JP6742808B2 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明を行う。
表示部11は、マトリクス状に配置された複数の画素12と、複数の走査線GLと、複数の信号線SLを有し、画像を表示する機能を有する。
走査線駆動回路13は、走査線GLを介して、画素12に電気的に接続されている。走査線駆動回路13は走査線GLに走査信号を出力する機能を有する。走査線駆動回路13を、ゲートドライバと呼ぶ場合もある。
IC20_1は、回路21_1、信号線駆動回路22_1、タッチセンサ駆動回路23及びタッチセンサ検出回路24を有する。IC20_2は、回路21_2及び信号線駆動回路22_2を有する。同様に、IC20_mは、回路21_m及び信号線駆動回路22_mを有する。なお、以下において、IC20_1乃至20_mをまとめて、IC20と呼称し、信号線駆動回路22_1乃至22_mをまとめて、信号線駆動回路22と呼称する場合がある。
信号線駆動回路22は、表示部11に映像信号(ビデオ信号ともいう)を出力する機能を有する。信号線駆動回路22は、信号線SLを介して、表示部11が有する画素12にアナログ信号である映像信号を供給する機能を有する。例えば信号線駆動回路22として、シフトレジスタ回路とバッファ回路を組み合わせた構成を有することができる。また、表示装置10は、信号線SLに接続するデマルチプレクサ回路を有していてもよい。なお、信号線駆動回路22をソースドライバと呼ぶ場合もある。
タッチセンサ駆動回路23は、配線CLxを介して、タッチセンサ14に電気的に接続される。タッチセンサ駆動回路23は、タッチセンサ14が有するセンサ素子を駆動する信号を出力する機能を有する。タッチセンサ駆動回路23としては、例えばシフトレジスタ回路とバッファ回路を組み合わせた構成を用いることができる。
タッチセンサ検出回路24は、配線CLyを介して、タッチセンサ14に電気的に接続される。タッチセンサ検出回路24は、タッチセンサ14が有するセンサ素子からの出力信号を回路21_1に出力する機能を有する。例えばタッチセンサ検出回路24として、増幅回路と、アナログデジタル変換回路(ADC:Analog−Digital Converter)を有する構成を用いることができる。タッチセンサ検出回路24は、タッチセンサ14から出力されるアナログ信号を、デジタル信号に変換して回路21_1に出力する。
回路21_1は画像処理回路25_1及びRAM26_1を有する。同様に、回路21_mは画像処理回路25_m及びRAM26_mを有する。なお、以下では画像処理回路25_1乃至25_mをまとめて画像処理回路25と呼称し、RAM26_1乃至26_mをまとめてRAM26と呼称する場合がある。
ホスト16は、CPU27及びタイミングコントローラ28を有する。
タイミングコントローラ28は、表示部11の書き換えのタイミングを決定する各種の同期信号が入力される。同期信号としては、例えば水平同期信号、垂直同期信号、および基準クロック信号等があり、タイミングコントローラ28は、これらの信号から走査線駆動回路13、信号線駆動回路22及びタッチセンサ駆動回路23の制御信号を生成する。またタイミングコントローラ28は、タッチセンサ検出回路24が信号を出力するタイミングを規定する信号を生成する機能を有していてもよい。ここで、タイミングコントローラ28は、走査線駆動回路13に出力する信号と、タッチセンサ駆動回路23に出力する信号とに、それぞれ同期させた信号を出力することが好ましい。特に、表示部11のデータを書き換える期間と、タッチセンサ14でセンシングする期間を、それぞれ分けることが好ましい。例えば、1フレーム期間を、表示部11のデータを書き換える期間と、センシングする期間とに分けて表示装置10を駆動することができる。また、例えば1フレーム期間中に2以上のセンシングの期間を設けることで、検出感度及び検出精度を高めることが可能になる。
CPU27は、命令を実行し、表示装置10を統括的に制御するための機能を有する。CPU27が実行する命令は、外部から入力される命令、および内部メモリに格納された命令である。CPU27は、タイミングコントローラ28、画像処理回路25を制御する信号を生成する。
タッチセンサ14は、被検知体の表示装置10への接触、または近接を検知する複数のセンサ素子を有する。タッチセンサ14に用いることが可能なタッチセンサの方式としては、例えば静電容量方式を適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。
図2(A)は、タッチセンサ14の一例として相互容量方式のタッチセンサを用いた場合の構成例を示すブロック図である。なお図2(A)では、一例として、パルス電圧が与えられる配線CLxをX1−X6の6本の配線、電流の変化を検知する配線CLyをY1−Y6の6本の配線として示している。なお、配線の数は、これに限定されない。また図2(A)は、配線CLxおよび配線CLyが重畳すること、または、配線CLxおよび配線CLyが近接して配置されることで形成される容量29を図示している。
図1に示すタイミングコントローラ28は、IC20に含めてもよい。その場合の回路図を図3に示す。
図4(A)は表示装置10の模式図である。図4(A)は、表示部11及びタッチセンサ14とその周辺回路の位置関係を示している。図4に示す模式図は、基板18上に、表示部11、タッチセンサ14、走査線駆動回路13L、走査線駆動回路13R、デマルチプレクサ15、FPC(Flexible printed circuits)19、IC20_1、IC20_2及びIC20_3を有する。中央にIC20_1が配置され、その両隣にIC20_2及び20_3が配置されている。IC20_1乃至20_3はFPC19を介して、ホスト16に接続されている。タッチセンサ14は、図4(A)のように、基板18上に表示部11と同じ位置に形成されていてもよいし、基板18と異なる基板に形成されていてもよい。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明を行う。
図8は、本発明の一態様の表示装置100の構成例を示す回路ブロック図である。表示装置100は、表示部11と、タッチセンサ14と、走査線駆動回路13と、IC200_1及びIC200_2と、ホスト16とを有する。
図12(A)は表示装置100の模式図である。図12(A)は、表示部11及びタッチセンサ14とその周辺回路の位置関係を示している。図12に示す模式図は、基板18上に、表示部11、タッチセンサ14、走査線駆動回路13L、走査線駆動回路13R、デマルチプレクサ15、FPC19、IC200_1及びIC200_2を有する。IC200_1、200_2はFPC19を介して、ホスト16に接続されている。タッチセンサ14は、図12のように、基板18上に表示部11と同じ位置に形成されていてもよいし、基板18と異なる基板に形成されていてもよい。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置に適用可能なセンシング方式について説明を行う。
図14乃至図21は、表示装置10または表示装置100のセンシング方式を説明する断面模式図である。図14乃至図21は、タッチセンサ14として、相互容量方式のタッチセンサを用いた場合の構成例を示している。図14乃至図16は、画素12に設けられる表示素子として液晶素子を適用した例を示し、図17乃至図21は、画素12に設けられる表示素子としてEL素子を適用した例を示す。なお、図14乃至図21は模式図であり、説明を単純にするために幾つかの構成要素は省略されている。
図14(A)に示す表示装置は、基板18、基板30、FPC19、IC20(またはIC200)、液晶素子32、着色膜31、導電膜33、導電膜38、導電膜39等を有する。液晶素子32は、導電膜34、導電膜35及び液晶36により構成される。ここでは液晶素子32としてFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された液晶素子を用いた場合の例を示している。導電膜34上には絶縁膜37を介して導電膜35が配置されている。導電膜35は一例として櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上面形状(平面形状ともいう)を有する。導電膜34および導電膜35は、一方がコモン電極として機能し、他方が画素電極として機能する。
図17(A)に示す表示装置は、基板18、基板70、FPC19、IC20(またはIC200)、EL素子73、絶縁膜78、絶縁膜87、導電膜72、導電膜79、導電膜80、導電膜81、着色膜71、遮光膜77等を有する。なお、図示されていないが基板18とEL素子73の間には、TFTなど、トランジスタを有することが好ましい。また、導電膜79はトランジスタのゲート電極、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有することが好ましい。
図17乃至図19に示す表示装置は、基板70側から光を取り出すトップエミッション型である。これに対し、基板18側から光を取り出すボトムエミッション型の例を図20及び図21に示す。
本発明の一態様の表示装置は、IC20(またはIC200)をFPC19上に配置してもよい。その場合の構成例を図22に示す。
本実施の形態は、上記実施の形態に示した表示装置に適用可能な、表示装置の回路構成例について、図23及び図24を用いて説明を行う。
本実施の形態は、上記実施の形態に示した表示装置の断面構成の例について、図面を参照して説明する。なお、本実施の形態では、表示素子として液晶素子を用いた例について説明を行う。表示素子としてEL素子を用いた例については、実施の形態6で説明を行う。
図25は表示装置の断面模式図である。図25では、図12におけるFPC19を含む領域、走査線駆動回路13(走査線駆動回路13Lまたは13Rのどちらか一方)を含む領域、表示部11を含む領域のそれぞれの断面を示している。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板として用いてもよい。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電膜と、半導体層と、ソース電極として機能する導電膜と、ドレイン電極として機能する導電膜と、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜と、を有する。上記では、ボトムゲート型のトランジスタを適用した場合を示している。
酸化物半導体膜110は、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共にスタビライザーを含むことが好ましい。スタビライザーとしては、例えば、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、アルミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある。
次に、酸化物半導体の構造について説明する。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電膜に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
酸化物半導体膜110及び導電膜34、34gに用いることのできる酸化物半導体膜は、膜中の酸素欠損及び/又は膜中の水素、水等の不純物濃度によって、抵抗率を制御することができる半導体材料である。そのため、酸化物半導体膜110及び導電膜34、34gへ酸素欠損及び/又は不純物濃度が増加する処理、または酸素欠損及び/又は不純物濃度が低減する処理を選択することによって、それぞれの酸化物半導体膜の抵抗率を制御することができる。
トランジスタ150のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜106、107としては、プラズマCVD(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。なお、絶縁膜106、107の積層構造とせずに、上述の材料から選択された単層の絶縁膜を用いてもよい。
トランジスタ150の保護絶縁膜として機能する絶縁膜114、116、118としては、プラズマCVD法、スパッタリング法等により、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜および酸化ネオジム膜を一種以上含む絶縁膜を、それぞれ用いることができる。
接着層としては、熱硬化樹脂や光硬化樹脂、2液混合型の硬化性樹脂などの硬化性樹脂を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
着色膜に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
図28には、上記構成例とは一部の構成の異なる表示装置の断面構成例について示している。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様の表示装置の断面構成の例について、図面を参照して説明する。本実施の形態では、表示素子としてEL素子を用いた例について説明を行う。なお、実施の形態5と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
図30は表示装置の断面模式図である。図30では、図12におけるFPC19を含む領域、走査線駆動回路13(走査線駆動回路13Lまたは13Rのどちらか一方)を含む領域、表示部11を含む領域のそれぞれの断面を示している。
EL素子73の詳細について説明を行う。図42(A)に示すEL素子73は、一対の電極(導電膜76、導電膜74)間にEL層75が挟まれた構造を有する。なお、図42(A)、(B)において、導電膜76は陽極として、導電膜74は陰極として、説明を行うものとする。
図33には、図30とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示している。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
図37には、上記構成例とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示している。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
図40には、図37とは一部の構成の異なるタッチパネルの断面構成例について示している。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様の表示装置を用いることが可能な電子機器の一例について説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることが可能で、且つ、実施の形態3に示すトランジスタとは異なる構成のトランジスタについて、図45乃至図52を参照して説明する。
図45(A)は、トランジスタ270の上面図であり、図45(B)は、図45(A)に示す一点鎖線A1−A2間における切断面の断面図に相当し、図45(C)は、図45(A)に示す一点鎖線B1−B2間における切断面の断面図に相当する。なお、一点鎖線A1−A2方向をチャネル長方向、一点鎖線B1−B2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
次に、図45(A)乃至(C)に示すトランジスタ270と異なる構成例について、図46(A)乃至(D)を用いて説明する。
図49(A)、(B)に、薄膜のシリコン膜を用いたトランジスタの断面図を例示する。図49(A)、(B)では、nチャネル型のトランジスタ470と、pチャネル型のトランジスタ471とを示す。
CLy 配線
GDL 配線
CLx_1 配線
CLx_2 配線
CLy_1 配線
CLy_2 配線
Gt1 端子
Gt2 端子
Ht1 端子
Ht2 端子
Rt1 端子
St1 端子
St2 端子
Tt1 端子
10 表示装置
11 表示部
12 画素
12G 画素
12R 画素
13 走査線駆動回路
13L 走査線駆動回路
13R 走査線駆動回路
14 タッチセンサ
15 デマルチプレクサ
16 ホスト
18 基板
19 FPC
20 IC
20_m IC
20_1 IC
20_2 IC
20_3 IC
21_m 回路
21_1 回路
21_2 回路
21_3 回路
22 信号線駆動回路
22_m 信号線駆動回路
22_1 信号線駆動回路
22_2 信号線駆動回路
22_3 信号線駆動回路
23 タッチセンサ駆動回路
24 タッチセンサ検出回路
25 画像処理回路
25_m 画像処理回路
25_1 画像処理回路
25_2 画像処理回路
25_3 画像処理回路
26 RAM
26_m RAM
26_1 RAM
26_2 RAM
26_3 RAM
27 CPU
28 タイミングコントローラ
28_1 タイミングコントローラ
28_2 タイミングコントローラ
29 容量
30 基板
31 着色膜
31G 着色膜
31R 着色膜
32 液晶素子
33 導電膜
34 導電膜
34a 導電膜
34b 導電膜
34g 導電膜
35 導電膜
35a 導電膜
35b 導電膜
36 液晶
37 絶縁膜
38 導電膜
39 導電膜
40 導電膜
41 導電膜
41a 導電膜
41b 導電膜
43 絶縁膜
44 導電膜
44a 導電膜
44b 導電膜
45 導電膜
46 絶縁膜
63 トランジスタ
64 液晶素子
65_1 ブロック
65_2 ブロック
66 トランジスタ
67 トランジスタ
68 EL素子
69 絶縁膜
70 基板
71 着色膜
71G 着色膜
71R 着色膜
72 導電膜
73 EL素子
74 導電膜
75 EL層
75a 電荷発生層
76 導電膜
77 遮光膜
78 絶縁膜
79 導電膜
79a 導電膜
79b 導電膜
79g 導電膜
80 導電膜
81 導電膜
82 導電膜
82a 導電膜
82b 導電膜
83 導電膜
84 導電膜
84a 導電膜
84b 導電膜
85 導電膜
86 絶縁膜
87 絶縁膜
88 絶縁膜
89 導電膜
90 導電膜
91 導電膜
91a 導電膜
91b 導電膜
92 絶縁膜
93 EL素子
94 導電膜
95 EL層
96 導電膜
100 表示装置
104 ゲート電極
104a 導電膜
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 絶縁膜
110 酸化物半導体膜
112 導電膜
112a ソース電極
112b ドレイン電極
114 絶縁膜
116 絶縁膜
117 絶縁膜
118 絶縁膜
119 絶縁膜
150 トランジスタ
151 シール材
160 容量素子
200 IC
200_1 IC
200_2 IC
200_3 IC
202 基板
204 導電膜
206 絶縁膜
207 絶縁膜
208 酸化物半導体膜
208a 酸化物半導体膜
208b 酸化物半導体膜
208c 酸化物半導体膜
211a 導電膜
211b 導電膜
212a 導電膜
212b 導電膜
214 絶縁膜
216 絶縁膜
218 絶縁膜
219 絶縁膜
220b 導電膜
252a 開口部
252b 開口部
252c 開口部
270 トランジスタ
270A トランジスタ
270B トランジスタ
301 トランジスタ
306 接続部
307 接続部
309 接続層
316 スペーサ
319 接続層
332 遮光膜
333 開口
335 導電膜
336 開口
341 導電膜
355 絶縁膜
375 FPC
385 開口
470 トランジスタ
470A トランジスタ
471 トランジスタ
472 基板
473 導電膜
473a 導電膜
473b 導電膜
474 絶縁膜
475 半導体膜
476 絶縁膜
477 導電膜
477a 導電膜
477b 導電膜
478 絶縁膜
479 絶縁膜
480 導電膜
481 導電膜
482 チャネル形成領域
483 LDD領域
484 不純物領域
485 導電膜
486 半導体膜
487a 導電膜
487b 導電膜
488 導電膜
489 導電膜
490 チャネル形成領域
491 不純物領域
493 開口
494 開口
495 開口
496 開口
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
Claims (9)
- 表示部と、
タッチセンサと、
第1のICと、
第2のICと、を有し、
前記表示部は第1信号線および第2信号線を有し、
前記第1のICは、第1端子、第1タッチセンサ用端子およびタッチセンサ駆動回路を有し、
前記第2のICは、第2端子、第2タッチセンサ用端子およびタッチセンサ検出回路を有し、
前記第1のICは、前記第1端子および前記第1信号線を介して、前記表示部に第1映像信号を入力し、
前記第2のICは、前記第2端子および前記第2信号線を介して、前記表示部に第2映像信号を入力し、
前記タッチセンサは第1配線および第2配線を有し、
前記タッチセンサは、前記第1配線と前記第2配線との間の容量の変化によって入力を検知し、
前記タッチセンサ駆動回路は、前記第1タッチセンサ用端子を介して前記第1配線に電気的に接続され、
前記タッチセンサ検出回路は、前記第2タッチセンサ用端子を介して前記第2配線に電気的に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
液晶と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記第1配線は、前記液晶を介して、前記第2配線と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺と、前記第1の辺の対辺に位置する第2の辺を有し、
前記第2の面は第3の辺と、前記第3の辺の対辺に位置する第4の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第1の辺に配置され、
前記第2端子は前記第3の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第4の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
液晶と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記液晶は、前記第1配線を介して、前記基板と重なる領域を有し、
前記液晶は、前記第2配線を介して、前記基板と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺を有し、
前記第2の面は第2の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第1の辺に配置され、
前記第2端子は前記第2の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第2の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
液晶と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記第1配線は、前記液晶を介して、前記基板と重なる領域を有し、
前記第2配線は、前記液晶を介して、前記基板と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺と、前記第1の辺の対辺に位置する第2の辺を有し、
前記第2の面は第3の辺と、前記第3の辺の対辺に位置する第4の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第2の辺に配置され、
前記第2端子は前記第3の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第4の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
EL層と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記第1配線は、前記EL層を介して、前記基板と重なる領域を有し、
前記第2配線は、前記EL層を介して、前記基板と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺と、前記第1の辺の対辺に位置する第2の辺を有し、
前記第2の面は第3の辺と、前記第3の辺の対辺に位置する第4の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第2の辺に配置され、
前記第2端子は前記第3の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第4の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
EL層と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記第1配線は、前記基板を介して、前記EL層と重なる領域を有し、
前記基板は、前記第2配線を介して、前記EL層と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺と、前記第1の辺の対辺に位置する第2の辺を有し、
前記第2の面は第3の辺と、前記第3の辺の対辺に位置する第4の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第1の辺に配置され、
前記第2端子は前記第3の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第4の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
EL層と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記基板は、前記第1配線を介して、前記EL層と重なる領域を有し、
前記基板は、前記第2配線を介して、前記EL層と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺を有し、
前記第2の面は第2の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第1の辺に配置され、
前記第2端子は前記第2の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第2の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
基板と、
EL層と、を有し、
前記第1のICは前記基板上に配置され、
前記第2のICは前記基板上に配置され、
前記第1配線は、前記基板を介して、前記EL層と重なる領域を有し、
前記第2配線は、前記基板を介して、前記EL層と重なる領域を有し、
前記第1のICは、前記基板と向かい合う第1の面を有し、
前記第2のICは、前記基板と向かい合う第2の面を有し、
前記第1の面は第1の辺と、前記第1の辺の対辺に位置する第2の辺を有し、
前記第2の面は第3の辺と、前記第3の辺の対辺に位置する第4の辺を有し、
前記第1端子は前記第1の辺に配置され、
前記第1タッチセンサ用端子は前記第2の辺に配置され、
前記第2端子は前記第3の辺に配置され、
前記第2タッチセンサ用端子は前記第4の辺に配置されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の表示装置と、
マイクロフォン、スピーカおよび操作キーのうちの少なくとも1つと、を有する電子機器。
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