、第１のＥＬ膜と、第１の犠牲層とを積層して形成する。続いて、第１の犠牲層上であって、一方の画素電極（第１の画素電極）と重なる位置にレジストマスクを形成する。続いて、レジストマスク、第１の犠牲層の一部、及び第１のＥＬ膜の一部をエッチングする。このとき、他方の画素電極（第２の画素電極）を露出させた時点で、エッチングを終了する。これにより、第１の画素電極上には、帯状または島状に加工された第１のＥＬ膜の一部（第１のＥＬ層ともいう）と、その上に犠牲層の一部（第１の犠牲層ともいう）を形成することができる。

続いて、第２のＥＬ膜と、第２の犠牲層とを積層して形成する。そして、第１の画素電極と重なる位置、及び第２の画素電極と重なる位置に、それぞれレジストマスクを形成する。続いて、上記と同様にレジストマスク、第２の犠牲層の一部、及び第２のＥＬ膜の一部をエッチングする。これにより、第１の画素電極上には第１のＥＬ層及び第１の犠牲層が、第２の画素電極上には第２のＥＬ層及び第２の犠牲層が、それぞれ設けられた状態となる。このようにして、第１のＥＬ層と第２のＥＬ層を作り分けることができる。最後に、第１の犠牲層及び第２の犠牲層を除去し、共通電極を形成することで、二色の発光素子を作り分けることができる。

異なる色のＥＬ層の間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法によれば、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光素子間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

［構成例１］
図２７Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図２７Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図２７Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。

発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）のようなＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料）、または熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）が挙げられる。

図２７Ｂは、図２７Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図２７Ｃは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。

図２７Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面を示している。発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、ＥＬ層１１２Ｒ、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、ＥＬ層１１２Ｇ、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、ＥＬ層１１２Ｂ、及び共通電極１１３を有する。

発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒと共通電極１１３との間に、ＥＬ層１１２Ｒを有する。ＥＬ層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇが有するＥＬ層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂが有するＥＬ層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。

ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ発光性の有機化合物を含む層（発光層）のほかに、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有していてもよい。

画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とする。

画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの端部を覆って、絶縁層１３１が設けられている。絶縁層１３１の端部は、テーパー形状であることが好ましい。なお、絶縁層１３１は不要であれば設けなくてもよい。

ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、それぞれ画素電極の上面に接する領域と、絶縁層１３１の表面に接する領域と、を有する。また、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの端部は、絶縁層１３１上に位置する。

図２７Ｂに示すように、異なる色の発光素子間において、２つのＥＬ層の間に隙間が設けられている。このように、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｇが、互いに接しないように設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

図２７Ｃでは、ＥＬ層１１２Ｇが島状に加工されている例を示している。なお、図２７Ｄに示すように、列方向にＥＬ層１１２Ｇが一続きとなるように、ＥＬ層１１２Ｇが帯状に加工されていてもよい。ＥＬ層１１２Ｇを帯状の形状とすることで、これらを分断するために必要なスペースが不要となり、発光素子間の非発光領域の面積を縮小できるため、開口率を高めることができる。なお、図２７Ｃ及び図２７Ｄでは、一例として発光素子１１０Ｇの断面を示しているが、発光素子１１０Ｒ及び発光素子１１０Ｂについても同様の形状とすることができる。

保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜のような酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物のような半導体材料を用いてもよい。

［作製方法例３］
以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記構成例で示した表示装置１００を例に挙げて説明する。図２８Ａ乃至図３０Ｄは、以下で例示する表示装置の作製方法の、各工程における断面概略図である。

〔基板１０１の準備〕
透光性を有する基板１０１としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。透光性を有する基板１０１として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板を用いることができる。

〔画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの形成〕
続いて、透光性を有する基板１０１上に複数の画素電極１１１を形成する。まず画素電極となる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成することができる。

各画素電極として可視光に対して透過性を有する導電膜を用いる。画素電極は、可視光の波長域全域で透過率ができるだけ高い材料（例えば透明導電膜）を適用することが好ましい。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを含むインジウム亜鉛酸化物のような導電性酸化物を用いることができる。これにより、発光素子の光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。また、上記透過性を有する導電膜と、可視光が透過する薄い膜厚の金属膜（アルミニウム）との積層を用いることもできる。

〔絶縁層１３１の形成〕
続いて、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの端部を覆って、絶縁層１３１を形成する（図２８Ａ）。絶縁層１３１としては、有機絶縁膜または無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１３１は、後のＥＬ膜の段差被覆性を向上させるために、端部をテーパー形状とすることが好ましい。特に、有機絶縁膜を用いる場合には、感光性の材料を用いると、露光及び現像の条件により端部の形状を制御しやすいため好ましい。本明細書中では便宜上、絶縁層１３１の側斜面が水平面となす角度をテーパー角（テーパー角度とも言う）と呼び、このテーパー角を有している側斜面をテーパー形状と呼び、テーパー形状を有している部分をテーパー部と呼ぶ。絶縁層１３１の端部のテーパー角は９０°未満とする。

〔ＥＬ膜１１２Ｒｆの形成〕
続いて、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び絶縁層１３１上に、後にＥＬ層１１２ＲとなるＥＬ膜１１２Ｒｆを成膜する（図２８Ｂ）。

〔犠牲層１４１ａの形成〕
続いて、ＥＬ膜１１２Ｒｆ上に、犠牲層１４１ａを形成する（図２８Ｃ）。犠牲層１４１ａの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）または真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法が好ましく、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法、または真空蒸着法を用いて、犠牲層１４１ａを形成すると好適である。

犠牲層１４１ａの形成には、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートの湿式の成膜方法を好適に用いることもできる。なお、これ以外の成膜方法を用いてもよく、蒸着法をはじめ、上記成膜方法を適宜用いることができる。

犠牲層１４１ａとしては、少なくともＥＬ膜１１２Ｒｆの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いることが好ましい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、犠牲層１４１ａに好適に用いることができる。犠牲層１４１ａを成膜する際には、水またはアルコールのような溶媒に溶解させた状態で、上述した湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１１２Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

犠牲層１４１ａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂のような有機材料を用いることができる。

〔レジストマスク１４３ａの形成〕
続いて、犠牲層１４１ａ上であって、画素電極１１１Ｒと重なる領域に、レジストマスク１４３ａを形成する（図２８Ｄ）。レジストマスク１４３ａは、犠牲層１４１ａと同じエッチング条件でエッチング可能な有機樹脂材料を用いることが好ましい。

レジストマスク１４３ａは、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料のような感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

〔犠牲層１４１ａ、レジストマスク１４３ａ、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチング〕
続いて、犠牲層１４１ａ、レジストマスク１４３ａ、及びＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチングすることで、絶縁層１３１の上面の一部、及び、画素電極１１１Ｇの上面、及び画素電極１１１Ｂの上面を露出させる（図２８Ｅ）。これにより、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｒ、及びＥＬ層１１２Ｒ上の犠牲層１４２ａを形成することができる。

エッチングは、犠牲層１４１ａ、レジストマスク１４３ａ、及びＥＬ膜１１２Ｒｆをエッチング可能な条件で行うことが好ましい。犠牲層１４１ａには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲層１４１ａの加工時に、ＥＬ膜に加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液を用いることが好ましい。

また、異方性のドライエッチングを用いると、ＥＬ層１１２Ｒの露出した側面がエッチングされ、エッチング後のＥＬ層１１２Ｒのパターンが縮小してしまうことを防ぐことができるため好ましい。

なお、犠牲層１４１ａ、レジストマスク１４３ａ、及びＥＬ膜１１２Ｒｆを、それぞれ個別にエッチングしてもよいし、いずれか２つを同一工程でエッチングしてもよい。例えば、まず犠牲層１４１ａをエッチングし、続いてレジストマスク１４３ａとＥＬ膜１１２Ｒｆとを同一工程でエッチングしてもよい。

エッチングが完了したとき、ＥＬ層１１２Ｒ上に、犠牲層１４２ａが残存することが好ましい。これにより、ＥＬ層１１２Ｒを後の工程におけるダメージから保護する保護層として、犠牲層１４２ａを機能させることができる。

〔ＥＬ膜１１２Ｇｆの形成〕
続いて、犠牲層１４２ａ、絶縁層１３１、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂ上に、後にＥＬ層１１２ＧとなるＥＬ膜１１２Ｇｆを成膜する（図２９Ａ）。

ＥＬ膜１１２Ｇｆの形成方法については、上記ＥＬ膜１１２Ｒｆの記載を援用できる。

〔犠牲層１４１ｂの形成〕
続いて、ＥＬ膜１１２Ｇｆ上に、犠牲層１４１ｂを形成する（図２９Ｂ）。犠牲層１４１ｂは、上記犠牲層１４１ａと同様の方法で形成することができる。特に、犠牲層１４１ｂは、犠牲層１４１ａと同一材料を用いることが好ましい。

〔レジストマスク１４３ｂの形成〕
続いて、犠牲層１４１ｂ上に、レジストマスク１４３ｂを形成する。レジストマスク１４３ｂは、画素電極１１１Ｇと重なる領域、及び画素電極１１１Ｒと重なる領域に、それぞれ形成する。

レジストマスク１４３ｂの形成方法については、上記レジストマスク１４３ａの記載を援用することができる。

〔犠牲層１４１ｂ、レジストマスク１４３ｂ、ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチング〕
続いて、犠牲層１４１ｂ、レジストマスク１４３ｂ、及びＥＬ膜１１２Ｇｆをエッチングすることで、絶縁層１３１の上面の一部、及び画素電極１１１Ｂの上面を露出させる（図２９Ｃ）。これにより、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｇと、犠牲層１４２ｂと、を形成することができる。

エッチングは、犠牲層１４１ｂ、レジストマスク１４３ｂ、及びＥＬ膜１１２Ｇｆをエッチング可能な条件で行うことが好ましい。例えば、異方性のドライエッチングにより、これらをエッチングする際、レジストマスク１４３ｂに覆われない画素電極１１１Ｂの上部の犠牲層１４１ｂが、レジストマスク１４３ｂに覆われる部分よりも先に消失することで、犠牲層１４２ｂを残存させることができる。

また、一度のエッチング処理でエッチングする場合には、ＥＬ膜１１２Ｇｆのエッチングが終了した時点で処理を完了させることで、図２９Ｃに示すように、ＥＬ層１１２Ｒ上の犠牲層１４２ａを消失することなく残存させることができる。

〔ＥＬ膜１１２Ｂｆの形成〕
続いて、犠牲層１４２ａ、犠牲層１４２ｂ、画素電極１１１Ｂ、及び絶縁層１３１上に、後にＥＬ層１１２ＢとなるＥＬ膜１１２Ｂｆを成膜する（図２９Ｄ）。

ＥＬ膜１１２Ｂｆの形成方法については、上記ＥＬ膜１１２Ｒｆの記載を援用できる。

〔犠牲層１４１ｃの形成〕
続いて、ＥＬ膜１１２Ｂｆ上に、犠牲層１４１ｃを形成する。犠牲層１４１ｃは、上記犠牲層１４１ａと同様の方法で形成することができる。特に、犠牲層１４１ｃは、犠牲層１４１ａ及び犠牲層１４１ｂと同一材料を用いることが好ましい。

〔レジストマスク１４３ｃの形成〕
続いて、犠牲層１４１ｃ上に、レジストマスク１４３ｃを形成する（図３０Ａ）。レジストマスク１４３ｂは、画素電極１１１Ｂと重なる領域、画素電極１１１Ｒと重なる領域、及び画素電極１１１Ｇと重なる領域に、それぞれ形成する。

レジストマスク１４３ｃの形成方法については、上記レジストマスク１４３ａの記載を援用することができる。

〔犠牲層１４１ｃ、レジストマスク１４３ｃ、ＥＬ膜１１２Ｂｆのエッチング〕
続いて、犠牲層１４１ｃ、レジストマスク１４３ｃ、及びＥＬ膜１１２Ｂｆをエッチングすることで、絶縁層１３１の上面の一部を露出させる（図３０Ｂ）。これにより、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｂと、犠牲層１４２ｃと、を形成することができる。

エッチングは、上記犠牲層１４１ｂのエッチングの記載を援用することができる。エッチングにより、ＥＬ層１１２Ｒ上の犠牲層１４２ａと、ＥＬ層１１２Ｇ上の犠牲層１４２ｂと、が消失することなく残存させることができる。

〔犠牲層の除去〕
続いて、犠牲層１４２ａ、犠牲層１４２ｂ、及び犠牲層１４２ｃを除去し、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの上面を露出させる（図３０Ｃ）。

犠牲層１４２ａ、犠牲層１４２ｂ、及び犠牲層１４２ｃは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去することができる。このとき、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。

特に、犠牲層１４２ａ、犠牲層１４２ｂ、及び犠牲層１４２ｃを、水またはアルコールのような溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。

ここで、犠牲層１４２ａ、犠牲層１４２ｂ、及び犠牲層１４２ｃを溶解しうるアルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンのように様々なアルコールを用いることができる。

犠牲層１４２ａ、犠牲層１４２ｂ、及び犠牲層１４２ｃを除去した後に、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

以上の工程で、３種類のＥＬ層を作り分けることができる。

〔共通電極１１３の形成〕
続いて、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って、共通電極１１３を形成する（図３０Ｄ）。共通電極１１３は、例えばスパッタリング法または蒸着法により形成することができる。共通電極１１３は、可視光に対して透過性を有する導電膜を用いる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを含むインジウム亜鉛酸化物のような導電性酸化物を用いることができる。

〔保護層１２１の形成〕
続いて、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する（図３０Ｅ）。保護層１２１に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

以上が、表示装置の作製方法例についての説明である。

［構成例２］
以下では、上記構成例１とは異なる表示装置の構成例について説明する。なお、以下では上記と重複する部分については説明を省略する場合がある。

〔構成例２〕
図３１に示す表示装置１００Ｂは、共通層１１４を有する点で、上記表示装置１００と主に相違している。

共通層１１４は、共通電極１１３と同様、複数の発光素子にわたって設けられる。共通層１１４は、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを覆って設けられている。共通層１１４を有する構成とすることで、作製工程を簡略化できるため、作製コストを低減できる。

例えば、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂは、少なくともそれぞれ、一の色を発光する発光材料を含む発光層を有していることが好ましい。また、例えば、共通層１１４は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、または正孔輸送層のうち、一以上を含む層とすることが好ましい。例えば画素電極をアノード、共通電極をカソードとした発光素子においては、共通層１１４として、電子注入層を含む構成、または電子注入層と電子輸送層の２つを含む構成を、用いることができる。

［作製方法例４］
以下では、上記作製方法例１とは異なる表示装置の作製方法の例について説明する。なお、上記と重複する部分についてはこれを援用し、説明を省略する場合がある。

まず、上記作製方法例１と同様に、透光性を有する基板１０１上に画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び絶縁層１３１を形成する。さらに、これらを覆ってＥＬ膜１１２Ｒｆを形成する。

犠牲膜１４４ａは、ＥＬ膜１１２Ｒｆで代表される各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４ａは、後述する保護膜１４６ａとのエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。さらに、犠牲膜１４４ａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることができる。

犠牲膜１４４ａとしては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜のような無機膜を用いることができる。または、作製方法例１で例示した、犠牲層１４１ａに適用可能な、ポリビニルアルコールのような有機膜を用いることもできる。

犠牲膜１４４ａとしては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルのような金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀のような低融点材料を用いることが好ましい。

また、犠牲膜１４４ａとしては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）のような金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）を用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物を用いることもできる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。

また、犠牲膜１４４ａとしては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、または酸化シリコンのような無機絶縁材料を用いることができる。

例えば、保護膜１４６ａのエッチングに、フッ素を含むガス（フッ素系ガスともいう）を用いたドライエッチングを用いる場合には、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル、窒化タンタル、モリブデンとニオブを含む合金、またはモリブデンとタングステンを含む合金を、保護膜１４６ａに用いることができる。ここで、上記フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して、エッチングの選択比を大きくとれる（すなわち、エッチング速度を遅くできる）膜としては、ＩＧＺＯ、ＩＴＯのような金属酸化物膜があり、これを犠牲膜１４４ａに用いることができる。

また、保護膜１４６ａとしては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムのような窒化物を用いることもできる。

〔レジストマスク１４３ａの形成〕
続いて、保護膜１４６ａ上であって、画素電極１１１Ｒと重なる位置に、レジストマスク１４３ａを形成する（図３２Ａ）。

ここで、保護膜１４６ａを有さずに、犠牲膜１４４ａ上にレジストマスク１４３ａを形成する場合、犠牲膜１４４ａにピンホールの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、ＥＬ膜１１２Ｒｆが溶解してしまう恐れがある。保護膜１４６ａを用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。

〔レジストマスク１４３ａの除去〕
続いて、レジストマスク１４３ａを除去する（図３２Ｂ）。

このとき、レジストマスク１４３ａの除去は、ＥＬ膜１１２Ｒｆは、犠牲膜１４４ａに覆われた状態で行われるため、ＥＬ膜１１２Ｒｆへの影響が抑制されている。特に、ＥＬ膜１１２Ｒｆが酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングのような、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。

〔犠牲膜１４４ａのエッチング〕
続いて、保護層１４７ａをマスクとして用いて、犠牲膜１４４ａの保護層１４７ａに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状または帯状の犠牲層１４５ａを形成する（図３２Ｃ）。

〔ＥＬ膜１１２Ｒｆ、保護層１４７ａのエッチング〕
続いて、保護層１４７ａをエッチングすると同時に、犠牲層１４５ａに覆われないＥＬ膜１１２Ｒｆの一部をエッチングにより除去し、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｒを形成する（図３２Ｄ）。

ＥＬ膜１１２Ｒｆと、保護層１４７ａとを同一処理によりエッチングすることで、工程を簡略化することができ、表示装置の作製コストを削減することができる。

特にＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、ＥＬ膜１１２Ｒｆの変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅのような貴ガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。

なお、ＥＬ膜１１２Ｒｆのエッチングと、保護層１４７ａのエッチングを、別々に行ってもよい。このとき、ＥＬ膜１１２Ｒｆを先にエッチングしてもよいし、保護層１４７ａを先にエッチングしてもよい。

〔ＥＬ層１１２Ｇ、ＥＬ層１１２Ｂの形成〕
以上の工程を、ＥＬ膜１１２Ｇｆに対して行うことで、島状のＥＬ層１１２Ｇと、犠牲層１４５ｂとを形成することができる。

すなわち、ＥＬ層１１２Ｒの形成後、図３３Ａに示すように、ＥＬ膜１１２Ｇｆ、犠牲膜１４４ｂ、保護膜１４６ｂ、レジストマスク１４３ｂを順に形成する。続いて、保護膜１４６ｂをエッチングして保護層１４７ｂを形成した後に、レジストマスク１４３ｂを除去する（図３３Ｂ）。続いて、犠牲膜１４４ｂをエッチングして犠牲層１４５ｂを形成する。その後、保護層１４７ｂと、ＥＬ膜１１２Ｇｆをエッチングして、島状または帯状のＥＬ層１１２Ｇを形成する（図３３Ｃ）。

続いて、上記と同様の工程を、ＥＬ膜１１２Ｂｆに対して行うことで、島状のＥＬ層１１２Ｂと、犠牲層１４５ｃとを形成する（図３３Ｄ）。

〔犠牲層の除去〕
続いて、犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃを除去し、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂの上面を露出させる（図３３Ｅ）。

犠牲層１４５ａ、犠牲層１４５ｂ、及び犠牲層１４５ｃは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより除去することができる。このとき、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂにできるだけダメージを与えない方法を用いることが好ましい。特に、ウェットエッチング法を用いることが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。

このようにして、ＥＬ層１１２Ｒ、ＥＬ層１１２Ｇ、及びＥＬ層１１２Ｂを作り分けることができる。なお、以降は、作製方法例１を援用することができる。

以上が、作製方法例２についての説明である。

［構成例３］
以下では、白色発光を呈する発光素子を用いた場合の例について説明する。

図３４Ａ及び図３４Ｂに、表示装置１５０の断面概略図を示す。上面図については、図２７Ａを参酌できる。

表示装置１５０は、発光ユニット１２０Ｒ、発光ユニット１２０Ｇ、及び発光ユニット１２０Ｂを有する。発光ユニット１２０Ｒ、発光ユニット１２０Ｇ、及び発光ユニット１２０Ｂはそれぞれ、発光素子１１０Ｗを有する。発光素子１１０Ｗは、画素電極１１１と、ＥＬ層１１２Ｗと、共通電極１１３を有する。ＥＬ層１１２Ｗ及び共通電極１１３は、複数の画素にわたって共通に設けられている。ＥＬ層１１２Ｗは、白色光を呈する発光層を有する。発光素子１１０Ｗは、白色の発光を呈する発光素子である。

また、発光ユニット１２０Ｒ、発光ユニット１２０Ｇ、及び発光ユニット１２０Ｂは、それぞれ保護層１２１上に、着色層１２２Ｒ、着色層１２２Ｇ、または着色層１２２Ｂを有する。例えば着色層１２２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１２２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１２２Ｂは青色の光を透過する。これにより、フルカラーの表示装置を実現できる。また、保護層１２１上に各着色層を形成することで、基板１０１とは異なる基板に着色層を形成したのちに、２つの基板を貼り合わせる場合に比べて、各発光素子と各着色層との位置合わせが容易となり、極めて高精細な表示装置を実現できる。

ここで、異なる発光ユニット間において、ＥＬ層１１２Ｗが分断されている。これにより、隣接する発光ユニット間において、ＥＬ層１１２Ｗを介して電流が流れ、意図しない発光が生じること（クロストークともいう）を好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

なお、図３４Ｂに示すように、同色の発光ユニット間では、ＥＬ層１１２Ｗは分離されない構成としてもよい。

［作製方法例５］
以下では、上記構成例３で例示した表示装置１５０の作製方法の一例について説明する。なお、上記作製方法例１、２と重複する部分についてはこれを援用し、説明を省略する場合がある。

まず、図３５Ａに示すように、透光性を有する基板１０１上に複数の画素電極１１１、及び絶縁層１３１を形成する。さらに、これらを覆ってＥＬ膜１１２Ｗｆ、犠牲層１４４、保護膜１４６を形成する。さらに、保護膜１４６上であって、画素電極１１１と重なる位置に、レジストマスク１４３を形成する。

続いて、保護膜１４６をエッチングして、帯状の保護層１４７を形成する（図３５Ｂ）。

続いて、レジストマスク１４３を除去した後に、保護層１４７をマスクとして犠牲層１４４をエッチングして、犠牲層１４５を形成する（図３５Ｃ）。

続いて、保護層１４７とＥＬ膜１１２Ｗｆをエッチングして、ＥＬ膜１１２Ｗｆを分離する。これにより、複数の帯状のＥＬ層１１２Ｗが形成される（図３５Ｄ）。その後、ＥＬ層１１２Ｗ上の犠牲層１４５を除去して、ＥＬ層１１２Ｗを露出させる（図３５Ｅ）。

続いて、ＥＬ層１１２Ｗ及び絶縁層１３１を覆って、共通電極１１３を形成することにより、複数の発光素子１１０Ｗを作製することができる（図３５Ｆ）。

続いて、共通電極１１３を覆って保護層１２１を形成し、保護層１２１上に、それぞれ着色層１２２Ｒ、着色層１２２Ｇ、及び着色層１２２Ｂを形成する。着色層１２２Ｒ、着色層１２２Ｇ、及び着色層１２２Ｂは、それぞれ感光性の樹脂を用いたフォトリソグラフィ法により形成することができる。

以上により、上記構成例３で例示した表示装置１５０を作製することができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。

［表示装置４００Ａ］
図３８に、表示装置４００Ａの斜視図を示し、図３６Ａに、表示装置４００Ａの断面図を示す。なお、実施の形態６の一部変形例であるため、ここでは実施の形態６と異なる部分を以下に説明する。

表示装置４００Ａは、表示部４６２、回路４６４、配線４６５を有する。図３６では表示装置４００ＡにＩＣ４７３及びＦＰＣ４７２が実装されている例を示している。そのため、図３６Ａに示す構成は、表示装置４００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示パネルということもできる。

図３８では、ＣＯＧ方式またはＣＯＦ方式により、基板４５４にＩＣ４７３が設けられている例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路を有するＩＣを適用できる。

図３６Ａは、表示装置４００Ａの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図３６Ａに示す表示装置４００Ａは、基板４５４と基板４５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子４３０ａ、緑色の光を発する発光素子４３０ｂ、及び、青色の光を発する発光素子４３０ｃを有する。

図３６Ａでは、基板４５２、接着層４４２、及び基板４５４に囲まれた空間４４３が、不活性ガス（窒素またはアルゴン）で充填されており、中空封止構造が適用されている。

発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃは、画素電極とＥＬ層との間に光学調整層を有する。発光素子４３０ａは光学調整層４２６ａを有し、発光素子４３０ｂは光学調整層４２６ｂを有し、発光素子４３０ｃは光学調整層４２６ｃを有する。発光素子の詳細は実施の形態３を参照できる。

画素電極及び光学調整層の端部は、絶縁層４２１によって覆われている。画素電極は可視光を透過する材料を含み、対向電極は可視光を透過する材料を含む。絶縁層４２１は隔壁とも呼ばれる。

図３６Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部４６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置４００Ａの信頼性を高めることができる。

図３６Ｂに、保護層４１６が３層構造である例を示す。図３６Ｂにおいて、保護層４１６は、発光素子４３０ｃ上の無機絶縁層４１６ａと、無機絶縁層４１６ａ上の有機絶縁層４１６ｂと、有機絶縁層４１６ｂ上の無機絶縁層４１６ｃと、を有する。

無機絶縁層４１６ａの端部と無機絶縁層４１６ｃの端部は、有機絶縁層４１６ｂの端部よりも外側に延在し、互いに接している。そして、無機絶縁層４１６ａは、絶縁層２１４（有機絶縁層）の開口を介して、絶縁層２１５（無機絶縁層）と接する。これにより、絶縁層２１５と保護層４１６とで、発光素子を囲うことができるため、発光素子の信頼性を高めることができる。

このように、保護層４１６は、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造であってもよい。このとき、有機絶縁膜の端部よりも無機絶縁膜の端部を外側に延在させることが好ましい。

［表示装置４００Ｂ］
図３７Ａに、表示装置４００Ｂの断面図を示す。表示装置４００Ｂの斜視図は表示装置４００Ａ（図３８）と同様である。図３７Ａには、表示装置４００Ｂの、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、及び、表示部４６２の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。図３７Ａでは、表示部４６２のうち、特に、緑色の光を発する発光素子４３０ｂと青色の光を発する発光素子４３０ｃを含む領域を切断したときの断面の一例を示す。なお、表示装置４００Ａと同様の部分については説明を省略することがある。

図３７Ａに示す表示装置４００Ｂは、基板４５３と基板４５４の間に、トランジスタ２０２、トランジスタ２１７、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃを有する。

画素電極の端部は、絶縁層４２１によって覆われている。

図３７Ａでは、絶縁層２２５が半導体層の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３０ｎと接続される。

一方、図３７Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５は、半導体層２３０のチャネル形成領域２３０ｉと重なり、低抵抗領域２３０ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図３７Ｂに示す構造を作製できる。図３７Ｂでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３０ｎと接続されている。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

（実施の形態９）
本実施の形態では、上記とは異なる表示装置の構成例について説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。

［表示パネル］
図３９Ａに、表示パネル２８０の斜視図を示す。表示パネル２８０は、表示装置４００Ｃと、ＦＰＣ２９０と、を有する。

表示パネル２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示パネル２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示パネル２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図３９Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図３９Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａは、発光色が互いに異なる発光素子４３０ａ、４３０ｂ、４３０ｃを有する。複数の発光素子は、図３９Ｂに示すようにストライプ配列で配置してもよい。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する３つの発光素子の発光を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成としてもよい。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量素子と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースまたはドレインの一方にはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示パネル２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に用いることができる発光素子（発光デバイスともいう）について説明する。

＜発光素子の構成例＞
図４０Ａに示すように、発光素子は、一対の電極（下部電極６７２、上部電極６８８）の間に、ＥＬ層６８６を有する。ＥＬ層６８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０の複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）および電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）を有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）および正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１および層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図４０Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図４０Ｂは、図４０Ａに示す発光素子が有するＥＬ層６８６の変形例である。具体的には、図４０Ｂに示す発光素子は、下部電極６７２上の層４４３０−１と、層４４３０−１上の層４４３０−２と、層４４３０−２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２０−１と、層４４２０−１上の層４４２０−２と、層４４２０−２上の上部電極６８８と、を有する。例えば、下部電極６７２を陽極とし、上部電極６８８を陰極とした場合、層４４３０−１が正孔注入層として機能し、層４４３０−２が正孔輸送層として機能し、層４４２０−１が電子輸送層として機能し、層４４２０−２が電子注入層として機能する。または、下部電極６７２を陰極とし、上部電極６８８を陽極とした場合、層４４３０−１が電子注入層として機能し、層４４３０−２が電子輸送層として機能し、層４４２０−１が正孔輸送層として機能し、層４４２０−２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

なお、図４０Ｃに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、４４１２、４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

また、図４０Ｄに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層６８６ａ、６８６ｂ）が中間層（電荷発生層）４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、本明細書においては、図４０Ｄに示すような構成をタンデム構造として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光素子とすることができる。

なお、図４０Ｃ、及び図４０Ｄにおいても、図４０Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

また、上述のシングル構造、及びタンデム構造と、後述するＳＢＳ構造と、を比較した場合、ＳＢＳ構造、タンデム構造、及びシングル構造の順で消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造を用いると好適である。一方で、シングル構造、及びタンデム構造は、製造プロセスがＳＢＳ構造よりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、または製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

発光素子の発光色は、ＥＬ層６８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白とすることができる。また、発光素子にマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

白色の光を発する発光素子は、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合も同様である。

発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。また、紫、青紫、黄緑、近赤外、の発光を示す発光物質を含んでもよい。または、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

（実施の形態１１）
本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。

金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルトから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

また、金属酸化物は、スパッタリング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法のような化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成することができる。

＜結晶構造の分類＞
酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）が挙げられる。

なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。

例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩＧＺＯ膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。

また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩＧＺＯ膜は、結晶状態でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体が含まれる。

ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタンから選ばれた一種、または複数種）において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、または組成により変動する場合がある。

また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、または七角形の格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、または金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化することによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下を引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は、不純物の混入または欠陥の生成によって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物または欠陥（酸素欠損）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳまたは非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、またはインジウム亜鉛酸化物が主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、またはガリウム亜鉛酸化物が主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコンがある。

＜不純物＞
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンまたは炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

（実施の形態１２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の適用例について図４１を用いて説明する。

［車両］
本発明の一態様の表示装置を、移動体、代表的には車両に実装する例について説明する。

本発明の一態様の表示装置は、ハイブリッド車（ＨＶ）、電気自動車（ＥＶ）、またはプラグインハイブリッド車（ＰＨＶ）の次世代クリーンエネルギー自動車に搭載できる。また、電動トラクタのような農業機械、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、電動カート、小型または大型船舶、潜水艦、固定翼機または回転翼機の航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機または惑星探査機、宇宙船のような輸送用車両に本発明の一態様の表示装置を搭載することもできる。

図４１Ａ~図４１Ｄに、本発明の一態様の表示装置を用いた車両を示す。図４１Ａに示す自動車２００１は、走行のための動力源として電気モータを用いる電気自動車である。または、走行のための動力源として電気モータとエンジンを適宜選択して用いることが可能なハイブリッド自動車である。表示装置１３０１ａを車両に搭載する場合、窓ガラスに接する場所または近傍に設置し、複数ある窓ガラスのうちいずれか一箇所または複数箇所に設置する。表示装置１３０１ａは、電気自動車に限らず、燃料を燃焼するエンジンを有する自動車にも適用することができる。

また、自動車２００１は、自動車２００１が有する二次電池にプラグイン方式または非接触給電方式により外部の充電設備から電力供給を受けて、充電することができる。充電に際しては、充電方法またはコネクタの規格はＣＨＡｄｅＭＯ（登録商標）またはコンボの所定の方式で適宜行えばよい。充電装置は、商用施設に設けられた充電ステーションでもよく、また家庭の電源であってもよい。例えば、プラグイン技術によって、外部からの電力供給により自動車２００１に搭載された二次電池を充電することができる。充電は、ＡＣＤＣコンバータのような変換装置を介して、交流電力を直流電力に変換して行うことができる。

また、図示しないが、受電装置を車両に搭載し、地上の送電装置から電力を非接触で供給して充電することもできる。この非接触給電方式の場合には、道路または外壁に送電装置を組み込むことで、停車中に限らず走行中に充電を行うこともできる。また、この非接触給電の方式を利用して、２台の車両どうしで電力の送受信を行ってもよい。さらに、車両の外装部に太陽電池を設け、停車時または走行時に二次電池の充電を行ってもよい。このような非接触での電力の供給には、電磁誘導方式または磁界共鳴方式を用いることができる。

表示装置１３０１ａに両面射出型表示装置を用いる場合、自動車２００１を充電中の停車時において充電状態、例えば満充電までの残り時間を表示することで、車外からも充電状態を確認することができる。車内への表示と車外への表示を交互に行うことができる。自動車２００１の持ち主だけでなく、次に充電しようとする運転者がその表示を見て、次の順番で待機するか、他の場所に移動して充電するかを判断することができる。このような停車中の充電状態の表示であれば、フロントガラスにも表示装置１３０１ａを設け、フロントガラス越しに両面射出型表示装置の表示を車外にいる第３者に見せることができる。また、寒冷地において、自動車２００１の窓ガラスに接して表示装置１３０１ａを設けて表示を行うと発熱するため、窓ガラスについた霜を短時間で溶かすこともできる。このような使用をする場合にはフロントガラスだけでなくリアガラス、運転席側の窓ガラスにも表示装置１３０１ａを設置することが好ましい。

また、本発明の一態様に係る表示装置の作製方法を用いることで、ファインメタルマスクを用いることなく製造できるため、低コストで大量生産が可能である。

図４１Ｂは、輸送用車両の一例として電気により制御するモータを有した大型の輸送車２００２を示している。輸送車２００２の窓ガラスに表示装置２２０１を搭載する例を示している。表示装置２２０１は、乗員に対して広告の映像表示を行うことができる。

図４１Ｃは、一例として電気により制御するモータを有した大型の輸送車両２００３を示している。輸送車両２００３の窓ガラスに表示装置２２０２を搭載する例を示している。

図４１Ｄは、一例として燃料を燃焼するエンジンを有した航空機２００４を示している。図４１Ｄに示す航空機２００４は、離着陸用の車輪を有しているため、輸送車両の一部とも言え、窓ガラスに接して表示装置２２０３を有している。航空機２００４の窓ガラスは構造上少なくする必要があり、表示装置２２０３がシースルーであるため、外の景色が見えることは有用である。

［応用例］
本発明の一態様の表示装置を、商業施設または医療施設または公共施設の窓口における情報表示に用いる例について説明する。

また、図４２Ａにカウンターテーブル７３０４に設置した表示装置７３００を図示している。２人のユーザの間に表示装置７３００を配置する。カウンターテーブル７３０４の側に座っているユーザは、表示装置７３００を介して対向して立っているユーザを視認することができる。

カウンターテーブル７３０４の側に座っているユーザが表示装置７３００を操作し、図４２Ｂに示すように、表示装置７３００の表示領域７０００を移動させ、文字または映像を表示することができる。ただし、一方のユーザには正常に表示されるが、もう一方のユーザには鏡文字として表示される。また、図４２Ｂにおける表示装置７３００の断面構造の一例を図４２Ｄに示す。

ガラス基板またはアクリル樹脂板のような透光性を有する平板２０と、土台７３０２と、筐体７３０１とが固定され、筐体７３０１と平板２０とが重ならない領域が窓となるような表示装置７３００は、窓とスライド移動できる表示パネルとが重ねて配置されている。図４２Ｄに示すように、表示パネルが可撓性を有する場合は、巻き取り軸３１Ａを回転させ収納スペースが小さくできる。また、可撓性を有する表示パネルを平板２０ともう一枚の透光性を有する平板で挟み、その隙間で移動させる構成とすることが好ましい。また、図４２Ｄでは、筐体７３０１、土台７３０２、平板２０を有する表示装置７３００として図示したが特に限定されず、窓口受付に設置されている透明な板に対して筐体７３０１及び表示パネル３１Ｒを取り付けることで表示装置を構成してもよい。また、屋内での使用である場合には、遮光層を有するフィルム２２Ｒ及び巻き取り軸２２Ａは設けなくともよい。

また、表示パネルにガラス基板のような硬い基板を用いる場合には、筐体７３０１を変更し、カウンターテーブルを表示装置の構成の一部とした構成とすることが好ましい。その場合、表示パネルの下端部はカウンターテーブルの上面よりも下に位置され、上に移動させることで、情報端末機７３１１を持っているユーザからみて表示領域７０００が広くなる。また、情報端末機７３１１を持っているユーザからは見えないが、座っているユーザから見た場合には、カウンターテーブルの下側の表示も視認することができる。また、このことを利用して、表示領域７０００をブラインド表示として座っているユーザの手元を隠すこともできる。

また、最大範囲まで表示領域７０００を移動させた状態が図４２Ｃである。表示領域７０００が広くなっても向こう側のユーザの人影は認識することができる。また、図４２Ａの状態から図４２Ｂの状態を経て図４２Ｃの状態となる表示装置７３００に限定されず、図４２Ａの状態から図４２Ｂの状態までの表示装置７３００としてもよいし、表示領域７０００を常時残しておく図４２Ｂの状態から図４２Ｃの状態となる表示装置７３００としてもよい。

また、図４２Ａ乃至図４２Ｃにおけるユーザは、持っている情報端末機７３１１を用いて表示装置７３００と無線通信により連携可能であることが好ましい。

図４２Ａ乃至図４２Ｃでは２人のユーザの間にパーティションとして表示装置７３００を配置する例を示しているが、さらに空間のほとんど全部をアクリル樹脂板または壁で遮断し、２人のユーザ間を仕切る構成としてもよい。医療施設においては感染を防ぐために受付窓口に表示装置７３００を設けることで互いの距離を保つことができる。また、互いに口を開き言葉を交わすことなく、情報端末機７３１１に入力した文字情報を表示装置７３００に転送し、表示領域７０００に表示することで受付または診察を行うこともできる。

また、ユーザが所持するスマートフォンのような情報端末機７３１１と無線通信により連携可能であることはいろいろな応用ができる。例えば、表示領域７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１を操作することで、表示領域７０００の表示を切り替えることができる。

また、表示装置７３００に、情報端末機７３１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

１１：電動車両、１２：操舵前輪、１３：駆動後輪、１４：モータ、１５：トランスミッション、１６：インバータ、１７：二次電池、１８：ハンドル、２０：平板、２０Ｌ：窓ガラス、２０Ｒ：窓ガラス、２１Ｒ：表示パネル、２２Ａ：軸、２２Ｒ：フィルム、２３Ｒ：ドアトリム、２４Ｒ：開口部、２５：ローラ、２６：ローラ、２７：外装体部分、２８：内装体部分、２９：ゴム部材、３０Ｌ：窓ガラス、３０Ｒ：窓ガラス、３１Ａ：軸、３１Ｒ：表示パネル、１００：表示装置、１００Ａ：表示装置、１０１：基板、１０２：素子形成基板、１０３：基板、１０４：隔壁、１１０：発光素子、１１０Ｂ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０Ｗ：発光素子、１１１：画素電極、１１１Ｂ：画素電極、１１１ｆ：導電膜、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１２：ＥＬ層、１１２Ｂ：ＥＬ層、１１２Ｂｆ：ＥＬ膜、１１２Ｇ：ＥＬ層、１１２Ｇｆ：ＥＬ膜、１１２Ｒ：ＥＬ層、１１２Ｒｆ：ＥＬ膜、１１２Ｗ：ＥＬ層、１１２Ｗｆ：ＥＬ膜、１１３：共通電極、１１４：共通層、１１５：電極、１１７：ＥＬ層、１１７Ｇ：ＥＬ層、１１７Ｒ：ＥＬ層、１１８：電極、１２０：接着層、１２０Ｂ：発光ユニット、１２０Ｇ：発光ユニット、１２０Ｒ：発光ユニット、１２１：保護層、１２２：開口、１２２Ｂ：着色層、１２２Ｇ：着色層、１２２Ｒ：着色層、１２３：異方性導電接続層、１２４：外部電極、１２５：発光素子、１２８：開口、１２９：開口、１３１：絶縁層、１３１ｆ：絶縁膜、１３２：発光部、１３３：透光部、１３５：走査線、１３６：信号線、１４１ａ：犠牲層、１４１ｂ：犠牲層、１４１ｃ：犠牲層、１４２ａ：犠牲層、１４２ｂ：犠牲層、１４２ｃ：犠牲層、１４３：レジストマスク、１４３ａ：レジストマスク、１４３ｂ：レジストマスク、１４３ｃ：レジストマスク、１４４：犠牲層、１４４ａ：犠牲膜、１４４ｂ：犠牲膜、１４４ｃ：犠牲膜、１４５：犠牲層、１４５ａ：犠牲層、１４５ｂ：犠牲層、１４５ｃ：犠牲層、１４６：保護膜、１４６ａ：保護膜、１４６ｂ：保護膜、１４６ｃ：保護膜、１４７：保護層、１４７ａ：保護層、１４７ｂ：保護層、１４７ｃ：保護層、１５０：表示装置、１５１：基板、１５２：接着層、１５３：剥離層、１９１：外光、１９２：光、１９２Ｇ：光、１９２Ｒ：光、２０１：トランジスタ、２０２：トランジスタ、２０３：絶縁層、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０６：ゲート電極、２０７：ゲート絶縁層、２０８：半導体層、２０９：トランジスタ、２０９ａ：ソース電極、２０９ｂ：ドレイン電極、２１０：絶縁層、２１１：絶縁層、２１２：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１６：端子電極、２１７：トランジスタ、２１８：絶縁層、２１９：配線、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２２８：領域、２３０：半導体層、２３０ｉ：チャネル形成領域、２３０ｎ：低抵抗領域、２３１：表示領域、２３１ａ：部位、２３２：駆動回路、２３３：駆動回路、２３５：光、２４２：トランジスタ、２４３：容量素子、２５０：表示パネル、２５２：トランジスタ、２６３：電極、２６６：着色層、２６８：オーバーコート層、２８０：表示パネル、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３：画素回路部、２８３ａ：画素回路、２８４：画素部、２８４ａ：画素、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３００：表示パネル、３１８：電極、３２０：ＥＬ層、３２０ａ：電荷発生層、３２２：電極、３３０：発光素子、３３１：発光素子、４００Ａ：表示装置、４００Ｂ：表示装置、４００Ｃ：表示装置、４１１ａ：画素電極、４１１ｂ：画素電極、４１１ｃ：画素電極、４１３ａ：ＥＬ層、４１３ｂ：ＥＬ層、４１３ｃ：ＥＬ層、４１４：層、４１５ａ：光学調整層、４１５ｂ：光学調整層、４１５ｃ：光学調整層、４１６：保護層、４１６ａ：無機絶縁層、４１６ｂ：有機絶縁層、４１６ｃ：無機絶縁層、４１７：遮光層、４２１：絶縁層、４２６ａ：光学調整層、４２６ｂ：光学調整層、４２６ｃ：光学調整層、４３０ａ：発光素子、４３０ｂ：発光素子、４３０ｃ：発光素子、４３１：トランジスタ、４３５：ノード、４３７：ノード、４４２：接着層、４４３：空間、４５２：基板、４５３：基板、４５４：基板、４５５：接着層、４６２：表示部、４６４：回路、４６５：配線、４６６：導電層、４７２：ＦＰＣ、４７３：ＩＣ、６７２：下部電極、６８６：ＥＬ層、６８６ａ：ＥＬ層、６８６ｂ：ＥＬ層、６８８：上部電極、９９１：導電層、９９２：絶縁層、９９３：導電層、９９４：基板、１３０１ａ：表示装置、２００１：自動車、２００２：輸送車、２００３：輸送車両、２００４：航空機、２２０１：表示装置、２２０２：表示装置、２２０３：表示装置、４４１１：発光層、４４１２：発光層、４４１３：発光層、４４２０：層、４４２０−１：層、４４２０−２：層、４４３０：層、４４３０−１：層、４４３０−２：層、７０００：表示領域、７３００：表示装置、７３０１：筐体、７３０２：土台、７３０４：カウンターテーブル、７３１１：情報端末機

Claims

　表示パネルと、前記表示パネルを制御する第１の駆動手段とを有する表示装置であって、
　前記表示パネルは、窓ガラスを有する移動体の内部に設置され、
　前記窓ガラスと前記表示パネルとの間に遮光層を有するフィルムと、前記遮光層を有するフィルムを制御する第２の駆動手段と、を有する表示装置。
　請求項１において、前記第１の駆動手段は、前記窓ガラスと前記表示パネルとの位置関係を変化させる表示装置。
　請求項１または請求項２において、前記第２の駆動手段は、前記窓ガラスと前記遮光層を有するフィルムとの位置関係を変化させる表示装置。
　請求項１乃至３のいずれか一において、前記遮光層を有するフィルムは、前記第２の駆動手段により巻き取られるように収納される表示装置。
　請求項１乃至４のいずれか一において、前記表示パネルは、第１の基板と、第２の基板と、表示部と、封止層と、保護層と、を有する表示装置。
　請求項１乃至５のいずれか一において、前記表示パネルは、前記第１の駆動手段により、巻き取られるように収納される表示装置。
　請求項１乃至６のいずれか一において、前記表示パネルは、発光素子を有し、
　前記発光素子は、
　絶縁層と、
　第１の下部電極と、
　前記第１の下部電極上の第１のＥＬ層と、
　第２の下部電極と、
　前記第２の下部電極上の第２のＥＬ層と、
　前記第１のＥＬ層上、前記第２のＥＬ層上、及び前記絶縁層上の上部電極と、を有し、
　前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極は、透光性を有し、
　前記上部電極は、透光性を有する表示装置。
　請求項１乃至７のいずれか一において、前記表示パネルは、曲面を有する表示装置。