CN101096571A - 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 - Google Patents
一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101096571A CN101096571A CNA2006100145909A CN200610014590A CN101096571A CN 101096571 A CN101096571 A CN 101096571A CN A2006100145909 A CNA2006100145909 A CN A2006100145909A CN 200610014590 A CN200610014590 A CN 200610014590A CN 101096571 A CN101096571 A CN 101096571A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing fluid
- glass material
- active agent
- tensio
- polishing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
一种用于玻璃材料的抛光液,由磨料、表面活性剂、pH值调节剂和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:磨料10~50%;表面活性剂0.01~0.6%;pH值调节剂1~6%;去离子水为余量;抛光液pH值范围为11~12,粒径为50nm~200nm。所述抛光液的制备方法是:首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。本发明的优点是:抛光液是碱性,不腐蚀污染设备;玻璃材料抛光速率快,平整性好;工艺简单,成本低。
Description
(一)技术领域:
本发明涉及一种抛光液及其制备方法,特别是一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法。
(二)背景技术:
玻璃材料抛光及其平面加工是涉及许多领域的技术,其中包括LCD面板,光学用玻璃等广泛的领域。由于玻璃材料本身脆性大,化学抛光作用不明显,给材料表面平坦化加工带来了很大难度。目前国际上主要采用氧化铈的粉末作为抛光加工磨料,但氧化铈颗粒的清洗工艺比较复杂,因此限制了氧化铈的技术应用。
(三)发明内容:
本发明的目的在于提供一种用于玻璃的抛光液及其制备方法,它克服了现有技术中的缺点,是一种高效、易清洗且对设备无损害的用于玻璃材料的抛光液及其制备方法。
本发明的技术方案:一种用于玻璃材料的抛光液,其特征在于:由磨料、表面活性剂、PH值调节剂和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:磨料10~50%;表面活性剂0.01~0.6%;PH值调节剂1~6%;去离子水为余量;抛光液PH值范围为11~12,粒径为50nm~200nm。
上述所说的磨料是指粒径范围为50nm~200nm的水溶硅溶胶或金属氧化物SiO2、Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。
上述所说的表面活性剂系采用非离子型表面活性剂,如脂肪醇聚氧乙稀醚或烷基醇酰胺。
上述所说的PH调节剂是指氢氧化钠、氢氧化钾、多羟多胺和胺中的一种或其组合。
一种用于玻璃材料的抛光液制备方法,其特征在于:首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
本发明的优点是:抛光液是碱性,不腐蚀污染设备,容易清洗;玻璃材料抛光速率快,平整性好;对有害金属离子的鳌合作用强;采用非离子型表面活性剂,能对磨料和反应产物从衬底表面产生有效的吸脱作用;工艺简单,成本低。
(四)具体实施方式:
实施例1:配置200g抛光液
所需原料包括:40g Al2O3磨料,粒径100-120nm;4g四羟基乙基乙二胺;4g氢氧化钾;1g脂肪醇聚氧乙稀醚;余量加入去离子水。抛光液的制备方法为:首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
实验检测结果:上述抛光液PH值为11.2,粒径分布为100-120nm。用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上,在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下,对砷化镓晶片进行抛光,测得玻璃的平均速率为0.2微米/分钟,表面质量良好。
实施例2:配置2000g抛光液
所需原料包括:750g水溶硅溶胶磨料,粒径60-80nm;30gEDTA,60g氢氧化钾,15g烷基醇酰胺,余量加入去离子水。抛光液的制备方法为:首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
实验检测结果:上述抛光液PH值为10.2,粒径分布为60-80nm。用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上,在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下,对玻璃材料进行抛光,测得玻璃的平均速率为0.35微米/分钟,表面质量好。
Claims (5)
1.一种用于玻璃材料的抛光液,其特征在于:由磨料、表面活性剂、PH值调节剂和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:磨料10~50%;表面活性剂0.01~0.6%;PH值调节剂1~6%;去离子水为余量;抛光液PH值范围为11~12,粒径为15nm~100nm。
2.根据权利要求1所述的一种用于玻璃的抛光液,其特征在于:其磨料是指粒径范围为50nm~200nm的水溶硅溶胶或金属氧化物SiO2、Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。
3.根据权利要求1所述的一种用于玻璃材料的抛光液,其特征在于:其表面活性剂系采用非离子型表面活性剂,如脂肪醇聚氧乙稀醚或烷基醇酰胺。
4.根据权利要求1所述的一种用于玻璃材料的抛光液,其特征在于:其PH调节剂是指氢氧化钠、氢氧化钾、多羟多胺和胺中的一种或其组合。
5.根据权利要求1-4所述的一种用于玻璃材料的抛光液的制备方法,其特征在于:首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2006100145909A CN101096571A (zh) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2006100145909A CN101096571A (zh) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101096571A true CN101096571A (zh) | 2008-01-02 |
Family
ID=39010660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2006100145909A Pending CN101096571A (zh) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101096571A (zh) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102010668A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 磷酸氧钛钾晶体cmp抛光液的制备方法 |
CN102010660A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 钽化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010663A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010664A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 硬盘磷化铟基板cmp抛光液的制备方法 |
CN102010659A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法 |
CN102010662A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 微晶玻璃抛光液的制备方法 |
CN102010669A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 蓝宝石衬底材料cmp抛光液的制备方法 |
CN102010667A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法 |
CN102010661A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | Ulsi铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液的制备方法 |
CN102020923A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-20 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法 |
CN101693813B (zh) * | 2009-09-01 | 2013-04-10 | 湖南皓志新材料股份有限公司 | 一种硅基精抛液 |
EP2666833A1 (en) | 2012-05-23 | 2013-11-27 | Basf Se | A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant |
CN104017501A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-03 | 江南大学 | 一种适用于tft-lcd玻璃基板的超声雾化型抛光液 |
US9416298B2 (en) | 2012-05-23 | 2016-08-16 | Basf Se | Process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (CMP) of III-V material in the presence of a CMP composition comprising a specific non-ionic surfactant |
CN108864949A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-11-23 | 德米特(苏州)电子环保材料有限公司 | 一种用于抛光玻璃的稀土抛光液及其制备方法 |
CN109439282A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-03-08 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 复合纳米磨料、抛光液及其制备方法、玻璃晶片和电子设备 |
CN113814801A (zh) * | 2021-11-25 | 2021-12-21 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种带抛光面的防滑防污瓷砖及其生产工艺和用途 |
-
2006
- 2006-06-30 CN CNA2006100145909A patent/CN101096571A/zh active Pending
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101693813B (zh) * | 2009-09-01 | 2013-04-10 | 湖南皓志新材料股份有限公司 | 一种硅基精抛液 |
CN102010664B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-02-27 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 硬盘磷化铟基板cmp抛光液的制备方法 |
CN102020923B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-06-05 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010664A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 硬盘磷化铟基板cmp抛光液的制备方法 |
CN102010659A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法 |
CN102010662A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 微晶玻璃抛光液的制备方法 |
CN102010669A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 蓝宝石衬底材料cmp抛光液的制备方法 |
CN102010667A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法 |
CN102010661A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | Ulsi铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液的制备方法 |
CN102020923A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-20 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010667B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-02-06 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法 |
CN102010669B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-02-27 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 蓝宝石衬底材料cmp抛光液的制备方法 |
CN102010668A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 磷酸氧钛钾晶体cmp抛光液的制备方法 |
CN102010660A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 钽化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010668B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-03-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 磷酸氧钛钾晶体cmp抛光液的制备方法 |
CN102010661B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-03-06 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | Ulsi铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010659B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-06-05 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法 |
CN102010663A (zh) * | 2010-07-21 | 2011-04-13 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法 |
CN102010663B (zh) * | 2010-07-21 | 2013-06-05 | 天津晶岭微电子材料有限公司 | 二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法 |
EP2666833A1 (en) | 2012-05-23 | 2013-11-27 | Basf Se | A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (cmp) of iii-v material in the presence of a cmp composition comprising a specific non-ionic surfactant |
US9416298B2 (en) | 2012-05-23 | 2016-08-16 | Basf Se | Process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing (CMP) of III-V material in the presence of a CMP composition comprising a specific non-ionic surfactant |
CN104017501A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-03 | 江南大学 | 一种适用于tft-lcd玻璃基板的超声雾化型抛光液 |
CN108864949A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-11-23 | 德米特(苏州)电子环保材料有限公司 | 一种用于抛光玻璃的稀土抛光液及其制备方法 |
CN109439282A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-03-08 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 复合纳米磨料、抛光液及其制备方法、玻璃晶片和电子设备 |
CN113814801A (zh) * | 2021-11-25 | 2021-12-21 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种带抛光面的防滑防污瓷砖及其生产工艺和用途 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101096571A (zh) | 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 | |
CN101081966A (zh) | 一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 | |
CN102391789B (zh) | 一种纳米金刚石抛光液的制备方法 | |
CN106044786B (zh) | 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法 | |
CN106867413B (zh) | 一种高浓度氧化铈抛光液及其制备方法 | |
JP2019110285A (ja) | Cmp研磨液及びその調製方法と応用 | |
CN102775915B (zh) | 一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 | |
CN102888193A (zh) | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 | |
CN101096573A (zh) | 一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法 | |
WO2009021363A1 (fr) | Liquide abrasif pour polir à base de nanosilice utilisable pour le traitement du verre microcristallin | |
CN103450812A (zh) | 一种用于蓝宝石衬底的抛光液 | |
CN107189693A (zh) | 一种a向蓝宝石化学机械抛光用抛光液及其制备方法 | |
CN106544184A (zh) | 玻璃抛光粉清洗剂及其制备方法 | |
CN104877633A (zh) | 镁元素掺杂氧化硅溶胶复合磨粒、抛光液及其制备方法 | |
CN107243783A (zh) | 化学机械研磨方法、设备及清洗液 | |
CN101092540A (zh) | 一种金属抛光液及其制备方法 | |
CN101081965A (zh) | 一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法 | |
CN104559799A (zh) | 一种含复合磨料的化学机械抛光液 | |
CN101781525A (zh) | 晶圆粗抛光液 | |
CN114736654A (zh) | 一种球形磨料、制备方法、用途及包含其的蓝宝石研磨液 | |
CN101307211A (zh) | 一种纳米二氧化硅磨料抛光液的制备方法 | |
CN110788739A (zh) | 一种锑化铟单晶片的抛光方法 | |
JP2007061989A (ja) | 研磨用複合酸化物粒子およびスラリー状研磨材 | |
CN104017501B (zh) | 一种适用于tft-lcd玻璃基板的超声雾化型抛光液 | |
CN109749631A (zh) | 一种氧化铝基化学机械抛光液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |