JP6470428B2 - 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、高い周波数帯域で作動する電子部品を収納する電子素子搭載用パッケージおよびそれを用いた電子装置に関する。

近年、高速通信に対する需要が急激に増加しており、高速大容量な情報伝送に関する研究開発が進められている。とりわけ、光通信装置を用いて光信号を受発信する半導体装置等の電子装置の高速化が注目されている。すなわち、電子装置による光信号の高出力化と高速化が、伝送容量を向上させるための課題であるとして研究開発されている。

このような電子装置用の電子部品搭載用パッケージとして、例えば、電子部品を収容する筐体と、筐体の側壁に接続されるフレキシブル基板と、電子部品とフレキシブル基板とを電気的に接続するリードピンとを有しているものがある。

特開2012−48121号公報

本発明の一つの態様によれば、電子部品搭載用パッケージは、凹部を有する上面、および切り欠き部を有する下面を有し、凹部の底面から切り欠き部の底面にかけて貫通孔がある本体部と、切り欠き部の底面に設けられ、本体部の切り欠かれた側面側の端部に沿って延在する突条部とを備える筐体と、切り欠き部に設けられた同軸コネクタと、切り欠き部内から切り欠き部外に延在するフレキシブル基板とを備えている。同軸コネクタは、貫通孔を通って凹部内に突出する上端と切り欠き部内に突出する下端とを有する端子を含んでいる。フレキシブル基板は、端子の下端に接合された固定端部と、固定端部と反対側の遊端部とを有している。フレキシブル基板は、突条部に当接してたわんでいる。

本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の電子部品搭載用パッケージと、電子部品搭載用パッケージの凹部に収容された電子部品と、電子部品搭載用パッケージに接合された蓋体とを有している。

本発明の第１実施形態の電子部品搭載用パッケージを示す分解斜視図である。 本発明の第１実施形態の電子部品搭載用パッケージを示す斜視図である。 本発明の第１実施形態の電子部品搭載用パッケージを示す斜視図である。 本発明の第１実施形態の電子部品搭載用パッケージを示す平面図である。 図４のＸ−Ｘ線における断面図である。 本発明の第２実施形態の電子部品搭載用パッケージを示す断面図である。 本発明の第３実施形態の電子部品搭載用パッケージを示す断面図である。 本発明の電子装置を示す断面図である。

本発明の例示的な実施形態について、図面を参照して説明する。

図１〜図５を参照して本発明の第１実施形態における電子部品搭載用パッケージ２０について説明する。

本実施形態の電子部品搭載用パッケージ２０は、筐体１と、同軸コネクタ３と、フレキシブル基板６とを有している。

筐体１は、電子部品が収容される凹部１ｂを有する上面、および切り欠き部１ｃを有する下面を有する本体部１ａを含んでいる。切り欠き部１ｃは筐体１の下面および側面に開口している。また、本体部１ａには、凹部１ｂの底面から切り欠き部１ｃの底面にかけて貫通孔２がある。切り欠き部１ｃの底面とは、切り欠き部１ｃに対して上面側の凹部１ｂに近い内面をいう。

本体部１ａは、電子部品を収容するための収容部材として機能する。また、本体部１ａは、電子部品搭載用パッケージ２０の外部との電磁的遮蔽を行なう機能を有している。本体部１ａは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金(ＪＩＳ規格のＳＵＳ304、ＳＵＳ310等)、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金(ＪＩＳ規格のＳＵＳ303、ＳＵＳ316等)等のステンレス鋼、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金またはＣｕ−Ｚｎ合金等の金属材料から成る。

例えば、本体部１ａの凹部１ｂに収容される電子部品が、強誘電体素子であるＬＮ（ニオブ酸リチウム）による変調素子（以下、ＬＮ素子という）の場合、ＬＮ素子の熱膨張係数15.4×10^−６／℃と近似しているＳＵＳ303（熱膨張係数14.6×10^−６／℃）、ＳＵＳ304（熱膨張係数17.3×10−６／℃）、ＳＵＳ310（熱膨張係数15.8×10^−６／℃）、ＳＵＳ316（熱膨張係数16.0×10^−６／℃）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金等の金属材料を用いて、本体部１ａを作製する。

この場合、本体部１ａの凹部１ｂにＬＮ素子を収容して電子装置とした場合、本体部１ａと電子部品との熱膨張係数が近似している。そのため、熱膨張係数の差に起因する応力で、電子部品１１が本体部１ａから剥がるおそれが少なくなる。この応力は、例えば、電子部品が作動した際に発生する熱、電子部品１１を体本体部１ａへろう材を介して実装するときの加熱、または電子装置の環境試験および信頼性試験において加えられる熱によって生じる。

また、本体部１ａは、上記金属材料のインゴットに圧延加工、打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施して基体および枠体とし、これら基体と枠体とを接合することによって製作される。また、本体部１ａの表面に耐蝕性に優れ、かつ、ろう材との濡れ性に優れる金属を被着させてもよい。具体的には厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜９μｍのＡｕ層を順次めっき法により被着させたものである。この場合には、本体部１ａが酸化腐食する可能性を低減することができる。また、本体部１ａの凹部１ｂの底面に回路基板４を載置するための基台５を強固に接着固定させることができる。

なお、基体および枠体は一体成形したものでもよい。この一体成形の方法としては、上述したＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金等の金属材料のインゴットに切削加工、放電加工等の金属加工法を施す方法がある。この方法によって、所定の形状で本体部１ａを製作することができる。基体と枠体とを一体成形した場合は、組み立て時の接合ずれの可能性を低減することができる。

本体部１ａは、凹部１ｂの底面から切り欠き部１ｃの底面にかけて貫通孔２を有している。貫通孔２は、１つまたは複数が存在する。貫通孔２は、切り欠き部１ｃの底面側の開口面積が、凹部１ｂの底面側の開口面積よりも大きくなるように形成されてもよい。例えば、貫通孔２が円形である場合、図５に示されるように、貫通孔２は、凹部１ｂの底面側の直径が小さい円柱と、その下方の切り欠き部１ｃに開口する直径が大きい円柱とをつないだ形状でもよい。これにより、同軸コネクタ３を貫通孔２に挿入して固定する際に、直径が異なる部分に生じる段差を利用することができる。そのため、同軸コネクタ３の凹部１ｂ方向への位置ズレを低減することができる。

突条部７は、切り欠き部１ｃの底面に設けられている。また、突条部７は、本体部１ａの切り欠かれた側面側の端部に沿って延在する。突条部７は、本体部１ａとは異なる材料からなるものであってもよく、本体部１ａとは別個の部材であってもよい。突条部７は、本体部１ａと同じ金属材料を用いて本体部１ａと一体成形されてもよい。突条部７と本体部１ａとを一体成形する場合は、基体の下面を切削加工することによって、基体の下面に切り欠き部１ｃと突条部７とを形成することができる。

同軸コネクタ３は、端子３ａと、端子３ａが挿通される孔を有する保持部材３ｂと、封止材３ｃとを含む。同軸コネクタ３は、複数の端子３ａを有してもよい。同軸コネクタ３が複数の端子３ａを有する場合、これらの複数の端子３ａを信号端子として用い、複数の高周波信号を電子装置３０に入出力して用いてもよい。

端子３ａは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る。例えば端子３ａがＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、この合金のインゴット（塊）に圧延加工、打ち抜き加工等の金属加工方法を施す。これらの加工によって、長さが1.5〜22ｍｍ、直径が0.1〜0.5ｍｍの線状に端子３ａが製作される。

端子３ａの直径が0.1ｍｍより小さい場合は、端子３ａが曲がりやすいものになり、取り扱い上の少しの不注意でも端子３ａが曲がってしまいやすくなる。端子３ａが曲がってしまうと、エア同軸部を有する場合は、この部分でのインピーダンス（特性インピーダンスであり、これ以降のインピーダンスも同様である）が狂いやすくなる。また、端子３ａと外部回路との接続の作業性が低下する場合がある。また端子３ａの直径が0.5ｍｍを超えると、インピーダンス整合を行うために必要な貫通孔２および挿通孔５ａの径が不要に大きくなるため、電子装置が小型化し難くなる。したがって、端子３ａの直径は、例えば0.1〜0.5ｍｍに設定される。

保持部材３ｂは、本体部１ａと同様の金属材料からなる。この金属材料の加工方法も本体部１ａと同様である。この場合、本体部１ａが保持部材３ｂをさらに有しており、貫通孔２と封止材３ｃとの間に保持部材３ｂが本体部１ａの一部として介在している構造も、本実施形態に含まれる。図１〜図５に示す場合においては、保持部材３ｂは本体部１ａに設けられた貫通孔２の内周面にろう付けされている。また、図５に示されるように、貫通孔２が凹部１ｂの底面側の直径が小さい円柱と、その下方の切り欠き部１ｃに開口する直径が大きい円柱とをつないだ形状からなる場合、保持部材３ｂは、切り欠き部１ｃに開口する直径が大きい方の貫通孔２の内周面にろう付けされてもよい。端子３ａは、保持部材３ｂ内を挿通されて、保持部材３ｂに封止材３ｃを介して固定されている。

封止材３ｃは、ガラス、セラミックスなどの絶縁性の無機材料から成る。封止材３ｂは、端子３ａと筐体１または保持部材３ｂとの絶縁性を確保する。

このような封止材３ｃの例としては、ホウケイ酸ガラス，ソーダガラス等のガラスおよびこれらのガラスに封止材３ｃの熱膨張係数、比誘電率を調整するためのセラミックフィラーを加えたものが挙げられる。封止材３ｃには、インピーダンスマッチングのために、フィラーが、その比誘電率を適宜調整して用いられる。比誘電率を低下させるフィラーとしては、酸化リチウム等が挙げられる。例えば、特性インピーダンスを50Ωとするには、次のような条件に設定すればよい。すなわち、貫通孔２の内径が1.75ｍｍで端子３ａの外径が0.2ｍｍの場合であれば、封止材３ｃの比誘電率が6.8であるものを用いればよい。また、貫通孔２の内径が1.65ｍｍで端子３ａの外径が0.25ｍｍの場合であれば、封止材３ｃの比誘電率が５であるものを用いればよい。

フレキシブル基板６は、切り欠き部１ｃ内から突条部７の方向に向かって切り欠き部１ｃ外に延在している。フレキシブル基板６は、端子３ａの下端に接合材８を介して接合される固定端部６ｂと、固定端部と反対側の遊端部６ａとを有している。固定端部６ｂが上記の延在方向の近位端であり、遊端部６ａが延在方向の遠位端である。フレキシブル基板６は、突条部７に当接して遊端部６ａが斜め下方に延出するようにたわんでいる。それによって遊端部６ａは固定端部６ｂよりも低い位置になっている。また、端子３ａは、フレキシブル基板６に設けられた貫通部に挿入され、接合材８で接合固定される。なお、図示しないが、フレキシブル基板６は、接合材８を介して端子３ａに電気的に接続された、上記の貫通部の周囲に設けられた配線導体と、保持部材３ｂに導電部材を介して電気的に接続された接地配線導体とを有している。

また、図５に示されるように、フレキシブル基板６は、切り欠き部１ｃの底面に対向する面が保持部材３ｂの切り欠き部１ｃ側の端面および切り欠き部１ｃの底面に当接するように配置され、同軸コネクタ３に固定される。これにより、フレキシブル基板６は、変形等によって生じる、同軸コネクタ３に対する位置ずれの可能性が低減され、所望の周波数特性を維持することができる。また、フレキシブル基板６は、遊端部６ａと反対方向の一端が突条部７と反対側に位置する切り欠き部１ｃの側面に当接するように配置され、同軸コネクタ３に固定されてもよく、前述と同様の作用効果にて所望の周波数特性を維持することができる。

このような構成によって、フレキシブル基板６と外部回路基板１４とが接続される場合に、フレキシブル基板６の遊端部６ａに上下方向の力が加わったとしても、固定端部６ｂは、てこの原理による応力が発生しにくいものとなる。また、引っ張り方向の力が加わったとしても、固定端部６ｂに加わる力を緩和することができる。また、フレキシブル基板６が所望の位置からずれる可能性を低減することができる。すなわち、遊端部６ａに力が加わったとしても、固定端部６ｂが破損し難いものとすることができるとともに、所望の周波数特性を維持することができる。したがって、フレキシブル基板６と外部回路基板１４とを接続する際に、電子部品搭載用パッケージ２０と外部回路基板１４との接続信頼性を向上することができる。

図６は、本発明の第２実施形態に従う電子部品搭載用パッケージ２０Ａを示す。貫通孔２は、切り欠き部１ｃの底面側の開口面積が凹部１ｂの底面側の開口面積よりも大きい。また、同軸コネクタ３は、端子３ａが挿通される孔を有する保持部材３ｂを有している。そして、保持部材３ｂは、貫通孔２に収容されている。突条部７に沿って延びる溝９が、切り欠き部１ｃの底面の突条部７と同軸コネクタ３との間の領域に形成されている。溝９は、貫通孔２に連通している。これにより、貫通孔２に収容される保持部材３ｂと突条部７との間に高周波共振が発生する可能性を低減することができる。また、図６に示されるように、溝９は、貫通孔２および保持部材３ｂを取り囲むように形成された環状の溝の一部であってもよい。すなわち、溝９は、切り欠き部１ｃの底面の突条部７と、突条部７と反対側に位置する切り欠き部１ｃの側面との間の領域に形成されてもよい。これにより、貫通孔２に収容される保持部材３ｂと突条部７との間、および突条部７と反対側に位置する切り欠き部１ｃの側面との間に高周波共振が発生する可能性を低減することができる。

図７は、本発明の第３実施形態に従う電子部品搭載用パッケージ２０Ｂを示す。本発明の第３実施形態に従う電子部品搭載用パッケージ２０Ｂは、突条部７が、同軸コネクタ３に臨む内側の角部に面取り部１０が形成された直方体形状である。そして、面取り部１０がフレキシブル基板６に当接している。このような構成によって、フレキシブル基板６の突条部７に当接する部分の破損の可能性を低減することができる。

面取り部１０は、例えば、その垂直方向の高さが水平方向の幅よりも小さくてもよい。これにより、突条部７に当接してたわむフレキシブル基板６のたわみを緩やかにすることができる。フレキシブル基板６がたわむことによって加えられる固定端部６ｂの応力や、フレキシブル基板６がたわむ箇所に加わる応力が小さくなる。そのため、固定端部６ｂやフレキシブル基板６が破損する可能性を低減することができるとともに、フレキシブル基板６が所望の位置からずれたり、変形したりする可能性を低減することができる。さらに、面取り部１０は、凸の曲面形状を有するものでもよい。これにより、面取り部１０がフレキシブル基板６に当接する面積を少なくできる。これによって、フレキシブル基板６が破損する可能性をより低減することができる。

図８は、本発明の実施形態の電子装置３０の断面図を示す。電子装置３０は、前述の構成の電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂと、電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂの凹部１ｂに収容された電子部品１１と、電子部品１１を覆うように電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂに接合された蓋体１３とを備える。

このような構成によって、電子装置３０と外部回路基板１４とが接続される場合に、フレキシブル基板６の遊端部６ａに力が加わったとしても、固定端部６ｂは、てこの原理による応力が発生しにくいものとなる。また、フレキシブル基板６が所望の位置からずれる可能性を低減することができる。そのため、固定端部６ｂが破損する可能性を低減することができるとともに、所望の周波数特性を維持することができる。したがって、電子装置３０と外部回路基板１４とを接続する際に、フレキシブル基板６の遊端部６ａに力が加わっても損傷し難いものとなるとともに、周波数特性が変動する可能性を低減することができる。その結果、電子装置３０と外部回路基板１４との接続信頼性を向上することができるとともに、安定した周波数特性を実現することができる。

また、本体部１ａの下面には切り欠き部１ｃが設けられ、フレキシブル基板６の少なくとも一部は切り欠き部１ｃ内に収納される。したがって、本体部１ａの下面の切り欠き部１ｃが設けられていないフラットな箇所と外部回路基板１４とを接触させて実装した場合に、同軸コネクタ３とフレキシブル基板６との固定部が切り欠き部１ｃに収納されることにより、電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂを低背化が容易である。また、本体部１ａの下面の切り欠き部１ｃが設けられていないフラットな箇所と外部回路基板１４との間にフレキシブル基板６および端子３ａが介在していない。そのため、電子装置３０は、傾きにくく、外部回路基板１４に安定して実装されるものとなる。したがって、放熱性および実装信頼性に関して向上されたものとなるとともに、電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂの周波数特性を安定し維持することができる。

また、この場合には、切り欠き部１ｃ外に設けられているフレキシブル基板６の一部分である遊端部６ａは、筐体１の下面の切り欠き部１ｃが設けられていないフラットな箇所より下方に位置してもよい。この一部分は、実装時に一定圧力の下で外部回路基板１４に接触する。そのため、フレキシブル基板６に設けられた配線導体と半田等のろう材を介しての外部回路基板１４との接合作業が容易なものとなる。また、切り欠き部１ｃ外に設けられているフレキシブル基板６の一部分である遊端部６ａは、筐体１の下面の切り欠き部１ｃが設けられていないフラットな箇所より上方に位置してもよい。これにより、電子装置３０を外部回路基板１４に実装する際に、本発明の電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂは、遊端部６ａと外部回路基板１４との間に隙間を設けることができる。よって、電子装置３０を外部回路基板１４に実装する際に遊端部６ａが外部回路基板１４に当接し、電子装置３０が傾き難くなる。その結果、本発明の電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂは、筐体１の下面を介した放熱性を維持することができる。

基台５および電子部品１１は、本体部１ａの凹部１ｂの底面に接合されている。導体線路（図示せず）を有する回路基板４が基台５の上面に載置されるとともに接合されている。

回路基板４は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）セラミックスまたは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス絶縁基板等のセラミックスから成る。回路基板４は、インピーダンス整合用の基板として機能する。アルミナセラミック絶縁基板等は、以下、単に絶縁基板という場合もある。

回路基板４には導体線路が配置されている。導体線路は、例えば50Ωのインピーダンスのマイクロストリップ線路である。このインピーダンスは、例えば端子３ａのインピーダンスと同じである。マイクロストリップ線路の端子３ａと反対側の端部は電子部品１１とボンディングワイヤ１２を介して接続される。マイクロストリップ線路の端子３ａ側の端部は端子３ａの上端に接合材８を介して接合される。これにより、端子３ａと電子部品１１とが電気的に接続される。

また、回路基板４の下面等に接地導体（図示せず）が形成されている。接地電位（グランド電位）は、フレキシブル基板６の接地配線導体から筐体１と基台５を介して接地導体に供給される。接地導体は、ろう材等を介して基台５に接合され、フレキシブル基板６の接地配線導体と電気的に接続されている。

回路基板４の導体線路の特性インピーダンスを50Ωとするには、例えばマイクロストリップ構造の回路基板４の場合であれば、次のような条件に設定すればよい。すなわち、比誘電率9.5である96％酸化アルミナ質焼結体からなり、厚みが0.3ｍｍである絶縁基板の下面に接地導体５ｃを形成し、上面の導体線路を、幅が0.3ｍｍで厚みが４μｍのものとすればよい。絶縁基板が同じアルミナ質焼結体からなり、厚みが0.5ｍｍである場合には、導体線路を厚みが４μｍで幅が0.5ｍｍのものとすればよい。

回路基板４は、例えばアルミナ質焼結体（アルミナセラミックス）からなる場合であれば、次の方法で製作することができる。まず、酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，および溶剤を添加混合して得た泥漿物をドクターブレード法またはカレンダーロール法等で成形してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となす。この加工したセラミックグリーンシートを、必要に応じて複数枚を積層して成形体となす。しかる後、この成形体を約1600℃の温度で焼成する。以上の工程によって、回路基板４が製作される。この焼成後の絶縁基板は、厚みが約0.2〜0.3ｍｍである。導体線路のインピーダンスを例えば50Ωに整合させるために、絶縁基板は薄く製作される。

基台５には挿通孔５ａが設けられている。端子３ａが挿通孔５ａ内を挿通して、エア同軸構造となっている。これによって、端子３ａが筐体１の凹部１ｂの底面から突出した部分において、インピーダンスの不整合が発生しにくくなる。したがって、高周波信号を良好に伝送させることが可能となる。

挿通孔５ａは、例えば貫通孔２に連通し直径が0.23〜1.15ｍｍである。端子３ａが通る挿通孔５ａの直径は、中心に端子３ａが貫通することで特性インピーダンスが50Ωのエア同軸が形成されるような寸法とされる。例えば、端子３ａの直径が0.2ｍｍの場合であれば、挿通孔５ａの直径は0.46ｍｍとすればよい。

基台５は、筐体１の凹部１ｂの底面にＡｕ−Ｓｎ合金等の低融点ろう材を介して接合されている。基台５の上面には、回路基板４が載置されている。この回路基板４は、Ａｕ−Ｓｎ合金等の低融点ろう材を介して基台５に接合されている。

基台５は、筐体１の熱膨張係数と、回路基板４の熱膨張係数との中間の熱膨張係数を持つＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る。基台５は、温度変化によって上面に載置する回路基板４に大きな応力が働いて割れたりすることがないようにするための緩衝材として機能する。つまり、基台５は、中継用の基台５として機能する。ＬＮ素子の熱膨張係数に合わせた筐体１に、直接、回路基板４を載置すると、本体部１ａの熱膨張係数と回路基板４の熱膨張係数との差が大きい。この熱膨張係数の差によって、回路基板４にクラックが発生することがある。このような不具合を防ぐために、本体部１ａの凹部１ｂの底面に基台５を載置し、この基台５の上面に回路基板４を載置するという本実施形態の構成としている。

例えば、本体部１ａがＳＵＳ304（熱膨張係数17.3×10^−６／℃）で、回路基板４がアルミナセラミックス（熱膨張係数6.5×10^−６／℃）の場合は、基台５は、例えば、本体部１ａおよび回路基板４の中間の熱膨張係数を持つＦｅ−50Ｎｉ合金（熱膨張係数9.9×10^−６／℃）の金属材料から成る。この場合、基台５によって、回路基板４に加わる応力が緩和される。そのため、回路基板４が割れるおそれが少なくなる。なお、基台５は、その材料のインゴットに圧延加工、打ち抜き加工等の金属加工法を施すことで形成できる。

また、基台５は、その厚みを１〜２ｍｍとすると、回路基板４にクラック等を発生する可能性を低減することができる。基台５の厚みが１ｍｍ以上であると、本体部１ａと回路基板４との熱膨張係数の差によって発生する応力の効果的に緩和することができる。基台５の厚みが２ｍｍ以下であると、電子装置の高さを効果的に低くでき、装置を薄型化することができる。伝送する周波数が高くなるにつれ、伝送特性を高めるために回路基板４の厚みを薄くし、回路基板が備える導体線路（図示せず）を細く形成することが必要となる。この場合に回路基板４を割れ難くするためには、基台５の厚みは1.7〜２ｍｍとすればよい。

回路基板４の導体線路および接地導体（図示せず）は、タングステン，モリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，白金および金等の金属材料から選択された金属材料なる。

導体線路および接地導体は、例えばタングステンからなる場合であれば、次のようにして形成する。まず、タングステンの粉末に有機溶剤，バインダを添加混練して金属ペーストを作製する。次に、この金属ペーストを絶縁基板となるセラミックグリーンシートに所定の配線パターンとなるようにスクリーン印刷法を用いて印刷する。以上の工程を含む方法によって導体線路および接地導体を形成することができる。

導体線路および接地導体は、薄膜加工で作製することもできる。導体線路および接地導体は、薄膜加工で作製されたときには高精度なパターンに形成できる。薄膜加工による導体線路および接地導体は、密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層からなる。

導体線路および接地導体を薄膜加工で作製する場合、例えば以下のようにしてこれらを作製する。

まず、焼成後の絶縁基板に、蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって導体線路およぶ接地導体となる各層（密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層）を形成する。その後レジスト膜を形成し、フォトリソ加工、エッチング等の薄膜加工によって導体線路、接地導体を形成する。

基台５の側面は、その全面が筐体１の凹部１ｂの側壁に当接されていてもよい。この場合、基台５の側面と筐体１の内面との間に空間が形成されておらず接触している。そのため、そもそも共振が発生せず、共振によるノイズが導体線路を伝送する高周波信号に加わる可能性が低い。そして、高周波信号を良好に伝送することが可能となる。

上述のように、基台５は、その側面を凹部１ｂの側壁に当接させてもよいが、凹部１ｂの側壁と底面とがなす角部が直角でないと、基台５の側面の全面を凹部１ｂの側壁に当接させることが難しい。この場合には、基台５の側面と凹部１ｂの側壁との間に空間が生じる。そうすると、空間で共振が発生するおそれがある。共振によるノイズが導体線路中の高周波信号に加わり、高周波信号を良好に伝送することが難しくなるおそれがある。

このような場合、基台５の下部の角に切り欠きまたは面取りを形成してもよい。面取りを形成することで、基台５の側面を凹部１ｂの側壁に容易に当接させることができる。その結果、基台５の側面と凹部１ｂの側壁との間の共振の発生の可能性を低減し、高周波信号を良好に伝送することが可能となる。

また、基台５の側面と凹部１ｂの側壁との間に空間を生じる場合に、空間の幅が50μｍ以上0.1ｍｍ以下であれば、次のような点で有利である。すなわち、空間の幅の２乗に反比例して共振の強さが減少する関係にある。そのため、空間の幅、すなわち基台５の側面と凹部１ｂの側壁との間の距離が50μｍ以上であると共振が起こりにくい。共振によるノイズも小さくなり、導体線路を伝わる高周波信号が良好なものとなる。従って、空間の幅が50μｍ以上であれば、高周波信号の伝送を良好にできる。また空間の幅が大きいほど、共振が弱くなる。そのため、電気特性的には空間の幅は大きいほど有効である。ただし、電子装置を小型化を考慮すれば、空間の幅は0.1ｍｍ以下に設定する。

蓋体１３は、筐体１の上面外周部に半田付け法、シーム溶接法により接合される。蓋体１３は、電子部品１１を電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂの中に気密封止するものである。蓋体１３の材料は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料、アルミナセラミックス等のセラミックスである。蓋体１３を、筐体１の上面外周部にＡｕ−Ｓｎ合金等の低融点ろう材を介して接合したり、シーム溶接等の溶接により接合したりする。これによって、電子部品１１を電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂ内に封止する。

本実施形態の電子部品搭載用パッケージ２０，２０Ａ，２０Ｂは、端子３ａの上端が回路基板４の導体線路とろう材で接続されている。端子３ａが、例えば50Ωの高周波インピーダンスとなるように挿通孔５ａの中心をエア同軸で挿通されている。また、本体部１ａの貫通孔２の中心に50Ωの高周波インピーダンスとなるように固定されている。そして、端子３ａの下端はフレキシブル基板６の配線導体にろう材で接続されている。フレキシブル基板６の接地配線導体は、配線導体を挟むように配線導体の両側に配置されている。それぞれの接地配線導体は本体部１ａの下面にろう材で接続される。配線導体と接地配線導体とは、コプレナー線路を構成している。このコプレナー線路は、筐体１の外部においてもインピーダンスが50Ωとなるように形成されている。

なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の一例では電子部品１１としてＬＮ素子を挙げて説明したが、これに限ることはなく、高周波半導体素子等の電子部品１１であってもよい。

また、上記実施の形態の説明において上下左右という用語は、単に図面上の位置関係を説明するために用いたものであり、実際の使用時における位置関係を意味するものではない。

１・・・・・・・筐体
１ａ・・・・・・本体部
１ｂ・・・・・・凹部
１ｃ・・・・・・切り欠き部
２・・・・・・・貫通孔
３・・・・・・・同軸コネクタ
３ａ・・・・・・端子
３ｂ・・・・・・保持部材
３ｃ・・・・・・封止材
４・・・・・・・回路基板
５・・・・・・・基台
５ａ・・・・・・挿通孔
６・・・・・・・フレキシブル基板
６ａ・・・・・・遊端部
６ｂ・・・・・・固定端部
７・・・・・・・突条部
７ａ・・・・・・面取り部
８・・・・・・・接合材
９・・・・・・・溝
１０・・・・・・面取り部
１１・・・・・・電子部品
１２・・・・・・ボンディングワイヤ
１３・・・・・・蓋体
２０・・・・・・電子部品搭載用パッケージ
３０・・・・・・電子装置

Claims (3)

1. 電子部品が収容される凹部を有する上面、および切り欠き部を有する下面を有し、前記凹部の底面から前記切り欠き部の底面にかけて貫通孔がある本体部と、前記切り欠き部の前記底面に位置し、前記本体部の切り欠かれた側面側の端部に沿って延在する突条部とを含む筐体と、
   前記切り欠き部に設けられた同軸コネクタであって、前記貫通孔を通って前記凹部内に突出する上端と前記切り欠き部内に突出する下端とを有する端子を含む同軸コネクタと、
   前記切り欠き部内から前記切り欠き部外に延在するフレキシブル基板であって、前記端子の前記下端に接合された固定端部と、該第固定端部と反対側の遊端部とを有しているとともに、前記突条部に当接してたわんでいるフレキシブル基板と、を備え、
   前記貫通孔は、前記切り欠き部の前記底面側の開口面積が、前記凹部の前記底面側の開口面積よりも大きく、
   前記同軸コネクタは、前記端子が挿通される孔を有する保持部材を有し、該保持部材は、前記貫通孔に収容されており、
   前記突条部に沿って延びる溝が、前記切り欠き部の底面の前記突条部と前記同軸コネクタとの間の領域にあり、前記溝は、前記貫通孔に連通している、電子部品搭載用パッケージ。
2. 前記突条部は、前記同軸コネクタに臨む内側の角部に面取り部を有する直方体形状であり、前記面取り部が前記フレキシブル基板に当接している請求項１に記載の電子部品搭載用パッケージ。
3. 請求項１または２に記載の電子部品搭載用パッケージと、
   前記電子部品搭載用パッケージの前記凹部に収容された電子部品と、
   前記電子部品を覆うように前記電子部品搭載用パッケージに接合された蓋体と、を備える電子装置。

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