JP6456662B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
図13の実施形態6の構造を、以下の手順で実際に試作した。単結晶基板4の材質はサファイアとした。単結晶基板4の表面に膜厚1.5μmのニオブ酸リチウム膜5をスパッタ法により製膜した。次に、ニオブ酸リチウム膜5の上に、膜厚0.8μm、材質LaAlO3のバッファ層7を蒸着法により成膜した。レジストによるマスク形成とArプラズマを用いたドライエッチング加工により、リッジ形状部6の形成およびバッファ層のパターニングをおこなった。リッジ形状部6のリッジ幅は2.5μm、リッジ高さは0.4μmとした。その後、膜厚0.7μm、材質SiO2の誘電体層8をCVD法により全面に製膜した。再度レジストマスク形成の後に、不要な部分の誘電体層8をドライエッチング法により除去した。最後に、第1電極(2a、2b)、第2電極(3a、3b、3c)をフォト工程と金めっき工程により形成した。LaAlO3の比誘電率は13、SiO2の比誘電率は4であった。ギャップGは6μm、電極長Lは14mmとした。
1、1a、1b、1c 光導波路
2a、2b 第1電極
3a、3b、3c 第2電極
4 単結晶基板
5 ニオブ酸リチウム膜
6 リッジ形状部
7 バッファ層
8 誘電体層
9 終端抵抗
11 入力側
12 出力側
13a、13b 入力側
21 サファイア基板
22a、22b 光導波路
23 バッファ層
24a、24b 電極
25a、25b 光導波路
Claims (7)
- 単結晶基板と、
前記単結晶基板の主面上に形成されたエピタキシャル膜であり、リッジ形状部を有するニオブ酸リチウム膜と、
前記リッジ形状部上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上面と接して形成された第1電極と、
前記リッジ形状部の側面に接して配置された誘電体層と、
前記第1電極とは離間して配置された第2電極とを少なくとも有し、
前記誘電体層の比誘電率は、前記バッファ層の比誘電率より低いことを特徴とする光変調器。 - 前記バッファ層は、前記第2電極と離間して配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器。
- 前記誘電体層は、前記バッファ層の側面に接して配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。
- 前記第2電極は、前記誘電体層と離間して配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の光変調器。
- 前記第1電極は、前記誘電体層と接して配置されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の光変調器。
- 前記バッファ層の比誘電率は6以上であり、かつ、前記誘電体層の比誘電率は5以下であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の光変調器。
- 前記第2電極は、前記ニオブ酸リチウム膜の側面と接して配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の光変調器。
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