CN113004804B - 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 - Google Patents
大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113004804B CN113004804B CN202110226155.7A CN202110226155A CN113004804B CN 113004804 B CN113004804 B CN 113004804B CN 202110226155 A CN202110226155 A CN 202110226155A CN 113004804 B CN113004804 B CN 113004804B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- ion exchange
- acid
- edge
- exchange resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
- B24B1/04—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
Abstract
本发明实施例公开了一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，所述抛光液包括下述以重量百分比计的组分：磨粒5～50 wt%；碱性腐蚀剂0.1～10 wt%；分散剂0.01～1 wt%；酸性物质0.1～10 wt%；表面活性剂0.001～0.1 wt%；去离子水余量。本发明利用超声振动辅助来提高边缘抛光中颗粒动能，在传统硅边缘抛光中磨粒切削作用基础上、增加磨粒在水平或垂直方向上的冲击作用，使得抛光中的机械作用增加，提高了大尺寸硅边缘抛光效率；同时为了平衡化学与机械作用，以及避免机械作用过强产生缺陷，本发明采用离子交换树脂通过离子交换法对磨粒进行表面改性，结合抛光液配方的调控，快速获得超光滑表面。
Description
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域，尤其涉及一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法。
背景技术
随着集成电路线宽尺寸的降低，晶圆制造成本日益提高。在单个硅片上制造更多的芯片是降低成本的方式之一。因此，随着晶体生长技术的进步，硅片的尺寸可以越做越大。由于硅片的面积与其半径的平方成正比关系。单个大尺寸硅片上容纳的芯片数量明显提升。此外，由于硅片边缘处无法制造芯片，小尺寸硅片造成较大浪费，大尺寸硅片在同等面积制备芯片数量上有较大优势。然而硅片尺寸增大，大尺寸硅片上缺陷造成的经济损失也增加，因而大尺寸硅片制造标准要求也较高。8英寸及以上尺寸硅片边缘全部要进行化学机械抛光，以降低边缘应力层，同时避免边缘碎屑滑落对芯片造成污染。
专利99107174.3报道了用于硅晶片边缘抛光的组合物，组合物中仅含有硅溶胶和碱性化合物。专利201310753518.8介绍了一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法，实现对硅片边缘的快速，无颗粒残留且外延后无菱锥缺陷的抛光。专利201410808769.6适用于硅边缘化学机械抛光的抛光液，抛光液中含有保护硅片表面物质，能吸附于抛光后边缘表面，形成缓冲层，显著降低应力，减少外延过程中的滑移线的产生。上述专利均着眼于抛光后边缘质量提升，并未或较少涉及抛光效率问题。专利202010521251.X从抛光过程入手，公开了一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法，对抛光液pH值进行控制，并在边缘抛光过程中及时补加液体维持抛光性能的稳定，并未涉及抛光液、抛光液制备方法及抛光方法的改良。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法，以提高了大尺寸硅边缘抛光效率，同时降低成本。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提出了一种大尺寸硅片边缘的抛光液，包括下述以重量百分比计的组分：
磨粒5～50wt％；
碱性腐蚀剂0.1～10wt％；
分散剂0.01～1wt％；
酸性物质0.1～10wt％；
表面活性剂0.001～0.1wt％；
去离子水余量。
进一步地，所述磨粒为胶体溶液，pH值在2～12之间。
进一步地，所述胶体溶液的胶体颗粒为氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、金刚石中的一种或几种，粒径分布范围为10～2000nm。
进一步地，所述磨粒为采用离子交换树脂通过离子交换法过表面改性后的磨粒。
进一步地，胶体溶液以1～20m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱进行表面改性。
进一步地，所述离子交换树脂为磷酸型离子交换树脂、羧酸型离子交换树脂、磺酸型离子交换树脂、巯基型离子交换树脂、氨型离子交换树脂、羟基型离子交换树脂中的一种或几种。
进一步地，所述分散剂包括瓜尔胶、黄原胶、醋酸纤维素、磺酸乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素、羧乙基甲基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羟丁基甲基纤维素中的一种或几种。
进一步地，所述酸性物质包括盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、硼酸及硫酸、磷酸、碳酸酸式钾、钠盐，柠檬酸、水杨酸、羟基乙酸、草酸、苹果酸、乳酸、氨基酸中的一种或几种。
进一步地，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种。
相应地，本发明实施例还提供了一种大尺寸硅片边缘的抛光液制备方法，包括：
步骤1：将磨粒以1～20m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱得到改性后的磨粒，所述磨粒为胶体溶液，pH值在2～12之间，所述胶体溶液的胶体颗粒为氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、金刚石中的一种或几种，粒径分布范围为10～2000nm；
步骤2：按下述以重量百分比计的组分搅拌混合得到大尺寸硅片边缘的抛光液：
改性后的磨粒5～50wt％；
碱性腐蚀剂0.1～10wt％；
分散剂0.01～1wt％；
酸性物质0.1～10wt％；
表面活性剂0.001～0.1wt％；
去离子水余量。
相应地，本发明实施例还提供了一种大尺寸硅片边缘的抛光方法，采用稀释后的上述的大尺寸硅片边缘的抛光液，并采用超声振动辅助的手段，利用抛光工具迫使抛光液中改性后的磨粒对大尺寸硅片边缘进行抛光。
进一步地，超声频率为1kHz～0.2MHz。
进一步地，所述抛光工具振动方向为横向振动、纵向振动、椭圆振动中的一种或多种，抛光方式为轮式抛光、带式抛光一种或两种。
本发明的有益效果为：本发明利用超声振动辅助来提高边缘抛光中颗粒动能，在传统硅边缘抛光中磨粒切削作用基础上、增加磨粒在水平或垂直方向上的冲击作用，使得抛光中的机械作用增加，提高了大尺寸硅边缘抛光效率；同时为了平衡化学与机械作用，以及避免机械作用过强产生缺陷，本发明对磨粒进行表面改性，同时结合抛光液配方的调控，达到获得超光滑表面的效果。此外，本发明使用含有特殊基团的离子交换树脂，通过离子交换法对磨粒表面改性，克服传统磨粒改性中步骤繁琐的缺点，本发明磨粒改性方法简单、成本低廉，因此易于大规模生产。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
本发明实施例的大尺寸硅片边缘的抛光液制备方法包括：
步骤1：将磨粒以1～20m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱得到改性后的磨粒，所述磨粒为胶体溶液，pH值在2～12之间，所述胶体溶液的胶体颗粒为氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、金刚石中的一种或几种，粒径分布范围为10～2000nm；
步骤2：按下述以重量百分比计的组分搅拌混合得到大尺寸硅片边缘的抛光液：
改性后的磨粒5～50wt％；
碱性腐蚀剂0.1～10wt％；
分散剂0.01～1wt％；
酸性物质0.1～10wt％；
表面活性剂0.001～0.1wt％；
去离子水余量。
本发明制备的大尺寸硅片边缘抛光的抛光液是浓缩液，使用时需加入去离子水稀释到一定的倍数使用。本发明采用离子交换法生产改性磨粒及对抛光液配方调制，控制抛光后表面质量，大幅提高了大尺寸硅片边缘抛光性能。
作为一种实施方式，所述离子交换树脂为磷酸型离子交换树脂、羧酸型离子交换树脂、磺酸型离子交换树脂、巯基型离子交换树脂、氨型离子交换树脂、羟基型离子交换树脂中的一种或几种。
作为一种实施方式，分散剂包括瓜尔胶、黄原胶、醋酸纤维素、磺酸乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素、羧乙基甲基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羟丁基甲基纤维素中的一种或几种。
作为一种实施方式，酸性物质包括盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、硼酸及硫酸、磷酸、碳酸酸式钾、钠盐，柠檬酸、水杨酸、羟基乙酸、草酸、苹果酸、乳酸、氨基酸中的一种或几种。
作为一种实施方式，表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)、壬基酚聚氧乙烯醚(NP-10)、辛基酚聚氧乙烯醚(OP-10)、聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物(EO-PO)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)中的一种或几种。
本发明实施例的大尺寸硅片边缘的抛光方法，采用稀释后大尺寸硅片边缘的抛光液，并采用超声振动辅助，以改变大尺寸硅片边缘抛光中改性磨粒作用方式。在超声的作用下，磨粒的胶体颗粒对硅片的作用力增强；本发明的磨粒通过填装有离子交换树脂的离子交换柱后，磨粒的胶体颗粒表面基团与离子交换树脂功能基团发生交换交换，改变了胶体颗粒表面刚度，对抛光时胶体颗粒对硅片的作用强度进行了调控，提升了抛光效率和抛光质量。
作为一种实施方式，超声频率为1kHz～0.2MHz。
作为一种实施方式，抛光工具振动方向为横向振动、纵向振动、椭圆振动中的一种或多种，抛光方式为轮式抛光、带式抛光一种或两种。
本发明的大尺寸硅片边缘抛光的抛光方法提高了硅片边缘抛光效率。
实施例一
向离子交换柱中填装高度为80cm的羟基型离子交换树脂。将固含量为50％、平均颗粒粒径为1000nm的二氧化硅胶体以20m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱，得到改性后的羟基二氧化硅胶体。在高速搅拌下，向改性后的纳米二氧化硅胶体(磨粒)中依次加入5％的氢氧化钠(碱性腐蚀剂)、0.1％的羟丙基甲基纤维素(分散剂)、1％的柠檬酸(酸性物质)、0.001％的脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的轮式超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为0.1MHz，振动方式为垂直振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜抛光后观察边缘无缺陷产生，表面粗糙度达到0.5nm。
实施例二
向离子交换柱中填装高度为80cm的巯基型离子交换树脂。将固含量为20％、平均颗粒粒径为2000nm的氧化铈胶体以10m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱，得到改性后的巯基氧化铈胶体。在高速搅拌下，向改性后的氧化铈胶体(磨粒)中依次加入10％的乙醇胺(碱性腐蚀剂)、0.1％的瓜尔胶(分散剂)、10％的乳酸(酸性物质)、0.05％辛基酚聚氧乙烯醚(OP-10，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的轮式超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为0.2MHz，振动方式为水平振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜抛光后观察边缘无缺陷产生，表面粗糙度达到0.6nm。
实施例三
向离子交换柱中填装高度为80cm的氨基型离子交换树脂。将固含量为10％、平均颗粒粒径为80nm的氧化铝胶体以1m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱，得到改性后的氨基氧化铝胶体。在高速搅拌下，向改性后的氧化铝胶体(磨粒)中依次加入0.1％的氢氧化钾(碱性腐蚀剂)、0.01％的羟乙基纤维素(分散剂)、0.1％的硫酸(酸性物质)、0.001％聚乙烯吡咯烷酮(PVP，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的带式超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为20kHz，振动方式为水平振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜抛光后观察边缘无缺陷产生，表面粗糙度达到0.3nm。
实施例四
向离子交换柱中填装高度为80cm的羧酸基型离子交换树脂。将固含量为5％、平均颗粒粒径为10nm的碳化硅胶体以10m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱，得到改性后的羧酸基碳化硅胶体。在高速搅拌下，向改性后的碳化硅胶体(磨粒)中依次加入2％的乙二胺(碱性腐蚀剂)、1％的醋酸纤维素(分散剂)、5％的水杨酸(酸性物质)、0.02％聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物(EO-PO，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的带式超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为1kHz，振动方式为水平振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜观察抛光后边缘无缺陷产生，表面粗糙度达到0.4nm。
实施例五
向离子交换柱中填装高度为80cm的氨基型离子交换树脂。将固含量为20％、平均颗粒粒径为40nm的氧化硅胶体以20m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱，得到改性后的氨基氧化硅胶体。在高速搅拌下，向改性后的纳米二氧化硅胶体(磨粒)中依次加入5％的三乙醇胺(碱性腐蚀剂)、0.5％的羧甲基纤维素(分散剂)、1％的磷酸(酸性物质)、0.05％聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物(EO-PO，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的带式超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为40kHz，振动方式为椭圆振动振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜观察抛光后边缘无缺陷产生，表面粗糙度达到0.3nm。
对比例一
向固含量为20％、平均颗粒粒径为40nm的氧化硅胶体(磨粒)中依次加入5％的三乙醇胺(碱性腐蚀剂)、0.5％的羧甲基纤维素(分散剂)、1％的磷酸(酸性物质)、0.05％聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物(EO-PO，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的带式超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为40kHz，振动方式为椭圆振动振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜观察抛光后边缘有缺陷产生，表面粗糙度为1nm。
对比例二
向固含量为20％、平均颗粒粒径为40nm的氧化硅胶体(磨粒)中依次加入5％的三乙醇胺(碱性腐蚀剂)、0.5％的羧甲基纤维素(分散剂)、1％的磷酸(酸性物质)、0.05％聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物(EO-PO，表面活性剂)，继续搅拌至均匀。将配制的抛光液过滤，稀释十倍后用于8英寸及12英寸硅片边缘抛光。抛光实验使用自制的未超声辅助边缘抛光装置，超声波振动频率为40kHz，振动方式为椭圆振动振动。抛光压力5kg，抛光头转速800rpm，抛光垫型号为SUBA400，循环抛光中抛光液流量2L/min，抛光时间30s，采用显微镜观察抛光后边缘大量缺陷未去除，表面粗糙度为2nm。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同范围限定。
Claims (3)
1.一种大尺寸硅片边缘的抛光方法，其特征在于，采用稀释后的大尺寸硅片边缘的抛光液，并采用超声振动辅助的手段，利用抛光工具迫使抛光液中改性后的磨粒对大尺寸硅片边缘进行抛光；
所述大尺寸硅片边缘的抛光液包括下述以重量百分比计的组分：
磨粒5～50wt％；
碱性腐蚀剂0.1～10wt％；
分散剂0.01～1wt％；
酸性物质0.1～10wt％；
表面活性剂0.001～0.1wt％；
去离子水余量；
所述磨粒为胶体溶液，pH值在2～12之间；所述胶体溶液的胶体颗粒为氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、金刚石中的一种或几种，粒径分布范围为10～2000nm；所述磨粒为采用离子交换树脂通过离子交换法表面改性后的磨粒；
胶体溶液以1～20m/h流动态液体速率通过填装有离子交换树脂的离子交换柱进行表面改性；
所述离子交换树脂为磷酸型离子交换树脂、羧酸型离子交换树脂、磺酸型离子交换树脂、巯基型离子交换树脂、氨型离子交换树脂、羟基型离子交换树脂中的一种或几种；
所述分散剂包括瓜尔胶、黄原胶、醋酸纤维素、磺酸乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素、羧乙基甲基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羟丁基甲基纤维素中的一种或几种；
所述酸性物质包括盐酸、硝酸、硫酸、硼酸、磷酸、碳酸酸式钾、钠盐、柠檬酸、水杨酸、羟基乙酸、草酸、苹果酸、乳酸、氨基酸中的一种或几种；
所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、聚氧丙烯聚氧乙烯嵌段共聚物、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种。
2.如权利要求1所述的大尺寸硅片边缘的抛光方法，其特征在于，超声频率为1kHz～0.2MHz。
3.如权利要求1所述的大尺寸硅片边缘的抛光方法，其特征在于，所述抛光工具振动方向为横向振动、纵向振动、椭圆振动中的一种或多种，抛光方式为轮式抛光、带式抛光一种或两种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110226155.7A CN113004804B (zh) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110226155.7A CN113004804B (zh) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113004804A CN113004804A (zh) | 2021-06-22 |
| CN113004804B true CN113004804B (zh) | 2022-04-19 |
Family
ID=76387254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110226155.7A Active CN113004804B (zh) | 2021-03-01 | 2021-03-01 | 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113004804B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115785819A (zh) * | 2022-11-11 | 2023-03-14 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种硅片抛光组合物及其应用 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1670115A (zh) * | 2004-03-19 | 2005-09-21 | 福吉米株式会社 | 抛光用组合物及抛光方法 |
| CN1872683A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-12-06 | 河北工业大学 | 超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法 |
| CN101069271A (zh) * | 2004-12-01 | 2007-11-07 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法 |
| CN101475180A (zh) * | 2009-01-16 | 2009-07-08 | 清华大学 | 一种超高纯二氧化硅溶胶的纯化方法 |
| CN102361940A (zh) * | 2009-01-20 | 2012-02-22 | 卡博特公司 | 包含硅烷改性金属氧化物的组合物 |
| CN102585706A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-18 | 清华大学 | 酸性化学机械抛光组合物 |
| CN102766406A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-11-07 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法 |
| CN103740280A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法 |
| CN103773247A (zh) * | 2012-10-19 | 2014-05-07 | 气体产品与化学公司 | 用于浅沟槽隔离（sti）应用的化学机械抛光（cmp）组合物及其制备方法 |
| CN104263249A (zh) * | 2014-09-26 | 2015-01-07 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种硅溶胶的处理方法 |
| CN104530987A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-22 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种硅晶片精抛光组合物及制备方法 |
| CN105189043A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-23 | 埃科莱布美国股份有限公司 | 抛光蓝宝石表面的方法 |
| CN106575614A (zh) * | 2014-06-25 | 2017-04-19 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 化学‑机械抛光组合物的制造方法 |
| TW201827554A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-08-01 | 日商日揮觸媒化成股份有限公司 | 研磨用氧化矽系粒子及研磨材 |
| CN109957335A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 含有具有三甲基氧化锍阳离子的二氧化硅的cmp浆料组合物 |
| TW202026376A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-07-16 | 美商卡博特微電子公司 | 用於金屬化學機械拋光之組合物及方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267273A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-09-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属用研磨材、研磨組成物及び研磨方法 |
-
2021
- 2021-03-01 CN CN202110226155.7A patent/CN113004804B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1670115A (zh) * | 2004-03-19 | 2005-09-21 | 福吉米株式会社 | 抛光用组合物及抛光方法 |
| CN101069271A (zh) * | 2004-12-01 | 2007-11-07 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法 |
| CN1872683A (zh) * | 2006-05-31 | 2006-12-06 | 河北工业大学 | 超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的稳定方法 |
| CN101475180A (zh) * | 2009-01-16 | 2009-07-08 | 清华大学 | 一种超高纯二氧化硅溶胶的纯化方法 |
| CN102361940A (zh) * | 2009-01-20 | 2012-02-22 | 卡博特公司 | 包含硅烷改性金属氧化物的组合物 |
| CN102585706A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-18 | 清华大学 | 酸性化学机械抛光组合物 |
| CN102766406A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-11-07 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法 |
| CN103773247A (zh) * | 2012-10-19 | 2014-05-07 | 气体产品与化学公司 | 用于浅沟槽隔离（sti）应用的化学机械抛光（cmp）组合物及其制备方法 |
| CN105189043A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-23 | 埃科莱布美国股份有限公司 | 抛光蓝宝石表面的方法 |
| CN103740280A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法 |
| CN106575614A (zh) * | 2014-06-25 | 2017-04-19 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 化学‑机械抛光组合物的制造方法 |
| CN107112224A (zh) * | 2014-06-25 | 2017-08-29 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 胶态氧化硅化学‑机械抛光浓缩物 |
| CN104263249A (zh) * | 2014-09-26 | 2015-01-07 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种硅溶胶的处理方法 |
| CN104530987A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-22 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种硅晶片精抛光组合物及制备方法 |
| TW201827554A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-08-01 | 日商日揮觸媒化成股份有限公司 | 研磨用氧化矽系粒子及研磨材 |
| CN109957335A (zh) * | 2017-12-14 | 2019-07-02 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 含有具有三甲基氧化锍阳离子的二氧化硅的cmp浆料组合物 |
| TW202026376A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-07-16 | 美商卡博特微電子公司 | 用於金屬化學機械拋光之組合物及方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Achieving ultralow surface roughness and high material removal rate in fused silica via a novel acid SiO2 slurry and its chemical-mechanical polishing mechanism;Xiao-Lei Shi et al.;《Applied Surface Science》;20191001;1-8 * |
| CMP浆料SiO_2水溶胶纯化稳定性技术的研究;张超等;《微纳电子技术》;20130215;第50卷(第02期);112-117 * |
| Ultrasonic flexural vibration assisted chemical mechanical polishing for sapphire substrate;Wenhu Xu et al.;《Applied Surface Science》;20100125;3936-3940 * |
| 酸性硅溶胶的制备研究;董耀雄;《无机盐工业》;19881220(第06期);5-8 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113004804A (zh) | 2021-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102516873B (zh) | 一种硅晶片抛光组合物及其制备方法 | |
| CN104321850B (zh) | 晶片用研磨液组合物 | |
| CN102093819B (zh) | 一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物 | |
| CN113004804B (zh) | 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 | |
| CN102212333B (zh) | 蓝宝石衬底片精磨研磨液及其配制方法 | |
| CN101671528A (zh) | 用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液 | |
| CN101096571A (zh) | 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 | |
| CN109545680A (zh) | 一种高平整度、低损伤单晶碳化硅衬底的快速制备方法 | |
| CN104513626B (zh) | 一种硅化学机械抛光液 | |
| CN113683962B (zh) | 二氧化硅研磨抛光剂的制备方法 | |
| CN112908834B (zh) | 一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法 | |
| KR20200044726A (ko) | 고평탄도, 저손상 빅직경의 단결정 탄화규소 기판 및 그 제조 방법 | |
| US20080135520A1 (en) | Chemical composition for chemical mechanical planarization | |
| CN104745146A (zh) | 含铈掺杂二氧化硅纳米复合磨粒溶胶、抛光液及其制备方法 | |
| CN114231182A (zh) | 一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 | |
| CN101081966A (zh) | 一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 | |
| CN114751438A (zh) | 一种氧化铝磨料、制备方法、用途及包含其的硅片研磨液和研磨方法 | |
| CN113897177A (zh) | 一种复合氧化物磨粒及其制备方法 | |
| CN101092541A (zh) | 一种用于硅晶片的精抛液 | |
| CN102492394A (zh) | 六方板状纳米晶刚玉磨料的制备方法 | |
| CN108017998A (zh) | 一种cmp抛光液的制备方法 | |
| CN104530987A (zh) | 一种硅晶片精抛光组合物及制备方法 | |
| CN102399496A (zh) | 用于晶片粗抛光的研磨组合物 | |
| JP2016194003A (ja) | 研磨物の製造方法 | |
| CN102101979A (zh) | 一种化学机械抛光液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |