JP6475531B2 - フィラー用粉末 - Google Patents
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- Silicon Compounds (AREA)
Description
(1)Si
(2)元素X
及び
(3)不可避的不純物
のみを含む。
Zn:419.5℃
Ga:29.8℃
In:156.4℃
Sn:231.9℃
Bi:271.3℃
一方、Siの融点は、1414℃である。それぞれの元素Xの融点は、Siの融点よりも低い。
各粉末の熱伝導率を測定した。まず、篩を用いて径が45μmを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が10mmであり厚さが1mmである円柱状の容器に入れて、放電プラズマ焼結法(SPS)によって焼結した。この焼結体の片面にレーザー光を直接当て、反対面から出てくる熱量とその時間を測定した。いわゆるレーザーフラッシュ法により、熱を流して比熱と熱拡散率を算出した。また、アルキメデス法から測定した密度を用いることで、熱伝導率を算出した。この結果が、下記の表1−2に示されている。
各粉末の電気伝導度を測定した。まず、篩を用いて径が45μmを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が25mmであり高さが10mmである円柱状のサンプルホルダー(東陽テクニカ社の粉体インピーダンス測定用四端子サンプルホルダー)に充填した。この粉末に、上下から4Nmの荷重をかけた。この粉末の上側に電流のプラス端子及び電圧のプラス端子を取り付けた。この粉末の下側に電流のマイナス端子及び電圧のマイナス端子を取り付けた。いわゆる四端子法により、電流を流して電圧を測定した。この結果が、下記の表1及び2に示されている。
G.A.:ガスアトマイズ法
D.A.:ディスクアトマイズ法
M.S.:メルトスピニング法
格付けA
密度:2.0Mg/m3以上6.0Mg/m3以下
熱伝導率:5.0AVm−1K−1以上
粒子径D50:1μm以上20μm未満
格付けB
密度:2.0Mg/m3以上6.0Mg/m3以下
熱伝導率:5.0AVm−1K−1以上
粒子径D50:20μm以上60μm以下
格付けC
密度:2.0Mg/m3以上6.0Mg/m3以下
熱伝導率:3.0AVm−1K−1以上5.0AVm−1K−1未満
粒子径D50:1μm以上60μm以下
格付けD
密度:2.0Mg/m3以上6.0Mg/m3以下
熱伝導率:1.0AVm−1K−1以上3.0AVm−1K−1未満
粒子径D50:1μm以上60μm以下
2・・・表面
3・・・Si相
4・・・シリサイド相
Claims (8)
- Si系合金からなるフィラー用粉末であって、
上記Si系合金が、Zn、Ga、In、Sn及びBiからなる群から選択された1種又は2種以上である元素Xを含んでおり、
上記Si系合金において、上記元素Xの含有率が5質量%以上50質量%以下であって、残部がSi及び不可避的不純物であり、
その密度が2.0Mg/m3以上6.0Mg/m3以下であり、
Si相と、Si及び元素Xを含有するシリサイド相とを、有することを特徴とするフィラー用粉末。 - 上記合金が、上記元素Xの単相を有しており、
上記単相が上記合金からなる粒子の表面に位置している請求項1に記載の粉末。 - 上記合金が、上記Siの単相を有する請求項1又は2に記載の粉末。
- その累積50体積%粒子径D50が1μm以上60μm以下である請求項1から3のいずれかに記載の粉末。
- 上記合金におけるSiの含有率が50質量%以上95質量%以下である請求項1から4のいずれかに記載の粉末。
- アトマイズ法によって製造された請求項1から5のいずれかに記載の粉末。
- (1)請求項1から6のいずれかに記載のフィラー用粉末
及び
(2)基材樹脂
を含む樹脂組成物。 - (1)請求項1から6のいずれかに記載のフィラー用粉末
(2)基材樹脂
及び
(3)溶剤
を含む塗料。
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