JP6370279B2 - ブートストラップ補償回路およびパワーモジュール - Google Patents
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Description
以下、本実施形態に関するブートストラップ補償回路およびパワーモジュールについて説明する。説明の便宜上、まず、インバータ回路などのトーテムポール接続されたパワーデバイスのそれぞれを駆動するパワーデバイス制御回路について説明する。
図1は、本実施形態に関するブートストラップ補償回路を例示する図である。
図4は、本実施形態に関するブートストラップ補償回路の動作を示すタイムチャートである。図4においては、基準電位VS、分圧電位取り出し点VMONの電位、および、出力回路611の出力信号の電位がそれぞれ例示される。なお、分圧電位取り出し点VMONの電位は、コンデンサ701を設けた場合が太線で示され、コンデンサ701を設けない場合が細線で示される。
本実施形態に関するブートストラップ補償回路およびパワーモジュールについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
図5は、本実施形態に関するブートストラップ補償回路を例示する図である。
本実施形態に関するブートストラップ補償回路およびパワーモジュールについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
図6に、本実施形態に関するブートストラップ補償回路を例示する図である。
本実施形態に関するブートストラップ補償回路およびパワーモジュールについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
図8は、本実施形態に関するブートストラップ補償回路を例示する図である。
本実施形態に関するブートストラップ補償回路およびパワーモジュールについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
図9は、本実施形態に関するブートストラップ補償回路を例示する図である。
本実施形態に関するブートストラップ補償回路およびパワーモジュールについて説明する。以下では、上記の実施形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略する。
図10は、本実施形態に関する単相インバータを制御するパワーデバイス制御回路を例示する図である。図10に例示されるように、当該回路においては、MOSFET101と、MOSFET101のソース側にトーテムポール接続されたMOSFET102と、MOSFET103と、MOSFET103のソース側にトーテムポール接続されたMOSFET104と、MOSFET101のゲート電圧を制御するハイサイド制御回路201と、MOSFET102のゲート電圧を制御するローサイド制御回路202と、MOSFET103のゲート電圧を制御するハイサイド制御回路203と、MOSFET104のゲート電圧を制御するローサイド制御回路204と、ハイサイド制御回路201に接続されたブートストラップ回路401と、ハイサイド制御回路203に接続されたブートストラップ回路403と、ハイサイド制御回路201およびブートストラップ回路401に接続されたブートストラップ補償回路601と、ハイサイド制御回路203およびブートストラップ回路403に接続されたブートストラップ補償回路603とを備える。
以下に、上記の実施形態による効果を例示する。なお、以下では、上記の実施形態に例示された具体的な構成に基づく効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。また、当該置き換えは、複数の実施形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施形態において例示された各構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
上記実施形態では、各構成要素の寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本明細書に記載されたものに限られることはない。よって、例示されていない無数の変形例が、本明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの実施形態における少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれる。
Claims (9)
- ブートストラップ回路に電流を供給するブートストラップ補償回路であり、
前記ブートストラップ回路は、
高電圧側電位と低電圧側電位との間に高電圧側から順にトーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子の駆動をそれぞれ制御するハイサイド制御回路およびローサイド制御回路のうちの、前記ハイサイド制御回路に電圧を供給するため、前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との接続点である基準電位と、前記ハイサイド制御回路との間に接続される第1コンデンサを備え、
前記ブートストラップ補償回路は、
前記高電圧側電位に対するフローティング電位と、前記基準電位との間に直列に接続される複数の抵抗と、
一端が、複数の前記抵抗の間の点である分圧電位取り出し点に接続され、他端が、前記基準電位に接続される第2コンデンサと、
前記分圧電位取り出し点の電位に基づいて、前記第1コンデンサに電流を供給する出力回路とを備える、
ブートストラップ補償回路。 - カソードが、前記フローティング電位に接続され、アノードが、前記分圧電位取り出し点に接続されるダイオードをさらに備える、
請求項1に記載のブートストラップ補償回路。 - カソードが、前記フローティング電位に接続され、アノードが、前記分圧電位取り出し点に接続されるツェナーダイオードをさらに備える、
請求項1に記載のブートストラップ補償回路。 - 請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載のブートストラップ補償回路と、
前記ハイサイドスイッチング素子と、
前記ローサイドスイッチング素子と、
前記ハイサイド制御回路と、
前記ローサイド制御回路と、
前記ブートストラップ回路とを備える、
パワーモジュール。 - ブートストラップ回路に電流を供給するブートストラップ補償回路であり、
前記ブートストラップ回路は、
高電圧側電位と低電圧側電位との間に高電圧側から順にトーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子の駆動をそれぞれ制御するハイサイド制御回路およびローサイド制御回路のうちの、前記ハイサイド制御回路に電圧を供給するため、前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子との接続点である基準電位と、前記ハイサイド制御回路との間に接続されるコンデンサを備え、
前記ブートストラップ補償回路は、
前記高電圧側電位に対するフローティング電位と、前記基準電位との間に直列に接続される複数の第1抵抗と、
ドレインが、複数の前記第1抵抗の間の点である分圧電位取り出し点に接続され、ソースおよびゲートが、前記基準電位に接続される第1MOSFETと、
前記分圧電位取り出し点の電位に基づいて、前記コンデンサに電流を供給する出力回路とを備える、
ブートストラップ補償回路。 - 一端が、前記フローティング電位に接続される第2抵抗と、
ドレインが、前記第2抵抗の他端に接続される第2MOSFETと、
ドレインが、前記第2MOSFETのソースに接続され、ソースが、前記基準電位に接続される第3MOSFETとをさらに備え、
前記第1MOSFETのゲートと、前記第2MOSFETのゲートと、前記第3MOSFETのゲートとは、互いに接続され、
前記第2MOSFETのゲートと、前記第2MOSFETのソースとは、互いに接続される、
請求項5に記載のブートストラップ補償回路。 - カソードが、前記フローティング電位に接続され、アノードが、前記分圧電位取り出し点に接続されるダイオードをさらに備える、
請求項5または請求項6に記載のブートストラップ補償回路。 - カソードが、前記フローティング電位に接続され、アノードが、前記分圧電位取り出し点に接続されるツェナーダイオードをさらに備える、
請求項5または請求項6に記載のブートストラップ補償回路。 - 請求項5から請求項8のうちのいずれか1項に記載のブートストラップ補償回路と、
前記ハイサイドスイッチング素子と、
前記ローサイドスイッチング素子と、
前記ハイサイド制御回路と、
前記ローサイド制御回路と、
前記ブートストラップ回路とを備える、
パワーモジュール。
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