JP5734072B2 - 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 - Google Patents
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Description
台の上面と前記突出部の上面が同じ高さ位置とされていることを特徴とするものである。
ッケージにおいて、枠体2は、貫通孔2aの下の内面から載置用基台5側に突出した突出部2bを有し、該突出部2bの端面と載置用基台5の同軸コネクタ3側の側面とが接合されていることを特徴とするものである。このような構成としたことから、接地電位(グランド)が、図1(b)の破線矢印のように、同軸コネクタ3の下面の外周導体3aから、突出部5aの上面を経由して、回路基板4の下面に形成された接地導体4bに伝わるという経路を辿る。このように、接地電位の伝搬経路が、従来の電子部品収納用パッケージに比べて短くなることにより、この接地電位の経路長と、同軸コネクタ3の中心導体3cから回路基板4の信号線路導体4aを伝搬する信号線の経路長との差を小さくすることができる。その結果、インピーダンスの不整合を小さくすることができ、高周波信号の反射損失が小さくなり、高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。特に図1(b)に示す例のように、突出部2bが貫通孔2aの直下の枠体2の内面からまっすぐに突出して載置用基台5の上部に接合され、突出部2bの上面と載置用基台5の上面とが同じ位置で面一となっている場合は、接地電位(グランド)が、同軸コネクタ3の下面の外周導体3aから、突出部5aの上面を経由して、回路基板4の下面に形成された接地導体4bに一直線状に伝わることとなり、接地電位の経路長と、信号線の経路長とがほぼ等しくなる。その結果、インピーダンスの不整合を小さくすることができ、高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。
−Co合金や、Cu−Zn合金等の金属材料から成る。
ブ酸リチウム)による変調素子(以下、LN素子という)の場合、LN素子の熱膨張係数15.4×10-6/℃と近似しているSUS303(熱膨張係数14.6×10-6/℃)、SUS304(熱膨
張係数17.3×10-6/℃)、SUS310(熱膨張係数15.8×10-6/℃)、SUS316(熱膨張係数16.0×10-6/℃)等のFe−Ni−Cr合金やFe−Ni−Cr−Mo合金の金属材料を
用いて、基体1を作製することが好ましい。この場合、基体1の上面にLN素子を載置実装して電子装置とした場合、基体1と電子部品7との熱膨張係数が近似しているため、電子部品7が作動した際に発生する熱や、電子部品7を基体1へろう材を介して実装するための加熱により、熱膨張係数の差に起因する応力で、電子部品7が基体1から剥がれたりすることがなくなるので好ましい。
の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。また、その表面に耐蝕性に優れ、かつ、ろう材との濡れ性に優れる金属を被着させておくことが好ましい。具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と厚さ0.5〜9μmのAu層を順次めっき法により被着させておくのがよく、基体1が酸化腐食するのを有効に防止するとともに、基体1の上面に回路基板4を載置するための載置用基台5を強固に接着固定させることができる。
を有するとともに、電子部品収納用パッケージ内部を塞ぐ機能を有し、外周導体3a,絶縁体3bおよび中心導体3cからなる。外周導体3aは、筒状であり、Fe−Ni−Co合金等の金属材料からなり、絶縁体3bは、外周導体3aの貫通孔に充填されたホウケイ酸ガラス等の絶縁材料からなる。中心導体3cは、外周導体3aの中心軸部分に絶縁体3bを介して装着され電子部品収納用パッケージ内外を導通させるものであり、両端部が絶縁体3bから突出している。貫通孔2aへの同軸コネクタ3の嵌着接合は、貫通孔2aに同軸コネクタ3を挿入するとともに、リング状のAu−Sn合金等の低融点ろう材を外周導体3aと貫通孔2aの内周面との間に挿入保持させ、しかる後、低融点ろう材を加熱溶融させて貫通孔2aの内周面と外周導体3aとの間の隙間が全周にわたりAu−Sn合金等の封着材によって充填されることによって行なわれる。
路としての信号線路導体4aが形成されている。回路基板4の上面および下面には、接地導体4bが形成され、回路基板4の上面および下面に形成された接地導体4bは、ビア導体4cを介して電気的に接続されている。回路基板4の下面に形成された接地導体4bは、Au−Sn合金等の低融点ろう材を介して載置用基台5の上面に接合している。信号線路導体4aは、同軸コネクタ3の中心導体3cのインピーダンスと同じになるように形成されたグランド付きコープレナー線路であり、その一端側は電子部品7とボンディングワイヤ9を介して接続され、他端側は中心導体3cの先端部に接合される。そして、中心導体3cと電子部品7とを電気的に接続することにより、同軸コネクタ3と電子部品7とが電気的に接続される。また、接地電位(グランド)は、同軸コネクタ3の下面の外周導体3aから、突出部2bの上面を経由して、回路基板4の下面に形成された接地導体4bに接続され、貫通導体4cを介して回路基板4の上面に形成された接地導体4bに接続され、電子部品7にボンディングワイヤ9を介して電気的に接続される。
温度で焼成することによって製作される。この焼成後の回路基板4は、厚みが約0.15〜0.2mmであり、インダクタンスを50Ωに整合させるために薄く製作される。
板4がアルミナセラミックス(熱膨張係数6.5×10-6/℃)の場合は、基体1および回路
基板4の中間の熱膨張係数を持つFe−50Ni合金(熱膨張係数9.9×10-6/℃)の金属
材料からなることが好ましい。この場合、載置用基台5が、基体1および回路基板4の中間の熱膨張係数を持つことで、熱膨張係数の差によって発生する応力が回路基板4に加わることを低減し、回路基板4が割れてしまうことがなくなるので好ましい。
成において、載置用基台5は、該載置用基台5の同軸コネクタ3側の側面から同軸コネクタ3側に突出した段部5aを有し、該段部5aの上面と突出部2bの下面とが接合されていることが好ましい。このような構成としたときには、枠体2と載置用基台5との接合において、突出部2bの端面と載置用基台5の同軸コネクタ3側の側面とに加えて、段部5aの上面と突出部2bの下面とが接合されることにより、枠体2と載置用基台5との接合面積が増加して、枠体2と載置用基台5とをより強固に接合することが可能となる。
1a・・・・載置部
2・・・・・枠体
2a・・・・貫通孔
2b・・・・突出部
2c・・・・突起部
2d・・・・小径の貫通孔
3・・・・・同軸コネクタ
3a・・・・外周導体
3b・・・・絶縁体
3c・・・・中心導体
4・・・・・回路基板
4a・・・・信号線路導体
4b・・・・接地導体
4c・・・・貫通導体
5・・・・・載置用基台
5a・・・・突出部
5b・・・・突部
6・・・・・導電性接合材
7・・・・・電子部品
8・・・・・蓋体
9・・・・・ボンディングワイヤ
10・・・・・空間
Claims (3)
- 上面に電子部品が搭載される基体と、該基体の上面の載置部に載置された載置用基台と、上面に信号線路導体が形成され、下面に接地導体が形成されているとともに前記載置用基台の上面に載置された回路基板と、前記載置部を囲繞するように前記基体の上面に取着されているとともに側部に貫通孔が形成された枠体と、前記貫通孔に嵌着されて前記回路基板に電気的に接続された同軸コネクタとを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、前記枠体は、前記貫通孔の下の前記枠体の内面から前記載置用基台側に突出した突出部を有し、該突出部の端面と前記載置用基台の前記同軸コネクタ側の側面とが導電性接合材を介して接合されているとともに、前記載置用基台の上面と前記突出部の上面が同じ高さ位置とされていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
- 前記載置用基台は、該載置用基台の前記同軸コネクタ側の側面から前記同軸コネクタ側に突出した段部を有し、該段部の上面と前記突出部の下面とが接合されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品収納用パッケージ。
- 請求項1または請求項2に記載の電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージの前記基体に搭載されているとともに前記回路基板の前記信号線路導体に電気的に接続された電子部品と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることを特徴とする電子装置。
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