JP6366823B2 - オブジェクトテーブル、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

オブジェクトテーブル、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6366823B2
JP6366823B2 JP2017511815A JP2017511815A JP6366823B2 JP 6366823 B2 JP6366823 B2 JP 6366823B2 JP 2017511815 A JP2017511815 A JP 2017511815A JP 2017511815 A JP2017511815 A JP 2017511815A JP 6366823 B2 JP6366823 B2 JP 6366823B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
bearing
substrate
support surface
elongated rods
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017511815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017532593A (ja
Inventor
フインク,イェルーン,ゲートルダ,アントニウス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2017532593A publication Critical patent/JP2017532593A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6366823B2 publication Critical patent/JP6366823B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本願は2014年9月15日出願の欧州仮出願第14184714.5号の利益を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、オブジェクトテーブル、リソグラフィ装置、及びデバイスを製造するための方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つかのダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。一般的に、1枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向(「スキャン」方向)と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向(「スキャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
基板は、例えば、基板を保持してこれを移送することが可能なハンドラロボットを使用して、リソグラフィ装置との間で移送される。典型的には、基板は1つの支持体(例えば、カセット内のシェルフ、又は基板ハンドラ内に提供された基板テーブル)から別の支持体(例えば、リソグラフィ装置内部の位置決めデバイスに取り付けられた基板テーブル)に移送される。
こうした支持位置間の移送を容易にするために、典型的には支持体、例えば基板テーブルに、持ち上げるため、すなわち垂直方向(一般には、Z方向として示される)に変位させるために、支持体によってオブジェクトを支持することが可能であり、したがって支持体とオブジェクトとの間に空間又はギャップを作成する、リフティング機構が提供される。そうすることによって、オブジェクトを引き取ってオブジェクトを別のホルダに移送するために、ハンドラロボットのハンド又はエンドエフェクタを、より容易にギャップ内に挿入することができる。
支持体から基板(一般にオブジェクト)を持ち上げるためにこうしたリフティング機構を使用する場合、オブジェクトが垂直方向にのみ変位されることを保証するように注意すべきである。典型的には、支持体又は支持テーブル上のオブジェクトの水平位置は既知であり、維持される必要がある。言い換えれば、オブジェクトを支持体上の支持位置から、オブジェクトがロボットのハンドによってつまみ上げられる転送位置へ上方に持ち上げるため、又はその逆のために、リフティング機構が使用される場合、オブジェクトのこの上昇又は下降は、オブジェクトの水平方向の変位又はオブジェクトの垂直方向を中心とした回転なしに、実行されなければならない。こうした変位を回避するために、オブジェクトの上昇又は下降中にリフティング機構が垂直軸を中心に回転しないよう、注意しなければならない。
典型的には、こうしたリフティング機構は、支持体から突き出した、作動機構又はアクチュエータを用いて上方又は下方に移動可能な、ピンなどの1つ以上の細長い部材を備える。オブジェクトを保持するために、細長い部材は、例えば真空吸引を用いてオブジェクトを保持するように構成可能である。こうした配置において、垂直軸を中心とした細長い部材の回転は、例えば結果としてオブジェクトの変形を生じさせる可能性があるため、こうした回転を回避又は制限することが重要である。さらに、真空吸引を用いたオブジェクトの保持は、細長い部材の回転の際に損なわれる可能性がある。
こうしたリフティング機構の既知の配置は、製造が困難な可能性のあるかなり複雑且つかさばる配置を含む。
前述の問題のうちの少なくとも1つが緩和されるリフティング機構を有するオブジェクトテーブルを提供することが望ましい。したがって、本発明の第1の態様によれば、
−オブジェクトを支持するように構成された支持表面と、
−支持表面に対してほぼ垂直な支持方向に支持表面からオブジェクトを変位させるように構成されたリフティング機構と、
を備える、オブジェクトテーブルが提供され、リフティング機構は、
・支持方向に延在する1本以上の細長いロッドであって、1本以上の細長いロッドが支持表面の下に位置決めされる第1の位置と、オブジェクトを支持表面からある距離で支持するために、1本以上の細長いロッドが支持表面の1つ以上のアパーチャを介して支持表面から突き出す第2の位置との間で変位可能である、1本以上の細長いロッドと、
・1本以上の細長いロッドを少なくとも部分的に封入する、ハウジングと、
・第1の位置と第2の位置との間で1本以上の細長いロッドがほぼ摩擦なしで変位できるように構成された、ベアリングと、
・第1の位置と第2の位置との間で1本以上の細長いロッドを変位させるように構成されたアクチュエータと、
・1本以上の細長いロッドの縦軸を中心とする回転を制限するように構成されたロッキング機構であって、ハウジングと1本以上の細長いロッドとの両方に機械的に接続された弾性要素を備え、弾性要素は、支持方向に比較的低い剛性を有し、縦軸を中心とする回転方向に比較的高い剛性を有する、ロッキング機構と、
を備え、前記弾性要素はリーフスプリングを備える。
本発明の実施形態に従い、
−オブジェクトを支持するように構成された支持表面と、
−支持表面に対してほぼ垂直な支持方向に支持表面からオブジェクトを変位させるように構成されたリフティング機構と、
を備える、オブジェクトテーブルがさらに提供され、リフティング機構は、
・支持方向に延在する1本以上の細長いロッドであって、1本以上の細長いロッドが支持表面の下に位置決めされる第1の位置と、オブジェクトを支持表面からある距離で支持するために、1本以上の細長いロッドが支持表面の1つ以上のアパーチャを介して支持表面から突き出す第2の位置との間で変位可能である、1本以上の細長いロッドと、
・1本以上の細長いロッドを少なくとも部分的に封入する、ハウジングと、
・第1の位置と第2の位置との間で1本以上の細長いロッドがほぼ摩擦なしで変位できるように構成された、ベアリングと、
・第1の位置と第2の位置との間で1本以上の細長いロッドを変位させるように構成されたアクチュエータと、
・1本以上の細長いロッドの縦軸を中心とする回転を制限するように構成されたロッキング機構であって、自己整合ベアリングを備え、自己整合ベアリングは、細長いロッドに接続された第1の部材と、ハウジングに接続され、自己整合ベアリングを形成するために第1の部材と協働する第2の部材とを有し、第1の部材は第1のベアリング表面を備え、第2の部材は第2のベアリング表面を備え、第1及び第2のベアリング表面は、1本以上の細長いロッドの縦軸を中心とする回転を制限するように構築及び構成され、第1及び第2のベアリング表面のうちの少なくとも1つは、第2の表面に対して第1の表面を自己整合して提供するように変位可能である、ロッキング機構と、
を備える。
本発明の実施形態に従い、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、パターニングデバイスはパターン付き放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含む、リソグラフィ装置が提供され、支持体又は支持テーブル、あるいはその両方は、パターニングデバイス又は基板あるいはその両方をオブジェクトとして支持するための本発明に従ったオブジェクトテーブルを備える。
本発明の実施形態に従い、放射のパターン付きビームを基板上に投影することを含む、デバイス製造方法が提供され、方法は、本発明に従い、基板をオブジェクトテーブル上にロードするステップをさらに含む。
対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
本発明の実施形態に従った、リソグラフィ装置を示す。 当分野で既知のオブジェクトテーブル及び位置決めデバイスを示す。 ロッドの縦軸を中心とするリフティング機構の細長いロッドの回転を制限するための、ベアリング構成の上面図を示す。 ロッドの縦軸を中心とするリフティング機構の細長いロッドの回転を制限するための、ベアリング構成の上面図を示す。 本発明に従った、オブジェクトテーブル内に適用可能なリフティング機構の第1の実施形態の断面図を示す。 図4aの第1の実施形態において、柔軟要素として適用可能な湾曲リーフスプリングの3次元図を示す。 下側位置における、リフティング機構の第1の実施形態の断面図を示す。 上側位置における、リフティング機構の第1の実施形態の断面図を示す。 本発明に従った、オブジェクトテーブル内に適用可能なリフティング機構の第2の実施形態の断面図を示す。 本発明に従った、オブジェクトテーブル内に適用可能なリフティング機構の第2の実施形態の断面図を示す
図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB(例えば、UV放射又はその他の任意の好適な放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されたマスク支持構造(例えば、マスクテーブル)MTとを含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスの正確な位置決めのための第1の位置決めデバイスPMとしての本発明のステージ装置を備える。リソグラフィ装置は、また、基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WT又は「基板支持体」を含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、基板又はウェーハの正確な位置決めのための第2の位置決めデバイスPWとしての本発明のステージ装置を備える。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスMAによって基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に放射ビームBに付与されるパターンを投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSをさらに備える。
照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわち、その重量を支えている。マスク支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このマスク支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置に来るようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
本明細書で示すように、本装置は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する)。
リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル又は「基板支持体」(及び/又は2つ以上のマスクテーブル又は「マスク支持体」)を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、1つ以上の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に1つ以上のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。
イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように設定されたアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ−outer及びσ−innerと呼ばれる)を調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
放射ビームBは、マスク支持構造(例えば、マスクテーブルMT)上に保持されたパターニングデバイス(例えば、マスクMA)に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ)の助けにより、基板テーブルWTを、例えば様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ(図1には明示されていない)を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWT又は「基板支持体」の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい(スクライブレーンアライメントマークとして周知である)。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
それぞれの支持体及び支持テーブルとの間でのパターニングデバイス及び基板の移送を容易にするために、支持体又は支持テーブル(あるいはその両方)は、本発明に従ったオブジェクトテーブルを含み得、オブジェクトテーブルは以下でより詳細に説明するようなリフティング機構を含む。
図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は「基板支持体」がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。マスクテーブルMT又は「マスク支持体」に対する基板テーブルWT又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、マスクテーブルMT又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
図2は、当分野で既知のオブジェクトテーブル及び位置決めデバイスを概略的に示す。
図2は、オブジェクト120を支持するための支持表面110を有するオブジェクトテーブル100を概略的に示す。典型的には、支持表面110は、引力、例えば静電力又は真空力を用いてオブジェクトを保持するように構成される。支持表面110は、例えばほぼ平坦であるか、あるいはパターン又は突起又はバールを伴う場合がある。前述のように、及び図2に概略的に示されるように、オブジェクトテーブル100は、ショートストロークモジュール150.1及びロングストロークモジュール150.2を備える位置決めデバイス150に取り付けられる。ショートストロークモジュール150.1は、例えば1〜3mm未満の比較的短いストローク全体にわたってオブジェクトテーブル100を位置決めするために、例えば電磁又は圧電アクチュエータなどの複数のアクチュエータを備えることができる。ロングストロークモジュール150.2は、オブジェクトテーブル及び位置決めデバイスが取り付けられる絶縁ベースフレームの一部であり得る、ベース155に対して例えば500mm未満の比較的大きいストロークにわたるショートストロークモジュールとともに、例えば、オブジェクトテーブル100を変位させるための1つ以上のリニアモータ又は平面モータを備えることができる。概略的に示されたオブジェクトテーブル100は、支持表面110に対してほぼ垂直の方向にオブジェクト120を持ち上げ、それによって、支持表面110とオブジェクト120との間のギャップ140を作成又は拡大するための、リフティング機構130をさらに含む。図に示される配置において、リフティング機構はロングストロークモジュール150.2に取り付けられ、図に示されるリフティング機構130は、アクチュエータ170によって上昇及び下降させることが可能であり、アパーチャ175から突き出すことが可能であるため、矢印180によって示される方向に沿ってオブジェクトを変位させることができる、細長いロッド160を備える。
こうしたオブジェクトテーブル100が、例えば基板を支持するためにリソグラフィ装置内で使用されるケースでは、基板の処理を適切に実行するために、基板、一般にはオブジェクトは、支持表面によって画定された平面に対してほぼ垂直の方向にのみ変位することが重要である。典型的には、オブジェクトテーブルは、支持表面が水平の配向を有するように取り付けられるため、オブジェクトの上昇及び下降はほぼ垂直方向に発生する。
基板がリソグラフィ装置の外側からオブジェクトテーブル上の位置へと移動される場合、基板は、例えばロボットハンドによって移送され、細長いロッド160上に配置される。一般に、基板(又はオブジェクト)の位置及び配向は、基板(又はオブジェクト)がオブジェクトテーブル上に位置決めされる前に決定される。このプロセスは、例えば、基板を事前整合するために使用可能であり、基板の熱調整にも使用可能である、いわゆる基板ハンドラ内で実行される。基板の位置及び配向が既知の場合、ロボットはリフティング機構の細長いロッド上で基板を正確に位置決めすることが可能であり、その結果、オブジェクトテーブルの位置が既知であると想定し、支持表面110上への基板の下降によって支持表面の平面内での基板の変位は発生しないものとすると、オブジェクトテーブルに対して基板が正確に位置決めされる。後続のプロセスステップにおいて、例えば図1との関係において上記に示されたように整合マークの位置を検出することによって、リソグラフィ装置内の基板がパターニングデバイスと正確に整合される。この整合プロセスを効果的に実行するために、オブジェクトテーブルに対する基板の位置が既知であることが必要である。したがって、基板を支持表面上に下降させる間、基板及びオブジェクトテーブルの(支持表面の平面内での)相対的な位置ができる限り正確に維持されることが重要である。さらに、基板の下降及び上昇は、基板に対するいかなる変形をも導入することなく実行されるべきであることに留意されたい。これを実現するために、ロッドの縦軸を中心とする細長いロッドの回転が回避されるか又は少なくとも制限されるように、リフティング機構を構成することが提案されている。こうしたリフティング機構のロッドの回転の制限の結果として、オブジェクトは垂直軸を中心とする回転がほぼ禁じられ、結果として、オブジェクトテーブルに対するオブジェクトの水平位置及び配向は維持される。
既知のリフティング機構において、縦軸を中心とする細長いロッドの回転を制限又は禁止するために、ほぼ平坦なベアリングのセットが使用される。こうしたベアリングの可能な配置の上面図が、図3a及び図3bに概略的に示されている。図3aは、既知のリフティング機構で適用可能なベアリング配置300の上面図を概略的に示す。ベアリング配置は、長方形の断面を有するリフティング機構の部材310に取り付けられた4つのベアリングパッド300.1〜300.4を備え、ベアリングパッドは、リフティング機構のハウジング320のほぼ平坦な表面に対面するほぼ平坦な表面を有する。対面する表面間にエアフロー又はガスフローが提供されるため、XY面内のハウジング310に対してほぼ固定された位置に部材320を保持することができる。図3aは、リフティング機構の細長いロッド330をさらに示す。図3bは、図3aの断面AAに沿った断面図を示し、ハウジング320と、ベアリングパッド300.2及び300.3を含む長方形部材310と、細長いロッド330と、垂直方向のハウジング320に対する細長いロッド330のほぼ摩擦のない変位を可能にするように構成された円筒ベアリング340とを、概略的に示す。
前述のようなベアリング配置を使用することに起因して、細長いロッドの回転はほぼ不可能となる。しかしながら可能な欠点として、図3a及び図3bに概略的に示される配置は製造することが困難であり得、典型的にはベアリング表面を含む部材310及び細長いロッド330は、ベアリングの必要な許容差を取得するために、単一ツール上に単一片として製造される。この点において、上部ベアリング340(ハウジング320とロッド330との間に配置される)は円筒ベアリング340であるが、下部ベアリング(部材310とハウジング320との間)はほぼ平坦な表面を有するベアリングであることに留意されたい。さらに、図に示されるような配置の適切な動作のために、ベアリングパッド300.1〜300.4によって形成される下部ベアリングの対面する表面の平坦さ及び平行性に関して厳しい要件に合致する必要があることにも留意されたい。細長いロッド330及び部材310を収容するハウジングを製造するために、同様の製造問題が生じることにさらに留意されたい。
図4aは、本発明に従ったオブジェクトテーブル内で適用可能なリフティング機構の第1の実施形態を概略的に示す。図に示されるリフティング機構は、ハウジング410によって少なくとも部分的に封入された細長いロッド400を備える。ロッドの縦軸に垂直な平面内での細長いロッドとハウジングとの間の距離は、ベアリング420によって維持され、ベアリングは、垂直方向、一般には支持方向に、ハウジングに対して細長いロッドをほぼ摩擦なしで変位させることができるように構成される。図に示される実施形態において、ベアリング420は円筒エアベアリングのペア420.1、420.2を備える。図に示される実施形態において、細長いロッドは中空ロッドであり、それにより、ハウジング410の内部450に対面するエアベアリングの円筒表面440.1、440.2に向けて、ロッド400の内部430を介してエアベアリングへのエアの供給が行われる。
それによってエアベアリングのためのエアがハウジングを介して提供される代替配置も、同様に考察され得ることに留意されたい。
図に示されるリフティング配置は、垂直方向にハウジングに対して細長いロッドを変位させるように構成された、アクチュエータ460をさらに備える。こうしたアクチュエータの例として、永久磁石アクチュエータ又は磁気抵抗型アクチュエータなどの電磁アクチュエータが挙げられる。こうした永久磁石アクチュエータは、例えば、ハウジングに取り付けられたコイルアセンブリ、及び、細長いロッドに取り付けられた永久磁石アセンブリを備えることが可能である。コイルアセンブリは、電流によってエネルギーが与えられることができる1つ以上のコイルを含むことが可能であり、結果として、コイルアセンブリと永久磁石アセンブリとの間に力が発生する。空気式又は油圧式のアクチュエータなどの他のタイプのアクチュエータも、同様に考察され得る。
図に示される実施形態において、アクチュエータ460は、ロッド400の縦軸470に沿ったベアリングのペア420.1、420.2のペア間に配置される。こうした実施形態において、アクチュエータ460はベアリングのペア420.1、420.2によって封入されるものと見なすことが可能であり、したがってアクチュエータに遮へい区画を提供する。こうした配置において、エアベアリングによって印加されるエアの外側へのフローは、粒子などの何らかの異物が遮へい区画に侵入すること、及びリフティング機構の動作に影響を与えることを妨げる。特に、電磁アクチュエータが使用されるケースでは、いずれの対策も講じない場合、金属粒子がアクチュエータによって引き付けられ、ハウジング又はロッドに損傷を与える可能性がある。図に示された実施形態で行われるように、円筒エアベアリングのペアによってアクチュエータを封入することで、ハウジング410と細長いロッド400との間の容積に粒子が侵入するのを防止するための効果的な様式が与えられる。
ハウジング410に対して、ロッド400の縦軸470を中心とする細長いロッド400の回転を制限又は妨害するために、リフティング機構はロッキング機構をさらに備える。
図に示される実施形態において、ロッキング機構は、ハウジング410と細長いロッド400との両方に機械的に接続された弾性要素480を備え、弾性要素480は、垂直方向(すなわちZ方向)に比較的低い剛性を有し、縦軸470を中心とする回転方向に比較的高い剛性を有するように構成される。図に示される実施形態において、弾性要素480はリーフスプリング、特に湾曲リーフスプリングを備える。図に示される実施形態において、湾曲リーフスプリングは、一方の端部480.1がハウジング410のアパーチャ500を介して延在する細長いロッドの延長部490に、及び、他方の端部480.2がハウジング410の延長部510に、機械的に取り付けられる。接続は、例えばヒンジ、すなわち旋回可能接続又は実質上固定接続とすることができる。
図4bは、弾性要素480として適用可能な湾曲リーフスプリングの3次元図を概略的に示す。
図5a及び図5bは図4の実施形態を概略的に示し、それによって細長いロッド400は第1の下側位置に位置決めされ、それによってロッドは支持表面550を有する支持体(点線500によって示される)の下になり、また第2の上側位置に位置決めされ、それによって細長いロッド400は支持体560を介してアパーチャ520から突き出す。
実施形態において、湾曲リーフスプリング480は、中立位置にある場合、例えば細長いロッドが下側位置と上側位置との間の途中の位置にある場合、角度α(図4aを参照)=90°を有するように構成される。
実施形態において、ハウジング410に対して細長いロッド400の上部位置及び下部位置を画定するために、エンドストップを提供することができる。
実施形態において、リフティング機構は、支持方向での1つ以上の細長いロッド400に対するハウジング410の位置を測定するための、位置測定システム530をさらに備えることができる。実施形態において、こうした位置測定は、例えば細長いロッド410に取り付けられた格子530.1と、ハウジング410に取り付けられたセンサ530.2とを含むことができる。位置測定システム530の位置信号は、例えば、ハウジング410に対する細長いロッド400の位置を制御するために、アクチュエータ460の位置コントローラによって印加することができる。
図5a及び図5bに概略的に示されるように、リフティング機構のハウジング410は、支持表面560の下の支持体550に取り付けることができる。代替として、本発明に従ったオブジェクトテーブル内で適用されるリフティング機構は、別の構造、例えばオブジェクトテーブルが取り付けられるロングストローク位置決めデバイスに取り付けることが可能であり、例えば図2を参照されよう。こうした代替実施形態において、リフティング機構のハウジング410は支持体550に接していない。
図6a及び図6bは、本発明に従ったオブジェクトテーブル内で適用可能なリフティング機構の第2の実施形態を概略的に示す。
図4aの実施形態と同様に、図に示されるリフティング機構は、ハウジング610によって少なくとも部分的に封入された細長いロッド600を備える。ロッドの縦軸に垂直な平面内での細長いロッド600とハウジングとの間の距離は、ベアリング620によって維持され、ベアリングは、垂直方向、一般には支持方向に、ハウジングに対して細長いロッドをほぼ摩擦なしで変位させることができるように構成される。図に示される実施形態において、ベアリング620は円筒エアベアリングのペア620.1、620.2を備える。図に示される実施形態において、細長いロッド600は中空ロッドであり、それにより、ハウジング610の内部650に対面するエアベアリングの円筒表面640.1、640.2に向けて、ロッド600の内部630を介してエアベアリングへのエアの供給が行われる。内部630へのエアの供給は、例えばエア供給ホースなどを介して実現可能である。
図に示される実施形態において、リフティング機構は、自己整合エアベアリング650をさらに備える。自己整合ベアリングは、(ガス(例えばエア)が第1の部材650.1に供給される際に通る中空管650.4を介して)細長いロッド600に接続された第1の部材650.1と、ハウジング610に接続された第2の部材650.2とを備える、ガス式ベアリングである。
図に示される実施形態において、第1の部材650.1は、第2の部材650.2の第2のほぼ平坦なベアリング表面670と対面する、第1のほぼ平坦なベアリング表面660(図6bを参照のこと)を備える。第1及び第2のベアリング表面660及び670は、細長いロッド600の縦軸680を中心とする回転を制限するように構築及び配置される。これは、例えば自己整合ベアリングをプレストレスガスベアリングとして構成することによって実現可能であり、それによって、例えば第1のベアリング表面660から外へ第2のベアリング表面670に向かう、外側ガスフローによって生成される反発力とともに、対面する表面間に引力(例えば、第1及び第2の部材650.1及び650.2内に配置された強磁性要素と永久磁石部材の協働によって生成される磁気吸引力)が生成される。
第2の実施形態に従い、第1及び第2のベアリング部材650.1及び650.2は、相互に自己整合するように構成される。これは、例えば、第1及び第2のベアリング表面660、670のうちの少なくとも1つが、それらが接続されている細長いロッド600及びハウジング610のそれぞれに対して変位可能であることを提供することによって実現可能である。図に示される実施形態において、これは、第1のベアリング部材650.1を中空管650.4に旋回可能に取り付けることによって実現され、これは、例えば図6bに示されるように、例えば中空管650.4と第1のベアリング部材650.1との間に柔軟なシーリングを提供することによって実行可能である。
図6bは、線BBに沿った図6aの実施形態の上面図を概略的に示す。
図6bは、細長いロッド600、ハウジング610、第1のベアリング部材650.1が取り付けられた中空管650.4、及び第2のベアリング部材650.2を概略的に示す。図に示される実施形態において、第1及び第2のベアリング部材は、エアベアリングとして動作する対面する表面660及び670を有する。第2のベアリング部材の表面670に向かうガスフローと、(例えば第2のベアリング部材650.2に埋め込まれた、例えば1つ以上の永久磁石672を用いて生成される)第1と第2のベアリング部材の間の引力とを用いて、第1と第2のベアリング部材の間の距離を維持することができる。図に示される実施形態において、ベアリング表面は自己整合可能である。これは、Oリングペア690を備えるシーリングを用いた、例えば第1のベアリング部材650.1の中空管650.4への柔軟な取り付けによって実現することができる。そのように実行することによって、第1のベアリング部材650.1は、例えばある程度、X軸及び(XY平面に対して垂直な)Z軸を中心として旋回することが可能であり、したがって第2の表面670に対する第1の表面660の自己整合が可能となる。結果として、ベアリング表面660及び670の両方の平行性に関して、あまり厳しくない要件が存在する。例えば図に示されるOリングペアを使用する柔軟な取り付けは、ベアリング表面660及び670がこの平行性を維持できるように十分柔軟でなければならないことに留意されたい。図3a及び図3bに概略的に示される配置において、ベアリング表面300.1〜300.4(及びハウジング320の対面する表面)はほぼ平坦であることが必要であり、ベアリング表面は、リフティング機構の動作範囲(すなわち、移動範囲)全体を通じてハウジング表面にほぼ平行であることが必要である。図6a及び図6bに示される機構の自己整合に起因して、後者の要件は本実施形態では合致する必要がないため、ハウジング、細長いロッド、並びにベアリング部材650.1及び650.2の製造可能性を向上させる。図に示される実施形態において、円筒エアベアリング620.1、620.2のペアと自己整合ベアリング(650.1、650.2)の両方が、共通のエア供給によって供給可能である。上記ではベアリングには「エア」が供給されると言及しているが、任意の他のガスも前述のようにベアリングに供給するのに好適であり得ることが理解されよう。
さらに図6a及び図6bに示される実施形態の代替として実施形態が考案され得、それによって第1のベアリング部材650.1の対面する表面670はある程度変位可能であり、例えばベアリング表面660及び670の自己整合を提供するために、X軸及び/又はZ軸を中心として旋回可能である。
図4a〜図5bに関して説明した実施形態と同様に、図6a及び図6bの実施形態には、位置測定システム、及び/又は、ハウジングに対する細長いロッドの極位置を画定するエンドストップを提供することができる。
実施形態において、リフティング機構内に適用可能な1本以上の細長いロッドを、オブジェクトを端部に引き付けるための吸引手段を用いて、支持しなければならないオブジェクトと対面する端部に提供することができる。こうした吸引手段の例は、例えば、真空吸引の使用又は静電力の使用を含むことができる。リフティング機構の1本以上の細長いロッドによってオブジェクトが支持される場合、これらの吸引手段を使用してオブジェクトを保持することができる。実施形態において、本発明に従ったオブジェクトテーブルには、支持表面に対してオブジェクトを上昇及び下降させるための少なくとも3つのリフティング機構が提供される。
本発明に従ったオブジェクトテーブルは、有利なことに、基板及び/又はパターニングデバイスの位置決めを容易にするためのリソグラフィ装置内で適用可能である。適用されるリフティング機構は、オブジェクトテーブルにロードされるか又はオブジェクトテーブルからアンロードされるオブジェクトが、支持表面に対して平行な面においてその位置及び配向をほぼ維持することを保証する。結果として、初期の処理ステップ、例えば整合前ステップ中に取得される位置情報は、オブジェクトがオブジェクトテーブルの支持表面上に下降した後も依然として有効なままである。
本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する)及び極端紫外線光(EUV)放射(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。
上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (10)

  1. −オブジェクトを支持するように構成された支持表面と、
    −前記支持表面に対してほぼ垂直な支持方向に前記支持表面から前記オブジェクトを変位させるように構成されたリフティング機構と、
    を備える、オブジェクトテーブルであって、前記リフティング機構は、
    ・前記支持方向に延在する1本以上の細長いロッドであって、前記1本以上の細長いロッドが前記支持表面の下に位置決めされる第1の位置と、前記オブジェクトを前記支持表面からある距離で支持するために、前記1本以上の細長いロッドが前記支持表面の1つ以上のアパーチャを介して前記支持表面から突き出す第2の位置との間で、変位可能である、1本以上の細長いロッドと、
    ・前記1本以上の細長いロッドを少なくとも部分的に封入する、ハウジングと、
    ・前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記1本以上の細長いロッドがほぼ摩擦なしで変位できるように構成された、ベアリングと、
    ・前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記1本以上の細長いロッドを変位させるように構成された、アクチュエータと、
    ・前記1本以上の細長いロッドの縦軸を中心とする回転を制限するように構成されたロッキング機構であって、前記ハウジングと前記1本以上の細長いロッドとの両方に機械的に接続された弾性要素を備え、前記弾性要素は、前記支持方向に比較的低い剛性を有し、前記縦軸を中心とする回転方向に比較的高い剛性を有する、ロッキング機構と、
    を備え、
    前記弾性要素はリーフスプリングを備える、
    オブジェクトテーブル。
  2. 前記リーフスプリングは湾曲リーフスプリングである、請求項1に記載のオブジェクトテーブル。
  3. −オブジェクトを支持するように構成された支持表面と、
    −前記支持表面に対してほぼ垂直な支持方向に前記支持表面から前記オブジェクトを変位させるように構成されたリフティング機構と、
    を備える、オブジェクトテーブルであって、前記リフティング機構は、
    ・前記支持方向に延在する1本以上の細長いロッドであって、前記1本以上の細長いロッドが前記支持表面の下に位置決めされる第1の位置と、前記オブジェクトを前記支持表面からある距離で支持するために、前記1本以上の細長いロッドが前記支持表面の1つ以上のアパーチャを介して前記支持表面から突き出す第2の位置との間で、変位可能である、1本以上の細長いロッドと、
    ・前記1本以上の細長いロッドを少なくとも部分的に封入する、ハウジングと、
    ・前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記1本以上の細長いロッドがほぼ摩擦なしで変位できるように構成された、ベアリングと、
    ・前記第1の位置と前記第2の位置との間で前記1本以上の細長いロッドを変位させるように構成された、アクチュエータと、
    ・前記1本以上の細長いロッドの縦軸を中心とする回転を制限するように構成されたロッキング機構であって、自己整合ベアリングを備え、前記自己整合ベアリングは、前記細長いロッドに接続された第1の部材と、前記ハウジングに接続され、前記自己整合ベアリングを形成するために前記第1の部材と協働する第2の部材とを有し、前記第1の部材は第1のベアリング表面を備え、前記第2の部材は第2のベアリング表面を備え、前記第1及び第2のベアリング表面は、前記1本以上の細長いロッドの前記縦軸を中心とする前記回転を制限するように構築及び構成され、前記第1及び第2のベアリング表面のうちの少なくとも1つは、前記第2の表面に対して前記第1の表面を自己整合して提供するように変位可能である、ロッキング機構と、
    を備える、オブジェクトテーブル。
  4. 前記ベアリング及び前記自己整合ベアリングはガスベアリングであり、共通のガス供給を有する、請求項3に記載のオブジェクトテーブル。
  5. 前記ベアリングは、前記縦軸に沿って配置された円筒ガスベアリングのペアを含み、前記アクチュエータは、前記縦軸に沿って前記円筒エアベアリングのペア間に配置される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のオブジェクトテーブル。
  6. 前記アクチュエータは、前記ハウジングに取り付けられたコイルアセンブリと、前記1本以上の細長いロッドに取り付けられた永久磁石アセンブリとを備える、電磁アクチュエータである、請求項1〜5のいずれか一項に記載のオブジェクトテーブル。
  7. 前記リフティング機構は、前記支持方向での前記1本以上の細長いロッドに対する前記ハウジングの位置を測定するための位置測定システムをさらに備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載のオブジェクトテーブル。
  8. 前記1本以上の細長いロッドの端部は、真空吸引を用いて前記オブジェクトを保持するように構成される、請求項1〜7のいずれか一項に記載のオブジェクトテーブル。
  9. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するように構築された支持体であって、前記パターニングデバイスはパターン付き放射ビームを形成するために前記放射ビームの断面にパターンを付与することが可能である、支持体と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
    を備える、リソグラフィ装置であって、
    前記支持体及び/又は支持テーブルは、前記それぞれのパターニングデバイス及び/又は前記基板を支持するための請求項1〜8のいずれか一項に従ったオブジェクトテーブルを備える、
    リソグラフィ装置。
  10. 放射のパターン付きビームを基板上に投影することを含む、デバイス製造方法であって、請求項1から8のいずれか一項に従い、基板をオブジェクトテーブル上にロードするステップをさらに含む、デバイス製造方法。
JP2017511815A 2014-09-15 2015-08-20 オブジェクトテーブル、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 Active JP6366823B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14184714.5 2014-09-15
EP14184714 2014-09-15
PCT/EP2015/069169 WO2016041731A1 (en) 2014-09-15 2015-08-20 Object table, lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017532593A JP2017532593A (ja) 2017-11-02
JP6366823B2 true JP6366823B2 (ja) 2018-08-01

Family

ID=51535369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017511815A Active JP6366823B2 (ja) 2014-09-15 2015-08-20 オブジェクトテーブル、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9852937B2 (ja)
JP (1) JP6366823B2 (ja)
NL (1) NL2015324A (ja)
TW (1) TWI576673B (ja)
WO (1) WO2016041731A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6945624B2 (ja) 2016-10-20 2021-10-06 モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. インプリントリソグラフィプロセスにおける基板の位置付け

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1374773A (en) 1971-08-25 1974-11-20 Int Computers Ltd Linear actuators
US5010824A (en) 1989-12-04 1991-04-30 Ptx-Pentronix, Inc. Linearly movable tool or work handling unit
JPH0758338B2 (ja) * 1990-09-28 1995-06-21 キヤノン株式会社 平板状物体移動装置
JP2986696B2 (ja) 1994-12-08 1999-12-06 シーケーディ株式会社 エアベアリングシリンダ及びシリンダシステム
JP3773561B2 (ja) 1995-05-19 2006-05-10 富士通株式会社 ウェハ処理装置
JP2865604B2 (ja) 1995-10-16 1999-03-08 イートン コーポレーション 半導体ウエハーの加熱処理装置
JP2003060012A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Asm Japan Kk 半導体処理用反応チャンバ
JP2004026365A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 作業台
SG142198A1 (en) 2006-11-03 2008-05-28 Rokko Systems Pte Ltd A unit lifter assembly
US8446566B2 (en) * 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
US9011602B2 (en) * 2009-01-29 2015-04-21 Lam Research Corporation Pin lifting system
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
JP5141707B2 (ja) 2010-03-24 2013-02-13 株式会社安川電機 被処理体の支持機構、支持方法およびそれを備えた搬送システム
KR101432152B1 (ko) * 2012-11-13 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 기판 지지 모듈
CN108336011B (zh) * 2012-11-30 2022-08-02 株式会社尼康 搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9852937B2 (en) 2017-12-26
TWI576673B (zh) 2017-04-01
NL2015324A (en) 2016-08-24
TW201614384A (en) 2016-04-16
US20170299967A1 (en) 2017-10-19
JP2017532593A (ja) 2017-11-02
WO2016041731A1 (en) 2016-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4922089B2 (ja) 平面モータ駆動のサポートを有するリソグラフィ装置
JP4669868B2 (ja) ステージ装置およびリソグラフィ装置
JP5159740B2 (ja) リソグラフィ装置及びアクチュエータ
JP4157511B2 (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製造方法
TWI623820B (zh) 定位裝置、微影設備及裝置製造方法
JP2018159934A (ja) マルチステージシステムおよびリソグラフィ装置
US20130146785A1 (en) Support, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102566302B (zh) 图案形成装置的支撑
JP2019521393A (ja) ステージシステム、リソグラフィ装置、位置決め方法およびデバイス製造方法
JP5600138B2 (ja) 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法
JP5559284B2 (ja) レチクルアセンブリ、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセスにおけるその使用、およびリソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを投影する方法
JP5919395B2 (ja) 可動ステージシステム及びリソグラフィ装置
JP4668248B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP6228878B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009267406A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2010147470A (ja) パターニングデバイスの平面位置を非接触で制御するガス圧手段を備えたリソグラフィ装置
JP6366823B2 (ja) オブジェクトテーブル、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP6965332B2 (ja) 基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置
JP5586668B2 (ja) リソグラフィ装置
JP4704403B2 (ja) 位置決めデバイス、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4806651B2 (ja) ガスベアリング、およびそのようなベアリングを備えたリソグラフィ装置
JP4669833B2 (ja) リソグラフィ装置
JP2019502341A (ja) 磁石アレイ、電気コイルデバイス、変位システム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180517

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180605

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180703

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6366823

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250