JP6563593B2 - 回路パッケージ - Google Patents
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Description
上述したように、集積回路のような回路は、エポキシモールドコンパウンド(EMC)にパッケージングされ得る。パネルの反りの制御は、ウエハーレベルのファンアウトパッケージング技術(Fan Out Wafer Level Packaging:FO−WLP)の応用形態の課題である。集積回路(IC)パッケージング産業は、パネルの反りの問題を解決するための複数の技術を実現し、係る技術には数ある中でも、低温モールド(成形)プロセス(〜130℃以下で行われるプロセス)、より薄いシリコンダイ、より低い熱膨張率(CTE)のエポキシモールドコンパウンド(EMC)、冷却中のクランプ留めが含まれる。当該問題はパッケージングの形成中に生じる可能性があり、この場合、回路とEMCの間での異なる熱膨張率(CTE)が、EMCの固形化処理および冷却の際にパッケージングされた回路を反らせる又は曲げる可能性がある。
Claims (15)
- 回路を成形する方法であって、
キャビティの上に第1のエポキシモールドコンパウンド(EMC)を堆積し、
前記第1のEMCをゲル化する際に、前記第1のEMCの上に第2のEMCを堆積し、
前記第1及び第2のエポキシモールドコンパウンドの少なくとも一方の中に回路を置くことを含む、方法。 - 前記回路および前記第1及び第2のエポキシモールドコンパウンドを圧縮および冷却することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のエポキシモールドコンパウンドが、前記第1のエポキシモールドコンパウンドより高い熱膨張率を有する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第1のEMCが、前記第1のEMCの堆積より前に、加熱される、請求項1〜3の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1のEMCが、前記第2のEMCより高い重量パーセントの充填剤を有する、請求項1〜4の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1のEMCをゲル化する時間期間が、5秒〜60秒である、請求項1〜5の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1のエポキシモールドコンパウンドの層の上に、前記第2のエポキシモールドコンパウンドの層を堆積することを更に含み、前記第2のエポキシモールドコンパウンドの層は、前記第1のエポキシモールドコンパウンドの層より薄い、請求項1〜6の何れか1項に記載の方法。
- 前記第1及び第2のEMCの複数の層を堆積することを更に含む、請求項1〜6の何れか1項に記載の方法。
- 回路パッケージであって、
パッケージングと、
前記パッケージング中の回路デバイスとを含み、
前記パッケージングが、第1のCTEを有する第1のEMCと、前記第1のCTEより高い第2のCTEを有する第2のEMCとを含み、前記第1のEMCがゲル化することを可能にされた後に、前記第2のEMCが前記第1のEMC上へ与えられ、
前記第2のEMCが前記回路デバイスに隣接して堆積される、回路パッケージ - 回路パッケージであって、
パッケージングと、
前記パッケージング中の回路デバイスとを含み、
前記パッケージングが、第1のCTEを有する第1のEMCと、前記第1のCTEより高い第2のCTEを有する第2のEMCとを含み、前記第1のEMCがゲル化することを可能にされた後に、前記第2のEMCが前記第1のEMC上へ与えられ、
前記回路デバイスが流体チャネルを含み、前記パッケージングが前記流体チャネルに開口している流体穴部を含む、回路パッケージ。 - 回路パッケージであって、
パッケージングと、
前記パッケージング中の回路デバイスとを含み、
前記パッケージングが、第1のCTEを有する第1のEMCと、前記第1のCTEより高い第2のCTEを有する第2のEMCとを含み、前記第1のEMCがゲル化することを可能にされた後に、前記第2のEMCが前記第1のEMC上へ与えられ、
前記回路デバイスは、前記回路デバイスの後部分が前記第1のEMCの中へ成形されるように前記第2のEMCを通って延在する、回路パッケージ。 - 流体回路パッケージを形成する方法であって、
キャビティの上に第1のエポキシモールドコンパウンド(EMC)を堆積し、前記第1のEMCが内部に画定された多数の流体穴部を有し、
前記第1のEMCがゲル化するまで前記第1のEMCを加熱し、
前記第1のEMCの上に第2のEMCを堆積し、
前記第2のEMCの中へ多数の流体回路デバイスを置くことを含み、
前記多数の流体穴部が、前記流体回路デバイスの位置とそろえられている、方法。 - 前記流体回路デバイスが、ノズルの多数の行を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記流体回路デバイスが、前記流体回路パッケージ中に、流体回路デバイスの多数の行を含むアレイを形成する、請求項12又は13に記載の方法。
- 前記第1のEMC中に画定された前記流体穴部が、前記キャビティ内に画定された特徴要素により形成される、請求項12〜14の何れか1項に記載の方法。
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