JP2005271151A - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents

研磨装置及び研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005271151A
JP2005271151A JP2004089296A JP2004089296A JP2005271151A JP 2005271151 A JP2005271151 A JP 2005271151A JP 2004089296 A JP2004089296 A JP 2004089296A JP 2004089296 A JP2004089296 A JP 2004089296A JP 2005271151 A JP2005271151 A JP 2005271151A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
surface plate
slurry
polishing composition
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004089296A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Terada
貴洋 寺田
Masaomi Nakahata
政臣 中畑
Yasutada Nakagawa
泰忠 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2004089296A priority Critical patent/JP2005271151A/ja
Priority to TW094108559A priority patent/TW200531793A/zh
Priority to CNA2005100564645A priority patent/CN1672876A/zh
Priority to KR1020050024383A priority patent/KR100687115B1/ko
Priority to EP05006662A priority patent/EP1579956A3/en
Priority to US11/088,786 priority patent/US20050221724A1/en
Publication of JP2005271151A publication Critical patent/JP2005271151A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Abstract

【課題】研磨定盤表面に供給された研磨液の使用効率を向上させることにより、少量の研磨液でウエーハを研磨することで、コストを抑えることが可能なウエーハの研磨方法および装置を提供する。
【解決手段】使用済みのスラリーを積極的に排除することで再利用されないようにし、未使用のスラリーを再利用できるように未使用のスラリーと使用済みのスラリーを、研磨布１に対して接離可能に設けられた再利用防止手段６により分離させることで、研磨レートを向上させ研磨コストをダウンさせる。
【選択図】図２

Description

本発明は基板に形成された薄膜を研磨する研磨装置及び研磨方法に係り、特に化学的機械
的研磨法（CMP:Chemical Mechanical Polishing）による研磨装置及び研磨方法に関する
。
従来、上記研磨方法では研磨液の供給方法として、図１０（特開平７−１５６０６３の
図７）および図１１（特開平７−１５６０６３の図１）に示すものが採用されている。図
１０の方法では、貯溜槽７１内の研磨液７２を供給ポンプ７３により供給部材７４を介し
て研磨定盤７５に設けた研磨布７６の表面に供給してウエーハＷを研磨し、研磨布７６の
表面から遠心力で振り飛ばされファンネル７７に流入した研磨液を循環使用することなく
、そのまま廃液７８として排出する。
そこで図１１では、定盤から飛散してしまうスラリーをできるだけ定盤上に貯めておきス
ラリー量を削減することを目的としており、定盤の回転中心に向かう板状部材を研磨布表
面上に配設し、本来ならば定盤周囲に飛散するスラリーを板状部材の径方向外側部分でせ
きとめて捕集して定盤中央方面に引き戻している。
特開平７−１５６０６３号公報（第５頁、図１）
図１０の研磨液供給方法では、研磨布７６に供給した研磨液７２を一度の使用で廃液７８
として処理するため、研磨液の使用コストが高価になるという問題があり、使用量を最小
限度に管理したとしても、研磨布７６を湿潤させるための供給量はどうしても必要である
ことから、研磨工程の加工コストを低下させるには限度があった。
また、供給部材８１から研磨布８２表面に供給された研磨液８３の大半は、遠心力によ
り矢印Ａのようにその周辺に飛散するため、実際にウエーハＷに供給される研磨液８３の
割合はごく小さいものとなるので、研磨液の使用効率が低く、特に図１０の研磨方法では
高価な研磨液の殆どが使用に供されることなく、そのまま廃液として処理されてしまうと
いう問題があった。
本発明の目的は、研磨定盤表面に供給された研磨液の使用効率を向上させることにより、
少量の研磨液でウエーハを研磨するコストダウン可能なウエーハの研磨方法および装置を
提供することにある。
本発明の研磨装置は、
研磨面に研磨布が貼着可能に設けられ定盤駆動機構により回転可能に設けられた定盤と、
前記研磨面の所定位置と対向する位置に設けられた研磨組成物を滴下する供給手段と、
前記定盤に対して接離可能に設けられた使用済み研磨組成物の再利用防止手段と
を備えたことを特徴とする。
また、本発明の研磨装置における

前記再利用防止手段は、直線、曲線、複数の直線、あるいは曲線と直線を組み合わせた形
状からなり使用済み研磨組成物を外周方向へ排除する板状部材、あるいは使用済み研磨組
成物に対して高圧エアを吹き付けて外周方向へ排除する高圧エア手段、使用済み研磨組成
物を吸引除去する吸引手段、使用済み研磨組成物を吸収除去する多孔性・通気性を備えた
吸収手段の少なくともいずれか１つを用いることを特徴とする。
更に、本発明の研磨装置における前記再利用防止手段は姿勢や位置の調整が可能であるこ
とを特徴とする。
また、本発明の研磨装置における前記再利用防止手段である板状部材は、前記定盤の回転
の中心と前記被研磨物の回転の中心を結んだ線を０°とし、前記定盤の回転方向を角度の
正方向とすると−１０〜−９０°の傾きをもち、前記０°の線で前記定盤を２つの領域に
分けた時に少なくとも前記研磨組成物の滴下位置を含まない領域部分設けられていること
を特徴とする。
更に、本発明の研磨方法は、 保持機構に保持された被研磨物と定盤駆動機構により回転
可能に設けられた定盤に貼着された研磨布とを相対的に駆動させて前記被研磨物を研磨す
る研磨工程と、前記被研磨物と前記研磨布との間に研磨組成物を供給する供給工程と、前
記研磨布上の使用済みの研磨組成物が再利用されないようにする排除工程と、を備えたこ
とを特徴とする。
研磨をするにあたり、研磨組成物、スラリー使用量が削減できる。
以下、本発明の実施形態に係る研磨装置の構造、及びその研磨方法ついて、研磨装置を示
す図面、及び研磨方法を参照しながら説明する。
請求項中の研磨組成物は研磨をするときに必要な液体および流体で、砥粒を含有するスラ
リーを含む。また保持機構をトップリング、定盤駆動機構をモータとする。
出願人は、スラリーをせき止めるなどの再利用には限界があるという理由の一つとして、
一度利用したスラリーはpH値が下がること（図４）、そしてpH値が下がると研磨レートも
下がることをつきとめた（図５）。
よって本発明ではスラリーのpH値を保たせることを目的とし、従来のようにスラリーを貯
めるのではなく、使用済みスラリーが再利用されないように積極的に排除することに着目
し、スラリーの削減を図る。
図１は研磨装置の全体の構造を示している。
この研磨装置は定盤上に研磨布１が貼着されている。定盤９の上方にはアームによってウ
エハ等の被研磨基板を保持する為のトップリング２が移動可能に設置されている。研磨液
供給部３が定盤上方にアームにより保持されている。使用済みの研磨組成物が再利用され
ないようにする再利用防止手段である堰６は、角度、位置の変更、移動が可能なアームに
よって固定され、定盤９上に貼着された研磨布１の研磨面上で保持されている。
堰６の物質はポリカーボネ−ト、フッ素系樹脂などアルカリに強い性質のものを使用する
が代替可能な物質があればそれも使用可能である。堰６は使用により消耗した場合、交換
をする。
堰６には板状の部材の他に環状壁やスパイラル壁、直線の壁を複数用いるものでもよい。
また、使用済みスラリーを吸収する素材を用いる、使用済みスラリーを吸引する吸引装置
を用いる、加圧したエアによって壁を作る等、使用済みのスラリーが再利用されないよう
にするものであれば代替可能である。
次に、上記構成の研磨装置を使用する際の作用について説明する。定盤９が研磨布１ご
と回転し、研磨液供給部３から研磨液が研磨布１上のスラリー滴下位置に供給される。堰
６が研磨布１上に配置され、ウエハを保持しているトップリング２が回転し、ウエハの研
磨が行なわれる。このときのスラリーの流れを図２に示す。
研磨に使われたスラリーが堰６のトップリング２側であるＡサイドに沿って定盤上から排
出（排除）される。また、滴下され、トップリング２の下に入らず研磨に使われなかった
スラリーは、堰６のスラリー滴下位置側であるＢサイドに衝突し、再び研磨布１上を移動
する。
次にこの堰６に関しての研磨布１上における位置について定義をする。図３より、前記定
盤９の回転の中心とトップリング２の回転の中心を結んだ線を０°とし、定盤９、トップ
リング２の回転方向を角度の正方向とすると−１０〜―９０°の傾きに設定をする。前記
線で定盤９を２つの領域に分けると堰６はスラリー滴下位置を含まない領域部分に堰の長
手方向の長さが多く含まれている。
また、本発明はスラリーのpHについて着目をした。図４に示すようにpH値と研磨レートと
には関係があり、pH値が高いほど、研磨レートが高いことが分かる。よって、本発明では
使用済みのスラリーが再利用されないような手法をとっている。
また、図５に示すようには研磨前スラリー、本発明によるスラリー、繰り返し使用したス
ラリーの３つの場合でのpH値を示している。研磨前のスラリーのpH値が一番高く、次いで
本発明によるスラリー、一番低いのが繰り返し使用したスラリーである。図４より、pH値
が高いと研磨レートが高いことが示されているので、本発明によるスラリーは、繰り返し
使用したスラリーに比べて研磨レートが高いことが分かる。
次にスラリーの流量と研磨レートの関係を図６に示す。すると、本発明の手法を用いると
、従来技術での研磨レートを保つためには、使用するスラリー量は従来の約３０％で済む
ことが分かる。
実施例１において、スラリーをせき止めるために堰６を用いたが、その代わりに吸収手段
であるスポンジなどの多孔性・通気性を備えた素材を用いてもよい。図７のように堰６の
代わりにスポンジローラ１１を設置し、さらに、スポンジローラ１１で吸い取ったスラリ
ーを圧縮ローラ１２によって搾り出す。このときスポンジローラ１１と圧縮ローラ１２は
それぞれ回転している。これらのローラによって搾り出されたスラリーをとい１３によっ
て研磨布１の外へ排除する。あとは実施例１と同様である。
また、実施例１における堰６の代わりに図８のように吸引手段である吸引ノズル１４を
設置してもよい。スラリーを吸い取ることにより、実施例１、２と同様の効果が得られる
。
また、実施例１における堰６の代わりに図９のように高圧エア１７を用いてもよい。堰６
を伝ってスラリーを研磨布１の外に排出する代わりに、高圧エア１７を用いてエアノズル
１６によって研磨布１の外へスラリーを吹き飛ばす。これらに準ずる機能をもつものでも
代用可能である。
上記の各実施例においては、使用済みのスラリーを積極的に排除して再利用されないよう
にしているが、未使用のスラリーは再利用されるように導かれるように排除手段を分離手
段として機能させることも可能であり、実施例１においてはそのような機能を堰６に持た
せている。
本発明の研磨装置を示す図。 本発明の定盤上のスラリーの動き及びスラリーの量を示す図。 堰角度の定義を示す図。 スラリーのpHと研磨レートの関係。 研磨によるスラリーのpHの変化。 スラリー流量と研磨レートの関係。 本発明の応用例を示す図。 本発明の応用例を示す図。 本発明の応用例を示す図。 従来の研磨装置を示す図。 従来の定盤上のスラリーの動きを示す図。
符号の説明
１…研磨布、２…トップリング、３…研磨液供給部、
６…堰、９…定盤、１１…スポンジローラー、１３…とい、１４・・・吸引ノズル、
１６・・・エアノズル、１７・・・高圧エア

Claims (5)

  1. 研磨面に研磨布が貼着可能に設けられ定盤駆動機構により回転可能に設けられた定盤と、
    前記研磨面の所定位置と対向する位置に設けられた研磨組成物を滴下する供給手段と、
    前記定盤に対して接離可能に設けられた使用済み研磨組成物の再利用防止手段と
    を備えたことを特徴とする研磨装置。
  2. 前記再利用防止手段は、直線、曲線、複数の直線、あるいは曲線と直線を組み合わせた形
    状からなり使用済み研磨組成物を外周方向へ排除する板状部材、あるいは使用済み研磨組
    成物に対して高圧エアを吹き付けて外周方向へ排除する高圧エア手段、使用済み研磨組成
    物を吸引除去する吸引手段、使用済み研磨組成物を吸収除去する多孔性・通気性を備えた
    吸収手段の少なくともいずれか１つを用いることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
  3. 前記再利用防止手段は姿勢や位置の調整が可能であることを特徴とする請求項１記載の研
    磨装置。
  4. 前記再利用防止手段における板状部材は、前記定盤の回転の中心と前記被研磨物の回転の
    中心を結んだ線を０°とし、前記定盤の回転方向を角度の正方向とすると−１０〜−９０
    °の傾きをもち、前記０°の線で前記定盤を２つの領域に分けた時に少なくとも前記研磨
    組成物の滴下位置を含まない領域部分設けられていることを特徴とする請求項１記載記載
    の研磨装置。
  5. 保持機構に保持された被研磨物と定盤駆動機構により回転可能に設けられ
    た定盤に貼着された研磨布とを相対的に駆動させて前記被研磨物を研磨する研磨工程と、
    前記被研磨物と前記研磨布との間に研磨組成物を供給する供給工程と、
    前記研磨布上の使用済みの研磨組成物が再利用されないようにする排除工程と、
    を備えたことを特徴とする研磨方法。
JP2004089296A 2004-03-25 2004-03-25 研磨装置及び研磨方法 Pending JP2005271151A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004089296A JP2005271151A (ja) 2004-03-25 2004-03-25 研磨装置及び研磨方法
TW094108559A TW200531793A (en) 2004-03-25 2005-03-21 Polishing apparatus and polishing method
CNA2005100564645A CN1672876A (zh) 2004-03-25 2005-03-22 研磨设备与研磨方法
KR1020050024383A KR100687115B1 (ko) 2004-03-25 2005-03-24 연마 장치 및 연마 방법
EP05006662A EP1579956A3 (en) 2004-03-25 2005-03-24 Polishing apparatus and polishing method
US11/088,786 US20050221724A1 (en) 2004-03-25 2005-03-25 Polishing apparatus and method of polishing a subject

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004089296A JP2005271151A (ja) 2004-03-25 2004-03-25 研磨装置及び研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005271151A true JP2005271151A (ja) 2005-10-06

Family

ID=34858460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004089296A Pending JP2005271151A (ja) 2004-03-25 2004-03-25 研磨装置及び研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20050221724A1 (ja)
EP (1) EP1579956A3 (ja)
JP (1) JP2005271151A (ja)
KR (1) KR100687115B1 (ja)
CN (1) CN1672876A (ja)
TW (1) TW200531793A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI639486B (zh) * 2018-05-31 2018-11-01 國立清華大學 全向整合式調節裝置
JP2019029562A (ja) * 2017-08-01 2019-02-21 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2019520991A (ja) * 2016-06-24 2019-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 化学機械研磨用スラリー分配装置
US10950469B2 (en) 2018-03-15 2021-03-16 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8172641B2 (en) * 2008-07-17 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP by controlling polish temperature
US8133097B2 (en) * 2009-05-07 2012-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing apparatus
US8469064B2 (en) * 2010-01-29 2013-06-25 Gabriel William Dobo Funnel accessory and drainage assembly for faceting machine
TWI613037B (zh) 2011-07-19 2018-02-01 荏原製作所股份有限公司 硏磨方法
CN103286693A (zh) * 2013-05-31 2013-09-11 上海集成电路研发中心有限公司 研磨液分配臂
JP6307428B2 (ja) * 2014-12-26 2018-04-04 株式会社荏原製作所 研磨装置およびその制御方法
CN106379856B (zh) * 2016-11-14 2017-07-21 大连理工大学 一种基于雾化颗粒的水溶解微纳加工装置
CN106607765A (zh) * 2017-01-19 2017-05-03 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 一种紧凑型可调节的抛光液输送臂及其工作工程
JP6923342B2 (ja) 2017-04-11 2021-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
KR102037747B1 (ko) 2018-01-08 2019-10-29 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 연마 장치
JP7162465B2 (ja) * 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7083722B2 (ja) 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
CN109562505A (zh) 2018-10-24 2019-04-02 长江存储科技有限责任公司 具有刮擦固定装置的化学机械抛光设备
CN109159020B (zh) * 2018-10-26 2021-05-11 长江存储科技有限责任公司 研磨装置
CN110712113A (zh) * 2019-10-23 2020-01-21 东旭科技集团有限公司 一种曲面玻璃抛光机及其在线监测及调整方法
JP7406980B2 (ja) 2019-12-24 2023-12-28 株式会社荏原製作所 研磨ユニット、基板処理装置、および研磨方法
KR102343032B1 (ko) * 2020-03-09 2021-12-24 동명대학교산학협력단 스프레이 노즐을 활용한 연마장치에서 공기시스템을 이용한 연마입자 비산 방지시스템 및 제어방법
CN112677033B (zh) * 2020-12-03 2021-12-17 上海新昇半导体科技有限公司 一种抛光头、化学机械抛光装置和方法
CN114290229B (zh) * 2021-12-23 2023-02-24 北京通美晶体技术股份有限公司 一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2581478B2 (ja) * 1995-01-13 1997-02-12 日本電気株式会社 平面研磨装置
KR970018240A (ko) * 1995-09-08 1997-04-30 모리시다 요이치 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치
US5658185A (en) * 1995-10-25 1997-08-19 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method
US5879226A (en) * 1996-05-21 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for conditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
JP2800802B2 (ja) * 1996-09-20 1998-09-21 日本電気株式会社 半導体ウェハーのｃｍｐ装置
JP2845238B1 (ja) * 1997-08-29 1999-01-13 日本電気株式会社 平面研磨装置
US6241587B1 (en) * 1998-02-13 2001-06-05 Vlsi Technology, Inc. System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine
US6093088A (en) * 1998-06-30 2000-07-25 Nec Corporation Surface polishing machine
US6250994B1 (en) * 1998-10-01 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads
JP2000334658A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Fujitsu Ltd ラップ加工装置
JP2001053039A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハの研磨終点検出方法および研磨終点検出装置
JP2001191246A (ja) * 2000-01-06 2001-07-17 Nec Corp 平面研磨装置および平面研磨方法
JP2001223190A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Hitachi Ltd 研磨パッドの表面状態評価方法及びその装置とそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置
US6669538B2 (en) * 2000-02-24 2003-12-30 Applied Materials Inc Pad cleaning for a CMP system
US6887132B2 (en) * 2001-09-10 2005-05-03 Multi Planar Technologies Incorporated Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same
US6458020B1 (en) * 2001-11-16 2002-10-01 International Business Machines Corporation Slurry recirculation in chemical mechanical polishing
US6609952B1 (en) * 2002-03-29 2003-08-26 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization (CMP) system and method for determining an endpoint in a CMP operation
CN101817162A (zh) * 2004-01-26 2010-09-01 Tbw工业有限公司 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019520991A (ja) * 2016-06-24 2019-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 化学機械研磨用スラリー分配装置
JP7134101B2 (ja) 2016-06-24 2022-09-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械研磨用スラリー分配装置
JP2022177031A (ja) * 2016-06-24 2022-11-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械研磨用スラリー分配装置
US11806835B2 (en) 2016-06-24 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Slurry distribution device for chemical mechanical polishing
JP7443438B2 (ja) 2016-06-24 2024-03-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 化学機械研磨用スラリー分配装置
JP2019029562A (ja) * 2017-08-01 2019-02-21 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US10950469B2 (en) 2018-03-15 2021-03-16 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
TWI639486B (zh) * 2018-05-31 2018-11-01 國立清華大學 全向整合式調節裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200531793A (en) 2005-10-01
EP1579956A2 (en) 2005-09-28
KR100687115B1 (ko) 2007-02-27
CN1672876A (zh) 2005-09-28
US20050221724A1 (en) 2005-10-06
EP1579956A3 (en) 2006-04-05
KR20060044661A (ko) 2006-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005271151A (ja) 研磨装置及び研磨方法
JP3594357B2 (ja) ポリッシング方法及び装置
KR100474365B1 (ko) 웨이퍼연마장치 및 그 연마방법
JP2007088143A (ja) エッジ研磨装置
JP6345988B2 (ja) 基板処理装置
JP5263657B2 (ja) 研磨装置
JP2008028232A (ja) 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法、半導体装置の製造方法
JP2001121407A (ja) 研磨装置
JP2005103696A (ja) 研磨装置
KR20070117304A (ko) 연마 패드 컨디셔너 세정 장치
WO2001043178A1 (fr) Dispositif distribuant du produit de polissage et dispositif de polissage
JP5002353B2 (ja) 化学的機械的研磨装置
KR102142301B1 (ko) 연마장치
KR102396676B1 (ko) 화학 기계적 평탄화 후의 기판 세정을 위한 시스템, 방법 및 장치
JP2000246625A (ja) 平面研磨装置
JP2005271101A (ja) 研磨パッドのドレッシング装置及び該研磨パッドのドレッシング装置を有する研磨装置
JP2011104693A (ja) 基板研磨装置
JP2010105067A (ja) 吸着パッド洗浄方法および吸着パッド洗浄装置
KR100910509B1 (ko) 반도체 소자의 제조를 위한 ｃｍｐ 장치
JP2008073848A (ja) 研磨装置
JP2000326209A (ja) 平面研磨装置
JP2006351618A (ja) 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法
JP2017196725A (ja) ラッピング研磨用定盤およびそれを用いる装置
JP2004296970A (ja) 半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法
CN215588812U (zh) 基板处理装置和研磨头

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060926

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061219