JP2019169607A - 半導体素子用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁板のうち前記開口部よりも外側に位置する部分において前記絶縁板の下面に位置しており、前記基板の下面よりも上側に位置する下面を有する板状体と、前記第1配線に接続された第2配線が位置する下面を有するフレキシブル基板とを備える。
ージを提供することができる。
る部分である。貫通孔2bに光ファイバが挿入され、その光ファイバの端部分が半導体素子101の受光部または発光部に接続される。これにより、半導体素子101(光半導体素子)と外部との間で光信号の送受が可能になる。
有する長さ方向の貫通孔内に光ファイバが挿入され、固定部材を介して光ファイバが枠体2に対して位置決め固定される。
厚さ0.5〜9μmの金めっき層とを含むものが挙げられる。この場合、枠体2の表面部分
における耐食性およびろう材の濡れ性等の特性を向上させることができる。それによって、枠体2が酸化腐食の可能性を低減することができる。また、枠体2に後述する蓋体102等の部材をろう付けするときのろう材の濡れ性を向上させることができ、電子素子用パッケージ10としての気密封止の信頼性向上等に有利になる。
気密封止することができる。この場合、枠体2の貫通孔2bは上記のように光ファイバおよび固定部材で塞がれ、枠体2の上側の開口は蓋体102で塞がれる。これにより、基板1
(上面)、枠体2、固定部材および蓋体102等で囲まれた容器が形成され、この容器内に
半導体素子101が封止される。
子3の枠体2と反対側の端部分にフレキシブル基板5が接続される。
。この高さの差Hが0.05mm以上であれば、入出力端子3を適度に変形させて(たわませて)応力を分散させることができる。また、この高さの差Hが0.2mm以下であれば、入
出力端子3の変形し過ぎ(たわみ過ぎ)を抑制することができる。そのため、入出力端子3の機械的な破壊を効果的に抑制することができる。
および図6等に示すように長方形状であり、角部分が平面状または円弧状に成形されている。つまり、板状体4は、平面視において角がC面状またはR面状に加工された平板状の部材である。なお、平面視における板状体4の形状は、上記のように入出力端子の変形を抑制することができるものであれば、種々の形状に設定することができ、例えば長円状でもよい。
ック材料によって形成されている。
の固定は、例えばスズ−銀等の低融点ろう材、金−シリコン(Au−Si)接合材、樹脂
系接着剤およびガラス等の接合材から適宜選択した接合材を用いて行なうことができる。例えば、金−シリコンのペーストまたはフィルム等を介して搭載部1a上に半導体素子101を位置決めして載せ、これらを加熱することで、搭載部1aに半導体素子101を接合し、固定することができる。
置され、固定されてもよい。載置用基台は、例えば、シリコン(Si)、または基板1の熱膨張係数に近似する酸化アルミニウム質焼結体または窒化アルミニウム質焼結体等の誘電体材料によって形成される。この載置用基台は、半導体素子101から基板1へ熱を伝え
るための伝熱媒体であるとともに、その高さを調整する機能を有している。半導体素子101の高さを調整することにより、例えば、半導体素子10と光ファイバとの光軸が合うように調節する作業を容易なものとすることができる。つまり、光ファイバに対する受発光の精度向上および生産性の点で有利な半導体装置100とすることができる。
この場合に、半導体素子101の各電極と載置用基台上面の配線導体とを電気的に接続する
ボンディングワイヤが設けられてもよい。配線導体と半導体素子101との電気的な接続は
、例えば金属バンプまたは導電性接着剤等の、ボンディングワイヤ以外の導電性接続在によって行なわれてもよい。
端子3のうち枠体2の内側に位置する部分に設けられた第1配線32とが、例えばボンディングワイヤ(図示せず)を介して互いに電気的に接続される。以上の形態の半導体装置100において、半導体素子101は、第1配線32と電気的に接続され、第1配線32および第2配線52を介して外部電気回路に電気的に接続される。
−コバルト(Fe−Ni−Co)合金等の金属材料や酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料からなる。蓋体102と枠体2上面との接合は、例えば、金−スズ(Au−Sn
)合金はんだ等の低融点ロウ材を介した接合法により行なわれる。また、蓋体102と枠体
2上面との接合は、YAG(イットリウム−アルミニウム−ガーネット)レーザ溶接、抵抗溶接等の溶接法により行なわれてもよい。
複数の第1配線32が絶縁板31の上面の幅方向に、互いに間隔をおいて平行に配列されていてもよい。絶縁板31の上面の幅方向とは、この上面における第1配線32の長さ方向に直交する方向(つまり第1配線32の線幅方向)である。また、このときに、上記配列の幅方向の両端に位置する第1配線32よりも板状体4の幅方向の両端がそれぞれ外側に位置していてもよい。言い換えれば、板状体4は、平面視において、複数の第1配線32の全部を線幅方向に含むような形状および外形寸法を有するものでもよい。板状体4が前述したように長方形状であれば、その長辺方向において、複数の第1配線32全部を線幅方向に含むように位置することが容易である。
外部電気回路との電気的な接続信頼性および気密封止信頼性等を効果的に向上させること
ができる。また、そのような半導体装置100の製作がより容易な半導体素子用パッケージ10とすることができる。
体4と絶縁板31との熱膨張率の差が、基板1と絶縁板31との熱膨張率の差よりも大きくてもよい。言い換えれば、板状体4と絶縁板31との熱膨張率の差は、半導体素子用パッケージ10および半導体装置100において相対的に大きいものとされていてもよい。さらに言い
換えれば、板状体4の材料に関しては、絶縁板31との熱膨張率の差を特に小さくするようなものを優先して選択する必要性が(基板1に比べて)比較的小さい。金属材料は、絶縁板31を形成するセラミック材料に比べて熱膨張率が大きい傾向があるため、熱膨張率が比較的大きいものを使えることで、板状体4が金属材料であるときに、その材料選択の制約が低減される。
、例えば板状体の熱伝導率、透磁率、色調(外観)および経済性等を基準にした選択肢を広くすることができる。
上面から下面にかけて貫通する貫通導体6をさらに備えているものでもよい。また、このときに、板状体4が金属材料を含んでいるとともに、貫通導体6を介して第1配線32と板状体4の金属材料とが互いに電気的に接続されていてもよい。貫通導体6を介して板状体4の金属材料と電気的に接続される第1配線32は、例えば接地電位を半導体素子101に供
給する接地配線である。
(b)に示す例のように、平面視において基板1および板状体4がそれぞれ矩形状であり、基板1の側面と板状体4の側面とが互いに一定の間隔を置いて対向し合っているものでもよい。すなわち、基板1および板状体4それぞれの1つの側面が互いに対向し合い、これらの側面間に平面視で一定の幅の隙間があってもよい。言い換えれば、基板1と板状体4とは、互いに接し合っていなくてもよい。
向上させることができる。
と板状体4の側面との間の隙間にジグの一部を容易にはめ込むことができ、ジグの一部は、例えば、板状体4を平面視で囲むような枠状の部分に含まれるものでもよい。これにより、ジグの一部で板状体4等を動きにくいように仮固定することができる。つまり、板状体4の位置精度の向上および生産性の向上等についても有利な半導体素子用パッケージ10および半導体装置100とすることができる。
のうち絶縁板31の上面の幅方向と直交する長さ方向における外側の端L1(図2における仮想線の位置)が、平面視において板状体4と重なって位置しているものでもよい。図2に示す例では、上側の絶縁層31bの上面の第1配線32が、上記の構成になっている。このような場合には、第1配線32の外側の端L1においてフレキシブル基板5接続時の応力が比較的大きく作用したとしても、その部分を板状体4で支えて、入出力端子3(特に絶縁板31)に機械的な破壊が生じる可能性を効果的に低減することができる。
口部2aが入出力端子3で塞がれ、さらに貫通孔2bが光ファイバを含む固定部材等で塞がれることにより、搭載部1aに搭載された半導体素子101が気密封止されている。半導
体素子101は、入出力端子3およびフレキシブル基板5を介して外部電気回路と電気的に
接続させることができる。また、半導体素子101は、光ファイバを介して外部と光接続さ
れる。半導体素子101が半導体レーザであれば、外部電気回路から伝送された電気信号に
応じて光信号が放射され、光ファイバを介して外部に光信号が伝送される。半導体素子101がフォトダイオードであれば、光ファイバを介して外部から伝送された光信号に応じて電気信号が発信され、入出力端子3およびフレキシブル基板5を介して外部電気回路に電気信号が伝送する。
1a・・搭載部
2・・枠体
2a・・開口部
2b・・貫通孔
3・・入出力端子
31・・絶縁板
31a、31b・・絶縁層
31c・・他の絶縁層
32・・第1配線
4・・板状体
5・・フレキシブル基板
51・・樹脂基板
52・・第2配線
6・・貫通導体
10・・半導体素子用パッケージ
100・・半導体装置
101・・半導体素子
102・・蓋体
Claims (7)
- 半導体素子の搭載部を含む上面を有する基板と、
該基板の前記上面に平面視で前記搭載部を囲んで位置しており、前記基板側に開口部を有する枠体と、
前記枠体の内側から外側にかけて、前記開口部を塞ぐように位置している絶縁板および該絶縁板の上面に位置する第1配線を含む入出力端子と、
前記絶縁板のうち前記開口部よりも外側に位置する部分において前記絶縁板の下面に位置しており、前記基板の下面よりも上側に位置する下面を有する板状体と、
前記第1配線に接続された第2配線が位置する下面を有するフレキシブル基板とを備える半導体素子用パッケージ。 - 平面視において、複数の前記第1配線が前記絶縁板の前記上面の幅方向に、互いに間隔をおいて平行に配列されているとともに、前記幅方向の両端に位置する前記第1配線よりも前記板状体の幅方向の両端がそれぞれ外側に位置している請求項1記載の半導体素子用パッケージ。
- 前記板状体と前記絶縁板との熱膨張率の差が、前記基板と前記絶縁板との熱膨張率の差よりも大きい請求項1または請求項2記載の半導体素子用パッケージ。
- 前記絶縁板の前記上面から下面にかけて貫通する貫通導体をさらに備えており、
前記板状体が金属材料を含んでいるとともに、前記貫通導体を介して前記第1配線と前記板状体の前記金属材料とが互いに電気的に接続されている請求項1〜請求項3のいずれか1項記載の半導体素子用パッケージ。 - 平面視において前記基板および前記板状体がそれぞれ矩形状であり、前記基板の側面と前記板状体の側面とが互いに一定の間隔を置いて対向し合っている請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の半導体素子用パッケージ。
- 前記第1配線のうち前記絶縁板の前記上面の幅方向と直交する長さ方向における外側の端が、平面視において前記板状体と重なって位置している請求項1〜請求項5のいずれか1項記載の半導体素子用パッケージ。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体素子用パッケージと、
前記基板の前記搭載部に搭載された半導体素子と、
前記枠体に接合された蓋体とを備える半導体装置。
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