CN108017998A - 一种cmp抛光液的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种CMP抛光液的制备方法，具体为：先将磨料与水混合，再依次加入表面活性剂、成膜剂、pH调节剂和抛光促进剂，且每加入一种原料后，对其进行充分搅拌。本申请所述的方法能避免原料间的相互作用，使各原料充分地发挥作用，使抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标都能得到明显的提高，抛光效果的稳定性更好，制备过程中不需要净化室和真空负压搅拌设备，只需要普通的密闭空间和搅拌设备即可，节省了生产成本和日常的维护费用。而且本发明的方法制备的抛光液性能稳定，可重复多次使用，甚至循环使用6～10h，都可保持稳定的性能。

Description

一种CMP抛光液的制备方法

技术领域

本发明涉及一种用于超高精度GaAs晶片加工的CMP抛光液制备方法，属于半导体加工的技术领域。

背景技术

砷化镓(GaAs)是一种极其重要的第二代半导体材料，具有电子迁移率高、宽禁带、直接带隙、功率消耗低等特性，在微电子和光电子产业，尤其是国防和卫星通讯领域发挥着非常重要的作用。用GaAs制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好及噪声小、抗辐射能力强等优点。虽然GaAs具有优越的性能，但其高温分解，使得生产理想化学配比的高纯单晶材料的技术难度较高。GaAs是目前生产量最大、应用最广的化合物半导体材料，是重要性仅次于硅的半导体材料。

由于GaAs材料的优异特性，我国及世界各主要国家正大力支持其相关行业的蓬勃发展。随着智能手机进入4G时代，以至于后面的5G及物联网的崛起，多模多频的GaAs微波功率器件需求量将大幅提升。未来几年，随着我国光电通信及其它新行业(如太阳能薄膜发电)的快速发展，GaAs材料的市场需求将会更大。预计到2022年，我国GaAs市场销售额将会达到100亿元。

GaAs电路和器件均是以GaAs抛光晶片为衬底，抛光晶片的表面质量直接影响着器件的性能和成品率，抛光晶片的表面质量越好，器件的性能和成品率就越高。GaAs晶片是由纯Ga和纯As合成并生长得到的单晶材料经过切、磨、抛等工艺制成，因此抛光工艺是GaAs晶片最终达到超精密表面要求的关键工序。目前，国内外普遍采用的抛光工艺是化学机械抛光(CMP)工艺。CMP工艺是化学腐蚀和机械磨削交替作用的组合工艺，结合了化学抛光和机械抛光的优点，借助于抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨削作用，在良好的抛光机性能和合适的抛光垫基础上，使GaAs晶片获得超光滑超平坦的表面，所以CMP抛光液是除抛光机、抛光垫之外的决定抛光晶片表面质量的因素。

对于CMP抛光液来说，除了配方对其性能有影响外，制备方法也有一定的影响。在关于GaAs晶片的CMP抛光液制备方法方面，以往的中国专利文献对其报道较少，仅有中国专利CN101475778A和CN101081966A两篇。因此，针对GaAs晶片的CMP抛光液制备方法，有待于进一步研究。

中国专利CN101475778A公布了一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法，该方法是先将除磨料之外的其它组分混合搅拌均匀后，再将经过过滤的磨料加入其中，并混合搅拌均匀即可。专利中显示，利用该方法制备的抛光液的抛光去除速率是0.8μm/min，抛光后的晶片表面粗糙度是0.5nm。先将除磨料之外的其它组分混合在一起，容易使各组分之间首先产生交互作用，削弱其在抛光液中应有的作用，这可能是导致其抛光效果不太理想的原因。

中国专利CN101081966A公布了一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法，该方法，是先将制备的抛光液各组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，使其混合均匀即可。专利中称，利用该方法制备的抛光液的抛光去除速率不超过0.5μm/min，抛光后的晶片表面良好。此项专利没有说明具体的添加次序，而且需要采用千级净化室和真空负压下搅拌，生产成本相对较高。不管其表面质量具体如何，但其抛光去除速率很低。

本发明针对以上两篇专利文献中存在的问题，提供了一种用于超高精度GaAs晶片加工的CMP抛光液制备方法。利用该方法制备的抛光液对GaAs晶片进行抛光，可以使抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标都能得到明显的提高，抛光效果的稳定性更好，而且不需要净化室和真空负压搅拌设备，只需要普通的密闭空间和搅拌设备即可，节省了生产成本和日常的维护费用。

发明内容

本发明首先提供一种用于超高精度GaAs晶片加工的CMP抛光液的制备方法，该方法是根据其它各组分对磨料或抛光液性能的影响，按照一定顺序，依次加入到磨料中。所述的CMP抛光液包含磨料、表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂、抛光促进剂和水，其具体制备步骤如下：

1)边搅拌边将磨料与水混合，使其混合均匀；

2)在步骤1)所述溶液中边搅拌边加入表面活性剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

3)在步骤2)所得的溶液中边搅拌边加入成膜剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

4)在步骤3)所得溶液中边搅拌边加入pH值调节剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

5)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入抛光促进剂，加入完成后继续搅拌至各组分充分混合均匀；

6)对步骤5)所得溶液进行过滤，即得。

按照现有的方法，若将除磨料外的各组分直接混合，组分间会发生相互作用，使其应有的作用受到影响。例如，成膜剂和表面活性剂的分子链之间会产生相互缠绕，影响成膜剂与表面活性剂应有的作用，不利于磨料的表面活性、分散性及抛光液的成膜性等得到应有的提高。磨料的表面活性得不到应有的提高，不但会对抛光后晶片表面的清洗产生不利影响，使表面吸附的磨料颗粒不易被清洗掉，而且也会影响磨料的分散性，甚至出现磨料的团聚现象；抛光液的成膜性不佳，抛光液在抛光垫及晶片表面的分布均匀性就不能达到应有的效果，晶片表面的抛光均匀性就难以达到理想的状态，最终影响抛光液的去除速率、抛光后晶片的表面粗糙度和表面平整度，以及后序的清洗质量等各项性能指标。而将各原料按照上述的顺序进行添加，则可最大限度地避免上述情况的发生，提高抛光液的最终抛光性能。

优选的，若所述磨料中包括两种或两种以上的组分，所述方法还包括将磨料提前混合均匀的操作。

优选的，所用表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂、抛光促进剂等在加入磨料中之前，需先用水进行溶解或稀释。这些试剂或是固体或是具有一定粘稠度的液体，且所用胶体磨料也具有一定的粘稠度，如果将这些试剂直接加入磨料中，即使搅拌时间延长，也不易均匀分散；在固体试剂溶解的过程中，由于纳米级的磨料具有很强的吸附力，还会导致磨料吸附在固体试剂周围，形成对固体试剂的包裹，阻止或减缓其继续溶解，在过滤时，这些不能完全稀释或溶解的试剂就会被过滤掉，将严重影响抛光液的性能。

优选的，对所述表面活性剂进行溶解或稀释的过程中，要充分搅拌，且在允许的范围内，添加的水越多越好。

优选的，混合过程中搅拌器的转速为以不使抛光液产生飞溅的最高搅拌速度为最佳。速度越快，抛光液越容易混合均匀，混合时间也相对较短；若抛光液在搅拌时产生飞溅，飞溅到搅拌杆、搅拌容器上的抛光液中的磨料会产生干燥结晶，干燥结晶大部分会落入抛光液中，而干燥结晶后的磨料无法再分散开，且硬度要比胶体磨料高很多，对于细小的结晶磨料很难通过过滤除去，在抛光的过程中就会对晶片产生划伤。

优选的，制备抛光液所用的水为去离子水；进一步优选的，所用水为纯水；最优选，所用水为超纯水。因为在超纯水中，无机电离杂质、有机物杂质(烷基苯磺酸、油、有机铁、有机铝以及其它碳氢化合物等)、颗粒杂质(尘埃、氧化铁、铝、胶体硅等)、微生物杂质(细菌、浮游生物、藻类等)、溶解气体杂质(N₂、O₂、CO₂、H₂S等)等均已去除至极低水平，最大程度地减少或降低了对抛光液性能的影响因素。

优选的，步骤1)～4)的所述继续搅拌的时长均为5～7min；步骤5)的所述继续搅拌的时长为10～15min。上述的搅拌时间既可对原料进行充分地搅拌，还不会因搅拌时间过长而带来时间的浪费。

优选的，所述磨料为硅溶胶、铝溶胶、锆溶胶、铈溶胶或钛溶胶中的一种或几种。

优选的，所述磨料的粒径范围为5nm～150nm、pH值为8～10；

进一步优选的，所述磨料的粒径范围为10nm～100nm；

优选的，所述表面活性剂是烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚丙二醇的环氧乙烷加成物、失水山梨醇酯或烷基醇酰胺中的一种或几种组合。

优选的，所述成膜剂是纤维素醚类、丙烯酸共聚物、聚乙烯类共聚物、烃类共聚物或有机硅聚合物中的一种或几种组合，或是其相互改性的产品。

优选的，所述pH值调节剂为氢氧化物、碱性无机盐、伯胺、叔胺、季铵碱或亚胺中的一种或几种组合。

优选的，所述抛光促进剂包括高铁酸盐、过硫酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐或高碘酸盐中的一种或几种组合。

当选择上述种类的原料时，用本申请所述的方法制备的抛光液抛光效果更好。

作为优选的方案，本申请的方案包括如下步骤：

1)先用超纯水对表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂和抛光促进剂分别进行溶解或稀释；对所述表面活性剂进行溶解或稀释的过程中，添加足量的超纯水并对其进行充分地搅拌；

2)边搅拌边将磨料与超纯水混合，搅拌5～7min，使其混合均匀；

3)在步骤1)所述溶液中边搅拌边加入溶解或稀释后的表面活性剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

4)在步骤2)所得的溶液中边搅拌边加入溶解或稀释后的成膜剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

5)在步骤3)所得溶液中边搅拌边加入溶解或稀释后的pH值调节剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

6)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入溶解或稀释后的抛光促进剂，加入完成后继续搅拌10～15min，使各组分充分混合均匀；

7)对步骤5)所得溶液进行过滤，即得；

所述磨料为硅溶胶、铝溶胶、锆溶胶、铈溶胶或钛溶胶中的一种或几种；所述磨料的粒径范围为10nm～100nm、pH值为8～10；

所述表面活性剂是烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚丙二醇的环氧乙烷加成物、失水山梨醇酯或烷基醇酰胺中的一种或几种组合；

所述成膜剂是纤维素醚类、丙烯酸共聚物、聚乙烯类共聚物、烃类共聚物或有机硅聚合物中的一种或几种组合，或是其相互改性的产品；

所述pH值调节剂为氢氧化物、碱性无机盐、伯胺、叔胺、季铵碱或亚胺中的一种或几种组合；

所述抛光促进剂包括高铁酸盐、过硫酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐或高碘酸盐中的一种或几种组合；

进一步优选的，所述抛光液中各组分所占的质量百分比为：磨料0.1～50％、表面活性剂0.001～0.4％、成膜剂0.001～0.6％、pH值调节剂0.05～10％、抛光促进剂0.01～4％、水补足100％，抛光液pH值为9.5～12.5。

本发明的最后一个目的是保护本申请所述方法制备得到的抛光液。

优选的，所述抛光液中各组分所占的质量百分比为：磨料0.1～50％、表面活性剂0.001～0.4％、成膜剂0.001～0.6％、pH值调节剂0.05～10％、抛光促进剂0.01～4％、水补足100％，抛光液pH值为9.5～12.5。

进一步优选的，所述水为超纯水。

本发明具有如下有益效果：

1)采用本发明提供的制备方法制备的抛光液对GaAs晶片进行抛光，可以使抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标都能得到明显的提高，抛光效果的稳定性更好，而且不需要净化室和真空负压搅拌设备，只需要普通的密闭空间和搅拌设备即可，节省了生产成本和日常的维护费用。

2)本发明还发现，采用本发明的方法制备的抛光液性能稳定，可重复使用，甚至可循环使用6～10小时。在循环期间，抛光液的抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标均保持稳定，极大地节约了资源，降低了生产成本。

具体实施方式

以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例1

本实施例涉及一种用于超高精度GaAs晶片加工的CMP抛光液的制备方法，具体包括如下步骤：

本实施例中所使用的抛光液的原料组成为：按重量比，3％的硅溶胶磨料、0.02％的月桂酸二乙醇酰胺表面活性剂、0.05％的水溶性硅油成膜剂、0.1％的四甲基氢氧化铵pH值调节剂、0.05％的次氯酸钾抛光促进剂、余量为超纯水，将上述原料按以下方法制备成抛光液，制备所得的抛光液的pH值为10.2。

1)边搅拌边将硅溶胶磨料与超纯水混合，搅拌5～7min，使其混合均匀；

2)在步骤1)所述溶液中边搅拌边加入月桂酸二乙醇酰胺表面活性剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

3)在步骤2)所得的溶液中边搅拌边加入水溶性硅油成膜剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

4)在步骤3)所得溶液中边搅拌边加入四甲基氢氧化铵pH值调节剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

5)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入次氯酸钾抛光促进剂，加入完成后继续搅拌10～15min，使各组分充分混合均匀；

6)对步骤5)所得溶液进行过滤，即得。

实施例2

本实施例涉及一种用于超高精度GaAs晶片加工的CMP抛光液的制备方法，具体包括如下步骤：

本实施例中所使用的抛光液的原料组成为：按重量比，40％的硅溶胶磨料、0.03％的辛基酚聚氧乙烯醚表面活性剂、0.3％的羧甲基羟乙基纤维素成膜剂、8％的氨水pH值调节剂、0.2％的高铁酸钠抛光促进剂、余量为超纯水，配制完毕后抛光液的pH值为10.6。

1)边搅拌边将硅溶胶磨料与超纯水混合，搅拌5～7min，使其混合均匀；

2)在步骤1)所述溶液中边搅拌边加入辛基酚聚氧乙烯醚表面活性剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

3)在步骤2)所得的溶液中边搅拌边加入羧甲基羟乙基纤维素成膜剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

4)在步骤3)所得溶液中边搅拌边加入氨水pH值调节剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

5)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入高铁酸钠抛光促进剂，加入完成后继续搅拌10～15min，使各组分充分混合均匀；

6)对步骤5)所得溶液进行过滤，即得。

实施例3

本实施例涉及一种用于超高精度GaAs晶片加工的CMP抛光液的制备方法，具体包括如下步骤：

本实施例中所使用的抛光液的原料组成为：按重量比，15％的硅溶胶与5％的铝溶胶磨料、0.02％的吐温表面活性剂、0.2％的水溶性硅油成膜剂、5％的四甲基氢氧化铵pH值调节剂、1％的高锰酸钾抛光促进剂、余量为超纯水，配制完毕后抛光液的pH值为11.4。

1)边搅拌边将铝溶胶加入到硅溶胶磨料中，搅拌5～7min，使其混合均匀；

2)在步骤1)所述溶液中边搅拌边将磨料与超纯水混合，搅拌5～7min，使其混合均匀；

3)在步骤2)所述溶液中边搅拌边加入吐温表面活性剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

4)在步骤3)所得的溶液中边搅拌边加入水溶性硅油成膜剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

5)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入四甲基氢氧化铵pH值调节剂，加入完成后继续搅拌5～7min，使其混合均匀；

6)在步骤5)所得溶液中边搅拌边加入已称取的高锰酸钾抛光促进剂，加入完成后继续搅拌10～15min，使各组分充分混合均匀；

7)对步骤6)所得溶液进行过滤，即得。

对比例1

与实施例1使用相同的原料，按照中国专利CN101475778A提供的制备方法进行制备，即先将除磨料之外的其它组分混合搅拌均匀后，再将经过过滤的磨料加入其中，混合搅拌均匀即可。

对比例2

与实施例2使用相同的原料，调整表面活性剂与成膜剂的添加顺序，即先加入羧甲基羟乙基纤维素成膜剂，再加入辛基酚聚氧乙烯醚表面活性剂。

对比例3

与实施例3使用相同的原料，调整pH值调节剂与抛光促进剂的添加顺序，即先加入高锰酸钾抛光促进剂，再加入四甲基氢氧化铵pH值调节剂。

实验例

1、抛光效果的相关实验

采用实施例1～3和对比例1～3制备的抛光液，对6英寸GaAs晶片进行抛光，每个实施例进行三次抛光试验，以实施例1-1，实施例1-2实施例1-3的形式进行表示，每个对比例进行两次抛光试验，以对比例1-1，对比例1-2的形式进行表示。抛光使用的设备及试验条件如下：

抛光设备：ZYP450型往复直推/旋转重力式研磨抛光机(沈阳麦科材料加工设备有限公司)

抛光压力：100g/cm2

抛光垫转速：80rpm

抛光头转速：60rpm

抛光头往复速度：15次/min

抛光温度：25℃

抛光液流速：200ml/min

抛光垫：Suba 800

抛光时间：10min

GaAs晶片采用石蜡粘贴在陶瓷载盘上。抛光后，采用无水乙醇、NH₄OH、H₂O₂和去离子水对GaAs晶片进行超声波清洗，并用热N₂吹干，然后检测晶片的去除速率和表面质量。去除速率采用德国赛多利斯CPA225D型精度为0.01mg的电子天平，通过称量抛光前后晶片的重量变化，根据三次称量的平均值计算得到。表面粗糙度Ra采用德国布鲁克DimensionEdge原子力显微镜进行检测，分辨率为0.01nm，检测范围为20×20μm，根据测试的五点的平均值而得。表面平整度采用日本三丰精度为1μm的数显千分表通过测量抛光前后晶片9个固定点的厚度变化，根据其平均值而得。

从表1中实施例和对比例的试验数据可以看出，采用本发明提供的制备方法制备的抛光液，抛光去除速率均在1.11μm/min以上，抛光后的晶片表面粗糙度均在0.190nm以下，表面平整度均不超过4μm，表面具有非常高的精度，抛光效果的稳定性也较好。而采用专利CN101475778A提供的制备方法制备的抛光液或变换本发明中某些组分的添加顺序制备的抛光液，抛光后的各项性能指标均相对较差，抛光去除速率均低于0.98μm/min，抛光后的晶片表面粗糙度均高于0.270nm，表面平整度均不低于6μm，表面精度明显下降。

对比例2先加入成膜剂，优先与磨料作用，吸附于磨料表面，在一定程度上阻碍了后序加入的表面活性剂与磨料产生作用，影响了表面活性剂作用的充分发挥，使磨料的表面活性、分散性及团聚现象得不到应有的改善，因此抛光液的去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度都相对较差。

在对比例3中，高锰酸钾水溶液呈微弱的碱性，pH值在7～8之间，而所用的胶体硅溶胶、胶体铝溶胶等磨料一般具有一个稳定的pH值范围，为9左右，在这个范围内，磨料的Zeta电位处于稳定状态。pH值低于这个范围，磨料的Zeta电位的稳定状态被破坏，就会产生团聚甚至凝胶；pH值高于这个范围至12时，磨料的Zeta电位相对稳定，pH值超过12时，Zeta电位的稳定状态被破坏，磨料开始溶解，并产生团聚，pH值越高，溶解越快，团聚越严重，直至凝胶。将高锰酸钾水溶液先于pH值调节剂加入到磨料中，会使磨料的pH值下降，Zeta电位的稳定状态遭到破坏，磨料产生团聚，即使随后将pH值调节剂加入，也很难使团聚的磨料完全恢复，所以抛光液的去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度明显变差。

表1采用实施例与对比例制备的抛光液抛光后相应晶片的测试参数

实验例	去除速率(μm/min)	表面粗糙度(nm)	表面平整度(μm)
				实施例1-1	1.121	0.186	3
实施例1-2	1.137	0.173	3
				实施例1-3	1.143	0.183	4
实施例2-1	1.135	0.171	3
				实施例2-2	1.120	0.180	3
实施例2-3	1.132	0.165	3
				实施例3-1	1.113	0.180	4
实施例3-2	1.133	0.167	3
				实施例3-3	1.118	0.175	3
对比例1-1	0.916	0.311	6
				对比例1-2	0.932	0.320	7
对比例2-1	0.963	0.276	6
				对比例2-2	0.975	0.285	6
对比例3-1	0.832	0.386	7
				对比例3-2	0.845	0.394	8

2、循环使用的相关性能测试

选择实施例1-1、实施例2-1和实施例3-1的抛光液进行循环使用的性能测试，其抛光设备、试验条件和测试方法与上述相同，只有抛光时间有所调整，测试结果如表2。

表2循环使用时晶片的相应测试参数

在表2的三组试验数据中，实施例1的抛光液循环使用了7小时，实施例2的抛光液循环使用了8.5小时，实施例3的抛光液循环使用了10小时。GaAs晶片的抛光去除速率均在1μm/min以上，抛光后的晶片表面粗糙度均低于0.2nm，表面平整度均不超过5μm，表面精度保持性非常好。因此，采用本发明提供的抛光液，在循环使用期间，保持了抛光液的抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标的稳定性，同现有技术中只能使用一次的抛光液相比，极大地节约了资源，降低了生产成本。

虽然，上文中已经用一般性说明、具体实施方式及试验，对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种CMP抛光液的制备方法，其特征在于，所述的CMP抛光液包含磨料、表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂、抛光促进剂和水，所述的制备方法包括如下步骤：

1)边搅拌边将磨料与水混合，使其混合均匀；

2)在步骤1)的溶液中边搅拌边加入表面活性剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

3)在步骤2)所得的溶液中边搅拌边加入成膜剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

4)在步骤3)所得溶液中边搅拌边加入pH值调节剂，加入完成后继续搅拌至混合均匀；

5)在步骤4)所得溶液中边搅拌边加入抛光促进剂，加入完成后继续搅拌至各组分充分混合均匀；

6)对步骤5)所得溶液进行过滤，即得。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磨料中包括两种或两种以上的组分，所述方法还包括将磨料提前混合均匀的操作。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述表面活性剂、成膜剂、pH值调节剂和抛光促进剂在加入溶液之前，先用水对其进行溶解或稀释。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，对所述表面活性剂进行溶解或稀释的过程中，添加足量的水并对其进行充分地搅拌。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，步骤1)～5)在搅拌的过程中，搅拌器的转速为不使抛光液产生飞溅的最高搅拌速度。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述水为去离子水、纯水或超纯水。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，步骤1)～4)的所述继续搅拌的时长均为5～7min；步骤5)的所述继续搅拌的时长为10～15min。

8.根据权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于，所述磨料为硅溶胶、铝溶胶、锆溶胶、铈溶胶或钛溶胶中的一种或几种；

和/或，所述磨料的粒径范围为5nm～150nm、pH值为8～10；优选的，所述磨料的粒径范围为10nm～100nm；

和/或，所述表面活性剂是烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚丙二醇的环氧乙烷加成物、失水山梨醇酯或烷基醇酰胺中的一种或几种组合；

和/或，所述成膜剂是纤维素醚类、丙烯酸共聚物、聚乙烯类共聚物、烃类共聚物或有机硅聚合物中的一种或几种组合，或是其相互改性的产品；

和/或，所述pH值调节剂为氢氧化物、碱性无机盐、伯胺、叔胺、季铵碱或亚胺中的一种或几种组合；

和/或，所述抛光促进剂包括高铁酸盐、过硫酸盐、高锰酸盐、重铬酸盐、高氯酸盐、次氯酸盐或高碘酸盐中的一种或几种组合。

9.权利要求1～8任一项所述方法制备得到的CMP抛光液。

10.根据权利要求9所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液中各组分所占的质量百分比为：磨料0.1～50％、表面活性剂0.001～0.4％、成膜剂0.001～0.6％、pH值调节剂0.05～10％、抛光促进剂0.01～4％、水补足100％，抛光液pH值为9.5～12.5。