JP6574854B2 - 撮像素子実装用基板および撮像装置 - Google Patents

撮像素子実装用基板および撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6574854B2
JP6574854B2 JP2017558063A JP2017558063A JP6574854B2 JP 6574854 B2 JP6574854 B2 JP 6574854B2 JP 2017558063 A JP2017558063 A JP 2017558063A JP 2017558063 A JP2017558063 A JP 2017558063A JP 6574854 B2 JP6574854 B2 JP 6574854B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
inorganic substrate
wiring
wiring board
inorganic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017558063A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017110627A1 (ja
Inventor
晃司 三浦
晃司 三浦
加奈江 堀内
加奈江 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2017110627A1 publication Critical patent/JPWO2017110627A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6574854B2 publication Critical patent/JP6574854B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48155Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48157Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • H01L2224/49176Wire connectors having the same loop shape and height
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Description

本発明は、撮像素子、例えばCCD(Charge Coupled Device)型またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等の撮像素子が実装される配線基板および撮像装置に関するものである。
特開2008―187554号公報に開示されているように、無機基板と配線基板とで構成される撮像素子実装用基板が知られている。無機基板と配線基板とは一般的に、接合材により接合されている。また、この撮像素子実装用基板に撮像素子およびレンズホルダを実装することで撮像装置となる。
しかしながら、配線基板と無機基板とを接合する接合材の厚みはバラツキが生じやすく、配線基板と無機基板とでより精度のよい平行度を設けることが困難な場合があった。これにより、配線基板上に実装されるレンズホルダと無機基板との平行度をとることが困難な場合があった。
本発明の1つの態様に係る撮像素子実装用基板は、無機基板と配線基板と接合材とを備えている。無機基板は、上面の中央領域に撮像素子が実装される撮像素子実装部を有する。無機基板は、金属材料から成り、撮像素子実装部を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がった突起部を有する。配線基板は無機基板の上面に設けられ、撮像素子実装部を取り囲むとともに突起部と下面の一部が接する枠状である。配線基板は、上面にレンズ実装部を有する。接合材は無機基板と配線基板の間に設けられている。
本発明の1つの態様に係る撮像素子実装用基板は、無機基板と配線基板と接合材とを備えている。無機基板は、上面の中央領域に撮像素子が実装される撮像素子実装部を有する。無機基板は、撮像素子実装部を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がるとともに、連続した環状でない複数個の突起部を有する。配線基板は無機基板の上面に設けられ、撮像素子実装部を取り囲むとともに突起部と下面の一部が接する枠状である。配線基板は、上面にレンズ実装部を有する。接合材は無機基板と配線基板の間に設けられている。
本発明の1つの態様に係る撮像素子実装用基板は、無機基板と配線基板と接合材とを備えている。無機基板は、上面の中央領域に撮像素子が実装される撮像素子実装部を有する。無機基板は、撮像素子実装部を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がった曲線部を有する突起部を有する。配線基板は無機基板の上面に設けられ、撮像素子実装部を取り囲むとともに突起部の上面の一部のみと下面の一部が接する枠状である。配線基板は、上面にレンズ実装部を有する。接合材は無機基板と配線基板の間に設けられている。
本発明の1つの態様に係る撮像装置は、撮像素子実装用基板の無機基板の撮像素子実装部に実装された撮像素子と、配線基板のレンズ実装部に固定されたレンズホルダと、を備えている。
(a)は本発明の第1の実施形態に係る撮像子実装用基板および撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は(a)のA−A線に対応する縦断面図である。 (a)は本発明の第1の実施形態のその他の態様に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は(a)のB−B線に対応する縦断面図である。 本発明の第1の実施形態のその他の態様に係る電素子実装用基板の外観を示す下面図である。 (a)および(b)は、本発明の第1の実施形態のその他の態様に係る電素子実装用基板の外観を示す下面図である。 (a)は本発明の第2の実施形態に係る撮像素子実装用基板および撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は(a)のC−C線に対応する縦断面図である。 (a)は本発明の第3の実施形態に係る撮像素子実装用基板および撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は(a)のD−D線に対応する縦断面図である。 (a)は本発明の第4の実施形態に係る撮像素子実装用基板および撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は(a)のE−E線に対応する縦断面図である。 (a)および(b)は、本発明の第4の実施形態のその他の態様に係る撮像素子実装用基板の外観を示す下面図である。
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、撮像素子実装用基板に撮像素子が実装され、撮像素子実装用基板の上面に蓋体が接合された構成を撮像装置とする。撮像素子実装用基板および撮像装置は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいが、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方とする。
(第1の実施形態)
図1〜図4を参照して本発明の第1の実施形態における撮像装置21、および撮像素子実装用基板1について説明する。本実施形態における撮像装置21は、撮像素子実装用基板1と撮像素子10と、レンズホルダ19を備えているものであるが、図1はレンズホルダ19を省略している。
撮像素子実装用基板1は、無機基板4と配線基板2と接合材15とを備えている。無機基板4は、上面の中央領域に撮像素子10が実装される撮像素子実装部11を有する。無機基板4は、撮像素子実装部11を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がった突起部4aを有する。配線基板2は無機基板4の上面に設けられ、撮像素子実装部11を取り囲むとともに突起部4aと下面の一部が接する枠状である。配線基板2は、上面にレンズ実装部を有する。接合材15は無機基板4と配線基板2の間に設けられている。
撮像素子実装用基板1は、上面に撮像素子10が実装される撮像素子実装部11を有する無機基板4を有している。
無機基板4を構成する材料は例えば、高い熱伝導率を有する材料が使用される。無機基板4を形成する材料として例えば、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはシリコン(Si)等が挙げられるがその他の材料であってもよい。なお、無機基板4を形成する材料として、例えば窒化アルミニウム質結晶体または窒化ケイ素室結晶体等である場合、無機基板4は複数の絶縁層から成る積層体であってもよい。また、無機基板4は複数の絶縁層からなる積層体の表面に導電層を被着させてもよい。
また、無機基板4の材料としては金属材料も使用され金属材料として例えば、ステンレス(SUS)、Fe−Ni−Co合金、42アロイ、銅(Cu)、コバールまたは銅合金等が挙げられるが他の金属材料であってもよい。例えば、配線基板2が約5×10−6/℃〜10×10−6/℃の熱膨張率を有する酸化アルミニウム質焼結体である場合、無機基板4は約10×10−6/℃の熱膨張率を有するステンレス(SUS304)を用いることができる。この場合には、配線基板2と無機基板4との熱収縮差・熱膨張差が小さくなるので、撮像素子実装部11の変形を低減することができる。その結果、撮像素子10とレンズとの光軸ズレを抑制することができ、画像の鮮明度を良好に維持することができる。また、無機基板4が金属材料から成るとき、その材料が非磁性体であることで無機基板4が磁化することを低減させることが可能となる。よって、レンズ駆動等の外部機器の働きを無機基板4が妨げることを低減させることが可能となる。
撮像素子実装用基板1は、無機基板4の上面に設けられ、撮像素子実装部11を取り囲枠状である配線基板を有する。また、配線基板は上面にレンズ実装部を有する配線基板2を有している。
配線基板2は、絶縁層から成り、上面に撮像素子接続用パッド3が設けられていてもよい。また、図示していないが、配線基板2の下面には外部回路または無機基板4と接続される外部回路接続用電極を複数設けてもよい。配線基板2を構成する絶縁層の材料は例えば、電気絶縁性セラミックスまたは樹脂(プラスティックス)等が使用される。
配線基板2を形成する絶縁層の材料として使用される電気絶縁性セラミックスとしては例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等が挙げられるがその他の材料であってもよい。
配線基板2を形成する絶縁層の材料として使用される樹脂としては例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂またはフッ素系樹脂等が挙げられる。フッ素系樹脂としては例えば、ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂が挙げられるがその他の材料であってもよい。
配線基板2を形成する絶縁層は、前述した材料から成る絶縁層を複数上下に積層して形成されていてもよい。配線基板2を形成する絶縁層は、図1〜図2に示すように3層の絶縁層から形成されていてもよいし、単層、2層または4層以上の絶縁層から形成されていてもよい。また、図1〜図2に示す例のように、配線基板2を形成する絶縁層の開口部の大きさを異ならせ上面に段差部を形成し、段差部に複数の撮像素子接続用パッド3が設けられていてもよい。
また、配線基板2の上面、側面または下面に、外部回路接続用電極が設けられていてもよい。外部回路接続用電極は、配線基板2と外部回路基板、あるいは撮像装置21と外部回路基板とを電気的に接続するものである。
配線基板2の内部には、絶縁層間に形成される内部配線、内部配線同士を上下に接続する貫通導体が設けられていてもよい。これら内部配線または貫通導体は、配線基板2の表面に露出していてもよい。この内部配線または貫通導体によって、外部回路接続用電極および撮像素子接続用パッド3が電気的に接続されていてもよい。
撮像素子接続用パッド3、外部回路接続用電極、内部配線および貫通導体は、配線基板2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、銀(Ag)若しくは銅(Cu)またはこれらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。また、撮像素子接続用パッド3、外部回路接続用電極、内部配線および貫通導体は、配線基板2が樹脂から成る場合には、銅(Cu)、金(Au)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、モリブデン(Mo)若しくはチタン(Ti)またはこれらから選ばれる少なくとも1種以上の金属材料を含有する合金等から成る。
撮像素子接続用パッド3、外部回路接続用電極、内部配線および貫通導体の露出表面に、めっき層が設けられてもよい。この構成によれば、撮像素子接続用パッド3、外部回路接続用電極、内部配線および貫通導体の露出表面を保護して酸化を抑制できる。また、この構成によれば、撮像素子接続用パッド3と撮像素子10とをワイヤボンディング等の接続部材13を介して良好に電気的接続することができる。めっき層は、例えば、厚さ0.5〜10μmのNiめっき層を被着させるか、またはこのNiめっき層および厚さ0.5〜3μmの金(Au)めっき層を順次被着させてもよい。
撮像素子実装用基板1は、無機基板4と配線基板2の間に設けられた接合材15を有している。なお、接合材15の上下方向の厚みは、突起部4aの無機基板4の上面から上方に盛り上がった大きさであって、例えば10μm〜200μmに設定されている。
接合材15を構成する材料として例えば、熱硬化性樹脂またはろう材等が使用される。接合材15を形成する材料として使用される熱硬化性樹脂として例えば、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂等が挙げられる。また、接合材15を形成する材料として使用されるろう材として例えば、ハンダ、鉛、ガラスなどが挙げられる。
接合材15は導電性を有していてもよいし導電性を有していなくてもよい。導電性を有する接合材15として例えば、銀エポキシ、はんだ、異方性導電樹脂(ACF)または異方性導電フィルム(ACP)等がある。接合材15が導電性を有することで、配線基板2と無機基板4とを電気的に接合することが可能となる。例えば配線基板2と無機基板4とを接地電極と同電位で電気的に接合させることで、撮像素子10を外部からのノイズから守るシールドの役割を無機基板4に持たせることが可能となる。また、導電性を有していない接合材15として例えば、熱硬化性樹脂等がある。
無機基板4は、撮像素子実装部11を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がった突起部4aを有し、突起部4aは配線基板2の下面の一部と接している。
一般的に、撮像装置21は高画素化が要求されている。この要求を満たすには、無機基板4上の撮像素子10と配線基板2上のレンズホルダ19とのあいだに、高い平行度が求められている。しかしながら、配線基板2と無機基板4とを接合する接合材15の厚みはバラツキが生じやすく、配線基板2と無機基板4とでより精度のよい平行度を設けることが困難であった。これにより、配線基板2上に実装されるレンズホルダ19と無機基板4との平行度をとることが困難で、ひいては画像品質の劣化が懸念されていた。これに対し、無機基板4に撮像素子実装部11を取り囲み、かつ配線基板2の下面の一部と接するような突起部4aを設けることで、配線基板2と無機基板4との間の厚みを一定にすることが可能となる。このことで、接合材15の厚みのバラつきにかかわらず配線基板2と無機基板4との傾きを低減させることが可能となる。よって、配線基板2と無機基板4とでより精度のよい平行度を設けることが可能となる。言い換えれば無機基板4に搭載される撮像素子10と配線基板2の上面に設けられるレンズホルダ19との間に傾きが発生することを低減させることが可能となる。
突起部4aは無機基板4の上面に設けられている。このとき、無機基板4の下面であって、上面透視で突起部4aと重なる場所は平坦であってもよいし突起部4aと重なる位置に凹部が設けられていてもよい。無機基板4の下面に突起部4aと重なる位置に凹み部を設けることで撮像装置21を下面から見た場合、方向性などを確認するインデックスとして使用することも可能となる。また、下面視において、突起部4aを視認できる為、無機基板4を実装する工程のアライメントとしても使用することが可能となる。
突起部4aは無機基板4の上面に同種材料または別種材料を接合して設けてもよいし、後述する方法等で無機基板4を盛り上げることで形成してもよい。
また、突起部4aが上面視で、撮像素子実装部11の左右対称位置に設けられていてもよい。このことで、無機基板4を実装する際に左右のバランスをよくした状態で実装することが可能となる。このことで、レンズホルダ19のレンズと無機基板4の上面に設けられた撮像素子10との平行度をより良好なものにすることが可能となる。
図1に示す例のように、無機基板4の外縁は上面視で配線基板2の外縁よりも外側に位置していてもよい。無機基板4の外縁が上面視で配線基板2の外縁よりも外側に位置していることで、落下などの衝撃を無機基板4で受け止めやすく、配線基板2に衝撃がかかることをより低減させることが可能となる。
また、図2に示すように、無機基板4の外縁は配線基板2の外縁よりも上面視で内側または同じ位置に位置していてもよい。無機基板4の外縁が配線基板2の外縁よりも上面視で内側または同じ位置に位置していることで、撮像装置21の小型化を図ることが可能となる。また、撮像装置21を外部モジュールに接続する際、配線などを無機基板4の端部で傷つけてしまう可能性を低減させることが可能となる。
図3〜図4は本実施形態における撮像装置21を下面視した図である。
図3に示す例の様に、突起部4aは、無機基板4の上面に複数個設けられており、少なくともとも撮像素子実装部11の両側に設けられていてもよい。このことで、配線基板2が偏心している場合や、配線基板2と無機基板4との接合時の上面からの応力に差が生じたとしても無機基板4と配線基板2との間に傾きが生じにくくなる。よって、突起部4aが1箇所または撮像素子10の角部を挟んで設ける場合と比較して、無機基板4と配線基板2との平行度をより高く保つことが可能となる。また図4(a)に示す例の様に、突起部4aは、無機基板4の上面に複数個設けられており、撮像素子10の3つの辺の近傍にそれぞれ設けられていることで、配線基板2が偏心している場合や、配線基板2と無機基板4との接合時の上面からの応力に差が生じたとしても無機基板4と配線基板2との間に傾きがさらに生じにくくなる。このことで、無機基板4と配線基板2との平行度をより高く保つことが可能となる。
また、図4(b)に示す例の様に、突起部4aは、撮像素子実装部11を囲むように連なった枠状であってもよい。このことで、無機基板4と配線基板2との平行度をより高く保つことが可能となる。
図2に、レンズホルダ19を省略していない撮像装置21を示す。
撮像装置21は、撮像素子実装用基板1と撮像素子10とレンズホルダ19を備えている。撮像素子10は、撮像素子実装用基板1の無機基板4の撮像素子実装部11に実装されている。レンズホルダ19は、配線基板2のレンズ実装部に固定されている。
撮像素子10は、撮像素子実装用基板1の無機基板4の撮像素子実装部11に実装されている。撮像素子10は例えば、CCD(Charge Coupled Device)型またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等が用いられる。なお、撮像素子10は、接着材16を介して、無機基板4の上面に配置されていてもよい。この接着材16は、例えば、銀エポキシまたは熱硬化性樹脂等が使用される。
撮像装置21は封止の為に、配線基板2の上面に蓋体12を設けてもよい。蓋体12は、例えば、平板形状である。また、蓋体12は、ガラス材料等の透明度の高い部材が用いられる。蓋体12は、例えば、熱硬化性樹脂または低融点ガラスまたは金属成分等から成るろう材等の接合部材14により、配線基板2の上面に接合される。
レンズホルダ19は、配線基板2のレンズ実装部に固定されている。
図2に示す例のように、撮像装置21はレンズホルダ19を有することで撮像を補助することが可能となる。また、レンズホルダ19を有することでより気密性の向上または外部からの応力が直接的に撮像素子実装用基板1に加えられることを低減することが可能となる。
レンズホルダ19は、例えば樹脂等から成る筐体と、樹脂、液体、ガラスまたは水晶等からなるレンズが1個以上筐体に接合されたものである。また、レンズホルダ19は、レンズが上下左右の駆動を行う駆動装置等が付いていて、配線基板2と電気的に接続されていてもよい。このように、本発明のように配線基板2と無機基板4との間の傾きが小さい撮像素子実装用基板1にレンズホルダ19を設けることで、レンズホルダ19に設けられたレンズと撮像素子10との間の傾きを低減させることが可能となり、画像品質の劣化を低減させることが可能となる。
なお、図2に示す例では図示していないが、レンズホルダ19は上面視において4方向の少なくとも一つの辺において開口部が設けられていてもよい。そして、レンズホルダ19の開口部から外部回路が挿入され配線基板2と電気的に接続していてもよい。またレンズホルダ19の開口部は、外部回路が配線基板2と電気的に接続された後、樹脂等の封止材等で開口部の隙間を閉じて撮像装置21の内部が気密されていてもよい。
撮像装置21は、突起部4aとレンズホルダ19の脚とが、平面透視において重なる位置設けられていてもよい。このことで、レンズホルダ19のレンズと無機基板4の上面に設けられた撮像素子10との平行度をより良好なものにすることが可能となる。
次に、本実施形態の撮像素子実装用基板1および撮像装置21の製造方法の一例について説明する。なお、下記で示す製造方法の一例は、配線基板2を多数個取り配線基板を用いた製造方法である。
(1)まず、配線基板2を構成するセラミックグリーンシートを形成する。例えば、酸化アルミニウム(Al)質焼結体である配線基板2を得る場合には、Alの粉末に焼結助材としてシリカ(SiO)、マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダー、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
なお、配線基板2が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等で成形することによって配線基板2を形成することができる。
また、配線基板2は、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。この場合には、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって配線基板2を形成できる。
(2)次に、スクリーン印刷法等によって、上記(1)の工程で得られたセラミックグリーンシートに撮像素子接続用パッド3、外部回路接続用電極、内部配線および貫通導体となる部分に、金属ペーストを塗布または充填する。
この金属ペーストは、前述した金属材料から成る金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、配線基板2との接合強度を高めるために、ガラスまたはセラミックスを含んでいても構わない。
(3)次に、前述のグリーンシートを金型等によって加工する。配線基板2となるグリーンシートの中央部に、開口部を形成する。
(4)次に、各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層して加圧することにより配線基板2となるセラミックグリーンシート積層体を作製する。また、本工程では、例えば、それぞれの層となるグリーンシートに貫通孔を設け、両者を積層して加圧することにより、配線基板2となるグリーンシート積層体を作製してもよい。
(5)次に、このセラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、配線基板2が複数配列された多数個取り配線基板を得る。なお、この工程によって、前述した金属ペーストは、配線基板2となるセラミックグリーンシートと同時に焼成され、撮像素子接続用パッド3、外部回路接続用電極、内部配線および貫通導体となる。
(6)次に、焼成して得られた多数個取り配線基板を複数の配線基板2に分断する。この分断においては、配線基板2の外縁となる箇所に沿って多数個取り配線基板に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法またはスライシング法等により配線基板2の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。
(7)次に、配線基板2の下面に接合される無機基板4を用意する。無機基板4は、金属材料からなる場合は、金属材料から成る板材に、従来周知のスタンピング金型を用いた打ち抜き加工またはエッチング加工等によって作製される。また、他の材料から成る場合も同様にそれぞれの材質にあった打ち抜き加工等によって作製することが可能となる。また、無機基板4が金属材料であるFe−Ni−Co合金、42アロイ、Cuまたは銅合金等の金属から成る場合には、その表面にニッケルめっき層および金めっき層を被着してもよい。これにより、無機基板4の表面の酸化腐食を有効に抑制することができる。
また、無機基板4が電気絶縁性セラミック等からなり、表面に導体パターンをプリントしている場合も同様にその表面にニッケルめっき層および金めっき層を被着してもよい。これにより、無機基板4の表面の酸化腐食を有効に抑制することができる。
尚この時、突起部4aとなる位置の下面側から金型等を用いて押圧することで、無機基板4の上面に突起部4aを設けることが可能となる。また、無機基板4の上面に突起部4aとなる別個体を用意し、ろう材等を介して接合することで、突起部4aを作成することも可能である。例えば、突起部4aは、無機基板4の上面から上方に5μm〜100μm盛り上がっている。また、突起部4aは、無機基板4の上面から上方に10μm〜200μm盛り上がっていてもよい。そして、複数の突起部4a同士は、上下方向の差が50μm以下に形成されている。また、突起部4aは、上面視して円形状であって、5μm〜100μmの直径に形成されていてもよいし、幅が5μm〜200μmの枠状または矩形状のものであってもよい。
(8)次に、接合材15を介して、配線基板2と無機基板4とを接合する。接合材15は、ペースト状の熱硬化性樹脂(接着部材)をスクリーン印刷法またはディスペンス法等で、配線基板2または無機基板4のいずれか一方または両方の接合面に塗布する。そして、熱硬化性樹脂を乾燥させた後、配線基板2と無機基板4とを重ねた状態で、トンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させ、加圧し加熱することで接合材を熱硬化させ、配線基板2と無機基板4とを強固に接着させる。
接合材15は、例えばビスフェノールA型液状エポキシ樹脂、ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型液状樹脂等からなる主剤に、球状の酸化珪素等から成る充填材、テトラヒドロメチル無水フタル酸等の酸無水物などを主とする硬化剤および着色剤としてカーボン紛末等を添加し遠心攪拌機等を用いて混合または混練してペースト状とすることによって得られる。
また、接合材15としては、この他にも例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールA変性エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、特殊ノボラック型エポキシ樹脂、フェノール誘導体エポキシ樹脂、ビスフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系、アミン系、リン系、ヒドラジン系、イミダゾールアダクト系、アミンアダクト系、カチオン重合系またはジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもの等を使用することができる。
(9)次に、無機基板4の撮像素子実装部11に撮像素子10を実装する。撮像素子10はワイヤーボンディング等で配線基板2と電気的に接合させる。またこのとき、撮像素子10または無機基板4に接着材16等を設け、無機基板4に固定しても構わない。また、撮像素子10を無機基板4の撮像素子実装部に実装した後、蓋体12を接合材で接合してもよい。
(10)次に、レンズホルダ19を配線基板2の上面に実装する。このとき、配線基板2の上面に設けられた電極とレンズホルダ19とを導電性の接合材で接合し、電気手的に導電させてもよいし、非導電性の接合材でレンズホルダ19を接合してもよい。
以上のようにして配線基板2と無機基板4とを組み立てることで、撮像装置21を作製することができる。上記(1)〜(10)の工程によって、撮像装置21が得られる。なお、上記(1)〜(10)の工程順番は指定されない。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による撮像素子実装用基板1および撮像装置21について、図5を参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基板1および撮像装置21において、第1の実施形態の撮像素子実装用基板1および撮像装置21と異なる点は、突起部4aが断面視において接合材15に囲まれている点である。なお、本実施形態における撮像装置21は、撮像素子実装用基板1と撮像素子10と、レンズホルダ19を備えているものであるが、図5はレンズホルダ19を省略している。
図5に示す本実施形態では、無機基板4の上面に設けられた突起部4aは、断面視において接合材15によって囲まれている。このことで、例えば突起部4aが無機基板4の上面に別個体として接合された構造であっても、接合材15に囲まれることによって、無機基板4と突起部4aとが乖離することを低減させることが可能となる。また、突起部4aと配線基板2との間に塵等がトラップさせることが可能となる。
また、図5に示す例では、撮像素子10と配線基板2とは、接続部材13(ワイヤーボンディング)により電気的に接合されており、突起部4aは上面視で接続部材13の端部近傍に位置している。一般的に、接続部材13を接続する際には部分的に強い応力が配線基板2に伝わる。この応力により、配線基板2にクラックが発生する、または配線基板2が変形し上面に傾きが発生することが懸念されていた。このとき、突起部4aが接続部材13と上面視で近い位置に位置していることで、配線基板2を下面から支持することが可能となる。よって、接続部材13を接続する際の応力による配線基板2のクラックの発生を低減させることが可能となる。また、配線基板2を支持することで配線基板2の変形を低減させ、配線基板2の上面に傾きが発生することを低減させることが可能となる。このことで、配線基板2の上面のレンズホルダ19と撮像素子10との平行度をより良好とさせることが可能となる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による撮像素子実装用基板1および撮像装置21について、図6を参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基板1および撮像装置21において、第1の実施形態の撮像素子実装用基板1および撮像装置21と異なる点は、突起部4aが断面視において撮像素子実装部11の周囲に設けられている点である。なお、本実施形態における撮像装置21は、撮像素子実装用基板1と撮像素子10と、レンズホルダ19を備えているものであるが、図6はレンズホルダ19を省略している。
図6に示す本実施形態では、無機基板4の突起部4aは、上面視において撮像素子実装部11の周囲に設けられている。このことで、例えば接合材15を塗布する工程において塗布量にばらつきが生じ、接合の工程において接合材15が撮像素子実装部11側に押し出されたとしても、突起部4aが障害となって撮像素子実装部11内部へ接合材15が飛び出すことを低減させることが可能となる。よって、撮像素子10を実装する工程において、飛び出した接合材15によって撮像素子10が実装できない、または傾いて実装されることを低減させることが可能となる。また、この時突起部4aは撮像素子実装部11の周囲を囲むように連なって設けているか、または複数の突起部4a同士の隙間が小さくなるように設けられていることで、より接合材15が撮像素子実装部11へ飛び出すことを低減させることが可能となる。
また、本実施形態では、対向する突起部4a同士の距離を小さくすることが可能となる。一般的に撮像素子10を実装する工程または加熱の工程により無機基板4の撮像素子実装部11は撓むことが懸念されている。本実施形態のように、対向する突起部4a同士の間の距離を小さくすることで、対向する突起部4aと突起部4aとの間の撓み量を低減させることが可能となる。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態による撮像素子実装用基板1および撮像装置21について、図7および図8を参照しつつ説明する。本実施形態における撮像素子実装用基板1および撮像装置21において、第1の実施形態の撮像素子実装用基板1および撮像装置21と異なる点は、突起部4aが上面視において、無機基板4の外縁部に設けられている点である。なお、本実施形態における撮像装置21は、撮像素子実装用基板1と撮像素子10と、レンズホルダ19を備えているものであるが、図7はレンズホルダ19を省略している。
図7に示す本実施形態では、突起部4aは無機基板4の外縁部に設けられている。このことで無機基板4に落下時等の応力がかかった時に、突起部4aが支点となって無機基板4に撓み等の応力が発生することを低減させることが可能となる。よって、無機基板4に割れ、またはクラック等の発生を低減させることが可能となる。また、無機基板4に変形が生じる事を低減させることが可能となり、無機基板4の上面に実装された撮像素子10とレンズホルダ19との平行度をより良好に保つことが可能となる。
また、図8(a)に示す例の様に、突起部4aは無機基板4の外縁から外側に突出するように設けられていてもよいし、図8(b)に示す例の様に無機基板4の外縁に切り欠きを設け、突出部4aは切り欠きの内側に設けてもよい。図8(a)に示す例の様に、無機基板4の外縁から外側に突出するように突出部4aが設けられていると、無機基板4に突出部4aを設ける工程が簡略化することができる。さらに、無機基板4が複数個連なった形状で作成した場合、突出部4a同士で隣り合う無機基板4を接続し保持することが可能となる。このように突出部4a同士で隣り合う無機基板4を接続していることで、複数の連なった無機基板4を個片に分割する工程をより簡略化することが可能となる。また、図8(b)に示す例の様に、無機基板4の外縁に切り欠きを設け、切り欠きの内部に突出部4aを設けることで無機基板4の大きさを最小限にすることが可能となる。よって、工程誤差等で無機基板4の実装位置がずれた場合においても、上面視において無機基板4の外縁が配線基板2の外縁より外側に突出することを低減させることが可能となる。よって、撮像装置21の小型化が可能となる。
また、図8(a)および(b)に示す例の様に、突起部4aは3箇所以上に設けられていると、より良好に且つ簡易的に無機基板4と配線基板2との平行度を保つことが可能となる。
また、図7(b)に示す例の様に、突起部4aの厚みは断面視において無機基板4の厚みよりも小さくてもよい。突起部4aの厚みが他の無機基板4の厚みと比較して小さいことで、突出部4aを断面視において上面側へ屈曲させやすくなる。また、図8(a)に示す例の様に、突出部4aが外周部に設けられ、上述したように複数の無機基板4が突出部4a同士で接続保持されているとき、個片に分割する工程においてより容易に分割することが可能となる。
図7に示す例の様な、突出部4aを作成する方法として、例えば突出部4aとなる無機基板4の下面側から金型等を用いて押圧することで、突出部4aを無機基板4から突出させることが可能となる。
1・・・・撮像素子実装用基板
2・・・・配線基板
3・・・・撮像素子接続用パッド
4・・・・無機基板
4a・・・突起部
10・・・撮像素子
11・・・撮像素子実装部
12・・・蓋体
13・・・接続部材
14・・・接合部材
15・・・接合材
16・・・接着剤
19・・・レンズホルダ
21・・・撮像装置

Claims (6)

  1. 上面の中央領域に撮像素子が実装される撮像素子実装部と、前記撮像素子実装部を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がるとともに、連続した環状でない複数個の突起部を有する無機基板と、
    前記無機基板の上面に設けられ、前記撮像素子実装部を取り囲むとともに前記突起部と下面の一部が接する枠状であって、上面にレンズ実装部を有する配線基板と、
    前記無機基板と前記配線基板の間に設けられた接合材とを備えたことを特徴とする撮像素子実装用基板。
  2. 前記無機基板は、金属材料から成ることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子実装用基板。
  3. 前記突起部は、前記撮像素子実装部を取り囲む周辺領域に上方に盛り上がった曲線部を有しており、
    前記配線基板は、前記突起部の上面の一部のみと下面の一部が接する枠状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の撮像素子実装用基板。
  4. 請求項1〜3のいずれか1つに記載の撮像素子実装用基板であって、
    前記無機基板の下面には、前記突起部と重なる位置に凹部が設けられていることを特徴とする撮像素子実装用基板。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の撮像素子実装用基板であって、
    前記突起部は、前記無機基板の外縁部に設けられていることを特徴とする撮像素子実装用基板。
  6. 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の撮像素子実装用基板と、
    前記撮像素子実装用基板の前記無機基板の前記撮像素子実装部に実装された撮像素子と、前記配線基板の前記レンズ実装部に固定されたレンズホルダとを備えたことを特徴とする撮像装置。
JP2017558063A 2015-12-24 2016-12-14 撮像素子実装用基板および撮像装置 Active JP6574854B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015251697 2015-12-24
JP2015251697 2015-12-24
PCT/JP2016/087264 WO2017110627A1 (ja) 2015-12-24 2016-12-14 撮像素子実装用基板および撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017110627A1 JPWO2017110627A1 (ja) 2018-10-18
JP6574854B2 true JP6574854B2 (ja) 2019-09-11

Family

ID=59090141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017558063A Active JP6574854B2 (ja) 2015-12-24 2016-12-14 撮像素子実装用基板および撮像装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20180376041A1 (ja)
JP (1) JP6574854B2 (ja)
CN (1) CN108450036B (ja)
WO (1) WO2017110627A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017139258A (ja) * 2016-02-01 2017-08-10 ソニー株式会社 撮像素子パッケージ及び撮像装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050928A (ja) * 1996-05-27 1998-02-20 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002231851A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Sanken Electric Co Ltd 回路基板及びこの回路基板を用いた混成集積回路
JP4184125B2 (ja) * 2002-04-26 2008-11-19 富士フイルム株式会社 撮像素子チップモジュール
TWI234884B (en) * 2003-12-31 2005-06-21 Advanced Semiconductor Eng Image sensor package and method for manufacturing the same
KR100652554B1 (ko) * 2005-01-07 2006-12-01 재단법인서울대학교산학협력재단 에스아이-범프를 이용한 마더보드 및 그 제조 방법
JP2007165486A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 放熱板及び半導体装置
JP5010244B2 (ja) * 2005-12-15 2012-08-29 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置
JP5595066B2 (ja) * 2009-03-25 2014-09-24 京セラ株式会社 撮像装置および撮像モジュール
US9480133B2 (en) * 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
WO2012002378A1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-05 京セラ株式会社 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール
KR101387295B1 (ko) * 2012-05-14 2014-04-18 삼성전기주식회사 카메라 모듈의 제조 장치 및 방법
JP5928222B2 (ja) * 2012-07-30 2016-06-01 株式会社ソシオネクスト 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201409621A (zh) * 2012-08-22 2014-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 影像感測器模組及取像模組
JP2014170893A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Taiyo Yuden Co Ltd カメラモジュール
JP6357784B2 (ja) * 2014-02-03 2018-07-18 株式会社ニコン 撮像ユニット及び撮像装置
JP2015185622A (ja) * 2014-03-22 2015-10-22 京セラ株式会社 電子素子実装用基板及び電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017110627A1 (ja) 2017-06-29
CN108450036B (zh) 2023-03-28
US20180376041A1 (en) 2018-12-27
CN108450036A (zh) 2018-08-24
JPWO2017110627A1 (ja) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6068649B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
US9806005B2 (en) Electronic element mounting substrate and electronic device
JP6208889B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6732932B2 (ja) 撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュール
JP6592102B2 (ja) 電子素子実装用基板および電子装置
JP6962746B2 (ja) 撮像素子実装用基板、撮像装置および撮像モジュール
JP6677595B2 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール
JP6141760B2 (ja) 撮像素子搭載用基板及び撮像装置
WO2016098455A1 (ja) 電子部品実装用パッケージおよび電子装置
JP6574854B2 (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP6499042B2 (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP6560076B2 (ja) 撮像装置
JP2017152521A (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP2010153763A (ja) 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置
JP6144578B2 (ja) 撮像素子搭載用基板及び撮像装置
JP6606008B2 (ja) 撮像素子実装用基板、撮像装置および撮像モジュール
JP6193784B2 (ja) 撮像素子実装用基板及び撮像装置
JP6693754B2 (ja) 撮像素子実装用基板および撮像装置
JP7145037B2 (ja) 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール
JP6400985B2 (ja) 電子素子実装用基板及び電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190621

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190718

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190819

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6574854

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150