WO2016052643A1 - 導電フィラー用粉末 - Google Patents

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Abstract

 Si系合金製の導電フィラー用粉末であって、Si系合金が、50質量%以上95質量%以下のSi、元素X1及び不可避的不純物を含み、合金が、Siと元素X1とを含有するシリサイド相と、Si相とを有しており、密度が2.0Mg/m以上6.0Mg/m以下である、導電フィラー用粉末が提供される。この導電フィラー用粉末は導電性に優れ、低コストで得られうる。

Description

導電フィラー用粉末

 本発明は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられる導電フィラーに適した粉末に関する。

 導電性物質に含有されるフィラーに、金、銀、白金及び銅のような貴金属の粉末が用いられている。他の金属の表面に貴金属がコーティングされた粉末も、導電フィラーとして用いられている。貴金属の電気抵抗は小さいので、この貴金属を含むフィラーは導電性に優れる。貴金属を含む粒子の凝集により、粒子同士の大きな接触面積が得られるので、この観点からも貴金属はフィラーの導電性に寄与する。貴金属はさらに、熱伝導性にも優れる。

 貴金属は、高価である。従って、貴金属を含む導電性物質は、高コストである。しかも、貴金属は高比重である。従って、貴金属を含む導電性物質は、重い。コスト低減及び軽量化の観点から、貴金属以外の元素を含む合金の検討が、種々なされている。

 特許文献1(特開2004-47404号公報)には、シリコン化合物からなる粒子の表面に、炭素がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。この粒子では、シリコン微結晶がシリコン化合物に分散している。

 特許文献2(特開2006-54061号公報)には、Agからなる粒子の表面に、Si又はSi系化合物がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。

 特許文献3(特開2008-262916号公報)には、銀と、0.01~10質量%のSiとを含有する導電フィラー用合金が開示されている。この合金では、銀粒子の表面に、SiOのゲルがコーティングされている。

特開2004-47404号公報 特開2006-54061号公報 特開2008-262916号公報

 近年、電子機器の高性能化及び用途拡大が進んでいる。導電性物質には、低コスト化及び軽量化の要請がある。

 本発明の目的は、導電性に優れ、低コストで得られ、かつ軽量である導電フィラー用粉末の提供にある。

 本発明の一態様によれば、Si系合金製の導電フィラー用粉末であって、
 前記Si系合金が、50質量%以上95質量%以下のSi、元素X1及び不可避的不純物を含み、
 前記合金が、前記Siと前記元素X1とを含有するシリサイド相と、Si相とを有しており、
 密度が2.0Mg/m以上6.0Mg/m以下である、導電フィラー用粉末が提供される。

 この導電フィラー用粉末は、材質がSi系合金であるため、低コストで得られうる。この粉末は、貴金属がコーティングされて得られる粉末に比べ、製造に手間がかからず、しかもコーティング層の剥離の問題も生じない。この粉末は低密度でもある。この粉末では、シリサイドが導電性に寄与する。

 本発明の第一の好ましい態様によれば、導電フィラー用粉末は、前記元素X1が導電性の金属M1であり、前記金属M1及び不可避的不純物が前記Si系合金のSi以外の残部を構成する。この態様において、前記合金は前記金属M1の単相を含むのが好ましい。好ましくは、前記金属M1は、B、Na、Mg、Al、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag及びAuからなる群から選択された1種又は2種以上である。特に好ましくは、前記金属M1はAlであり、このAlの含有率が0.1質量%以上30質量%以下である。前記Alは、単相で又はSiに固溶して存在するのが好ましい。前記合金は金属M2をさらに含むものであってよく、この場合、前記金属M2がSn、In、Zn、Bi、Ga及びPbからなる群から選択された1種又は2種以上であるのが好ましい。好ましくは、導電フィラー用粉末の累積50体積%粒子径(D50)は1μm以上60μm以下である。

 本発明の第二の好ましい態様によれば、導電フィラー用粉末は、酸素値Po(質量%)と累積50体積%粒子径D50(μm)との積Po・D50が4以下である。この粉末では、酸素値が小さいので、酸素に起因する導電性阻害が抑制される。この態様において、前記合金は、前記元素X1の単相を含むのが好ましい。好ましくは、前記元素X1は、B、C、Na、Mg、Al、P、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag及びAuからなる群から選択された1種又は2種以上である。特に好ましくは、前記元素X1がAlであり、このAlの含有率が0.1質量%以上30質量%以下である。前記Alは、単相で又はSiに固溶して存在するのが好ましい。前記合金は元素X2をさらに含むものであってよく、この場合、前記元素X2がSn、In、Zn、Bi、Ga及びPbからなる群から選択された1種又は2種以上であるのが好ましい。

図1は、本発明の一実施形態に係る粉末に含まれる粒子の一部が示された断面図である。

 導電フィラー用粉末
 以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。また、特段の明示がない限り以下の記載は上述した本発明の第一の好ましい態様と第二の好ましい態様の両方に当てはまるものとする。

 本発明に係る導電フィラー用粉末は、多数の粒子の集合である。図1に、この粒子1の断面が拡大されて示されている。この粒子1の材質は、Si系合金である。このSi系合金は、Siと元素X1(例えば金属M1)とを含んでいる。元素X1(例えば金属M1)は、導電性である。元素X1(例えば金属M1)の電気伝導度は、100AV-1-1以上である。

 好ましくは、合金は、
 (1)Si
 (2)元素X1(例えば金属M1)及び
 (3)不可避的不純物のみを含む。

 この合金は、Si相ないしSi単相2と、シリサイド相3とを有している。このシリサイド相3は、Siと元素X1(例えば金属M1)とを含有する。このシリサイド相3は、Siと元素X1(例えば金属M1)との化合物を含む。このシリサイド相3において、元素X1(例えば金属M1)はSiに固溶しうる。このシリサイド相3は、元素X1(例えば金属M1)の単相を含みうる。

 Siは、電気伝導度の低い金属である。一方、元素X1(例えば金属M1)を含むシリサイドの電気伝導度は、高い。このシリサイド相を含む導電フィラー用粉末は、導電性に優れる。特に、元素X1(例えば金属M1)の単相又は元素X1(例えば金属M1)がSiに固溶した相を有する粉末は、導電性に優れる。この粉末を含む物体(例えば電子機器)は、導電性に優れる。

 従来の導電フィラー粉末には、前述の通り、金、銀、白金及び銅のような貴金属が用いられている。金の密度は19.32Mg/mであり、銀の密度は10.50Mg/mであり、白金の密度は21.45Mg/mであり、銅の密度は8.960Mg/mである。一方、Siの密度は2.329Mg/mである。Siの密度は、金属の中では小さい。Siを含む導電フィラー用粉末は、軽量である。この粉末を含む物体(例えば電子機器)は、軽量である。

 Siは、貴金属に比べて低価格である。Siを含む導電フィラー用粉末は、この粉末を含む物体(例えば電子機器)の低コストを達成する。さらにこの粉末は、コーティングの手間がなく製造されうる。

 導電性の観点から、合金における元素X1(例えば金属M1)の比率は1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、5質量%以上が特に好ましい。合金が十分なSiを含有しうるとの観点から、元素X1(例えば金属M1)の比率は50質量%以下が好ましい。

 軽量及び低コストの観点から、合金におけるSiの比率は50質量%以上が好ましく、65質量%以上がより好ましく、75質量%以上が特に好ましい。合金が十分な元素X1(例えば金属M1)を含有しうるとの観点から、Siの比率は95質量%以下が好ましい。

 導電フィラー用粉末を含む物体(例えば電子機器)の軽量の観点から、この粉末の密度は6.0Mg/m以下が好ましく、5.5Mg/m以下がより好ましく、5.0Mg/m以下が特に好ましい。密度は、2.0Mg/m以上が好ましく、2.5Mg/m以上がより好ましく、3.0Mg/m以上が特に好ましい。

 密度は、島津製作所社の乾式自動密度計「アキュピック II 1340シリーズ」により測定される。この装置の容器に粉末が投入され、ヘリウムガス充填される。定容積膨張法に基づき、粉末の密度が検出される。10回の測定の平均値が算出される。

 第一の好ましい態様による導電フィラー用粉末
 本発明の第一の好ましい態様の導電フィラー用粉末では、元素X1が導電性の金属M1であり、前記金属M1及び不可避的不純物が前記Si系合金のSi以外の残部を構成する。

 金属M1の具体例として、B、Na、Mg、Al、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag及びAuが挙げられる。粉末が、2種以上の金属M1を含んでもよい。これらの金属M1は、粉末の熱伝導性にも寄与しうる。合金における金属M1の含有率は、5質量%以上50質量%以下が好ましい。

 導電性及び低コストの観点から、特に好ましい金属M1は、Alである。Alは、シリサイド相において単相で存在しうる。Alはさらに、シリサイド相においてSiに固溶しうる。このAlは、導電性に寄与する。合金におけるAlの含有率は、0.1質量%以上30質量%以下が好ましい。導電性の観点から、合金におけるAlの比率は、3質量%以上がより好ましく、5質量%以上が特に好ましい。また、アルミナの生成が抑制されるとの観点、及び低コストの観点から、合金におけるAlの比率は10質量%以下が特に好ましい。

 本発明の第一の好ましい態様の導電フィラー用粉末では、合金は、軟質な金属M2を含んでもよい。この場合、好ましくは、合金は、
 (1)Si
 (2)金属M1
 (3)金属M2及び
 (4)不可避的不純物のみを含む。

 粉末の電気伝導度は、粒子内部のバルク抵抗と、粒子同士の接触抵抗に、主として支配される。軟質な金属M2を含む合金は、粒子同士の密着性を高める。この金属M2により、接触抵抗が低減される。

 合金における金属M2の含有量は、1質量%以上5質量%以下が好ましい。

 金属M2の具体例として、Sn、In、Zn、Bi、Ga及びPbが挙げられる。粉末が、2種以上の金属M2を含んでもよい。

 金属M2は、Siとの融点差が大きく、かつ、相互の溶解がほとんど無い。このため、Si-金属M2合金でアトマイズを行うと、Siと金属M2とを含有するシリサイド相が現れにくくなり、Si単体と金属M2の単体が析出し易くなる。Si単体の電気伝導度は非常に小さく、さらにSi-金属M2合金中におけるSi単体が占める割合は多いため、Si-金属M2合金は導電フィラー粉末としては適さない。

 本発明の第一の好ましい態様では、導電フィラー粉末の累積50体積%粒子径(D50)は、60μm以下が好ましい。粒子径(D50)が60μm以下である粉末を含む樹脂組成物では、この粉末がマトリクス中に均一に分散する。粒子径(D50)が60μm以下である粉末を含む塗料は、電子機器や電子部品の狭い部位に塗布されやすい。これらの観点から、粒子径(D50)は50μm以下がより好ましく、40μm以下が特に好ましい。粉末の凝集は、均一な混合を阻害する。凝集が抑制されるとの観点から、累積50体積%粒子径(D50)は1μm以上が好ましく、10μm以上がより好ましく、35μm以上が特に好ましい。

 累積50体積%粒子径(D50)は、粉体の全体積を100%として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが50%となる点の粒子径である。粒子径(D50)は、日機装社のレーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置「マイクロトラックMT3000」により測定される。この装置のセル内に、粉末が純水と共に流し込まれ、粒子の光散乱情報に基づいて、粒子径(D50)が検出される。10回の測定の平均値が算出される。

 第二の好ましい態様による導電フィラー用粉末
 ところで、粒子1の表面に存在する酸素は、粒子1同士の接触抵抗を高めうる。従って、過剰な酸素は、粉末の導電性を阻害しうる。微粒子(例えば粒径が10μm以下)の場合、通常の粒子(例えば粒径が45μm程度)と比べると、比表面積が大きい。この微粒子は、その表面に多くの酸素を含む傾向がある。

 この点、本発明の第二の好ましい態様の導電フィラー用粉末では、酸素値Po(質量%)と累積50体積%粒子径D50(μm)との積Po・D50は、4以下である。すなわち、積Po・D50が4以下である粉末では、接触抵抗が抑制される。この粉末は、導電性に優れる。この観点から、積Po・D50は2以下が好ましく、1以下が特に好ましい。理想的には、積Po・D50はゼロである。粉末と大気中の酸素とは不可避的に反応するので、積Po・D50の現実的な下限は0.01である。

 酸素値Poの測定では、黒鉛ルツボに粉末が投入される。この粉末が、不活性ガス雰囲気中で加熱され、溶解する。このとき発生したCO及びCOが、赤外線検出器で検出される。この結果から、酸素値Poが算出される。

 累積50体積%粒子径D50は、粉体の全体積を100%として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが50%となる点の粒子径である。粒子径D50は、日機装社のレーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置「マイクロトラックMT3000」により測定される。この装置のセル内に、粉末が純水と共に流し込まれ、粒子の光散乱情報に基づいて、粒子径D50が検出される。10回の測定の平均値が算出される。

 元素X1の具体例として、B、C、Na、Mg、Al、P、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag及びAuが挙げられる。粉末が、2種以上の元素X1を含んでもよい。これらの元素X1は、粉末の熱伝導性にも寄与しうる。

 導電性の観点から、合金における元素X1の比率は1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、5質量%以上が特に好ましい。合金が十分なSiを含有しうるとの観点から、元素X1の比率は50質量%以下が好ましい。

 導電性及び低コストの観点から、特に好ましい元素X1は、Alである。Alは、シリサイド相において単相で存在しうる。Alはさらに、シリサイド相においてSiに固溶しうる。このAlは、導電性に寄与する。

 導電性の観点から、合金におけるAlの比率は0.1質量%以上が好ましく、3質量%以上がより好ましく、5質量%以上が特に好ましい。

 粒子1の表面に存在するAlは、大気中の酸素と反応しうる。この反応により、アルミナが生成される。アルミナは、粒子1の表面において酸化被膜を形成する。アルミナは、絶縁性である。アルミナは、粒子1同士の接触抵抗を高める。この粒子1を含む粉末は、導電性に劣る。アルミナの生成が抑制されるとの観点、及び低コストの観点から、合金におけるAlの比率は30質量%以下が好ましく、10質量%以下が特に好ましい。

 本発明の第二の好ましい態様の導電フィラー用粉末では、合金が、軟質な元素X2を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、合金は、
 (1)Si
 (2)元素X1
 (3)元素X2及び
 (4)不可避的不純物のみを含む。

 粉末の電気伝導度は、粒子内部のバルク抵抗と、粒子同士の接触抵抗に、主として支配される。軟質な元素X2を含む合金は、粒子同士の密着性を高める。この元素X2により、接触抵抗が低減される。

 合金における元素X2の含有量は、1質量%以上5質量%以下が好ましい。

 元素X2の具体例として、Sn、In、Zn、Bi、Ga及びPbが挙げられる。粉末が、2種以上の元素X2を含んでもよい。

 元素X2は、Siとの融点差が大きく、かつ、元素X2及びSiの相互の溶解はほとんどない。従って、Si-X2合金のアトマイズを行うと、Siと元素X2とを含有するシリサイド相が現れにくい。このアトマイズにより、Si単体と元素X2の単体とが析出する傾向が見られる。Si単体の電気伝導度は非常に小さく、さらにSi-X2合金中におけるSi単体が占める割合は多いため、Si-X2合金は導電フィラー粉末としては適さない。本発明の第二の好ましい態様の合金では、元素X2は、元素X1に付随して添加される。この合金は、導電フィラー粉末に適している。

 製造方法
 本発明に係る導電フィラー粉末は、アトマイズ工程を含む液体急冷プロセスによって製造されうる。このプロセスにより、容易かつ安価に粉末が製造されうる。好ましいアトマイズとして、水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法及びプラズマアトマイズ法が例示される。ガスアトマイズ法及びディスクアトマイズ法が、特に好ましい。

 ガスアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料に、アルゴンガスが噴射される。原料は急冷されて凝固し、粉末が得られる。噴射圧の調整により、凝固速度がコントロールされうる。噴射圧が大きいほど、凝固速度は大きい。凝固速度のコントロールにより、所望の粒度分布を有する粉末が得られうる。凝固速度が速いほど、粒度分布の幅は小さい。

 ディスクアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料が、高速で回転するディスクの上に落とされる。回転速度は、40000rpmから60000rpmである。ディスクによって原料は急冷され、凝固して、粉末が得られる。この粉末にミリングが施されてもよい。

 メルトスピニング法によって製造した鱗片状又は薄箔状の材料が、メカニカルアロイング法で粉砕されることで、粉末が製造されてもよい。

 以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。

 例A1~A73
 表1~4に示される例A1~A37(実施例)及び例A38~A73(比較例)の粉末を得た。各粉末の成分の、表に記載されていない残部は、不可避的不純物である。

 各粉末の電気伝導度を測定した。まず、篩を用いて径が45μmを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が25mmであり高さが10mmである円柱状のサンプルホルダー(東陽テクニカ社の粉体インピーダンス測定用四端子サンプルホルダー)に充填した。この粉末に、上下から4Nmの荷重をかけた。この粉末の上側に電流のプラス端子及び電圧のプラス端子を取り付けた。この粉末の下側に電流のマイナス端子及び電圧のマイナス端子を取り付けた。いわゆる四端子法により、電流を流して電圧を測定した。この結果が、下記の表1~4に示されている。

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004

 表1~4における製造プロセスの詳細は、下記の通りである。
  G.A.:ガスアトマイズ法
  D.A.:ディスクアトマイズ法
  M.S.:メルトスピニング法

 表1及び2に示される通り、各実施例の粉末の合金は、50質量%以上95質量%以下のSiを含んでいる。この合金は、導電性を示す金属シリサイド相と、密度の小さいSi相の、2相を有する。この粉末の密度は、2.0Mg/mから6.0Mg/mである。表1及び2では、各粉末が、A~Eの格付けで評価されている。この評価の基準は、以下の通りである。以下に示す、密度、電気伝導度、粒子径(D50)を同時に満たす場合に、当該格付けが適用される。
<格付けA>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:10AV-1-1以上
   粒子径(D50):10μm以上60μm以下
<格付けB>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:8AV-1-1以上10AV-1-1未満
   粒子径(D50):10μm以上60μm以下
<格付けC>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:5AV-1-1以上8AV-1-1未満
   粒子径(D50):10μm以上60μm以下
  又は
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:10AV-1-1以上
   粒子径(D50):10μm未満又は60μm超
<格付けD>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:5AV-1-1以上10AV-1-1未満
   粒子径(D50):10μm未満又は60μm超
  又は
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:5AV-1-1未満
   粒子径(D50):10μm以上60μm以下
<格付けE>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   電気伝導度:5AV-1-1未満
   粒子径(D50):10μm未満又は60μm超

 表3及び4に示された各比較例の粉末の格付けは、Fである。この粉末は、Si量、金属M1(元素X1)の有無、及び密度のいずれかが、本発明の要件を満たしていない。

 例えば、例A34に係る粉末は、組成が50Si-20Cr-20Ti-10Alであり、密度は4.13Mg/mである。また、電気伝導度は850AV-1-1であり、粒子径(D50)は35μmである。この粉末は、本実験例で最も好ましい特性を示している。

 例えば、例A50(比較)に係る粉末の電気伝導度は、740AV-1-1である。この粉末は優れた導電性を示し、かつ、Si量が50質量%であるが、密度が8.62Mg/mであるため、本発明の要件を満たさない。

 例B1~B40
 表5及び表6に示された組成を有する例B1~B40の粉末を得た。各粉末は、表5及び表6に記載されていない不可避的不純物を含む。

 各粉末の電気伝導度を測定した。まず、篩を用いて径が45μmを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が25mmであり高さが10mmである円柱状のサンプルホルダー(東陽テクニカ社の粉体インピーダンス測定用四端子サンプルホルダー)に充填した。この粉末に、上下から4Nmの荷重をかけた。この粉末の上側に電流のプラス端子及び電圧のプラス端子を取り付けた。この粉末の下側に電流のマイナス端子及び電圧のマイナス端子を取り付けた。いわゆる四端子法により、電流を流して電圧を測定した。この結果が、下記の表5及び表6に示されている。

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005

Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006

 表5及び6における製造プロセスの詳細は、下記の通りである。
  G.A.:ガスアトマイズ法
  D.A.:ディスクアトマイズ法
  M.S.:メルトスピニング法

 表5に示される通り、例B1~B20の粉末の合金は、50質量%以上95質量%以下のSiを含んでいる。この合金は、導電性を示す金属シリサイド相と、密度の小さいSi相の、2相を有する。この粉末の密度は、2.0Mg/m以上6.0Mg/m以下である。表5では、各粉末が、A~Dの格付けで評価されている。この評価の基準は、以下の通りである。以下に示される密度、積Po・D50及び電気伝導度を同時に満たす場合に、当該格付けが適用される。
<格付けA>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   積Po・D50:0.01以上4以下
   電気伝導度:1000AV-1-1以上
<格付けB>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   積Po・D50:0.01以上4以下
   電気伝導度:500AV-1-1以上1000AV-1-1未満
<格付けC>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   積Po・D50:0.01以上4以下
   電気伝導度:100AV-1-1以上500AV-1-1未満
<格付けD>
   密度:2.0Mg/m以上6Mg/m以下
   積Po・D50:0.01以上4以下
   電気伝導度:100AV-1-1未満

 例えば、例B19に係る粉末は、組成が55Si-20Cr-5Al-20Tiであり、密度は3.42Mg/mである。また、酸素値と粒子径D50の積Po・D50は0.94である。この粉末は、電気伝導度が1315AV-1-1であり、本実験例で最も好ましい特性を示している。

 例えば、例B36(比較)に係る粉末の電気伝導度は、1210AV-1-1である。この粉末は優れた導電性を示し、かつ、密度が3.32Mg/mで、積Po・D50が2.33であるが、Si量が25%であるため、本発明の要件を満たさない。

 以上の評価結果から、本発明の優位性は明らかである。

 本発明に係る粉末は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられ得る。

Claims (14)

  1.  Si系合金製の導電フィラー用粉末であって、
     前記Si系合金が、50質量%以上95質量%以下のSi、元素X1及び不可避的不純物を含み、
     前記合金が、前記Siと前記元素X1とを含有するシリサイド相と、Si相とを有しており、
     密度が2.0Mg/m以上6.0Mg/m以下である、導電フィラー用粉末。
  2.  前記元素X1が導電性の金属M1であり、前記金属M1及び不可避的不純物が前記Si系合金のSi以外の残部を構成する、請求項1に記載の導電フィラー用粉末。
  3.  前記合金が前記金属M1の単相を含む、請求項2に記載の導電フィラー用粉末。
  4.  前記金属M1が、B、Na、Mg、Al、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag及びAuからなる群から選択された1種又は2種以上である、請求項2又は3に記載の導電フィラー用粉末。
  5.  前記金属M1がAlであり、このAlの含有率が0.1質量%以上30質量%以下である、請求項4に記載の導電フィラー用粉末。
  6.  前記Alが、単相で又はSiに固溶して存在する、請求項5に記載の導電フィラー用粉末。
  7.  前記合金が金属M2をさらに含んでおり、前記金属M2がSn、In、Zn、Bi、Ga及びPbからなる群から選択された1種又は2種以上である、請求項2~6のいずれか一項に記載の導電フィラー用粉末。
  8.  その累積50体積%粒子径(D50)が1μm以上60μm以下である、請求項2~7のいずれか一項に記載の導電フィラー用粉末。
  9.  酸素値Po(質量%)と累積50体積%粒子径D50(μm)との積Po・D50が4以下である、請求項1に記載の導電フィラー用粉末。
  10.  前記合金が、前記元素X1の単相を含む、請求項9に記載の導電フィラー用粉末。
  11.  前記元素X1が、B、C、Na、Mg、Al、P、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag及びAuからなる群から選択された1種又は2種以上である、請求項9又は10に記載の導電フィラー用粉末。
  12.  前記元素X1がAlであり、このAlの含有率が0.1質量%以上30質量%以下である、請求項11に記載の導電フィラー用粉末。
  13.  前記Alが、単相で又はSiに固溶して存在する、請求項12に記載の導電フィラー用粉末。
  14.  前記合金が元素X2をさらに含んでおり、前記元素X2がSn、In、Zn、Bi、Ga及びPbからなる群から選択された1種又は2種以上である、請求項9~13のいずれか一項に記載の導電フィラー用粉末。
     
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