JP6633293B2 - 入出力装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置及び入出力装置の構成について図1乃至図9を用いて説明を行う。
本発明の一態様にかかる表示装置の、構成の一例について説明する。図1に、本発明の一態様に係る表示装置300の構成を、ブロック図で一例として示す。なお、ブロック図では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
次いで、図1に示す表示装置300が有する電流検出回路312の具体的な構成例について、説明する。
次に、図3に示すタイミングチャート図を用いて、電流検出回路312の動作の一例を説明する。
図4に、本発明の一態様に係る入出力装置500の構成を、ブロック図で一例として示す。図4に示す入出力装置500は、表示装置301と、入力装置331と、CPU325と、画像処理回路324と、メモリ323と、電流検出回路322とを有する。
次いで、図4に示す入出力装置500が有する電流検出回路322の具体的な構成例について、説明する。
本実施の形態では、図1に示す電流検出回路312または図4に示す電流検出回路322の別の構成例について、図10乃至図13を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることができる入出力装置の構成について、図14および図15を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置500は、表示装置301および表示装置301に重なる入力装置331を有する(図14参照)。
本実施の形態で説明する入出力装置500は、入力装置331または表示装置301を有する。
入力装置331は、検知ユニット602、配線G1、配線DL及び基材610を備える。
検知ユニット602は近接または接触するものを検知して検知信号を供給する。例えば静電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を検知素子に用いることができる。
検知ユニット602は、制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができるスイッチを備える。例えば、トランジスタM4をスイッチに用いることができる。
入力装置331は、配線G1、配線RESまたは配線DLなどを備える。
駆動回路333gは例えば所定のタイミングで選択信号を供給することができる。具体的には、選択信号を配線G1ごとに所定の順番で供給する。また、さまざまな回路を駆動回路333gに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路などの組み合わせ回路などを用いることができる。
基材610は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材610に用いると、入力装置331を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる。なお、表示装置301が表示をする側に入力装置331を配置する場合は、透光性を有する材料を基材610に用いる。
フレキシブルプリント基板FPC1は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号が供給される(図14)。
表示装置301は、画素502、走査線、信号線または基材510を備える(図14参照)。
画素502は副画素502B、副画素502Gおよび副画素502Rを含み、それぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を表示部に用いることが出来る。
さまざまな表示素子を表示装置301に用いることができる。例えば、電気泳動方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子(電子インクともいう)、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子、液晶素子などを用いることができる。
可撓性を有する材料を基材510に用いることができる。例えば、基材610に用いることができる材料と同様の材料を基材510に適用することができる。
封止材560は基材610と基材510を貼り合わせる。封止材560は空気より大きい屈折率を備える。
走査線駆動回路503gは選択信号を供給する。走査線駆動回路503gはトランジスタ503tおよび容量503cを含む。なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。
表示装置301は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。さまざまな導電膜を用いることができる。例えば、入力装置331に用いることができる導電膜と同様の材料を用いることができる。
入出力装置500は、反射防止層670pを画素に重なる位置に備える。反射防止層670pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
様々なトランジスタを入力装置331または/および表示装置301に適用できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができる入力装置の構成および駆動方法について、図16および図17を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入力装置331は、検知ユニット602と、検知ユニット602がマトリクス状に配置される入力部332と、行方向に配置される配線G1と、列方向に配置される配線DLと、配線G1が電気的に接続された駆動回路333gと、配線DLが電気的に接続された駆動回路333dと、を有する(図16(A)参照)。例えば、複数の検知ユニット602をn行m列(nおよびmは1以上の自然数)のマトリクス状に配置してもよい。
検知ユニット602は、検知回路19を有する。検知回路19は、トランジスタM1と、トランジスタM2と、トランジスタM3と、検知素子C1と、ノードAと、を有する(図16(C))。また、検知回路19は、配線VRESと、配線RESと、配線G1と、配線DLと、配線CSと、配線VPIと、に電気的に接続されている。
駆動回路333dは、複数の変換器CONVを有する。それぞれの変換器CONVは、配線DLから供給される検知信号DATAを変換し、端子OUTに供給する機能を有することが好ましい。例えば、変換器CONVを検知回路19と電気的に接続し、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路を構成してもよい。
次に、検知回路19の駆動方法について説明する。
《第1のステップ》
第1のステップにおいて、トランジスタM3を導通状態にした後に非導通状態にするリセット信号をトランジスタM3のゲートに供給し、ノードAの電位を所定の電位にする。具体的には、リセット信号を配線RESに供給し、ノードAの電位を、例えばトランジスタM1を導通状態にすることができる電位にする(図16(D−1)期間P1参照)。
第2のステップにおいて、トランジスタM2を導通状態にする選択信号をトランジスタM2のゲートに供給し、トランジスタM1のソース及びドレインの他方を配線DLに電気的に接続する。具体的には、配線G1に選択信号を供給する(図16(D−1)期間P2参照)。
第3のステップにおいて、制御信号を検知素子C1の第2の電極に供給し、制御信号および検知素子C1の容量に基づいて変化する電位をノードAに供給する。具体的には、配線CSに矩形の制御信号を供給する。検知素子C1は、検知素子C1の容量に基づいてノードAの電位を上昇させる(図16(D−1)期間P2の後半を参照)。
第4のステップにおいて、ノードAの電位の変化がもたらす信号を配線DLに供給する。例えば、ノードAの電位の変化がもたらす電流の変化を配線DLに供給する。
第5のステップにおいて、トランジスタM2を非導通状態にする選択信号を配線G1に供給する。
本実施の形態では、入力装置331に用いることができる光学式タッチセンサの一例について、図18を用いて説明する。
本実施の形態で説明する入力装置331は、検知ユニット602と、検知ユニット602がマトリクス状に配置される入力部332と、行方向に配置される配線G1と、列方向に配置される配線DLと、配線G1が電気的に接続された駆動回路333gと、配線DLが電気的に接続された駆動回路333dと、を有する(図18(A)参照)。例えば、複数の検知ユニット602をn行m列(nおよびmは1以上の自然数)のマトリクス状に配置してもよい。
検知ユニット602は、検知回路19を備える。検知回路19は、トランジスタM1と、トランジスタM2と、トランジスタM3と、トランジスタM4と、検知素子PDと、ノードAと、ノードBと、を有する。また、検知回路19は、配線DLと、配線VPIと、配線G1と、配線RESと、配線VRESと、配線EXに電気的に接続されている。
駆動回路333dは、複数の変換器CONVを有する。それぞれの変換器CONVは、配線DLから供給される検知信号DATAを変換し、端子OUTに供給する機能を有することが好ましい。例えば、変換器CONVを検知回路19と電気的に接続し、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路を構成してもよい。
次に、検知素子PDの起電力の変化に基づく検知信号DATAを供給することができる検知回路19の駆動方法について説明する。
第1のステップにおいて、トランジスタM3を導通状態にした後に非導通状態にするリセット信号を供給し、ノードAの電位を所定の電位にする(図18(D)期間P1参照)。
第2のステップにおいて、トランジスタM4を非導通状態にする露光制御信号を配線EXに供給する。例えば、配線EXに接地電位を与えてもよい。
第3のステップにおいて、トランジスタM2を導通状態にする選択信号を配線G1に供給し、トランジスタM1のソース及びドレインの他方を配線DLに電気的に接続する。(図18(D)期間P2参照)。
第4のステップにおいて、トランジスタM4を所定の期間導通状態にする露光制御信号を配線EXに供給する。
第5のステップにおいて、トランジスタM2を非導通状態にする選択信号を配線G1に供給する。具体的には、配線G1に接地電位を与える(図18(D)期間P3参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様が適用可能な電子機器及び照明装置について、図19及び図20を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の検知回路等に用いることのできるトランジスタの構成について、図21を用いて説明する。
基板102としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板102は、第8世代(2160mm×2460mm)、第9世代(2400mm×2800mm、または2450mm×3050mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは600℃以下、さらに好ましくは450℃以下、さらに好ましくは350℃以下とすることが望ましい。
ゲート電極104aに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極104aに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極104aに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
第1の絶縁膜108は、絶縁膜106と絶縁膜107の2層の積層構造を例示している。なお、第1の絶縁膜108の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または3層以上の積層構造としてもよい。
酸化物半導体膜110は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
第1の電極112aおよび第2の電極112bに用いることのできる導電膜112の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
第2の絶縁膜120は、絶縁膜114、116、118の3層の積層構造を例示している。なお、第2の絶縁膜120の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、2層の積層構造、または4層以上の積層構造としてもよい。
導電膜122a、ゲート電極122cに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜122a、122bに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
本実施の形態では、実施の形態7で示した酸化物半導体トランジスタ(OSトランジスタ)に適用可能な酸化物半導体膜の構造について説明する。
CLK0 信号
CLK1 信号
CLK2 信号
G1 配線
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
M5 トランジスタ
P1 期間
P2 期間
P3 期間
S0 スイッチ
S1 スイッチ
S2 スイッチ
T1 時刻
T2 時刻
T3 時刻
T4 時刻
T5 時刻
Tr1 トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr4 トランジスタ
Tr5 トランジスタ
V0 電源線
V1 電位
VREF1 電位
VREF2 電位
19 検知回路
102 基板
104a ゲート電極
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 絶縁膜
110 酸化物半導体膜
112 導電膜
112a 電極
112b 電極
114 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120 絶縁膜
122a 導電膜
122b 導電膜
122c ゲート電極
142a 開口
142e 開口
151 トランジスタ
205 クロックジェネレーター
206 タイミングジェネレーター
207 ラッチ
208 カウンター
209 コンパレーター
210 オペアンプ
211 容量素子
212 スイッチ
213 積分回路
216 積分回路
217 容量素子
218 スイッチ
219 スイッチ
220 スイッチ
221 スイッチ
231 ANDゲート
232 インバータ
233 インバータ
234 容量素子
235 容量素子
236 スイッチ
237 スイッチ
238 スイッチ
239 スイッチ
240 スイッチ
241 スイッチ
242 スイッチ
243 スイッチ
244 スイッチ
245 スイッチ
246 スイッチ
247 スイッチ
248 スイッチ
300 表示装置
301 表示装置
302 表示部
305 駆動回路
312 電流検出回路
313 メモリ
314 画像処理回路
315 CPU
322 電流検出回路
323 メモリ
324 画像処理回路
325 CPU
331 入力装置
332 入力部
333 駆動回路
333d 駆動回路
333g 駆動回路
340 破線
341 破線
342 破線
343 破線
350 電流検出回路
351 電流検出回路
400 表示装置
401 可撓性基板
402 パッシベーション層
403 トランジスタ層
404 有機EL層
405 カラーフィルタ層
406 パッシベーション層
407 可撓性基板
410 画素
420 外部補正回路
421 積分回路
422 コンパレーター
423 カウンター
424 画像処理回路
430 電流検出回路
500 入出力装置
502 画素
502B 副画素
502G 副画素
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 走査線駆動回路
503t トランジスタ
510 基材
510a バリア膜
510b 基材
510c 樹脂層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止材
580R 発光モジュール
602 検知ユニット
610 基材
610a バリア膜
610b 基材
610c 樹脂層
650 容量素子
651 電極
652 電極
653 絶縁層
667 窓部
670 保護層
670p 反射防止層
810 携帯情報端末
815 筐体
816 表示パネル
818 ヒンジ
820 携帯情報端末
822 表示部
825 非表示部
840 携帯情報端末
845 携帯情報端末
854 筐体
855 情報
856 情報
857 情報
858 表示部
880 携帯情報端末
885 筐体
886 筐体
887 情報
888 表示部
889 操作ボタン
7000 表示装置
7001 筐体
7002 表示部
7003 支持台
7100 携帯情報端末
7101 筐体
7102 表示部
7103 バンド
7104 バックル
7105 操作ボタン
7106 入出力端子
7107 アイコン
7201 台部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7300 タッチパネル
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (2)
- 入力装置と、
表示装置と、
電流検出回路と、
前記電流検出回路に電気的に接続されるメモリと、
前記メモリに電気的に接続される画像処理回路と、を有し、
前記電流検出回路は、前記入力装置の入力部における座標に関する情報を含む第1の信号が供給される場合と、前記表示装置の画素から出力された電流の値を含む第2の信号が供給される場合とを有し、
前記画像処理回路は、前記入力装置の駆動回路に駆動信号を供給する機能及び前記表示装置の駆動回路に画像信号を供給する機能を有し、
前記電流検出回路は、
積分回路と、
前記積分回路からの出力が入力端子に入力されるコンパレーターと、
前記コンパレーターからの出力が入力されるカウンターと、
前記カウンターからの出力が入力されるラッチと、を有し、
前記積分回路は、前記第1の信号の電位または前記第2の信号の電位を時間で積分した電位を第3の信号として出力する機能を有し、
前記コンパレーターは、前記第3の信号の電位と第4の電位を比較し、第5の信号を出力する機能を有し、
前記カウンターは、前記第5の信号で定められる期間の間に、第1のクロック信号に含まれるパルスの数を第6の信号として出力する機能を有し、
前記ラッチは、前記第6の信号を保持する機能を有し、
前記積分回路は、オペアンプと、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、
前記電流検出回路に前記第1の信号が供給される場合は、前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをオフにすることで、前記第2の容量素子を前記積分回路から電気的に切り離し、
前記電流検出回路に前記第2の信号が供給される場合は、前記第1のスイッチと前記第2のスイッチをオンにすることで、前記第1の容量素子と前記第2の容量素子とが並列に電気的に接続されることを特徴とする入出力装置。 - 請求項1において、
前記カウンターには前記第1のクロック信号及び第2のクロック信号が入力され、
前記積分回路が有するスイッチ及び前記ラッチには前記第1のクロック信号が入力され、
前記第1のクロック信号は、前記第2のクロック信号よりも、2倍以上周波数が高いことを特徴とする入出力装置。
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