JP6587112B2 - キャパシタ - Google Patents
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Description
特許文献1には、トレンチキャパシタを備える電力用半導体について開示されている。特許文献1に記載の電力用半導体は、ユニポーラ動作と同等の動作をする還流ダイオードと、還流ダイオードに並列接続されたキャパシタ及び抵抗を有する半導体回路を備える。この半導体回路は、抵抗の少なくとも一部として機能する。さらに半導体回路は、抵抗の値が環流ダイオードに含まれる抵抗値よりも少なくとも大きい半導体基体と、半導体基体をキャパシタの一方の電極とし、半導体基体の一主面上の所定エリアに、所定エリアの面積よりも大きい表面積を有して設けられた誘電体領域とを備える。
以下、添付の図1〜図4を参照して本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るキャパシタ1の平面図である。図1を参照して、キャパシタ1の平面構造について説明する。なお、図1においては、キャパシタ1の平面構造における特徴の少なくとも一部を説明するのに必要な構成を抽出して記載しているが、キャパシタ1の平面構造における特徴が、他の図面において図示される構成によって特定されることを妨げるものではない。
図2を用いてキャパシタ1の断面構造について説明する。図2は、図1のAA´断面であり、本発明の第1実施形態に係るキャパシタ1の構成例を概略的に示す断面図である。図2に示すように、キャパシタ1は、基板301と、下部電極302と、誘電膜303と、バッファ膜304と、上部電極305と、絶縁膜306を備えている。
基板301には複数のトレンチ100及び複数のダミートレンチ200が形成されている。
次に、図3を用いて本実施形態に係るキャパシタ1におけるダミートレンチ200の機能について説明する。図3は本実施形態に係るキャパシタ1の断面図(図2)の一部を抜粋して拡大した図である。例えば、キャパシタ1が電力用半導体装置等の高い電圧で駆動する装置に用いられた場合、キャパシタ1にも強い電界が加えられる。この結果、キャパシタ1には電界集中によって、沿面放電が発生する場合がある。沿面放電の起点となるのは、例えば、図3において丸で囲んだ点P1〜P3の箇所である。
次に、図4を用いて、リングトレンチ400の構成及び機能について詳細に説明する。図4は、図1のBB´断面の一部を抜粋した図である。
第2の実施形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
その他の構成・効果は、第1実施形態と同様である。
図6は、本実施形態に係るキャパシタ1の構成例を示す断面図である。なお、図2に示したキャパシタ1と同等の構成には、同等の符号を付して説明を省略する。
その他の構成・効果は、第1実施形態及び第2実施形態と同様である。
図7は、本実施形態に係るキャパシタ1の構成例を示す平面図である。なお、図1及び図2に示したキャパシタ1と同等の構成には、同等の符号を付して説明を省略する。
その他の構成・効果は、第1実施形態と同様である。
図8は、本実施形態に係るキャパシタ1の構成例を示す平面図である。なお、図1及び図2に示したキャパシタ1と同等の構成には、同等の符号を付して説明を省略する。
その他の構成・効果は第1実施形態及び第2実施形態と同様である。
以外に設けられるダミートレンチ200よりも開口部の第1方向に沿った長さが大きいことが好ましい。本発明の実施形態に係るキャパシタ1では、キャパシタ形成領域Rの境界近傍に形成されるダミートレンチ200の溝を深くすることによって、上部電極305による応力の集中を防ぐことができる。さらに、キャパシタ形成領域Rとの境界近傍以外に形成されるダミートレンチ200の開口部の第1方向に沿った長さを小さくすることによって、より多くのダミートレンチ200を形成することが可能になる。
また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
100、101 トレンチ
200、201、202、203 ダミートレンチ
301 基板
302 下部電極
303 誘電膜
304 バッファ膜
305 上部電極
325 端子
306 絶縁膜
Claims (7)
- 基板と、
前記基板に設けられた1つ以上のトレンチと、
前記基板上に設けられた第1電極、誘電膜および第2電極と、
前記トレンチ上における前記第2電極上に設けられ、表面に窪みが形成された端子電極と、
前記端子電極上に設けられた絶縁膜と、を有し、
前記絶縁膜と、前記端子電極と、前記絶縁膜と前記端子電極との接触箇所の外部と、は前記窪み上で接触し、
前記端子電極の頂点と前記接触箇所とは高低差を有する、キャパシタ。 - 請求項1において、
前記接触箇所は、前記窪みのうち最も深い位置から離間した、前記端子電極の中央側に寄った位置に設けられ、
前記絶縁膜は前記窪みのうち最も深い位置を覆う、キャパシタ。 - 請求項1において、
前記接触箇所は、前記窪みのうち最も深い位置から離間した、前記端子電極の端部側に寄った位置に設けられる、キャパシタ。 - 請求項1から3のいずれか一項において、
前記絶縁膜の端部は鉛直方向とのなす角が0°以上90°未満である、キャパシタ。 - 請求項1から4のいずれか一項において、
前記トレンチは、輪状の開口部を有するリングトレンチであり、
前記窪みは、平面視において、前記端子電極の周縁に沿って形成され、
前記端子電極の頂点が、前記端子電極の中央領域に位置する、キャパシタ。 - 請求項5において、
前記絶縁膜は、前記端子電極の前記中央領域に穴を有する、キャパシタ。 - 請求項1から6のいずれか一項において、
前記端子電極は、前記窪みから前記端子電極の中央部に向かうにつれて盛り上がる断面形状を有する、キャパシタ。
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US7554148B2 (en) * | 2006-06-27 | 2009-06-30 | United Microelectronics Corp. | Pick-up structure for DRAM capacitors |
JP2008153497A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法 |
DE102007009383A1 (de) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2008205180A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5023741B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-09-12 | 富士電機株式会社 | 信号伝送デバイス |
JP2008252011A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体キャパシタ |
JP2009010114A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体薄膜キャパシタ |
JP2014022600A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路 |
JP2015032665A (ja) | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 住友電気工業株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置 |
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