JP6669810B2 - ウェーハ研磨装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハ研磨装置に関し、より詳細にはウェーハ研磨時に発生するパーティクルを処理する装置に関する。
シリコンウェーハの製造工程は、単結晶インゴット(Ingot)を製造するための単結晶成長工程と、単結晶インゴットをスライシング(Slicing)して薄い円板状のウェーハを得るスライシング工程と、前記スライシング工程によって得られたウェーハの割れ、歪みを防止するためにその外周部を加工する外周グラインディング(Edge Grinding)工程と、ウェーハに残存する機械的加工による損傷(Damage)を除去するラッピング(Lapping)工程と、ウェーハを鏡面化する研磨(Polishing)工程と、研磨されたウェーハに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄(Cleaning)工程とで構成される。
この中でウェーハ研磨工程は様々な段階を経て行われ、ウェーハ研磨装置を通じて遂行され得る。
図1は、一般的なウェーハ研磨装置の斜視図であり、図2は、図1の断面図であってウェーハ研磨時に発生するパーティクルの処理過程を示す。
図1に示されたように、一般的なウェーハ研磨装置は、研磨パッド13が付着した定盤11と、ウェーハWを囲んで定盤11上で回転する研磨ヘッド21と、研磨パッド13にスラリーSを供給するスラリー噴射ノズル30とを含んで構成され得る。
研磨工程の間、定盤11は定盤回転軸12により回転することができ、研磨ヘッド21はヘッド回転軸22により研磨パッド13と密着した状態で回転することができる。このとき、スラリー噴射ノズル30により供給されたスラリーSは、研磨ヘッド21に位置したウェーハWに向かって浸透してウェーハWを鏡面に研磨させることができる。
図2に示されたように、ウェーハ研磨装置を通じてウェーハWを研磨する過程でパーティクルPが発生して空気中に飛散され得る。特に、ウェーハWを微細に研磨するFP(Final Polishing)工程の場合にはさらに微細なパーティクルPが発生するようになる。
このように、ウェーハ研磨工程中に発生するパーティクルPは、ウェーハWに吸着してウェーハの研磨時にウェーハWに微細な段差を誘発して研磨品質の低下、すなわち、PID(Polishing Induced Defect)を惹起するので、ウェーハ研磨工程中または工程完了後に必ず除去する必要がある。
本発明は、ウェーハ研磨工程時に発生するパーティクルを研磨工程中または工程完了後に効率的に除去してウェーハ研磨品質を高めることができるウェーハ研磨装置を提供しようとする。
本発明は、上面に研磨パッドが付着する定盤;前記研磨パッドに向かってスラリーを噴射するスラリー噴射ノズル;ウェーハを収容し、前記定盤の上部で回転する少なくとも一つの研磨ヘッド;上部で前記少なくとも一つの研磨ヘッドを連結するように支持するインデックス;および前記インデックスに結合され、前記ウェーハの研磨時に発生するパーティクルを吸入するパーティクル吸入部;を含むウェーハ研磨装置を提供する。
前記パーティクル吸入部は、前記少なくとも一つの研磨ヘッドの外周面を囲むように配置され得る。
前記パーティクル吸入部の両端部は、前記スラリー噴射ノズルを挟むように互いに離隔して配置され得る。
前記パーティクル吸入部は、前記研磨ヘッドの外周面を囲むように前記インデックスに結合される本体;吸入孔を有して前記本体の下部に配置されるガイド;および前記インデックスに設置され、前記ガイドを通じてパーティクルを吸入させるようにするエアポンプを含むことができる。
前記本体と前記ガイド内側には、前記吸入孔と連通すると共に、吸入されるパーティクルが移動する移動流路が形成され得る。
前記ガイドは、下部に行くほど尖った形状を有し得る。
前記吸入孔は、前記研磨ヘッドに隣接するように前記ガイドの内周面に沿って長く配置される長孔(Slot)形状を有し得る。
前記吸入孔は、前記ガイドに複数個が離隔して配置され得る。
前記本体および前記ガイドは、複数個からなり、互いに一定の間隔で離隔して前記研磨ヘッドの外周面を囲むように配置され得る。
前記定盤の下部に配置され、パーティクルを吸入して排出させる排出部をさらに含むことができる。
本発明のウェーハ研磨装置によると、パーティクル吸入部を通じてウェーハ研磨工程時に発生するパーティクルを研磨工程中または工程完了後に効率的に除去してPIDを改善させることによってウェーハ研磨品質を高めることができる。
一般的なウェーハ研磨装置の斜視図である。 図1の断面図であってウェーハ研磨時に発生するパーティクルの処理過程を示す。 本発明の一実施例によるウェーハ研磨装置の斜視図である。 図3の断面図であってウェーハ研磨時に発生するパーティクルの処理過程を示す。 図3のパーティクル吸入部の要部斜視図である。 パーティクル吸入部の配置構造を示す実施例である。
以下、実施例は添付された図面および実施例に対する説明を通じて明白に示されるはずである。実施例の説明において、各層(膜)、領域、パターンまたは構造物が基板、各層(膜)、領域、パッドまたは、パターンの「上/うえ(on)」に、または「下/した(under)」に形成されるものと記載される場合において、「上/うえ(on)」と「下/した(under)」は、「直接(directly)」または「他の層を介在して(indirectly)」形成されるものをすべて含む。また、各層の上/うえまたは、下/したに対する基準は、図面を基準として説明する。
図面において、大きさは説明の便宜および明確性のために誇張されたり省略されたりまたは概略的に示された。また各構成要素の大きさは、実際の大きさを全面的に反映するものではない。また、同じ参照番号は図面の説明を通じて同じ要素を示す。以下、添付された図面を参照して実施例を説明する。
ウェーハ研磨装置は、ウェーハがローディングされてアンローディングされている間、1次、2次、3次などの様々な段階の研磨工程を行うことができ、本実施例はすべてのウェーハ研磨工程の間に適用され得る。
図3は、本発明の一実施例によるウェーハ研磨装置の斜視図であり、図4は、図3の断面図であってウェーハ研磨時に発生するパーティクルの処理過程を示し、図5は、図3のパーティクル吸入部の要部斜視図であり、図6は、パーティクル吸入部の配置構造を示す実施例である。
図3ないし図6に示されたように、本発明の一実施例によるウェーハ研磨装置は、定盤ユニット100、研磨ヘッドユニット200、スラリー噴射ノズル300、およびパーティクル吸入部500を含んで構成され得る。
定盤ユニット100は、研磨対象のウェーハWが置かれて研磨工程が行われるステージを構成することができる。定盤ユニット100は、定盤110、研磨パッド130、定盤回転軸120を含み、定盤アセンブリーと呼ばれ得る。
定盤110は、円筒状または円盤状になり、研磨ヘッドユニット200の直径より大きい大きさを有し得る。例えば、定盤110には複数個の研磨ヘッドユニット200が置かれて複数個のウェーハWに対する研磨が同時に行われることもできる。
研磨パッド130は、定盤110の上部に付着し、定盤110の直径に対応する大きさを有し得る。研磨パッド130には、研磨ヘッドユニット200に装着されたウェーハWの下面が接触して研磨が行われ得る。
定盤回転軸120は、定盤110に結合されて研磨工程の間に定盤110を回転させることができる。例えば、定盤回転軸120は、研磨工程の間、定盤110を時計方向または反時計方向に回転させることができ、必要に応じて定盤110を回転させず定位置に固定させることができる。
研磨ヘッドユニット200は、定盤ユニット100の上部に配置されて昇降し得る。研磨ヘッドユニット200は、定盤110の上部に少なくとも一つが配置され得る。図面には、定盤110の上部に研磨ヘッドユニット200が1個配置されることを示したが、2個、3個など複数個が配置され得る。
研磨ヘッドユニット200は、ウェーハWを収容する研磨ヘッド210と、研磨ヘッド210を回転させるヘッド回転軸220とを含んで構成され得る。
研磨ヘッド210は、研磨対象のウェーハWの上部面と側面とを囲む形態で内側にウェーハWが収容されるようにし得る。したがって、ウェーハWは、研磨ヘッド210に固定された状態で定盤110の上部、すなわち研磨パッド130の上面に接触し得る。
ヘッド回転軸220は、研磨ヘッド210の上部に結合されて研磨ヘッド210を時計方向または反時計方向に回転させることができ、必要に応じて研磨ヘッド210を回転させず定位置に固定させることができる。ヘッド回転軸220は、図4に示されたように上部に位置したインデックス600に固定され得る。
インデックス600は、ウェーハ研磨装置の中心に位置する円筒状の大きい軸で研磨ヘッド210を固定させ、研磨ヘッド210に収容されたウェーハWを1次、2次、3次など次の段階(Step)の研磨工程に移動させることができる。
スラリー噴射ノズル300は、研磨パッド130に向かってスラリーSを噴射して研磨工程時にウェーハWの研磨が行われるようにし得る。スラリーSは、粉末など固形粒子が懸濁した状態の流体であって、ウェーハWと接触してウェーハWの表面を研磨させることができる。
スラリー噴射ノズル300は、インデックス600に結合されるか、または外部から別途のラインを有して研磨ヘッド210に隣接するように設置され得る。スラリー噴射ノズル300は、研磨工程の間に研磨パッド130に向かってスラリーSを噴射させて研磨ヘッド210の下に位置したウェーハWの下面にスラリーSが浸透するようにし得る。
パーティクル吸入部500は、ウェーハWの研磨時に発生するパーティクルPを吸入して研磨工程時に発生するパーティクルPを研磨工程中または研磨工程後に除去することができる。特に、FP(Final Polishing)工程時に発生する微細なパーティクルPを研磨ヘッド210と隣接した位置でパーティクル吸入部500が即刻に除去することによって、研磨装置の内部環境清浄度を改善させることができる。
パーティクル吸入部500は、前述した研磨ヘッド210の外周面を囲むように配置され得る。例えば、研磨ヘッド210が一つの場合には一つの研磨ヘッド210の外周面を囲むように配置され得、研磨ヘッド210が複数の場合には複数個の研磨ヘッド210の外周面をそれぞれ囲むように複数個が配置され得る。
パーティクル吸入部500は、図4に示されたように上部で少なくとも一つの研磨ヘッド210を連結するように支持するインデックス600に結合され得る。したがって、パーティクル吸入部500は、研磨工程が進行される間、研磨ヘッド210に隣接した位置で飛散するパーティクルPを即刻に吸入して除去し得る。パーティクル吸入部500は、汚染を誘発しない金属などの材質からなり得る。
より詳細には、パーティクル吸入部500は、本体510、ガイド520およびエアポンプ530を含んで構成され得る。
本体510は、研磨ヘッド210の外周面を囲むようにインデックス600に結合され得る。例えば、本体510は、研磨ヘッド210の直径より大きい形態を有し、研磨ヘッド210を外部から囲む形態で配置され得る。
ここで、本体510の両端部は、スラリー噴射ノズル300を挟むように互いに離隔して配置され得る。例えば、本体510は、図5および図6に示されたように馬のひづめ(Horse‘s hoof)形状を有し得る。もちろん、スラリー噴射ノズル300の位置に干渉されない実施例においては、本体510は研磨ヘッド210の外周面を囲んで同心円を形成する閉ループ(closed loop)形態を有することもあろう。
ガイド520は、本体510の下部に配置され、パーティクルPの吸入を効率的に遂行するように吸入方向を案内することができる。ガイド520は下部に行くほど尖った形状を有し得る。例えば、ガイド520は尖った形状であって一側に吸入孔521を有し、本体510の下部で本体510と一体で延びる形態に構成され得る。
吸入孔521は、パーティクルPを吸入する吸入口になり、多様な形状および個数を有し得る。例えば、吸入孔521は、研磨ヘッド210に隣接するようにガイド520の内周面に沿って配置され得る。このような吸入孔521の配置構造は、ウェーハWから発生するパーティクルPを最も近い距離で速く吸入することができるようにする。したがって、研磨時に発生するパーティクルPの飛散率を低めてパーティクルP吸入量を高めることができる。
吸入孔521は、本実施例のようにガイド520の内周面に沿って一つの長孔(Slot)を形成することができ、ガイド520に一定の間隔で離隔する複数個の孔に変形実施可能であろう。
前述した本体510とガイド520内側には、図4に示されたように吸入孔521と連通すると共に、吸入されるパーティクルPが移動する移動流路が形成され得る。移動流路は、エアポンプ530と連結され、移動流路に沿って移動するパーティクルPをウェーハ研磨装置外部に排出させることができる別途の排気ラインがさらに設置され得る。
エアポンプ530は、ガイド520の吸入孔521を通じてパーティクルPを強制的に吸入させるように動作し得る。例えば、エアポンプ530は、インデックス600に設置され得、必要に応じてインデックス600の外部に設置されることもある。
パーティクル吸入部500は、前述した形態に制限されず、図6の(b)に示されたようなパーティクル吸入部500aのように複数個からなり得る。すなわち、本体510およびガイド520は、複数個からなり、互いに一定の間隔で離隔して研磨ヘッドユニット200、すなわち研磨ヘッド210の外周面を囲むように配置されることもある。
前述した構成を含むパーティクル吸入部500は、図4に示されたように研磨工程が進行される間や研磨工程後、研磨ヘッド210に隣接した位置で飛散するパーティクルPを即刻に吸入して除去し得る。
一方、定盤110の下部端には、前述したパーティクル吸入部500により除去されない状態で飛散して下に落ちるパーティクルPを吸入して排出させる排出部400が設置され得る。すなわち、排出部400は、飛散するパーティクルPが定盤110の下に落ちる場合、これを吸入して除去し得る。
このように本発明のウェーハ研磨装置によると、パーティクル吸入部と排出部とを通じてウェーハ研磨工程時に発生するパーティクルPを研磨工程中または工程完了後に効率的に除去してPIDを改善させることによって、ウェーハ研磨品質を高めることができる。
以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定される訳ではない。さらに、各実施例において例示された特徴、構造、効果などは実施例が属する分野における通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せ、または変形して実施可能である。したがって、このような組合せと変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
100:定盤ユニット 110:定盤
120:定盤回転軸 130:研磨パッド
200:研磨ヘッドユニット 210:研磨ヘッド
220:ヘッド回転軸 300:スラリー噴射ノズル
400:排出部(Exhaust) 500、500a:パーティクル吸入部
510:本体 520:ガイド
521:吸入孔 530:エアポンプ
600:インデックス P:パーティクル
W:ウェーハ S:スラリー

Claims (9)

  1. 上面に研磨パッドが付着する定盤;
    前記研磨パッドに向かってスラリーを噴射するスラリー噴射ノズル;
    ウェーハを収容し、前記定盤の上部で回転する少なくともーつの研磨ヘッド;
    上部で前記少なくともーつの研磨ヘッドを連結するように支持するインデックス;および
    前記インデックスに結合され、前記ウェーハの研磨時に発生するパーティクルを吸引するパーティクル吸引部;
    を含み、
    前記パーティクル吸引部は、前記少なくともーつの研磨ヘッドの外周面を囲むように配置される、ウェーハ研磨装置。
  2. 前記パーティクル吸引部の両端部は、前記スラリー噴射ノズルを挟むように互いに離隔して配置される、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
  3. 前記パーティクル吸引部は、
    前記研磨ヘッドの外周面を囲むように前記インデックスに結合される本体;
    吸引孔を有して前記本体の下部に配置されるガイド;および
    前記インデックスに設置され、前記ガイドを通じてパーティクルを吸引させるようにするエアポンプを含む、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
  4. 前記本体と前記ガイド内側には、前記吸引孔と連通すると共に、吸引されるパーティクルが移動する移動流路が形成された、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
  5. 前記ガイドは、下部に行くほど尖った形状を有する、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
  6. 前記吸引孔は、前記研磨ヘッドに隣接するように前記ガイドの内周面に沿って長く配置される長孔(Slot)形状を有する、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
  7. 前記吸引孔は、前記ガイドに複数個が離隔して配置される、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
  8. 前記本体および前記ガイドは、複数個からなり、互いに一定の間隔で離隔して前記研磨ヘッドの外周面を囲むように配置される、請求項ないし請求項のいずれか一項に記載のウェーハ研磨装置。
  9. 前記定盤の下部に配置され、パーティクルを吸引して排出させる排出部をさらに含む、請求項に記載のウェーハ研磨装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110625519B (zh) * 2019-08-26 2021-08-03 苏州冠博控制科技有限公司 一种高精度晶圆研磨机

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB848841A (en) 1957-05-24 1960-09-21 Holman Brothers Ltd Improvements relating to dust extractors for rotary abrasive tools and other dust-producing tools
JPS58114346A (ja) * 1981-12-25 1983-07-07 Toshiba Corp テ−プレコ−ダのテ−プ終端検出回路
JPH11254298A (ja) * 1998-03-06 1999-09-21 Speedfam Co Ltd スラリー循環供給式平面研磨装置
EP1080840A3 (en) * 1999-08-30 2004-01-02 Mitsubishi Materials Corporation Polishing apparatus, polishing method and method of conditioning polishing pad
JP2001129760A (ja) * 1999-11-02 2001-05-15 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハの研磨終点検出方法
US6419567B1 (en) * 2000-08-14 2002-07-16 Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg Retaining ring for chemical-mechanical polishing (CMP) head, polishing apparatus, slurry cycle system, and method
JP4583580B2 (ja) 2000-10-30 2010-11-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パッドコンディショナおよびコンディショニング方法
JP2003340718A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研削装置
JP4448297B2 (ja) * 2002-12-27 2010-04-07 株式会社荏原製作所 基板研磨装置及び基板研磨方法
JP4455833B2 (ja) 2003-05-15 2010-04-21 信越半導体株式会社 ウエーハの研磨方法
US7052371B2 (en) * 2003-05-29 2006-05-30 Tbw Industries Inc. Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
JP2005271151A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2006088292A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Corp 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法
US7988535B2 (en) * 2008-04-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Platen exhaust for chemical mechanical polishing system
JP5795977B2 (ja) * 2012-03-14 2015-10-14 株式会社荏原製作所 研磨装置
US9321143B2 (en) * 2013-10-08 2016-04-26 Seagate Technology Llc Lapping device with lapping control feature and method
JP6328977B2 (ja) 2014-03-31 2018-05-23 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
JP6345474B2 (ja) 2014-04-30 2018-06-20 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
US10576604B2 (en) * 2014-04-30 2020-03-03 Ebara Corporation Substrate polishing apparatus
JP6357861B2 (ja) * 2014-05-14 2018-07-18 富士通セミコンダクター株式会社 研磨装置及び研磨方法
KR101841549B1 (ko) 2015-10-29 2018-03-23 에스케이실트론 주식회사 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치
JP6622610B2 (ja) 2016-02-09 2019-12-18 株式会社ディスコ 研削装置
JP6726591B2 (ja) * 2016-09-30 2020-07-22 株式会社ディスコ 加工装置

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