JP6027903B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
タッチセンサ(22)を備える表示パネル(21)に接続可能な半導体装置(1)であって、以下のように構成される。
項1において、前記接続切替回路は、変換電圧レベルを設定可能なレベルシフト回路(9)を含み、前記レベルシフト回路は、前記接続切替回路によって選択される、前記表示駆動回路または前記タッチ検出信号駆動回路が出力すべき信号振幅に応じて、前記変換電圧レベルを設定可能である。
項2において、電源回路(26)をさらに備える。
項3において、外部から供給される電源の電圧が所定の電位レベルを超えたことを検知して内部リセット信号を出力するリセット回路(27)をさらに備える。
項4において、前記リセット回路から前記リセット信号が入力され、前記接続切替回路による接続切替えを動作と、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作と、前記変換電圧レベルの設定動作と、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給の開始を制御可能な、MPU(25)をさらに備える。
タッチ検出信号(17)が入力されタッチセンス信号(16)を出力するタッチセンサ(22)を備え、液晶に印加すべき電圧が入力される表示パネルソース端子群(14)と、前記電圧が入力されるべき液晶の位置を指定する信号が入力される表示パネルゲート端子群(15)とを備える、液晶表示パネル(21)に接続可能な半導体装置(1)であって、以下のように構成される。
項6において、前記第1端子群(GIP/Tx切替端子)は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺において、前記ソース出力端子群より外側に配置される。
項6において、前記第1端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側と、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に分けて配置される。
項6において、第2端子群(GIP/Tx/Rx切替端子)と、前記タッチセンス信号を受信するタッチ状態検出回路(8)と、第2接続切替回路(3)と、前記第2端子群のそれぞれに接続され第2保護電圧レベルを変更可能な第2保護回路(4)とをさらに備える。
項9において、前記第1端子群(GIP/Tx切替え端子)は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺において、前記ソース出力端子群より外側に配置され、前記第2端子群(GIP/Tx/Rx切替え端子)は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺において、前記ソース出力端子群より外側で、前記第1端子群より内側に配置される。
項9において、前記第1端子群(GIP/Tx切替え端子)は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側と、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に分けて配置される。
項9において、前記第1端子群(GIP/Tx切替え端子)は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側と、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に分けて配置される。
項6において、電源回路(26)をさらに備える。
項13において、外部から供給される電源の電圧が所定の電位レベルを超えたことを検知して内部リセット信号を出力するリセット回路(27)をさらに備える。
項14において、前記リセット回路から前記リセット信号が入力され、前記接続切替回路による接続切替え動作と、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作と、前記変換電圧レベルの設定動作と、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給の開始を制御可能な、MPU(25)をさらに備える。
実施の形態について更に詳述する。
図1は、代表的な実施形態に係る半導体装置の要部の構成を表すブロック図であり、図2は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成例と、それを搭載したタッチセンサ付き表示パネルの構成を表すブロック図である。
より詳細な実施形態について説明する。まず、図2について詳しく説明する。図2は、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成例とそれを搭載したタッチセンサ付き表示パネルの構成を表すブロック図である。
図16は、実施形態2に係る半導体装置の端子配置図である。
2 端子
3 切替回路
4 保護回路
5 切替え制御回路(保護電圧設定回路)
6 表示駆動回路(GDRV:Gout信号生成回路)
7 タッチ検出信号駆動回路(TxD:Tx信号生成回路)
8 タッチ状態検出回路(RxR:Rx回路)
9 レベルシフト回路(L/S)
10 保護ダイオード
11 保護電圧切替えスイッチ
12 シフト電圧切替えスイッチ
13 信号切替えスイッチ
14 表示パネルソース端子(群)
15 表示パネルゲート端子(群)
16 タッチセンサ検出端子(群)
17 タッチセンサ駆動端子(群)
18 ゲートドライバ
20 ホストプロセッサ(HOST)
21 表示パネル
22 タッチセンサ
23 表示パネル駆動回路
24 タッチコントロール回路
25 MPU
26 DCDC変換回路
27 パワーオンリセット回路(POR)
28 ソース駆動回路(Source Driver)
29 タイミングコントローラ(TMGG)
30 バッファ(BUF)
31 ホストインターフェース(HSTIF)
32 RAM
33 制御回路(CNT)
40 TFTガラス
41 カラーフィルタガラス
42 タッチパネルガラス
43 カバーガラス
44 FPC(Flexible Printed Circuit)
45 タッチ検出信号印加電極
46 タッチセンス信号検知電極
Claims (15)
- タッチセンサを備える表示パネルに接続可能であり、
端子と、
前記表示パネルを駆動するための表示駆動回路と、
前記タッチセンサにタッチ検出信号を印加するためのタッチ検出信号駆動回路と、
前記タッチセンサを観測した信号を受信するタッチ状態検出回路と、
接続切替回路と、
前記端子に接続され保護電圧レベルを変更可能な保護回路と、
前記保護電圧レベルを変更する制御が可能な保護電圧設定回路とを備え、
前記接続切替回路は、前記表示駆動回路と前記タッチ検出信号駆動回路と前記タッチ状態検出回路のうちの少なくとも2つから1つを選択して前記端子との接続を切り替えることが可能であり、
前記保護電圧設定回路は、前記接続切替回路によって選択される回路の信号振幅に応じて前記保護回路の保護電圧レベルを設定可能に構成される、半導体装置。 - 請求項1において、前記接続切替回路は、変換電圧レベルを設定可能なレベルシフト回路を含み、
前記レベルシフト回路は、前記接続切替回路によって選択される、前記表示駆動回路または前記タッチ検出信号駆動回路が出力すべき信号振幅に応じて、前記変換電圧レベルを設定可能である、半導体装置。 - 請求項2において、電源回路をさらに備え、
前記電源回路は、外部から供給される電源から、前記表示駆動回路が出力すべき信号振幅に応じた第1電源と、前記タッチ検出信号駆動回路が出力すべき信号振幅に応じた第2電源とを発生させることが可能な回路であり、
前記第1電源と前記第2電源は、前記保護電圧設定回路と前記レベルシフト回路に供給され、
前記保護電圧設定回路は、前記接続切替回路によって選択される回路の信号振幅に応じて、前記第1電源と前記第2電源を含む電源からいずれかの電源を選択することにより、前記保護回路の保護電圧レベルを設定可能に構成され、
前記レベルシフト回路は、前記接続切替回路によって選択される、前記表示駆動回路または前記タッチ検出信号駆動回路が出力すべき信号振幅に応じて、前記第1電源と前記第2電源を含む電源からいずれかの電源を選択することにより、前記変換電圧レベルを設定可能である、半導体装置。 - 請求項3において、外部から供給される電源の電圧が所定の電位レベルを超えたことを検知して内部リセット信号を出力するリセット回路をさらに備え、
前記半導体装置は、前記リセット回路が前記リセット信号を出力した後に、前記接続切替回路による接続切替えを動作させ、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作させ、前記変換電圧レベルの設定を行い、さらにその後、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給を開始する、半導体装置。 - 請求項4において、前記リセット回路から前記リセット信号が入力され、前記接続切替回路による接続切替えを動作と、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作と、前記変換電圧レベルの設定動作と、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給の開始を制御可能な、MPUをさらに備え、
前記MPUは、前記リセット信号が入力されたときに、ブートプログラムを実行することにより、前記接続切替回路による接続切替えを動作させ、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作させ、前記変換電圧レベルの設定を行い、さらにその後、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給を開始する、半導体装置。 - タッチ検出信号が入力されタッチセンス信号を出力するタッチセンサを備え、液晶に印加すべき電圧が入力される表示パネルソース端子群と、前記電圧が入力されるべき液晶の位置を指定する信号が入力される表示パネルゲート端子群とを備える、液晶表示パネルに接続可能であり、
ホストインターフェース端子群と、前記表示パネルソース端子群を駆動する信号を出力するソース出力端子群と、第1端子群と、
前記ホストインターフェース端子群から入力される表示データに基づいて、前記表示パネルソース端子群と前記表示パネルゲート端子群とを駆動するための表示パネル駆動回路と、
前記タッチ検出信号を送信するためのタッチ検出信号駆動回路と、
第1接続切替回路と、
前記第1端子群のそれぞれに接続され第1保護電圧レベルを変更可能な第1保護回路と、
前記第1保護電圧レベルを変更する制御が可能な保護電圧設定回路とを備え、
前記第1接続切替回路は、変換電圧レベルを設定可能なレベルシフト回路を含み、前記表示パネル駆動回路の前記表示パネルゲート端子群を駆動する信号を出力する回路と前記タッチ検出信号駆動回路のうちの選択されたいずれか一方が出力すべき信号振幅に応じて、前記変換電圧レベルが設定された前記レベルシフト回路によって信号振幅レベルを変換して前記第1端子群へ接続することが可能であり、
前記保護電圧設定回路は、前記第1接続切替回路によって選択される回路の信号振幅に応じて前記第1保護電圧レベルを設定可能に構成される、半導体装置。 - 請求項6において、前記第1端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺において、前記ソース出力端子群より外側に配置される、半導体装置。
- 請求項6において、前記第1端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側と、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に分けて配置される、半導体装置。
- 請求項6において、
第2端子群と、
前記タッチセンス信号を受信するタッチ状態検出回路と、
第2接続切替回路と、
前記第2端子群のそれぞれに接続され第2保護電圧レベルを変更可能な第2保護回路とをさらに備え、
前記第2接続切替回路は、前記表示パネル駆動回路の前記表示パネルゲート端子群を出力する回路と前記タッチ検出信号駆動回路と前記タッチ状態検出回路のうち1つを選択して前記第2端子群との接続を切り替えることが可能であり、
前記保護電圧設定回路は、前記第2接続切替回路によって選択される回路の信号振幅に応じて前記第2保護電圧レベルを設定可能に構成される、半導体装置。 - 請求項9において、前記第1端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺において、前記ソース出力端子群より外側に配置され、
前記第2端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺において、前記ソース出力端子群より外側で、前記第1端子群より内側に配置される、半導体装置。 - 請求項9において、前記第1端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側と、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に分けて配置され、
前記第2端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に配置される、半導体装置。 - 請求項9において、前記第1端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側と、前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側に分けて配置され、
前記第2端子群は、前記ソース出力端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ソース出力端子群より外側で前記第1端子群より内側と、
前記ソース出力端子群が配置される辺の逆側で、前記ホストインターフェース端子群が配置される辺と同じ辺の、前記ホストインターフェース端子群より外側で前記第1端子群より内側に分けて配置される、半導体装置。 - 請求項6において、電源回路をさらに備え、
前記電源回路は、外部から供給される電源から、前記表示駆動回路が出力すべき信号振幅に応じた第1電源と、前記タッチ検出信号駆動回路が出力すべき信号振幅に応じた第2電源とを発生させることが可能な回路であり、
前記第1電源と前記第2電源は、前記保護電圧設定回路と前記レベルシフト回路に供給され、
前記保護電圧設定回路は、前記接続切替回路によって選択される回路の信号振幅に応じて、前記第1電源と前記第2電源を含む電源からいずれかの電源を選択することにより、前記保護回路の保護電圧レベルを設定可能に構成され
前記レベルシフト回路は、前記接続切替回路によって選択される、前記表示駆動回路または前記タッチ検出信号駆動回路が出力すべき信号振幅に応じて、前記第1電源と前記第2電源を含む電源からいずれかの電源を選択することにより、前記変換電圧レベルを設定可能である、半導体装置。 - 請求項13において、外部から供給される電源の電圧が所定の電位レベルを超えたことを検知して内部リセット信号を出力するリセット回路をさらに備え、
前記半導体装置は、前記リセット回路が前記リセット信号を出力した後に、前記接続切替回路による接続切替えを動作させ、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作させ、前記変換電圧レベルの設定を行い、さらにその後、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給を開始する、半導体装置。 - 請求項14において、前記リセット回路から前記リセット信号が入力され、前記接続切替回路による接続切替え動作と、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作と、前記変換電圧レベルの設定動作と、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給の開始を制御可能な、MPUをさらに備え、
前記MPUは、前記リセット信号が入力されたときに、ブートプログラムを実行することにより、前記接続切替回路による接続切替えを動作させ、前記保護電圧設定回路による保護電圧レベルの設定を動作させ、前記変換電圧レベルの設定を行い、さらにその後、前記電源回路による前記第1電源と前記第2電源の供給を開始する、半導体装置。
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