JP6462013B2 - コロイダルシリカ化学機械研磨組成物 - Google Patents
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Description
本出願は「Colloidal Silica Abrasive for a Chemical Mechanical Polishing Composition」と題する2014年6月25日出願の米国仮特許出願第62/017,100号の利益を主張する。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、コロイダルシリカ研磨粒子の濃度が低い研磨組成物を用いることにより、大きな除去速度を得ることができることが示されている。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシラン(アミノシラン)を組み入れた。コロイダルシリカ研磨粒子の平均粒子径は54nmであった。4種の研磨組成物を調製した。これらの組成物は、コロイダルシリカ0.5重量%(1A)、コロイダルシリカ1.0重量%(1B)、コロイダルシリカ2.0重量%(1C)及びコロイダルシリカ3.0重量%(1D)を含んだ。各研磨組成物では、酢酸を使用してpHを値4.7に調整して緩衝させた。TEOS研磨速度は、Mirra(登録商標)CMPツール(Applied Materials製)及びIC1010研磨パッドを使用して、下向き力4.0及び5.0psi、研磨盤速度100rpmならびにスラリー流速150ml/分で、TEOS層を有する直径200mm(約8インチ)のウェーハを研磨することによって得た。表1には、研磨組成物1A、1B、1C及び1D、ならびにSemisperse(登録商標)SS25対照組成物(Cabot Microelectronics Corporation製、イリノイ州オーロラ)で得られたTEOS研磨速度が示されている。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、コロイダルシリカ粒子中に組み入れた様々な窒素含有化合物の効果を評価している。本発明の研磨組成物はそれぞれ、窒素含有化合物(またはそれらを加水分解もしくは部分加水分解したもの)が粒子中に組み入れられるよう窒素含有化合物を含む液体中で成長させたコロイダルシリカ研磨粒子を含んだ。窒素含有化合物は、3−エチルオキシプロピルアミン(組成物2A及び2B)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)(組成物2C及び2D)、ならびにエチレンジアミン(組成物2E及び2F)を含んだ。コロイダルシリカ粒子は、Stober法を用いて成長させ、窒素含有化合物をオルトケイ酸テトラメチル(TMOS)加水分解触媒として使用した。合成中、pHが酸性となるよう最小限の触媒を加え、コロイダルシリカ研磨粒子の30パーセントが3つ以上の一次粒子を有するよう制御された凝集を生じさせた。各コロイダルシリカの窒素含有量は、コロイダルシリカをKOHに溶解し、イオンクロマトグラフィーによって窒素種を測定することにより測定した。各研磨組成物は、対応するコロイダルシリカ3重量パーセントを含んでおり、硝酸を使用してpH3.5に調整した。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、TEOS研磨速度に及ぼすpHの影響が示されている。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。コロイダルシリカ研磨粒子の平均粒子径は54nmであった。濃度3重量パーセントのコロイダルシリカを有する研磨組成物を、pH値2.5(3A)、3.0(3B)、3.5(3C)、4.0(3D)、4.6(3E)、4.9(3F)、5.8(3G)、8.4(3H)、9.0,(3I)、10.0(3J)及び11.0(3K)で調製した。研磨組成物3Aから3Gに酸を加え(3A〜3E及び3Gには硝酸、3Fには酢酸)、研磨組成物3Iから3Kには水酸化カリウムを加えてpHを調整した。研磨組成物3HのpHは調整しなかった(そのままでのpHは8.4であった)。TEOS研磨速度は、Mirra(登録商標)CMPツール及びIC1010研磨パッドを使用して、下向き力2.0及び4.0psi、研磨盤速度100rpmならびにスラリー流速150ml/分で、TEOS層を有する直径200mmのウェーハを研磨することによって得た。各組成物の電気伝導度も測定した。表3では、各研磨組成物(3A〜3K)で得られたTEOS研磨速度、ゼータ電位及び電気伝導度が示されている。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、TEOS研磨速度に及ぼすコロイダルシリカ粒径とコロイダルシリカ濃度の影響が示されている。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。各研磨組成物はコロイダルシリカ2重量パーセントを含んでおり、酢酸を使用してpH4.7に調整した。標準Stober凝集パラメータ(時間及びpH)を調整して、コア粒子の大きさを調節した。コロイダルシリカシェルは、実施例13に記載される方法に従って成長させた。各コロイダルシリカの平均粒子径は、Malvern Instruments(登録商標)製のZetasizer(登録商標)を使用して測定した。研磨組成物4Aから4Gでのコロイダルシリカの平均粒子径は、約30〜約60nmの範囲であった。研磨組成物4Aは30nmの球状粒子を含んでおり、組成物4B〜4Gは凝集粒子を含んでいた。TEOS研磨速度は、Mirra(登録商標)CMPツール及びIC1010研磨パッドを使用して、下向き力4.0、5.0及び6.0psi、研磨盤速度100rpmならびにスラリー流速150ml/分で、TEOS層を有する直径200mmのウェーハを研磨することによって得た。表4には、各研磨組成物(4A〜4G)のコロイダルシリカ研磨粒子の平均粒子径と、示された下向き力でのTEOS研磨速度とが示されている。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例でも、TEOS研磨速度に及ぼすコロイダルシリカ粒径とコロイダルシリカ濃度の影響が示されている。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。各研磨組成物はコロイダルシリカ3重量パーセントを含んでおり、酢酸を使用してpH4.7に調整した。標準Stober凝集パラメータ(時間及びpH)を調整して、コア粒子の大きさを調節した。コロイダルシリカシェルは、実施例13に記載される方法に従って成長させた。各コロイダルシリカの平均粒子径は、Malvern Instruments(登録商標)製のZetasizer(登録商標)を使用して測定した。研磨組成物5Aから4Hで使用したコロイダルシリカの平均粒子径は、約43〜約105nmの範囲であった。TEOS研磨速度は、Mirra(登録商標)CMPツール及びIC1010研磨パッドを使用して、下向き力5.0psi、研磨盤速度100rpmならびにスラリー流速150ml/分で、TEOS層を有する直径200mmのウェーハを研磨することによって得た。表5には、各研磨組成物(5A〜5H)のコロイダルシリカ研磨粒子の平均粒子径と、TEOS研磨速度とが示されている。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例でも、TEOS研磨速度に及ぼすコロイダルシリカ粒径とコロイダルシリカ濃度の影響が示されている。研磨組成物6A〜6Fはそれぞれ、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子(CSA)を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。研磨組成物6G〜6Lはそれぞれ、上の実施例2において研磨組成物2C及び2Dについて記載された方法と同様な方法を使用して、TMAHが粒子中に組み入れられるようTMAHを含む液体中で成長させたコロイダルシリカ研磨粒子(CSB)を含んだ。研磨組成物6A〜6Lは、対応するシリカ粒子3重量パーセントを含んだ。各組成物のpHは硝酸を使用して調整した。研磨組成物6A〜6Lの成分を、以下の表6Aに示す。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度及び窒化ケイ素(SiN)研磨速度を評価した。この実施例では、TEOS及びSiN研磨速度に及ぼすホスホン酸濃度の影響が示されている。研磨組成物7A〜7Eはそれぞれ、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。各組成物は、平均粒子径54nmのコロイダルシリカ2重量パーセントを含んだ。各組成物はさらに、80ppmの酢酸緩衝液及びイソチアゾリノン殺生物剤を含んだ。研磨組成物7B〜7Eは、ホスホン酸添加剤(1−ヒドロキシエチリデン1−1ジホスホン酸、イタリア国ジェノバのItalmatch ChemicalsからDequest(登録商標)2010として入手可能)を更に含んだ。組成物7B〜7EのpHはそれぞれ、KOHを使用して4.9に調整した。以下の表7Aには、研磨組成物7A〜7Eのホスホン酸添加剤の濃度、pH、電気伝導度及びゼータ電位が示されている。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度及び窒化ケイ素(SiN)研磨速度を評価した。この実施例では、TEOS及びSiN研磨速度に及ぼす、様々なポリカルボン酸添加剤及びポリホスホン酸添加剤の影響が示されている。研磨組成物8A〜8Jはそれぞれ、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。各組成物は、コロイダルシリカ粒子3重量パーセントを含んだ。研磨組成物8A〜8Fでは、コロイダルシリカの平均粒子径は41nmであり、組成物8G〜8Jでは、コロイダルシリカの平均粒子径は43nmであった。表8Aには、各研磨組成物でのポリカルボン酸添加剤及びポリホスホン酸添加剤の濃度と、pHが示されている。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度及び窒化ケイ素(SiN)研磨速度を評価した。この実施例では、TEOS及びSiN研磨速度に及ぼす、環及び/または窒素を有する様々な添加剤の影響が示されている。研磨組成物9A〜9Gはそれぞれ、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。各組成物は、平均粒子径58及び60nmのコロイダルシリカを3重量パーセントまたは2重量パーセントのいずれかで含んだ。表9Aには、添加剤濃度、pH、コロイダルシリカ濃度及びコロイダルシリカ平均粒子径が示されている。
濾過前後のコロイダルシリカ試料に対し、ゼータ電位測定と伝導度測定を行った。各組成物の200ml量を、Millipore Ultracell再生セルロース限外濾過ディスク(100,000ダルトンのMW分離及び細孔径6.3nmを有する)で濾過した。残留分散体(限外濾過ディスクに保持された分散体)を回収し、硝酸を用いて開始時のpH3に調節した脱イオン水を使用して最初の200ml量に再び注ぎ足した。この手順を繰り返して限外濾過を合計3サイクル行った(各サイクルは、限外濾過工程と注ぎ足し工程とを含んだ)。研磨組成物のゼータ電位及び電気伝導度を限外濾過手順の前後で測定した(すなわち、最初の研磨組成物と、限外濾過及び注ぎ足しを3回行った研磨組成物とを測定した)。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。研磨組成物11B〜11Dで使用したコロイダルシリカ研磨粒子は、以下のようにしてさらなる二酸化ケイ素で被覆した。各組成物に対し、アミノシランを組み入れたコロイダルシリカ粒子を20.1重量パーセント含む原液の試料1800グラムを調製した。その原液に、撹拌しながらオルトケイ酸テトラメチルを、シリンジポンプを用いて制御速度2.00ml/分で加えた(組成物11Bには46.0グラム、組成物11Cには58.5グラム、及び組成物11Dには73.2グラム)。各組成物をさらに20分間撹拌し、室温で48時間エージングさせた。DI水8990グラム及び酢酸0.80グラムを含む溶液にシリカ被覆研磨分散体995グラムを加え、コロイダルシリカ研磨剤2.0重量パーセントを有しpH4.7の研磨組成物を得ることにより、最終研磨組成物を調製した。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、以下の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。各組成物は、第1のコロイダルシリカ(平均粒子径約60nmを有し、凝集体の50%超は3つ以上の一次粒子を含んだ)と、第2のコロイダルシリカ(25nmの一次粒子)との混合物を含んだ。各研磨組成物は、合計濃度2.0重量パーセントのコロイダルシリカを含み、pH4.7(酢酸を用いて緩衝させた)であった。
化学機械研磨組成物は、以下のように調製した。BS−1Hコロイダルシリカ分散体(日本国東京都のFuso Chemical Companyから入手可能な平均粒子径約35nmの10.5重量%コロイダルシリカ分散体)の2,604グラム量を、DI水5,882グラムに加えた。この混合物に3−エチルオキシプロピルアミン(EOPA)を加えて、pHを10に調整し、これにより母液を得た。次にこの母液を80℃に加熱した。この母液に、液体温度を80℃で保ちながら、テトラメトキシシラン(TMOS)1872.3グラムと3−アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)16.3グラムの混合物(APTMS:TMOSのモル比0.007)を一定速度で180分間加えた(毎分約10.5グラムの速度にて)。アミノシラン(または加水分解もしくは部分加水分解したアミノシラン)を含む外側のシリカシェルを有するコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ分散体を得た。このコロイダルシリカ分散体を常圧で加熱蒸留することにより、4,600ミリリットルまで濃縮した。蒸留中、この分散体にDI水を3,000ミリリットル量加え、メタノールを置換した(また、容量を維持した)。最終分散体は、約20.1重量パーセントのコロイダルシリカ濃度を有した。
この実施例では、様々なコロイダルシリカ組成物のコロイダルシリカ密度を評価した。5種のコロイダルシリカを評価した(14A〜14E)。コロイダルシリカ14A及び14Bは、Fuso Chemical Company(日本国東京都)製のPL2及びPL3コロイダルシリカを含んだ。コロイダルシリカ14Bは、粒子表面に結合した3−(アミノプロピル)トリメトキシシランを更に含んだ。コロイダルシリカ14Cは、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、上の実施例13に記載された方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。コロイダルシリカ14D及び14Eは、ケイ酸アニオンにプロトン付加してケイ酸を生成させるために高pHケイ酸塩溶液(例えばケイ酸ナトリウム溶液またはケイ酸カリウム溶液)を処理して成長させた従来のコロイダルシリカを含んだ。コロイダルシリカ14Dは、Bindzil(登録商標)CJ2−2(Akzo Nobel製)を含んだ。コロイダルシリカ14Eは、Nalco DVSTS006(Nalco Holding Company製)を含んだ。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、様々な正荷電コロイダルシリカ研磨粒子の有効性を評価している。一般的なコロイダルシリカ前駆体を使用して、各コロイダルシリカ研磨剤を作製した。コロイダルシリカ前駆体は、20パーセント以上のコロイダルシリカ研磨粒子が3つ未満の一次粒子(すなわち非凝集一次粒子、または2つの一次粒子のみを有する凝集粒子、単量体及び二量体とも呼ばれる)を含み、50パーセント以上のコロイダルシリカ研磨粒子が3つ以上の凝集一次粒子を含む凝集体分布を有した。コロイダルシリカ前駆体は、Malvern(登録商標)Zetasizer(登録商標)で測定した場合に約47〜48nmの平均粒子径を有した。
(i)コアシェル構造を有する粒子を用いた本発明の組成物(15A〜15C)であって、この粒子は、上の実施例13に記載される方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノシランがシェル中に組み入れられるよう、アミノプロピルトリアルコキシシラン(APTMS)を含む液体中でコロイダルシリカ前駆体(コア)上に厚さ約2〜3nmの外側シリカ層(シェル)を成長させた(組成物15A、15B及び15Cでは、TMOSに対するAPTMSのモル比が2.3%、1.3%及び0.7%であった)。
(ii)表面処理(結合)コロイダルシリカ粒子を用いた本発明の組成物(15D〜15G)であって、この粒子では、アミノプロピルトリアルコキシシランがコロイダルシリカ前駆体の表面に結合しており、異なる量の1% APTMSを水に加えることによって調製した。APTMSの量は、4.5SiOH/nm2と仮定して、前駆体粒子525g(SiO2 105g、BET表面積110m2/g)の表面上のシラノール数のパーセントとして計算した。4種の異なる濃度を選択した。1%、1.5%、2%及び4%(組成物15D、15E、15F及び15G)。次に、前駆体シリカ分散体を水(APTMSを含む)に加え、45℃の乾燥器内に48時間置いた。
(iii)表面結合コロイダルシリカ粒子を用いた組成物(15H)であって、この粒子では、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド(TBAH)がコロイダルシリカ前駆体の表面に結合しており、TBAH600ppmを脱イオン水に加えることにより調製した。硝酸を使用して、pHを3.5に調整した。未処理コロイダルシリカ前駆体を加え、コロイダルシリカ2.0重量パーセントを有するコロイダルシリカ分散体を得て、硝酸を使用して再度pHを3.5に調整した。
(iv)対照組成物(15I及び15J)は、未処理コロイダルシリカ前駆体を使用して調製した。
この実施例では、6種の化学機械研磨濃縮物のコロイド安定性及び研磨特性を評価した。(i)内部アミノシランを有するコロイダルシリカ研磨剤を含む本発明の濃縮物(濃縮物16A及び16B)、ならびに(ii)アミノシランで表面処理したコロイダルシリカ研磨粒子を含む本発明の濃縮物(濃縮物16C、16D、16E及び16F)。濃縮物16A及び16B中のコロイダルシリカは、上の実施例13で記載したようにして調製した。濃縮物16C及び16D中のコロイダルシリカは、上の実施例15で研磨組成物15Fについて記載したようにして調製した。濃縮物16E及び16F中のコロイダルシリカは、上の実施例15で研磨組成物15Gについて記載したようにして調製した。
この実施例では、内部アミノシランを有するが別の方法を用いて作製されたコロイダルシリカを含む研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ粒子を使用した。シリケート法を使用して、(シェル中にアミノシランが組み入れられるよう)アミノプロピルトリアルコキシシランを含む液体中で前駆体コア上に厚さ約1nmの外側シリカ層を成長させた。組成物17Aでは、前駆体シリカは実施例15Iと同じであった。組成物17Bでは、前駆体シリカはNalco DVSTS006コロイダルシリカであった。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、コロイダルシリカ研磨粒子の濃度が低い研磨組成物を用いることにより、大きな除去速度を得ることができることが示されている。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、上の実施例13に記載された方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。コロイダルシリカ研磨粒子の平均粒子径は54nmであった。コロイダルシリカ研磨粒子15重量パーセントを有し、pHが4.7である(酢酸を用いて緩衝)、1回濃縮した研磨組成物を調製した。濃縮した研磨組成物は、0.5重量%のPluriol 300と、重量で600ppmの酢酸と、重量で12ppmのKathon LX殺生物剤とをさらに含んだ。濃縮した研磨組成物の試料を、脱イオン水を使用して希釈し、固体0.5重量%(18A)、固体1.0重量%(18B)、固体1.5重量%(18C)、固体2.0重量%(18D)、固体2.5重量%(18E)及び固体3.0重量%(18F)を有する研磨組成物を得た。
この実施例では、様々な研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度を評価した。この実施例では、コロイダルシリカ研磨粒子の濃度が低く、ほぼ中性のpH値の研磨組成物を用いることにより、大きな除去速度を得ることができることが示されている。各研磨組成物は、コアシェル構造を有するコロイダルシリカ研磨粒子を含んでおり、そのシェル中には、上の実施例13に記載された方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノプロピルトリアルコキシシランを組み入れた。粒径48nmのコロイダルシリカを2重量%有し、pH9の原液を調製した。この原液から、酢酸を使用してpH値を4.8(組成物19A)、5.3(組成物19B)及び5.9(組成物19C)に調整することにより3種の研磨組成物を得た。研磨組成物19A、19B及び19Cは、80ppm、45ppm及び25ppmの酢酸を含んだ。
この実施例では、異なる種類のアミノシランを含む粒子を有する研磨組成物の酸化ケイ素(TEOS)研磨速度及び窒化ケイ素(SiN)研磨速度を評価した。研磨組成物20Aは、上の実施例13に記載された方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノシランが粒子中に組み入れられるよう(3−アミノプロピル)トリメトキシシランを含む溶液(アミノシラン/TMOSのモル比=0.7%)中で成長させたコロイダルシリカ研磨粒子を含んだ。研磨組成物20Bは、上の実施例13に記載された方法と同様な方法を使用して、加水分解または部分加水分解したアミノシランが粒子中に組み入れられるようN−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシランを含む溶液(アミノシラン/TMOSのモル比=0.7%)中で成長させたコロイダルシリカ研磨粒子を含んだ。各研磨組成物は、それぞれのコロイド粒子2.0重量パーセントと、重量で80ppmの酢酸とを含んだ。表20には、研磨組成物のpH、粒径、ゼータ電位及び伝導度を含む分析データが示されている。
Claims (44)
- 水系液体担体と、
前記液体担体に分散されたコロイダルシリカ研磨粒子と、
前記コロイダルシリカ研磨粒子に、その外表面に対して内側に組み込まれたアミノシラン化合物又はホスホニウムシラン化合物と、
1.5〜7の範囲のpHと、
を含み、前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも6mVの永久正電荷を有する、化学機械研磨組成物。 - 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも13mVの永久正電荷を有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも20mVの永久正電荷を有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも15mVの永久正電荷、及び35mV未満の永久正電荷を有する、請求項1に記載の組成物。
- 3.5〜6の範囲のpHを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の組成物。
- 3.5〜5.5の範囲のpKaを有する緩衝剤を更に含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、30〜70nmの範囲の平均粒子径を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、40〜60nmの範囲の平均粒子径を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物。
- 0.5〜4重量%の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の組成物。
- 3重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子の30%以上が、3つ以上の凝集した一次粒子を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子の50%以上が、3つ以上の凝集した一次粒子を含み、前記コロイダルシリカ研磨粒子の20%以上が、単量体又は二量体である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、一次粒子を含み、前記一次粒子の95%以上は15〜35nmの範囲の一次粒子径を有する、請求項1〜12のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子中の前記アミノシラン化合物のシリカに対するモル比は、10%未満である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記モル比が5%未満である、請求項14に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子に、その前記外表面に対して内側に組み込まれたアルカリ触媒を更に含む、請求項1〜15のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記アルカリ触媒は1〜6個の炭素原子を有する、請求項16に記載の組成物。
- 前記アルカリ触媒は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、又はエチルオキシプロピルアミンである、請求項16に記載の組成物。
- 前記アミノシラン化合物は、プロピル基、一級アミン、又は四級アミンを含む、請求項1〜18のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記アミノシラン化合物は、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリアルコキシシラン、ジエチルアミノメチルトリアルコキシシラン、(N,N−ジエチル−3−アミノプロピル)トリアルコキシシラン)、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノプロピルトリアルコキシシラン、アミノプロピルトリアルコキシシラン、(2−N−ベンジルアミノエチル)−3−アミノプロピルトリアルコキシシラン)、トリアルコキシシリルプロピル−N,N,N−トリメチルアンモニウム、N−(トリアルコキシシリルエチル)ベンジル−N,N,N−トリメチルアンモニウム、(ビス(メチルジアルコキシシリルプロピル)−N−メチルアミン、ビス(トリアルコキシシリルプロピル)尿素、ビス(3−(トリアルコキシシリル)プロピル)−エチレンジアミン、ビス(トリアルコキシシリルプロピル)アミン、ビス(トリアルコキシシリルプロピル)アミン、3−アミノプロピルトリアルコキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジアルコキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリアルコキシシラン、3−アミノプロピルメチルジアルコキシシラン、3−アミノプロピルトリアルコキシシラン、(N−トリアルコキシシリルプロピル)ポリエチレンイミン、トリアルコキシシリルプロピルジエチレントリアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリアルコキシシラン、N−(ビニルベンジル)−2−アミノエチル−3−アミノプロピルトリアルコキシシラン、4−アミノブチルトリアルコキシシラン、又はそれらの混合物を含む、請求項1〜18のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、コアシェル構造を有し、その構造内において、外側シェルが内側コア上に配置され、前記アミノシラン化合物又は前記ホスホニウムシラン化合物が前記外側シェルに組み込まれている、請求項1〜20のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記外側シェルは少なくとも1nmの厚さを有する、請求項21に記載の組成物。
- 300μS/cm未満の電気導電率を有する、請求項1〜22のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカは1.90g/cm3より高い密度を有する、請求項1〜23のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも13mVの永久正電荷を有し、
前記組成物は、3.5〜6の範囲のpHを有し、
前記コロイダルシリカ研磨粒子の30%以上は、3つ以上の凝集した一次粒子を含み、
前記組成物は、0.5〜4重量%の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含む、請求項1に記載の組成物。 - 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも13mVの永久正電荷を有し、
前記組成物は、3.5〜5.5の範囲のpKaを有する緩衝剤を更に含み、
前記コロイダルシリカ研磨粒子は、30〜70nmの範囲の平均粒子径を有し、
前記組成物は、3重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
前記アミノシラン化合物はプロプル基を含む、請求項1に記載の組成物。 - 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも13mVの永久正電荷を有し、
前記組成物は、3.5〜5.5の範囲のpKaを有する緩衝剤を更に含み、
前記コロイダルシリカ研磨粒子の30%以上が、3つ以上の凝集した一次粒子を含み、
前記組成物は3重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
前記コロイダルシリカは、1.90g/cm3より高い密度を有し、
前記アミノシラン化合物はプロプル基を含む、請求項1に記載の組成物。 - 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも15mVの永久正電荷を有し、
前記組成物は、3.5から6の範囲のpHを有し、
前記組成物は、300μS/cm未満の電気伝導率を有する、請求項1に記載の組成物。 - 前記コロイダルシリカ研磨粒子は、少なくとも15mVの永久正電荷を有し、
前記コロイダルシリカ研磨粒子の30%以上が、3つ以上の凝集した一次粒子を含み、
前記コロイダルシリカ研磨粒子は、一次粒子を含み、前記一次粒子の95%以上は15〜35nmの範囲の一次粒子径を有する、請求項1に記載の組成物。 - ポリカルボン酸、ポリホスホン酸、又はそれらの混合物を含むシリコン窒素研磨促進剤を更に含む、請求項1〜29のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記ポリカルボン酸は、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、クエン酸、酒石酸、フタル酸、スルホコハク酸、又はそれらの混合物を含む、請求項30に記載の組成物。
- 前記ポリホスホン酸は、ジホスホン酸化合物又はメチレンホスホン酸化合物を含む、請求項30又は31のいずれか1項に記載の組成物。
- 環、及び前記環内に又は前記環に結合された窒素原子を有するシリコン窒素研磨阻害剤を更に含む、請求項1〜32のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記阻害剤は、前記環に結合された水酸基を更に有する、請求項33に記載の組成物。
- シリコン酸素材料を含む基材を化学機械研磨する方法であって、前記方法は、
(a)前記基材を請求項1〜34のいずれか1項に記載の前記化学機械研磨組成物と接触させること、
(b)前記研磨組成物を前記基材に対して動かすこと、
(c)前記基材をすり減らして、前記シリコン酸素含有材料の一部を前記基材から除去すること、及びそれにより前記基材を研磨すること、
を含む、方法。 - 前記研磨組成物は、6未満のpHを有し、4重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
(c)における前記シリコン酸素材料の平均除去速度は、5psi以下の下向き力で3000Å/分より大きい、請求項35に記載の方法。 - 前記研磨組成物は、6未満のpHを有し、2重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
(c)における前記シリコン酸素材料の平均除去速度は、5psi以下の下向き力で3000Å/分より大きい、請求項35〜36のいずれか1項に記載の方法。 - 前記研磨組成物は、6未満のpHを有し、3重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
(c)における前記シリコン酸素材料の平均除去速度は、4psi以下の下向き力で2000Å/分より大きい、請求項35〜37のいずれか1項に記載の方法。 - 前記研磨組成物は、6未満のpHを有し、2.0重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
(c)における前記シリコン酸素材料の平均除去速度は、4psi以下の下向き力で2000Å/分より大きい、請求項35〜38のいずれか1項に記載の方法。 - 前記研磨組成物は、3.5〜5.5の範囲のpHを有し、2.5重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
(c)における前記シリコン酸素材料の除去速度は、5psi以下の下向き力で3000Å/分より大きい、請求項35〜39のいずれか1項に記載の方法。 - 前記研磨組成物は、3.5〜5.5の範囲のpHを有し、2.5重量%未満の前記コロイダルシリカ研磨粒子を含み、
(c)における前記シリコン酸素材料の除去速度は、4psi以下の下向き力で2000Å/分より大きく、及び、シリコン窒化物材料の除去速度は、3psi以下の下向き力で300Å/分未満である、請求項35〜40のいずれか1項に記載の方法。 - 前記研磨組成物は、シリコン窒素研磨促進剤を更に含み、及びTEOS:SiNの研磨速度選択性は10:1未満である、請求項35〜40のいずれか1項に記載の方法。
- 前記研磨組成物は、シリコン窒素研磨阻害剤を更に含み、及びTEOS:SiNの研磨速度選択性は25:1より大きい、請求項35〜41のいずれか1項に記載の方法。
- 前記研磨組成物は、シリコン窒素研磨促進剤を更に含み、及び3〜7の範囲のpHを有し、
(c)における前記シリコン酸素材料の除去速度は、4psi以下の下向き力で2000Å/分より大きく、及び、シリコン窒化物材料の除去速度は、4psi以下の下向き力で200Å/分よりも大きい、請求項35〜42のいずれか1項に記載の方法。
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