JP6375608B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
なお、以下の図面において、図示の便宜上、相対的に正確な大きさ又は厚みに示していない構成部材がある。
本実施形態では、半導体装置として、ショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
図1〜図4は、第1の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
成長用基板としては、SiC基板の代わりに、Si基板、サファイア基板、GaAs基板、GaN基板等を用いても良い。また、基板の導電性としては、半絶縁性、導電性を問わない。
化合物半導体層2は、バッファ層2a、電子走行層2b、電子供給層2c、及びキャップ層2dを有して構成される。AlGaN/GaN・HEMTでは、電子走行層2bの電子供給層2cとの界面近傍に2次元電子ガス(2DEG)が生成される。
ここで、バッファ層2aは膜厚0.1μm程度、電子走行層2bは膜厚3μm程度、電子供給層2cは膜厚20nm程度で例えばAl比率0.2〜0.3程度、表面層2eは膜厚10nm程度に形成する。
詳細には、化合物半導体層2の素子分離領域に例えばアルゴン(Ar)を注入する。これにより、化合物半導体層2及びSiC基板1の表層部分に素子分離構造3が形成される。素子分離構造3により、化合物半導体層2上で活性領域が画定される。
なお、素子分離は、上記の注入法の代わりに、例えばSTI(Shallow Trench Isolation)法を用いて行っても良い。
詳細には、化合物半導体層2の表面におけるソース電極及びドレイン電極の形成予定位置を露出する開口10a,10bを有するレジストマスク10を形成する。レジストマスク10を用いて、キャップ層2dをドライエッチングして除去する。これにより、電極溝2A,2Bが形成される。ドライエッチングには、Ar等の不活性ガス及びCl2等の塩素系ガスをエッチングガスとして用いる。ここで、キャップ層2dを貫通して電子供給層2cの表層部分までドライエッチングして電極溝を形成しても良い。
詳細には、レジストマスク10を用い、蒸着法により電極溝2A,2Bに電極材料として例えばTi/Al(Tiが下層、Alが上層)を堆積する。Tiの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、レジストマスク10及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において550℃程度で熱処理し、残存したTi/Alを電子供給層2cとオーミックコンタクトさせる。なお、Ti/Alが熱処理を行わずともキャップ層2dとオーミックコンタクトする場合には、当該熱処理を行わなくても良い。以上により、電極溝2A,2BをTi/Alの下部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、ソース電極4及びドレイン電極5を覆うように、化合物半導体層2の全面に絶縁物、例えばシリコン窒化物(SiN)を、プラズマCVD法等を用いて、例えば50nm程度の厚みに堆積する。これにより、保護絶縁膜6が形成される。保護絶縁膜6は、例えばシラン(SiH4)をSi原料、アンモニア(NH3)をN原料として用いて形成され、波長633nmの光に対する屈折率がストイキオメトリの2.0近傍とされる。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に電子線レジストを塗布する。電子線レジストとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAをスピンコート法により塗布する。電子線レジストをプリベークした後、電子線レジストに電子線を照射して、ゲート電極形成領域の電流方向に例えば0.1μm長の開口用露光を行う。電子線レジストを現像する。現像液としては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZMD-Bを用いる。以上により、0.1μm長の開口11aを有するレジストマスク11が形成される。
レジストマスク11の開口11aを形成した際に、レジストマスク11には開口11aに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張しようとする引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、上記のようにレジストマスク11内に突起物7a,7bが埋設されている。そのため、内包ストレスが生じても突起物7a,7bによりレジストマスク11の保護絶縁膜6の表面に対する滑りが抑止され、開口11aは変形することなく形成時の所期の開口状態に保持される。
詳細には、レジストマスク11を用いて、開口11aの底部にキャップ層2dの表面が露出するまで保護絶縁膜6をドライエッチングする。エッチングガスには、例えばSF6を用いる。これにより、保護絶縁膜6には、0.1μm長程度でキャップ層2dの表面を露出する帯状の開口6aが形成される。
レジストマスク11は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
レジストマスク12は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物7a,7bを覆うように保護絶縁膜6上に、下層レジスト12A、中間層レジスト12B、及び上層レジスト12Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト12Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト12Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト12Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト12Aは、突起物7a,7bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト12Aに開口12Aaを形成した際に、電下層レジスト12Aには開口12Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、上記のように下層レジスト12A内に突起物7a,7bが埋設されている。そのため、内包ストレスが生じても突起物7a,7bにより下層レジスト12Aの保護絶縁膜6の表面に対する滑りが抑止され、開口12Aaは変形することなく形成時の所期の開口状態に保持される。
詳細には、レジストマスク12を用いて、開口12a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク12上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、保護絶縁膜6の開口6a及び下層レジスト12Aの開口12Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部8aと、ファインゲート部8aよりも幅広のオーバーゲート部8bとが一体とされたゲート電極8が形成される。ファインゲート部8aは、突起物7a,7b間でこれらから離間している。オーバーゲート部8bは、その両端部の下方に突起物7a,7bが位置している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク12及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、ゲート電極8及び突起物7a,7bを埋め込むように、保護絶縁膜6上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極8の電気的接続を行うようにしても良い。
以下、第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態と同様にショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、ソース電極及びドレイン電極の製造工程とゲート電極の製造工程との順序が異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図7〜図10は、第2の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
本実施形態では、電極溝2A,2Bの形成後、レジストマスク10は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、化合物半導体層2の全面に絶縁物、例えばシリコン窒化物(SiN)を、プラズマCVD法等を用いて、例えば50nm程度の厚みに堆積する。これにより、保護絶縁膜6が形成される。保護絶縁膜6は、例えばシラン(SiH4)をSi原料、アンモニア(NH3)をN原料として用いて形成され、波長633nmの光に対する屈折率がストイキオメトリの2.0近傍とされる。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、
スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に電子線レジストを塗布する。電子線レジストとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAをスピンコート法により塗布する。電子線レジストをプリベークした後、電子線レジストに電子線を照射して、ゲート電極形成領域の電流方向に例えば0.1μm長の開口用露光を行う。電子線レジストを現像する。現像液としては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZMD-Bを用いる。以上により、0.1μm長の開口11aを有するレジストマスク11が形成される。
レジストマスク11の開口11aを形成した際に、レジストマスク11には開口11aに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張しようとする引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、レジストマスク11を形成した状態では未だソース電極及びドレイン電極が形成されていないため、レジストマスク11の内包ストレスの発生は第1の実施形態と場合と比較して顕著となる。
詳細には、レジストマスク11を用いて、開口11aの底部にキャップ層2dの表面が露出するまで保護絶縁膜6をドライエッチングする。エッチングガスには、例えばSF6を用いる。これにより、保護絶縁膜6には、0.1μm長程度でキャップ層2dの表面を露出する帯状の開口6aが形成される。
レジストマスク11は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
レジストマスク12は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物7a,7bを覆うように保護絶縁膜6上に、下層レジスト12A、中間層レジスト12B、及び上層レジスト12Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト12Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト12Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト12Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト12Aは、突起物7a,7bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト12Aに開口12Aaを形成した際に、電下層レジスト12Aには開口12Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、下層レジスト12Aを形成した状態では未だソース電極及びドレイン電極が形成されていないため、下層レジスト12Aの内包ストレスの発生は第1の実施形態と場合と比較して顕著となる。
詳細には、レジストマスク12を用いて、開口12a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク12上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、保護絶縁膜6の開口6a及び下層レジスト12Aの開口12Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部8aと、ファインゲート部8aよりも幅広のオーバーゲート部8bとが一体とされたゲート電極8が形成される。ファインゲート部8aは、突起物7a,7b間でこれらから離間している。オーバーゲート部8bは、その両端部の下方に突起物7a,7bが位置している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク12及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、保護絶縁膜6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、保護絶縁膜6にキャップ層2dの電極溝2A,2Bを露出させる開口6b,6cを形成する。
リソグラフィーに用いたレジストは、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
電極材料として例えばTi/Al(下層がTi、上層がAl)を用いる。電極形成には、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストを化合物半導体層2上に塗布し、電極溝2A,2Bを開口するレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、例えば蒸着法により、Ti/Alを堆積する。Tiの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、庇構造のレジストマスク及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜1000℃、例えば550℃程度で熱処理し、残存したTi/Alをキャップ層2dとオーミックコンタクトさせる。なお、Ti/Alが熱処理を行わずともキャップ層2dとオーミックコンタクトする場合には、当該熱処理を行わなくても良い。以上により、電極溝2A,2BをTi/Alの下部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、ゲート電極8及び突起物7a,7bを埋め込むように、保護絶縁膜6上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極8の電気的接続を行うようにしても良い。
図11及び図12は、本実施形態の比較例のAlGaN/GaN・HEMTの製造工程を示す概略断面図である。図11が図8(a)に、図12が図8(c)にそれぞれ対応している。比較例のAlGaN/GaN・HEMTでは、突起物7a,7bを形成しないこと以外は、本実施形態と同様に作製される。
以下、第3の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態と同様にショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、一対の突起物の形成位置が異なる点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図13〜図15は、第3の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に電子線レジストを塗布する。電子線レジストとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAをスピンコート法により塗布する。電子線レジストをプリベークした後、電子線レジストに電子線を照射して、ゲート電極形成領域の電流方向に例えば0.1μm長の開口用露光を行う。電子線レジストを現像する。現像液としては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZMD-Bを用いる。以上により、0.1μm長の開口11aを有するレジストマスク11が形成される。
レジストマスク11の開口11aを形成した際に、レジストマスク11には開口11aに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張しようとする引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、上記のようにレジストマスク11内に突起物21a,21bが埋設されている。そのため、内包ストレスが生じても突起物21a,21bによりレジストマスク11の保護絶縁膜6の表面に対する滑りが抑止され、開口11aは変形することなく形成時の所期の開口状態に保持される。
詳細には、レジストマスク11を用いて、開口11aの底部にキャップ層2dの表面が露出するまで保護絶縁膜6をドライエッチングする。エッチングガスには、例えばSF6を用いる。これにより、保護絶縁膜6には、0.1μm長程度でキャップ層2dの表面を露出する帯状の開口6aが形成される。
レジストマスク11は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
レジストマスク12は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物21a,21bを覆うように保護絶縁膜6上に、下層レジスト12A、中間層レジスト12B、及び上層レジスト12Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト12Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト12Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト12Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト12Aは、突起物21a,21bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト12Aに開口12Aaを形成した際に、電下層レジスト12Aには開口12Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、上記のように下層レジスト12A内に突起物21a,21bが埋設されている。そのため、内包ストレスが生じても突起物21a,21bにより下層レジスト12Aの保護絶縁膜6の表面に対する滑りが抑止され、開口12Aaは変形することなく形成時の所期の開口状態に保持される。
詳細には、レジストマスク12を用いて、開口12a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク12上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、保護絶縁膜6の開口6a及び下層レジスト12Aの開口12Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部8aと、ファインゲート部8aよりも幅広のオーバーゲート部8bとが一体とされたゲート電極8が形成される。ゲート電極8は、突起物21a,21b間でこれらから離間している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク12及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、ゲート電極8及び突起物21a,21bを埋め込むように、保護絶縁膜6上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極8の電気的接続を行うようにしても良い。
以下、第4の実施形態について説明する。本実施形態では、第2の実施形態と同様にショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、一対の突起物の形成位置が異なる点で第2の実施形態と相違する。なお、第2の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図17〜図20は、第4の実施形態によるショットキー型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
詳細には、先ず、保護絶縁膜6の全面に電子線レジストを塗布する。電子線レジストとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAをスピンコート法により塗布する。電子線レジストをプリベークした後、電子線レジストに電子線を照射して、ゲート電極形成領域の電流方向に例えば0.1μm長の開口用露光を行う。電子線レジストを現像する。現像液としては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZMD-Bを用いる。以上により、0.1μm長の開口11aを有するレジストマスク11が形成される。
レジストマスク11の開口11aを形成した際に、レジストマスク11には開口11aに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張しようとする引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、レジストマスク11を形成した状態では未だソース電極及びドレイン電極が形成されていないため、レジストマスク11の内包ストレスの発生は第3の実施形態と場合と比較して顕著となる。
詳細には、レジストマスク11を用いて、開口11aの底部にキャップ層2dの表面が露出するまで保護絶縁膜6をドライエッチングする。エッチングガスには、例えばSF6を用いる。これにより、保護絶縁膜6には、0.1μm長程度でキャップ層2dの表面を露出する帯状の開口6aが形成される。
レジストマスク11は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
レジストマスク12は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物21a,21bを覆うように保護絶縁膜6上に、下層レジスト12A、中間層レジスト12B、及び上層レジスト12Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト12Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト12Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト12Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト12Aは、突起物21a,21bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト12Aに開口12Aaを形成した際に、電下層レジスト12Aには開口12Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、下層レジスト12Aを形成した状態では未だソース電極及びドレイン電極が形成されていないため、下層レジスト12Aの内包ストレスの発生は第3の実施形態と場合と比較して顕著となる。
詳細には、レジストマスク12を用いて、開口12a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク12上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、保護絶縁膜6の開口6a及び下層レジスト12Aの開口12Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部8aと、ファインゲート部8aよりも幅広のオーバーゲート部8bとが一体とされたゲート電極8が形成される。ゲート電極8は、突起物21a,21b間でこれらから離間している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク12及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、保護絶縁膜6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、保護絶縁膜6にキャップ層2dの電極溝2A,2Bを露出させる開口6b,6cを形成する。
リソグラフィーに用いたレジストは、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
電極材料として例えばTi/Al(下層がTi、上層がAl)を用いる。電極形成には、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストを化合物半導体層2上に塗布し、電極溝2A,2Bを開口するレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、例えば蒸着法により、Ti/Alを堆積する。Tiの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、庇構造のレジストマスク及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜1000℃、例えば550℃程度で熱処理し、残存したTi/Alをキャップ層2dとオーミックコンタクトさせる。なお、Ti/Alが熱処理を行わずともキャップ層2dとオーミックコンタクトする場合には、当該熱処理を行わなくても良い。以上により、電極溝2A,2BをTi/Alの下部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、ゲート電極8及び突起物21a,21bを埋め込むように、保護絶縁膜6上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極8の電気的接続を行うようにしても良い。
以下、第2の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態と同様にAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、MIS型のAlGaN/GaN・HEMTである点で第1の実施形態と相違する。なお、第1の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図21〜図23は、第5の実施形態によるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、化合物半導体層2上に、絶縁材料として例えばAl2O3を堆積する。Al2O3は、例えば原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD法)により、TMAガス及びO3を交互に供給する。本実施形態では、厚みが膜厚2nm〜200nm程度、ここでは例えば20nm程度となるように、Al2O3を堆積する。これにより、ゲート絶縁膜22が形成される。
詳細には、先ず、ゲート絶縁膜22の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
レジストマスク23は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物7a,7bを覆うようにゲート絶縁膜22上に、下層レジスト23A、中間層レジスト23B、及び上層レジスト23Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト23Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト23Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト23Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト23Aは、突起物7a,7bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト23Aに開口23Aaを形成した際に、電下層レジスト23Aには開口23Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、上記のように下層レジスト23A内に突起物7a,7bが埋設されている。そのため、内包ストレスが生じても突起物7a,7bにより下層レジスト23Aのゲート絶縁膜22の表面に対する滑りが抑止され、開口23Aaは変形することなく形成時の所期の開口状態に保持される。
詳細には、レジストマスク23を用いて、開口23a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク23上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、下層レジスト23Aの開口23Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部24aと、ファインゲート部24aよりも幅広のオーバーゲート部24bとが一体とされたゲート電極24が形成される。ファインゲート部24aは、突起物7a,7b間でこれらから離間している。オーバーゲート部24bは、その両端部の下方に突起物7a,7bが位置している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク23及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、ゲート電極24及び突起物7a,7bを埋め込むように、ゲート絶縁膜22上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極24の電気的接続を行うようにしても良い。
以下、第6の実施形態について説明する。本実施形態では、第5の実施形態と同様にMIS型のAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、ソース電極及びドレイン電極の製造工程とゲート電極の製造工程との順序が異なる点で第5の実施形態と相違する。なお、第5の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図24〜図26は、第6の実施形態によるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
本実施形態では、電極溝2A,2Bの形成後、レジストマスク10は、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
詳細には、化合物半導体層2上に、絶縁材料として例えばAl2O3を堆積する。Al2O3は、例えば原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD法)により、TMAガス及びO3を交互に供給する。本実施形態では、厚みが膜厚2nm〜200nm程度、ここでは例えば20nm程度となるように、Al2O3を堆積する。これにより、ゲート絶縁膜22が形成される。
詳細には、先ず、ゲート絶縁膜22の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
レジストマスク23は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物7a,7bを覆うようにゲート絶縁膜22上に、下層レジスト23A、中間層レジスト23B、及び上層レジスト23Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト23Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト23Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト23Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト23Aは、突起物7a,7bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト23Aに開口23Aaを形成した際に、電下層レジスト23Aには開口23Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、下層レジスト23Aを形成した状態では未だソース電極及びドレイン電極が形成されていないため、下層レジスト23Aの内包ストレスの発生は第5の実施形態と場合と比較して顕著となる。
詳細には、レジストマスク12を用いて、開口23a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク23上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、下層レジスト23Aの開口23Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部24aと、ファインゲート部24aよりも幅広のオーバーゲート部24bとが一体とされたゲート電極24が形成される。ファインゲート部24aは、突起物7a,7b間でこれらから離間している。オーバーゲート部24bは、その両端部の下方に突起物7a,7bが位置している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク23及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、ゲート絶縁膜22をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、ゲート絶縁膜22にキャップ層2dの電極溝2A,2Bを露出させる開口22a,22bを形成する。
リソグラフィーに用いたレジストは、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
電極材料として例えばTi/Al(下層がTi、上層がAl)を用いる。電極形成には、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストを化合物半導体層2上に塗布し、電極溝2A,2Bを開口するレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、例えば蒸着法により、Ti/Alを堆積する。Tiの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、庇構造のレジストマスク及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜1000℃、例えば550℃程度で熱処理し、残存したTi/Alをキャップ層2dとオーミックコンタクトさせる。なお、Ti/Alが熱処理を行わずともキャップ層2dとオーミックコンタクトする場合には、当該熱処理を行わなくても良い。以上により、電極溝2A,2BをTi/Alの下部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、ゲート電極24及び突起物7a,7bを埋め込むように、ゲート絶縁膜22上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極24の電気的接続を行うようにしても良い。
以下、第7の実施形態について説明する。本実施形態では、第5の実施形態と同様にMIS型のAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、一対の突起物の形成位置が異なる点で第5の実施形態と相違する。なお、第5の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図27〜図28は、第7の実施形態によるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、先ず、ゲート絶縁膜22の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
レジストマスク23は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物21a,21bを覆うようにゲート絶縁膜22上に、下層レジスト23A、中間層レジスト23B、及び上層レジスト23Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト23Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト23Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト23Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト23Aは、突起物21a,21bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト23Aに開口23Aaを形成した際に、電下層レジスト23Aには開口23Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、上記のように下層レジスト23A内に突起物21a,21bが埋設されている。そのため、内包ストレスが生じても突起物21a,21bにより下層レジスト23Aのゲート絶縁膜22の表面に対する滑りが抑止され、開口23Aaは変形することなく形成時の所期の開口状態に保持される。
詳細には、レジストマスク23を用いて、開口23a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク23上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、下層レジスト23Aの開口23Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部24aと、ファインゲート部24aよりも幅広のオーバーゲート部24bとが一体とされたゲート電極24が形成される。ゲート電極24は、突起物21a,21b間でこれらから離間している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク23及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、ゲート電極24及び突起物21a,21bを埋め込むように、ゲート絶縁膜22上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極24の電気的接続を行うようにしても良い。
以下、第8の実施形態について説明する。本実施形態では、第6の実施形態と同様にMIS型のAlGaN/GaN・HEMTを作製するが、一対の突起物の形成位置が異なる点で第6の実施形態と相違する。なお、第6の実施形態によるAlGaN/GaN・HEMTと対応する構成部材等については、同符号を付して詳しい説明を省略する。
図29〜図31は、第8の実施形態によるMIS型のAlGaN/GaN・HEMTの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、先ず、ゲート絶縁膜22の全面に絶縁物、例えばHSQ(シリコン酸化物)を、スピンコート等を用いて塗布する。シリコン酸化物は、後述する、ゲート電極を形成するための3層の電子線レジストのうちの下層レジストよりも薄い(ゲート電極のファインゲート部分よりも低い)厚み、例えば200nm程度の厚みに形成される。シリコン酸化物は、あまり薄いと後述する下層レジストの滑り防止効果を十分に奏することができなくなるため、例えば下層レジストの厚みの1/3以上程度の厚みが確保されることを要する。
レジストマスク23は、3層の電子線レジストで構成される。詳細には、突起物21a,21bを覆うようにゲート絶縁膜22上に、下層レジスト23A、中間層レジスト23B、及び上層レジスト23Cをスピンコート法により順次塗布する。下層レジスト23Aとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMMAを用いる。中間層レジスト23Bとしては、例えば米国マイクロケム株式会社製の商品名PMGIを用いる。上層レジスト23Cとしては、例えば日本ゼオン株式会社製の商品名ZEP-520を用いる。下層レジスト23Aは、突起物21a,21bを内部に埋め込む厚みに塗布される。
下層レジスト23Aに開口23Aaを形成した際に、電下層レジスト23Aには開口23Aaに変形を生ぜしめる内包ストレス(主に、開口径を拡張する引っ張り応力)が生じる。本実施形態では、下層レジスト23Aを形成した状態では未だソース電極及びドレイン電極が形成されていないため、下層レジスト23Aの内包ストレスの発生は第7の実施形態と場合と比較して顕著となる。
詳細には、レジストマスク23を用いて、開口23a内を含む全面にゲートメタルとして、Niを10nm程度の厚みに、引き続きAuを300nm程度の厚みに蒸着する。レジストマスク12上に堆積されるゲートメタルは、図示を省略する。以上により、下層レジスト23Aの開口23Aaをゲートメタルで埋め込むファインゲート部24aと、ファインゲート部24aよりも幅広のオーバーゲート部24bとが一体とされたゲート電極24が形成される。ゲート電極24は、突起物21a,21b間でこれらから離間している。
詳細には、SiC基板1を80℃に加温したN-メチル-ピロリジノン中に浸潤し、レジストマスク23及び不要なゲートメタルをリフトオフ法により除去する。
詳細には、保護絶縁膜6をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、ゲート絶縁膜22にキャップ層2dの電極溝2A,2Bを露出させる開口22a,22bを形成する。
リソグラフィーに用いたレジストは、酸素プラズマを用いたアッシング処理又は薬液を用いたウェット処理により除去される。
電極材料として例えばTi/Al(下層がTi、上層がAl)を用いる。電極形成には、蒸着法及びリフトオフ法に適した例えば庇構造2層レジストを用いる。このレジストを化合物半導体層2上に塗布し、電極溝2A,2Bを開口するレジストマスクを形成する。このレジストマスクを用いて、例えば蒸着法により、Ti/Alを堆積する。Tiの厚みは20nm程度、Alの厚みは200nm程度とする。リフトオフ法により、庇構造のレジストマスク及びその上に堆積したTi/Alを除去する。その後、SiC基板1を、例えば窒素雰囲気中において400℃〜1000℃、例えば550℃程度で熱処理し、残存したTi/Alをキャップ層2dとオーミックコンタクトさせる。なお、Ti/Alが熱処理を行わずともキャップ層2dとオーミックコンタクトする場合には、当該熱処理を行わなくても良い。以上により、電極溝2A,2BをTi/Alの下部で埋め込むソース電極4及びドレイン電極5が形成される。
詳細には、ゲート電極24及び突起物21a,21bを埋め込むように、ゲート絶縁膜22上に絶縁物、例えばシリコン酸化物をCVD法等により堆積する。これにより、層間絶縁膜13が形成される。
なお、層間絶縁膜13を形成することなく、ソース電極4及びドレイン電極5、ゲート電極24の電気的接続を行うようにしても良い。
本実施形態では、第1〜第8の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを備えた電源装置を開示する。
図32は、第9の実施形態による電源装置の概略構成を示す結線図である。
一次側回路31は、交流電源34と、いわゆるブリッジ整流回路35と、複数(ここでは4つ)のスイッチング素子36a,36b,36c,36dとを備えて構成される。また、ブリッジ整流回路35は、スイッチング素子36eを有している。
二次側回路32は、複数(ここでは3つ)のスイッチング素子37a,37b,37cを備えて構成される。
本実施形態では、第1〜第8の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを備えた高周波増幅器を開示する。
図33は、第10の実施形態による高周波増幅器の概略構成を示す結線図である。
ディジタル・プレディストーション回路41は、入力信号の非線形歪みを補償するものである。ミキサー42aは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号をミキシングするものである。パワーアンプ43は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅するものであり、第1〜第3の実施形態から選ばれた1種のAlGaN/GaN・HEMTを有している。なお図33では、例えばスイッチの切り替えにより、出力側の信号をミキサー42bで交流信号とミキシングしてディジタル・プレディストーション回路41に送出できる構成とされている。
第1〜第10の実施形態では、化合物半導体装置としてAlGaN/GaN・HEMTを例示した。化合物半導体装置としては、AlGaN/GaN・HEMT以外にも、以下のようなHEMTに適用できる。
本例では、化合物半導体装置として、InAlN/GaN・HEMTを開示する。
InAlNとGaNは、組成によって格子定数を近くすることが可能な化合物半導体である。この場合、上述した第1〜第10の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がAlN、電子供給層がn−InAlN、キャップ層がn−GaNで形成される。必要に応じてキャップ層のn−GaNは省略できる。また、この場合のピエゾ分極がほとんど発生しないため、2次元電子ガスは主にInAlNの自発分極により発生する。
本例では、化合物半導体装置として、InAlGaN/GaN・HEMTを開示する。
GaNとInAlGaNは、後者の方が前者よりも格子定数が小さい化合物半導体である。この場合、上述した第1〜第10の実施形態では、電子走行層がi−GaN、中間層がi−InAlGaN、電子供給層がn−InAlGaN、キャップ層がn+−GaNで形成される。必要に応じてキャップ層のn-GaNは省略できる。
前記半導体層の上方に形成された第1の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の第2の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の突起物と
を含むことを特徴とする半導体装置。
前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記活性領域内に形成されており、
前記突起物は、前記活性領域内で前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成されていることを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記活性領域内に形成されており、
前記突起物は、前記活性領域外に形成されていることを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記半導体層の上方に一対の突起物を形成する工程と、
前記半導体層の上方で前記突起物の全面を覆うように、前記突起物間で前記突起物から離間した部位に開口を有するレジストマスクを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
を更に含むことを特徴とする付記9又は10に記載の半導体装置の製造方法。
前記突起物は、前記第1の電極と共に前記活性領域内に形成されることを特徴とする付記9〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記第1の電極は、前記活性領域内に形成され、
前記突起物は、前記活性領域外に形成されることを特徴とする付記9〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
半導体層と、
前記半導体層の上方に形成された第1の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の第2の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の突起物と
を含むことを特徴とする電源回路。
トランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
半導体層と、
前記半導体層の上方に形成された第1の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の第2の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の突起物と
を含むことを特徴とする高周波増幅器。
2 化合物半導体層
2a バッファ層
2b 電子走行層
2c 電子供給層
2d キャップ層
3 素子分離構造
2A,2B 電極溝
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 保護絶縁膜
6a,6b,6c,10a,10b,11a,12Aa,12Ba,12Ca,23Aa,23Ba,23Ca,22a,22b 開口
7a,7b,21a,21b 突起物
8,24 ゲート電極
8a,24a ファインゲート
8b,24b オーバーゲート
10,11,12,23 レジストマスク
11,12,13 レジストマスク
12A,23A 下層レジスト
12B,23B 中間層レジスト
12C,23C 上層レジスト
11b,12Ab サイド開口
13 層間絶縁膜
22 ゲート絶縁膜
31 一次側回路
32 二次側回路
33 トランス
34 交流電源
35 ブリッジ整流回路
36a,36b,36c,36d,36e,37a,37b,37c スイッチング素子
41 ディジタル・プレディストーション回路
42a,42b ミキサー
43 パワーアンプ
Claims (8)
- 半導体層と、
前記半導体層の表面を覆う絶縁膜と、
前記半導体層の上方に形成された第1の電極と、
前記半導体層の上方で前記第1の電極の両側に形成された一対の第2の電極と、
前記第1の電極の両側で、前記第1の電極及び前記第2の電極から離れた前記絶縁膜上の位置で前記絶縁膜と接触して形成された一対の突起物と
を含み、
前記半導体層の上方に活性領域が画定されており、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記活性領域内に形成されており、
前記突起物は、前記活性領域外に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記突起物は、前記第1の電極の長手方向に沿った帯状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体層上に前記突起物を覆う層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記絶縁膜と接触する一対の突起物を形成する工程と、
前記絶縁膜上で前記絶縁膜と接触し、前記突起物の全面を覆うように、前記突起物間で前記突起物から離間した部位に開口を有するレジストマスクを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レジストマスクを形成した後、前記レジストマスクの前記開口を埋め込むように前記レジストマスク上に第1の電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記突起物は、前記第1の電極の長手方向に沿った帯状に形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層の上方に、一対の第2の電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の電極は、前記第1の電極を形成して前記レジストマスクを除去した後、前記第1の電極の両側に形成されることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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