JP2019521393A - ステージシステム、リソグラフィ装置、位置決め方法およびデバイス製造方法 - Google Patents

ステージシステム、リソグラフィ装置、位置決め方法およびデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】表面に対する物体の正確な位置決めを可能にする安定なシステムおよび方法を提供する。【解決手段】本発明は、位置決めのためのシステム、ステージシステム、リソグラフィ装置、位置決め方法およびステージシステムを使用して行われるデバイス製造方法に関する。本発明によると、複数のエアベアリング装置が設けられている。各エアベアリング装置は、自由表面を有するエアベアリング本体と、エアベアリング本体を通って延び、自由表面に入口開口を有する主チャネルと、エアベアリング本体を通って延び、自由表面に複数の排出開口を有する副チャネルシステムと、を備える。副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、主チャネルにおける流れ抵抗より大きい。【選択図】図2

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2016年7月1日に出願された欧州出願第16177447.6号および2017年3月1日に出願された欧州出願第17158730.6号の優先権を主張し、それらの全体が本明細書に援用される。
本発明は、ステージシステム、リソグラフィ装置、位置決め方法およびステージシステムを使用して行われるデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路(IC)の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ICの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンが基板(例えばシリコンウェーハ)の(例えばダイの一部、あるいは1つまたは複数のダイを含む)目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料(レジスト)層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向(スキャン方向)に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向と平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
リソグラフィ装置は基板及び/またはパターニングデバイスを位置決めするためのステージシステムを備えることが多い。基板とパターニングデバイスは非常に正確に位置決めされる必要がある。基板またはパターニングデバイスが例えば反り、凹面、凸面、またはそのほか低次のゼルニケ形状を有するなど完全には平坦でない場合には、位置決めに悪影響が生じうる。
WO2008/156366は、実質的に平面状の物体を物体テーブルにクランプする前に加圧ガスのジェットを用いて平坦化することを提案する。物体テーブルには、真空源に接続された凹部と、加圧ガスのジェットを発するように適応されたノズルが設けられている。真空の引力とジェットに起因する反発力の釣り合いによって、物体が物体テーブル上方に間隔をあけて浮遊し、物体の平坦形状からのずれがある程度補正される。
公知のシステムは、それほど安定的ではない。
望まれるのは、表面に対する物体の正確な位置決めを可能にする安定なシステムおよび方法を提供することである。
本発明のある実施の形態によると、
物体を位置決めするためのステージシステムであって、
位置決めされるべき物体を支持するように適応された物体テーブルを備え、
物体テーブルには複数のエアベアリング装置が設けられており、
各エアベアリング装置は、
− 自由表面を有するエアベアリング本体と、
− エアベアリング本体を通って延び、自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
− エアベアリング本体を通って延び、自由表面に排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、主チャネルにおける流れ抵抗より大きいステージシステムが提供される。
本発明の他の実施の形態においては、パターンをパターニングデバイスから基板に転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、本発明に係るステージシステムを備えるリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の実施の形態においては、リソグラフィ装置であって、
− 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
− 放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、
− 基板を保持するように構成された基板テーブルと、
− パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、を備え、
基板テーブルには複数のエアベアリング装置が設けられており、
各エアベアリング装置は、
− 自由表面を有するエアベアリング本体と、
− エアベアリング本体を通って延び、自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
− エアベアリング本体を通って延び、自由表面に排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、主チャネルにおける流れ抵抗より大きいリソグラフィ装置が提供される。
本発明の他の実施の形態においては、本発明に係るステージシステムを使用して行われる、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することを備えるデバイス製造方法が提供される。
本発明の他の実施の形態においては、物体を位置決めする方法であって、
− 本発明に係るステージシステムの物体テーブルまたはその上方に物体を配置するステップと、
− 物体テーブルに垂直な方向に物体テーブルから離れた位置に物体を保持するように、本発明に係るステージシステムの少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口に大気圧未満の圧力を適用すると同時に本発明に係るステージシステムの少なくとも1つのエアベアリング装置の副チャネルシステムの排出開口から加圧されたガスを流出させるステップと、を備える方法が提供される。
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。
本発明に係るシステムの第1の実施の形態を概略的に示す。
本発明に係るシステムの更なる実施の形態を概略的に示す。
本発明に係るシステムの更なる実施の形態を概略的に示す。
リソグラフィ装置のステージシステムの物体テーブルの一例の側面図を概略的に示す。
図5の実施の形態に使用されうるエアベアリング装置の一例を概略的に示す。
本発明に係るステージシステムの変形例を概略的に示す。
図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB(例えば、UV放射、または、他の適する放射)を調整するよう構成されている照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1位置決め装置PMに接続されているマスク支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、を含む。また、この装置は、基板(例えば、レジストで被覆されたウェーハ)Wを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTまたは「基板支持部」を含む。さらに、この装置は、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つ以上のダイを含む)目標部分Cに投影するよう構成されている投影システム(例えば、屈折投影レンズ系)PSを含む。
照明システムILは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
支持構造MTは、パターニングデバイスMAを支持する(すなわち、パターニングデバイスの重量を支える)。支持構造は、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスMAを保持する。マスク支持構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いることができる。マスク支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用可能ないかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。
パターニングデバイスMAは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
本書に使用される「放射ビーム」という用語は、紫外(UV)放射(例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有する)及び極紫外(EUV)放射(例えば5から20nmの範囲の波長を有する)含むあらゆる種類の電磁放射、さらにはイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを包含する。
本書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に関して又は液浸液の使用または真空の使用等の他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきであり、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む。本書における「投影レンズ」との用語の使用はいかなる場合も、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。
図示されるように、本装置は、(例えば透過型マスクを用いる)透過型である。これに代えて、本装置は、(例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる)反射型であってもよい。
リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)又はそれより多くの基板テーブルまたは「基板支持部」(及び/または2つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持部」)を有する形式のものであってもよい。このような多重ステージ型の装置においては、追加されたテーブルまたは支持部は並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルまたは支持部が露光のために使用されている間に1以上の他のテーブルまたは支持部で準備工程が実行されてもよい。
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で投影システムと基板との間の空間を満たすよう覆われうる形式のものであってもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムとの間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されてもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増大させるために使用することができる。本書で使用される「液浸」との用語は、基板等の構造体が液体に浸されなければならないことを意味するのではなく、液体が投影システムと基板との間に露光中に配置されることを意味するにすぎない。
図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合には、放射源SOとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源SOはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは、適当な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを例えば含むビーム搬送系BDを介して放射源SOからイルミネータILへと受け渡される。放射源が例えば水銀ランプである等の他の場合には、放射源SOはリソグラフィ装置と一体の部分であってもよい。放射源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。
イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するよう構成されているアジャスタADを含んでもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲(通常それぞれ「シグマ−アウタ(σ−outer)」、「シグマ−インナ(σ−inner)」と呼ばれる)を調整することができる。加えてイルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCO等その他の各種構成要素を含んでもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。
放射ビームBは、支持構造MTに保持されるパターニングデバイスMAに入射して、パターニングデバイスによりパターン形成される。パターニングデバイスMAを横切った放射ビームBは投影システムPSを通過する。投影システムPSはビームを基板Wの目標部分Cに合焦する。第2位置決め装置PWと位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ)により、例えば放射ビームBの経路に異なる目標部分Cを位置決めするように、基板テーブルWTを正確に移動させることができる。同様に、第1位置決め装置PMと他の位置センサ(図1には明示せず)は、例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後または走査中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めするために使用することができる。一般に支持構造MTの移動は、第1位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール(粗い位置決め用)及びショートストロークモジュール(精細な位置決め用)により実現されうる。同様に、基板テーブルWTまたは「基板支持部」の移動は、第2位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパでは(スキャナとは異なり)、支持構造MTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAと基板Wとは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークP1、P2が専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分C間のスペースに配置されてもよい(これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である)。同様に、パターニングデバイスMAに複数のダイが設けられる場合にはマスクアライメントマークM1、M2がダイ間に配置されてもよい。
図示の装置は例えば次のモードのうち少なくとも1つのモードで使用され得る。
1.ステップモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンの全体が1回で目標部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる(すなわち単一静的露光)。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Cのサイズを制限することになる。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTまたは「基板支持部」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められうる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Cの(非走査方向の)幅を制限し、走査移動距離が目標部分Cの(走査方向の)長さを決定する。
3.別のモードにおいては、支持構造MTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とし、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
上記で記載した使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別の使用モードが用いられてもよい。
図2は、本発明に係るシステム1の第1の実施の形態を示す。システム1は、例えば、ステージシステムであってもよい。
図2に示されるシステム1は、表面11を有する部材10を備える。この例においては、表面11は、部材10の上面である。部材10は、例えば、ステージシステムの物体テーブルであってもよい。
部材10には、複数のエアベアリング装置20が設けられている。各エアベアリング装置20は、自由表面22を有するエアベアリング本体21を備える。自由表面22は、本システムの他の物理的構成要素によって覆われていない。この実施の形態においては、自由表面22は、部材10の外表面の一部を形成する。使用時、とくに部材10上での物体の任意的なクランプ後においては、自由表面22は、部材10上に支持された物体によって覆われてもよい。図2の例においては、エアベアリング本体21の自由表面22は、部材10の表面11と同一平面を構成するが、これは必須ではない。図2においては、4個のエアベアリング装置が設けられているが、これに代えて、任意の数、とくに2以上のエアベアリング装置が設けられてもよい。
各エアベアリング装置20は、エアベアリング本体21を通って延びる主チャネル23をさらに備える。主チャネル23は、自由表面22に入口開口24を有する。
各エアベアリング装置20は、エアベアリング本体21を通って延びる副チャネルシステム25をさらに備える。副チャネルシステム25は、エアベアリング本体21の自由表面22に複数の排出開口26を有する。簡単のため、図2では少数の排出開口にのみ参照番号をつけている。副チャネルシステム25は、エアベアリング本体21の自由表面22に排出開口26を1つだけ有してもよい。
図2に示される例においては、エアベアリング本体21は、相互接続された空洞を有する多孔質材料を備える。副チャネルシステム25は、多孔質材料において相互接続された空洞によって形成されている。多孔質材料は、例えば、焼結セラミック材料、例えばSiSiCである。任意的に、加圧されたガスが漏れるべきではない多孔質材料の表面は、封止されている。
ある代替的な実施の形態においては、図示されていないが、エアベアリング本体における副チャネルシステム25は、例えば、エアベアリング本体への例えば穴開けなどの機械加工またはエッチング加工による流路によって形成されてもよい。
好ましくは、主チャネル23は、大気圧未満の圧力源に接続可能であり、副チャネルシステム25は、加圧ガス源に接続可能である。使用時、物体が表面11またはその上方に配置されるとき、加圧されたガスが、物体と表面11との間に、及び/または、物体と自由表面22との間に、副チャネルシステム25の排出開口26を介して供給されうる。同時に、大気圧未満の圧力が主チャネル23の入口24に与えられる。加圧されたガスは物体を表面11から遠ざけるように押し、同時に大気圧未満の圧力は物体を表面11のほうに引きつける。加圧ガスが物体に及ぼす押力と大気圧未満の圧力が物体に及ぼす引力の釣り合いは、表面11に対しz方向に物体を位置決めすることを可能にする。ここで、表面11は、xy平面に延在する。
副チャネルシステム25における流れ抵抗は、主チャネル23における流れ抵抗より大きい。これはシステムを安定化する。なぜなら、より大きい流れ抵抗は、物体のx軸またはy軸まわりのティルトを例えば原因とするz方向の力が加圧空気を副チャネルシステム25へと強制的に戻すことを妨げるからである。仮に、加圧ガスが副チャネルシステムに強制的に戻されたとすると、押力と引力の釣り合いが(少なくとも一時的に)乱され、システムが不安定になるかもしれない。押力と引力の釣り合いが再構築される前に、物体が表面11に衝突する結果さえ起こりうる。これは「ハンマリング」と呼ばれ、望ましくない。加えて、副チャネルシステム25における流れ抵抗が主チャネル23における流れ抵抗より大きいという特徴は、高いティルト剛性をシステムにもたらす。また、好ましくは、副チャネルシステム25における流れ抵抗は、自由表面22と位置決めされる物体との間のギャップにおける流れ抵抗より大きい。
したがって、副チャネルシステム25における流れ抵抗が主チャネル23における流れ抵抗より大きいことは、システムの安定性と信頼性を向上させる。
任意的に、部材10は、エアベアリング装置20の主チャネル23を大気圧未満の圧力源に接続するチャネル12と、エアベアリング装置20の副チャネルシステム25を加圧ガス源に接続する更なるチャネル13とを備えてもよい。
図2の例においては、エアベアリング装置20において副チャネルシステム25の排出開口26は、主チャネル23の入口開口24を囲んでいる。これはシステムに更なる安定性を与える。なぜなら、加圧ガスが及ぼす押力が比較的に広い面積にわたり、多くの場合この面積に均等に分布するからである。加えて、押力が主チャネル23の入口開口24の両側で互いに反対向きに作用し、さらにシステムを安定化する。これは高いティルト剛性をシステムにもたらす。この効果は多孔質材料がエアベアリング本体に使用される場合には、そうした実施の形態では多数の排出開口26があるので、一層実質的である。
図2の実施の形態の変形例においては、システムは、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23に流体連絡している大気圧未満の圧力源をさらに備える。これに代えてまたはこれに加えて、この変形例においては、システムは、少なくとも1つのエアベアリング装置20の副チャネルシステム25に流体連絡している加圧ガス源をさらに備える。
図3は、本発明に係るシステムの更なる実施の形態を概略的に示す。
図3の実施の形態においては、部材10には、エアベアリング装置20の二次元アレイが設けられている。この例においては、すべてのエアベアリング装置20が同一であるが、これは必須ではない。図3の実施の形態におけるエアベアリング装置20は例えば、図2に示され、または図6に示されるエアベアリング装置20と同じものである。また、部材10は例えば、ステージシステムの物体テーブル、またはガイド表面を備える部材であってもよい。
図3の実施の形態においては、エアベアリング装置20は、矩形格子に配列されている。これらは部材10の表面11に分布し、部材10またはその上方に存在する物体に局所的に作用することができる。これは物体を位置決めするだけでなく、物体の形状を変化させることも可能にする。例えば、反り、凹面、凸面、またはそのほか低次のゼルニケ形状、または物体の平坦形状からの局所的変形またはその他のずれを補正することが可能である。
図3の実施の形態においては、エアベアリング装置20*が部材10の中心に設けられている。これはシステムの安定性をさらに向上させる。部材10の中心の両側でエアベアリング装置20の動作が互いに反対向きに作用しうるからである。
図4は、本発明に係るシステムの更なる実施の形態を概略的に示す。
図4の実施の形態においては、部材10には、エアベアリング装置20のアレイが設けられている。この例においては、すべてのエアベアリング装置20が同一であるが、これは必須ではない。図4の実施の形態におけるエアベアリング装置20は例えば、図2に示され、または図6に示されるエアベアリング装置20と同じものである。また、部材10は例えば、ステージシステムの物体テーブル、またはガイド表面を備える部材であってもよい。
図4の実施の形態においては、エアベアリング装置20は、極格子に配列されている。エアベアリング装置は、極格子の中心を通る線の上に配列されている。図4の例においては、エアベアリング装置は、極格子の中心まわりの同心円状に配列されている。したがって、いくつかのエアベアリング装置20が極格子の中心から同じ距離にある。
エアベアリング装置は、部材10の表面11にわたって分布している。したがって、これらは部材10またはその上方に存在する物体に局所的に作用することができる。これは物体を位置決めするだけでなく、物体の形状を変化させることも可能にする。例えば、反り、凹面、凸面、またはそのほか低次のゼルニケ形状、または物体の平坦形状からの局所的変形またはその他のずれを補正することが可能である。
図4の実施の形態においては、エアベアリング装置20*が部材10の中心に設けられている。これはシステムの安定性をさらに向上させる。部材10の中心の両側でエアベアリング装置20の動作が互いに反対向きに作用しうるからである。
図2、図3、図4においては、エアベアリング本体21は、矩形の自由表面22を有し、概ね箱形の形状である。これに代えて、他の形状、例えば、円筒状のエアベアリング本体も可能であり、例えば円形または楕円形の自由表面を有してもよい。
任意的に、図2、図3、図4の実施の形態のいずれかにおいては、複数のエアベアリング装置20は、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口開口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量を制御することによって、部材10上に配置される物体の形状を変化させるように適応されている。
任意的に、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量の制御は、予測され及び/または測定された物体の形状に基づくものである。
変形例においては、図2、図3、及び/または図4の実施の形態のいずれかは、部材10またはその上方に配置された物体の形状データをエアベアリング装置20の駆動中に取得するように適応された測定システムをさらに備える。測定システムは、任意的に、静電容量センサ、及び/または誘導センサ、及び/または干渉計を備える。任意的に、測定システムの1つ又は複数の部分が部材10上または部材10内に配置され、それにより、物体の測定は、物体が部材10またはその上方に配置されている間に実行されてもよい。これに代えてまたはこれに加えて、測定システムは、物体が部材10またはその上方に配置される前に物体の測定が実行されるように構成されてもよい。
この変形例においては、実施の形態は、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口開口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量を制御するための制御装置をさらに備える。制御装置は、測定システムから形状データを受け取り、受け取った形状データに基づいて、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口開口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量を制御するように適応されている。
任意的に、図2、図3、及び/または図4の実施の形態のいずれかにおいては、複数のエアベアリング装置は、多数のエアベアリンググループを備える。各エアベアリンググループは、少なくとも1つのエアベアリング装置20を備える。例えば、図3の実施の形態においては、x方向に延びるエアベアリング装置20の各行がエアベアリンググループを形成し、または、y方向に延びるエアベアリング装置20の各行がエアベアリンググループを形成してもよい。図4に示される実施の形態においては、例えば、極格子の中心から同じ距離にあるエアベアリング装置20がエアベアリンググループを形成してもよい(よってエアベアリング装置は同じ円上にある)。
あるエアベアリンググループにおいて、主チャネルの入口での圧力及び/またはガス流量は、この実施の形態において、他のエアベアリンググループにおける主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である。これにより、物体に及ぼされる局所的な力を制御することが可能になり、物体の形状を変化させることが可能になる。任意的に、主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量は、他のエアベアリンググループにおける主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量から独立に制御可能である。
それに代えてまたはそれとともに、少なくとも1つのエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量が、他のエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である。これにより、物体に及ぼされる局所的な力を制御することが可能になり、物体の形状を変化させることが可能になる。任意的に、少なくとも1つのエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量は、他のエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量から独立に制御可能である。
いずれかのエアベアリンググループにおける圧力及び/またはガス流量を別個に制御することによって、異なるエアベアリンググループ間に圧力及び/またはガス流量の差違がもたらされ、それにより、物体に任意の時点で及ぼされる局所的な引力及び/または押力の大きさに差違がもたらされうる。それに代えてまたはそれとともに、この特徴を用いて、それぞれのエアベアリンググループの駆動のタイミングを制御することが可能である。例えば、一つのエアベアリンググループが、他の一つのエアベアリンググループが駆動された後にのみ駆動されてもよい。
一つのエアベアリンググループを他の一つのエアベアリンググループが駆動された後にのみ駆動することは、部材10またはその上方で物体の形状が補正されなければならない場合に有利でありうる。例えば、物体が平坦ではなくドーム状に丸みを帯びていて、図4の実施の形態が使用される場合には、最初に部材10の中心のエアベアリング装置20*を駆動することが有利である。部材10の中心のエアベアリング装置20*の引力と押力の組み合わせ作用によって物体の中心が部材10の上方で所望の高さに配置されるとき、内側リング14のエアベアリング装置20が駆動される。これらは物体の中心まわりのリング部を部材10の上方で所望の高さに配置させる。物体はxy平面内で自由に移動可能であり、いかなる機械的支持部材とも摩擦がないので、物体の内部応力が低減される。内側リング14のエアベアリング装置の駆動後に、外側リング15のエアベアリング装置20が駆動される。これらは物体の外側リング部を部材10の上方で所望の高さに配置させる。このようにして、物体は平坦化され、ドーム形状が軽減され、または更には解消される。平坦化された後に、物体は、部材10に又は部材10に対してクランプされ又はさもなければ固定される。
本発明は、ステージシステム、例えば、リソグラフィ装置に使用されるようなステージシステムに適用されうる。その場合、部材は、物体テーブルまたは基板テーブルであってもよい。
したがって、更なる実施の形態においては、本発明は、物体を位置決めするためのステージシステムであって、
位置決めされるべき物体を支持するように適応された物体テーブルを備え、
物体テーブルには複数のエアベアリング装置が設けられており、
各エアベアリング装置は、
− 自由表面を有するエアベアリング本体と、
− エアベアリング本体を通って延び、自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
− エアベアリング本体を通って延び、自由表面に複数の排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、主チャネルにおける流れ抵抗より大きいステージシステムを提供する。
本発明は、物体例えば基板WまたはパターニングデバイスMAを、物体テーブルの表面に垂直な方向に、物体テーブルの当該表面に物体をクランプし又はさもなければ固定する前に位置決めすることを可能にする。いくつかの実施の形態においては、本発明は、物体を物体テーブルにクランプし又はさもなければ固定する前に物体の形状を変化させ又は補正することを可能にする。
図5は、リソグラフィ装置のステージシステムの物体テーブル110の一例の側面図を示す。
物体テーブル110の上側は、物体例えば基板Wを物体テーブル110にクランプする真空クランプ104を備える。物体テーブル110は、3本の格納式のピン1055をさらに備え、これらはeピンとしても知られており、ピン105が物体テーブル110から伸びた伸長位置とピン105がピン105に後退した格納位置との間を物体テーブルに対して移動可能である。格納式のピン105は、鉛直方向すなわちピンによって支持される物体の主平面に実質的に垂直な方向に移動可能である。格納式のピン105は、物体テーブル110とロボットまたはその他の物体ハンドラとの間での物体例えば基板Wの搬送に使用される。格納式のピン105は、例えばロボットのグリッパが物体を支持するために物体の下方に配置されうるように設けられている。ロボットが物体を側面または上部で保持するように構成されている場合、格納式のピン105は省略されてもよい。ある代替的な実施の形態においては、静電クランプ、磁気クランプ、または電磁クランプのように物体に引きつける力を及ぼすことができるいかなる形式の装置が使用されてもよい。
この実施の形態においては、ロボットが、伸長位置をとるピン105に物体を配置する。そしてピン105は格納位置へと移動され、物体は物体テーブル110の支持表面に静止する。物体が物体テーブル110によって支持された後、例えばパターン付き放射ビームで露光され、物体は別のものと交換される。物体は交換のために、格納位置から伸長位置へと移動する格納式のピン105によって物体テーブル110から持ち上げられる。格納式のピン105が伸長位置にあるとき、物体はロボットまたはその他の物体ハンドラに受け渡される。
真空クランプ104は、封止リム107に囲まれた凹部表面106によって形成されている。凹部表面106、封止リム107、および、物体テーブル110に配置され又は配置されようとする物体によって境界付けられる真空空間に低圧を生成するために、吸引導管108が設けられている。吸引導管108は、プロセス環境に存在する空気またはその他のガスを真空空間から引く吸引ポンプに接続されている。低圧によって、支持表面上方のある範囲内に配置された物体を物体テーブルにクランプすべく物体テーブル110のほうに引き寄せる真空力が得られる。
凹部表面106には多数のバール109が配置されている。バール109の上端は、物体テーブル110に配置される物体のための支持表面を提供する。封止リム107とバール109の上端とが、物体を支持するための実質的に平坦な表面を提供する実質的に同一の平面上に配置されている。ある代替的な実施の形態においては、封止リム107は、図5に示されるように、バール109より低く形成されてもよく、またはその逆でもよい。
物体テーブル110には複数のエアベアリング装置20が配置されている。これらのエアベアリング装置は、例えば図2、図3、図4に示されるエアベアリング装置である。
各エアベアリング装置は、好ましくは大気圧未満の圧力源16にチャネル12を介して接続された主チャネル23を備える。
各エアベアリング装置は、多孔質材料における相互接続された空洞によって形成された副チャネルシステム25をさらに備える。副チャネルシステムは、好ましくは加圧ガス源17にチャネル13を介して接続されている。
図6は、図5の実施の形態において使用されうるエアベアリング装置20の一例を示す。
物体テーブル110には、複数のエアベアリング装置20が設けられている。各エアベアリング装置20は、自由表面22を有するエアベアリング本体21を備える。自由表面22は、本システムの他の物理的構成要素によって覆われていない。使用時、とくに部材10上での物体の任意的なクランプ後においては、自由表面22は、物体テーブル110上に支持された物体によって覆われてもよい。図5、図6の例においては、エアベアリング本体21の自由表面22は、物体テーブルの表面111よりいくらか上方で延在するが、これに代えて、物体テーブル110の表面111と同一平面を構成してもよい。
各エアベアリング装置20は、エアベアリング本体21を通って延びる主チャネル23をさらに備える。主チャネル23は、自由表面22に入口開口24を有する。
各エアベアリング装置は、エアベアリング本体21を通って延びる副チャネルシステム25をさらに備える。副チャネルシステム25は、エアベアリング本体21の自由表面22に複数の排出開口26を有する。
図5、図6に示される例においては、エアベアリング本体21は、相互接続された空洞を有する多孔質材料を備える。副チャネルシステム25は、多孔質材料において相互接続された空洞によって形成されている。多孔質材料は、例えば、焼結セラミック材料、例えばSiSiCである。任意的に、加圧されたガスが漏れるべきではない多孔質材料の表面は、封止されている。
ある代替的な実施の形態においては、図示されていないが、エアベアリング本体における副チャネルシステム25は、例えば、エアベアリング本体への例えば穴開けなどの機械加工またはエッチング加工による流路によって形成されてもよい。
好ましくは、主チャネル23は、大気圧未満の圧力源16に接続可能であり、副チャネルシステム25は、加圧ガス源に接続可能である。使用時、物体が表面111またはその上方に配置されるとき、加圧されたガスが、副チャネルシステム25の排出開口26を介して物体と表面との間に、及び/または、物体と自由表面22との間に、供給されうる。同時に、大気圧未満の圧力が主チャネル23の入口24に与えられる。加圧されたガスは物体を表面111から遠ざけるように押し、同時に大気圧未満の圧力は物体を表面111のほうに引きつける。加圧ガスが物体に及ぼす押力と大気圧未満の圧力が物体に及ぼす引力の釣り合いは、表面111に対しz方向に物体を位置決めすることを可能にする。ここで、表面111は、xy平面に延在する。
副チャネルシステム25における流れ抵抗は、主チャネル23における流れ抵抗より大きい。これはシステムを安定化する。なぜなら、より大きい流れ抵抗は、物体のx軸またはy軸まわりのティルトを例えば原因とするz方向の力が加圧空気を副チャネルシステム25へと強制的に戻すことを妨げるからである。仮に、加圧ガスが副チャネルシステムに強制的に戻されたとすると、押力と引力の釣り合いが(少なくとも一時的に)乱され、システムが不安定になるかもしれない。押力と引力の釣り合いが再構築される前に、物体が表面111に衝突する結果さえ起こりうる。これは「ハンマリング」と呼ばれ、望ましくない。加えて、副チャネルシステム25における流れ抵抗が主チャネル23における流れ抵抗より大きいという特徴は、高いティルト剛性をシステムにもたらす。また、好ましくは、副チャネルシステム25における流れ抵抗は、自由表面22と位置決めされる物体との間のギャップにおける流れ抵抗より大きい。
したがって、副チャネルシステム25における流れ抵抗が主チャネル23における流れ抵抗より大きいことは、システムの安定性と信頼性を向上させる。
この実施の形態においては、物体テーブル110は、エアベアリング装置20の主チャネル23を大気圧未満の圧力源に接続するチャネル12と、エアベアリング装置20の副チャネルシステム25を加圧ガス源に接続する更なるチャネル13とを備えてもよい。
図5、図6の例においては、エアベアリング装置20において副チャネルシステム25の排出開口26は、主チャネル23の入口開口24を囲んでいる。これはシステムに更なる安定性を与える。なぜなら、加圧ガスが及ぼす押力が比較的に広い面積にわたり、多くの場合この面積に均等に分布するからである。加えて、押力が主チャネル23の入口開口24の両側で互いに反対向きに作用し、さらにシステムを安定化する。これはさらに高いティルト剛性をシステムにもたらす。この効果は多孔質材料がエアベアリング本体に使用される場合には、そうした実施の形態では多数の排出開口26があるので、一層実質的である。
図5、図6の実施の形態の変形例においては、システムは、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23に流体連絡している大気圧未満の圧力源16をさらに備える。これに代えてまたはこれに加えて、この変形例においては、システムは、少なくとも1つのエアベアリング装置20の副チャネルシステム25に流体連絡している加圧ガス源17をさらに備える。
任意的に、図5、図6の実施の形態においては、エアベアリング装置20は、例えば図3に示されるように、矩形格子に配列され、またはこれに代えて、例えば図4に示されるように、極格子に配列されている。図5及び/または図6のステージシステムにおいて図3または図4の配列を使用することは、物体の形状を変化させることを可能にする。例えば、反り、凹面、凸面、またはそのほか低次のゼルニケ形状、または物体の平坦形状からの局所的変形またはその他のずれを補正することが可能である。
図5、図6に示される実施の形態においては、エアベアリング本体21は、矩形の自由表面22を有し、概ね箱形の形状である。これに代えて、他の形状、例えば、円筒状のエアベアリング本体も可能であり、例えば円形または楕円形の自由表面を有してもよい。
任意的に、図5、図6の実施の形態においては、複数のエアベアリング装置20は、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口開口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量を制御することによって、物体テーブル110上に配置される物体の形状を変化させるように適応されている。
任意的に、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量の制御は、予測され及び/または測定された物体の形状に基づくものである。
変形例においては、図5、図6の実施の形態は、物体テーブル110またはその上方に配置された物体の形状データをエアベアリング装置20の駆動中に取得するように適応された測定システムをさらに備える。測定システムは、任意的に、静電容量センサ、及び/または誘導センサ、及び/または干渉計を備える。任意的に、測定システムの1つ又は複数の部分が物体テーブル110上または物体テーブル110内に配置され、それにより、物体の測定は、物体が物体テーブル110またはその上方に配置されている間に実行されてもよい。これに代えてまたはこれに加えて、測定システムは、物体が物体テーブル110またはその上方に配置される前に物体の測定が実行されるように構成されてもよい。
この変形例においては、実施の形態は、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口開口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量を制御するための制御装置をさらに備える。制御装置は、測定システムから形状データを受け取り、受け取った形状データに基づいて、少なくとも1つのエアベアリング装置20の主チャネル23の入口開口24での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステム25の排出開口26での圧力及び/またはガス流量を制御するように適応されている。
任意的に、図5、図6の実施の形態においては、複数のエアベアリング装置は、多数のエアベアリンググループを備える。各エアベアリンググループは、少なくとも1つのエアベアリング装置20を備える。
あるエアベアリンググループにおいて、主チャネルの入口での圧力及び/またはガス流量は、この実施の形態において、他のエアベアリンググループにおける主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である。これにより、物体に及ぼされる局所的な力を制御することが可能になり、物体の形状を変化させることが可能になる。任意的に、主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量は、他のエアベアリンググループにおける主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量から独立に制御可能である。
それに代えてまたはそれとともに、少なくとも1つのエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量が、他のエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である。これにより、物体に及ぼされる局所的な力を制御することが可能になり、物体の形状を変化させることが可能になる。任意的に、少なくとも1つのエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量は、他のエアベアリンググループにおける副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量から独立に制御可能である。
いずれかのエアベアリンググループにおける圧力及び/またはガス流量を別個に制御することによって、異なるエアベアリンググループ間に圧力及び/またはガス流量の差違がもたらされ、それにより、物体に任意の時点で及ぼされる局所的な引力及び/または押力の大きさに差違がもたらされうる。それに代えてまたはそれとともに、この特徴を用いて、それぞれのエアベアリンググループの駆動のタイミングを制御することが可能である。例えば、一つのエアベアリンググループが、他の一つのエアベアリンググループが駆動された後にのみ駆動されてもよい。
一つのエアベアリンググループを他の一つのエアベアリンググループが駆動された後にのみ駆動することは、部材10またはその上方で物体の形状が補正されなければならない場合に有利でありうる。例えば、物体が平坦ではなくドーム状に丸みを帯びていて、図4の構成が図5、図6の実施の形態に使用される場合には、最初に部材10の中心のエアベアリング装置20*を駆動することが有利である。物体テーブル110の中心のエアベアリング装置20*の引力と押力の組み合わせ作用によって物体の中心が物体テーブル110の上方で所望の高さに配置されるとき、内側リング14のエアベアリング装置20が駆動される。これらは物体の中心まわりのリング部を物体テーブル110の上方で所望の高さに配置させる。物体はxy平面内で自由に移動可能であり、いかなる機械的支持部材とも摩擦がないので、物体の内部応力が低減される。内側リング14のエアベアリング装置の駆動後に、外側リング15のエアベアリング装置20が駆動される。これらは物体の外側リング部を物体テーブル110の上方で所望の高さに配置させる。このようにして、物体は平坦化され、ドーム形状が軽減され、または更には解消される。平坦化された後に、物体は、物体テーブル110に又は物体テーブル110に対してクランプされ又はさもなければ固定される。
図7は、本発明に係るステージシステムの変形例を示す。
変形例においては、物体テーブル110は、多孔質ゾーン110aを備える。任意的に、非多孔質ゾーン110bも存在する。少なくとも1つのエアベアリング本体21が物体テーブル110の多孔質ゾーン110aの一部を形成する。
図7に示される実施の形態においては、多孔質のエアベアリング本体21が加圧ガス源に接続されたときの加圧ガスの漏れを避けるために、不浸透要素27が設けられている。
例えば、物体テーブル110は、この変形例においては、焼結セラミック、例えばSiSiCで形成されている。焼結後には物体テーブル110の全体が多孔質となる。それから、シーラント物質が相互接続された空洞を埋めることを可能としてもよい。これは例えば、物体テーブルの下部をシーラントの液槽に配置し、シーラントを毛細管作用により相互接続された空洞に導入することによって行われる。ただし、このプロセスは物体テーブルの全体が飽和する前に終了される。物体テーブル110の下部だけがシーラントで埋められる。この下部が非多孔質ゾーン110bを形成する。不浸透要素27は、シーラントを局所的に注入することによって形成されてもよい。
説明した実施の形態においては、エアベアリング装置20は、排出開口26を介して空気を排出するように構成されている。排出される空気は、周囲の空気と同じ組成を有してもよく、または、周囲の空気と異なる組成を有してもよい。例えば、排出される空気の湿度は、周囲の空気と異なってもよく、例えば周囲の空気より低くてもよい。排出される空気は、窒素または二酸化炭素などいかなる適当なガスを含んでもよい。「エアベアリング」との用語がより一般的な用語「ガスベアリング」と解釈されうることは、当業者には明らかである。
ある実施の形態においては、本発明はさらに、物体を位置決めする方法であって、
− 本発明に係るステージシステムの物体テーブルまたはその上方に物体を配置するステップと、
− 物体テーブルに垂直な方向に物体テーブルから離れた位置に物体を保持するように、本発明に係るステージシステムの少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口に大気圧未満の圧力を適用すると同時に本発明に係るステージシステムの少なくとも1つのエアベアリング装置の副チャネルシステムの排出開口から加圧されたガスを流出させるステップと、を備える方法を提供する。
本発明に係るステージシステムのある可能な実施の形態においては、複数のエアベアリング装置は、少なくとも1つのエアベアリング装置を各々が備える多数のエアベアリンググループを備え、ステージシステムの少なくとも1つのエアベアリンググループにおける主チャネルの入口開口または主チャネルそれぞれの入口開口での圧力及び/またはガス流量が、ステージシステムの他のエアベアリンググループにおける主チャネルまたは主チャネルそれぞれの入口開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である。
本発明に係る方法のある可能な実施の形態においては、こうしたステージシステムのある実施の形態が使用される。本発明に係る方法のこの実施の形態においては、ステージシステムの少なくとも1つのエアベアリンググループにおける主チャネルの入口開口または主チャネルそれぞれの入口開口での圧力及び/またはガス流量が、物体の形状を制御するように、ステージシステムの他のエアベアリンググループにおける主チャネルまたは主チャネルそれぞれの入口開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御される。
本発明に係るステージシステムのある可能な実施の形態においては、複数のエアベアリング装置は、少なくとも1つのエアベアリング装置を各々が備える多数のエアベアリンググループを備え、ステージシステムの少なくとも1つのエアベアリンググループにおける副チャネルシステムまたは副チャネルシステムそれぞれの排出開口での圧力及び/またはガス流量が、ステージシステムの他のエアベアリンググループにおける副チャネルシステムまたは副チャネルシステムそれぞれの排出開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である。
本発明に係る方法のある可能な実施の形態においては、こうしたステージシステムのある実施の形態が使用される。本発明に係る方法のこの実施の形態においては、ステージシステムの少なくとも1つのエアベアリンググループにおける副チャネルシステムまたは副チャネルシステムそれぞれの排出開口での圧力及び/またはガス流量が、物体の形状を制御するように、ステージシステムの他のエアベアリンググループにおける副チャネルシステムまたは副チャネルシステムそれぞれの排出開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御される。
本発明に係る方法のある可能な実施の形態においては、方法はさらに、主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御することによって、物体テーブル上に配置される物体の形状を変化させることを備える。
任意的に、主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量の制御は、予測され及び/または測定された物体の形状に基づく。
本発明の他の実施の形態においては、物体を位置決めするためのシステムであって、
複数のエアベアリング装置が設けられている部材を備え、
各エアベアリング装置は、
自由表面を有するエアベアリング本体と、
エアベアリング本体を通って延び、自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
エアベアリング本体を通って延び、自由表面に複数の排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、主チャネルにおける流れ抵抗より大きく、
複数のエアベアリング装置は、少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御することによって、物体テーブル上に配置される物体の形状を変化させるように適応されているステージシステムが提供される。
任意的に、この実施の形態においては、少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量の制御は、予測され及び/または測定された物体の形状に基づく。
任意的に、この実施の形態においては、システムは、物体テーブル上に配置された物体の形状データをエアベアリング装置の駆動中に取得するように適応された測定システムをさらに備え、また、少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御するための制御装置をさらに備える。制御装置は、測定システムから形状データを受け取り、受け取った形状データに基づいて少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御するように適応されている。
本発明の他の実施の形態においては、物体を位置決めする方法であって、
− システムの部材の表面またはその上方に物体を配置するステップを備え、部材には複数のエアベアリング装置が設けられており、
各エアベアリング装置は、
自由表面を有するエアベアリング本体と、
エアベアリング本体を通って延び、自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
エアベアリング本体を通って延び、自由表面に複数の排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、主チャネルにおける流れ抵抗より大きく、
− 部材の表面に垂直な方向に部材から離れた位置に物体を保持するように、少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの入口に大気圧未満の圧力を適用すると同時に少なくとも1つのエアベアリング装置の副チャネルシステムの排出開口から加圧されたガスを流出させるステップを備える方法が提供される。
任意的に、主チャネルの入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または副チャネルシステムの排出開口での圧力及び/またはガス流量の制御は、予測され及び/または測定された物体の形状に基づく。
本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及しているかもしれないが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造など他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は処理済みの多数の層を既に含む基板をも意味する。
上記では光リソグラフィにおける本発明の実施の形態の使用に具体的に言及したかもしれないが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用されうるものであり、文脈が許す場合、光リソグラフィに限られるものではないことは理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離すと、レジストの硬化後にパターンが残される。
以上では本発明の特定の実施形態を説明したが、本発明は、説明したものとは異なる方式で実施されうることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する機械読み取り可能なインストラクションの1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこうしたコンピュータプログラムが内部に記憶されたデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形をとることができる。
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
物体テーブル110の上側は、物体例えば基板Wを物体テーブル110にクランプする真空クランプ104を備える。物体テーブル110は、3本の格納式のピン105をさらに備え、これらはeピンとしても知られており、ピン105が物体テーブル110から伸びた伸長位置とピン105がピン105に後退した格納位置との間を物体テーブルに対して移動可能である。格納式のピン105は、鉛直方向すなわちピンによって支持される物体の主平面に実質的に垂直な方向に移動可能である。格納式のピン105は、物体テーブル110とロボットまたはその他の物体ハンドラとの間での物体例えば基板Wの搬送に使用される。格納式のピン105は、例えばロボットのグリッパが物体を支持するために物体の下方に配置されうるように設けられている。ロボットが物体を側面または上部で保持するように構成されている場合、格納式のピン105は省略されてもよい。ある代替的な実施の形態においては、静電クランプ、磁気クランプ、または電磁クランプのように物体に引きつける力を及ぼすことができるいかなる形式の装置が使用されてもよい。

Claims (13)

  1. 物体を位置決めするためのステージシステムであって、
    位置決めされるべき前記物体を支持するように適応された物体テーブルを備え、
    前記物体テーブルには複数のエアベアリング装置が設けられており、
    各エアベアリング装置は、
    − 自由表面を有するエアベアリング本体と、
    − 前記エアベアリング本体を通って延び、前記自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
    − 前記エアベアリング本体を通って延び、前記自由表面に排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
    前記副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、前記主チャネルにおける流れ抵抗より大きいステージシステム。
  2. 前記エアベアリング本体は、相互接続された空洞を備える多孔質材料を備え、前記副チャネルシステムは、前記相互接続された空洞によって形成されている請求項1に記載のステージシステム。
  3. 複数の排出開口を備え、前記複数の排出開口が前記主チャネルの前記入口開口を囲んでいる請求項1または2に記載のステージシステム。
  4. 前記複数のエアベアリング装置は、少なくとも1つのエアベアリング装置を各々が備える多数のエアベアリンググループを備え、少なくとも1つのエアベアリンググループにおける前記主チャネルの前記入口開口または前記主チャネルそれぞれの前記入口開口での圧力及び/またはガス流量が、他のエアベアリンググループにおける前記主チャネルまたは前記主チャネルそれぞれの前記入口開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である請求項1から3のいずれかに記載のステージシステム。
  5. 前記複数のエアベアリング装置は、少なくとも1つのエアベアリング装置を各々が備える多数のエアベアリンググループを備え、少なくとも1つのエアベアリンググループにおける前記副チャネルシステムまたは前記副チャネルシステムそれぞれの前記排出開口での圧力及び/またはガス流量が、他のエアベアリンググループにおける前記副チャネルシステムまたは前記副チャネルシステムそれぞれの前記排出開口での圧力及び/またはガス流量とは別個に制御可能である請求項1から4のいずれかに記載のステージシステム。
  6. 前記複数のエアベアリング装置は、少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの前記入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または前記副チャネルシステムの前記排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御することによって、前記物体テーブル上に配置される物体の形状を変化させるように適応されている請求項1から5のいずれかに記載のステージシステム。
  7. 少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの前記入口での圧力及び/またはガス流量及び/または前記副チャネルシステムの前記排出開口での圧力及び/またはガス流量の前記制御は、予測され及び/または測定された前記物体の形状に基づくものである請求項6に記載のステージシステム。
  8. 前記ステージシステムは、前記物体テーブル上に配置されたときの前記物体の形状データを前記エアベアリング装置の駆動中に取得するように適応された測定システムをさらに備え、前記ステージシステムは、少なくとも1つのエアベアリング装置の主チャネルの前記入口での圧力及び/またはガス流量及び/または前記副チャネルシステムの前記排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御するための制御装置をさらに備え、
    前記制御装置は、前記測定システムから前記形状データを受け取り、受け取った形状データに基づいて前記少なくとも1つのエアベアリング装置の前記主チャネルの前記入口開口での圧力及び/またはガス流量及び/または前記副チャネルシステムの前記排出開口での圧力及び/またはガス流量を制御するように適応されている請求項7に記載のステージシステム。
  9. 前記物体テーブルは、多孔質ゾーンを備え、少なくとも1つのエアベアリング本体が前記物体テーブルの前記多孔質ゾーンの一部を形成する請求項2に記載のステージシステム。
  10. パターンをパターニングデバイスから基板に転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、請求項1から9のいずれかに記載のステージシステムを備えるリソグラフィ装置。
  11. リソグラフィ装置であって、
    放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、を備え、
    前記基板テーブルには複数のエアベアリング装置が設けられており、
    各エアベアリング装置は、
    − 自由表面を有するエアベアリング本体と、
    − 前記エアベアリング本体を通って延び、前記自由表面に入口開口を有する主チャネルと、
    − 前記エアベアリング本体を通って延び、前記自由表面に排出開口を有する副チャネルシステムと、を備え、
    前記副チャネルシステムにおける流れ抵抗が、前記主チャネルにおける流れ抵抗より大きいリソグラフィ装置。
  12. 請求項1から9のいずれかに記載のステージシステムを使用して行われる、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することを備えるデバイス製造方法。
  13. 物体を位置決めする方法であって、
    請求項1に記載のステージシステムの前記物体テーブルまたはその上方に物体を配置するステップと、
    前記物体テーブルに垂直な方向に前記物体テーブルから離れた位置に前記物体を保持するように、請求項1に記載のステージシステムの少なくとも1つのエアベアリング装置の前記主チャネルの前記入口に大気圧未満の圧力を適用すると同時に請求項1に記載のステージシステムの少なくとも1つのエアベアリング装置の前記副チャネルシステムの前記排出開口から加圧されたガスを流出させるステップと、を備える方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021240598A1 (ja) * 2020-05-25 2021-12-02 株式会社日立ハイテク 基板保持装置及び基板処理装置
JP2022536569A (ja) * 2019-12-26 2022-08-18 ナンジン リアン セミコンダクター リミテッド 半導体産業におけるウェハ幾何学形状測定のためのツールアーキテクチャ

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102414955B1 (ko) * 2019-12-05 2022-07-11 (주)엘트린 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 척킹 장치
CN114830035A (zh) * 2019-12-09 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 制造用于光刻设备的衬底支撑件的方法、衬底台、光刻设备、器件制造方法、使用方法
EP4105720A1 (en) * 2021-06-16 2022-12-21 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006146195A (ja) * 2004-11-05 2006-06-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法および基板テーブル
JP2007533153A (ja) * 2004-04-14 2007-11-15 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 距離調整用非接触支持台
JP2013524289A (ja) * 2010-04-12 2013-06-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 基板ハンドリング装置及びリソグラフィ装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06330944A (ja) 1993-05-24 1994-11-29 Fujitsu Autom Ltd 静圧移動案内装置
JP3487368B2 (ja) * 1994-09-30 2004-01-19 株式会社ニコン 走査型露光装置
US7052182B2 (en) * 2000-02-01 2006-05-30 Toto Ltd. Hydrostatic gas bearing, hydrostatic gas bearing device for use in vacuum environment, and gas recovering method for the hydrostatic gas bearing device
TWI222423B (en) * 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
US7077019B2 (en) * 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
CN100467210C (zh) * 2004-03-25 2009-03-11 揖斐电株式会社 真空卡盘和吸附板
KR100527241B1 (ko) 2004-11-17 2005-11-09 주식회사 에스에프에이 기판이송장치
JP4553376B2 (ja) * 2005-07-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法
US7607647B2 (en) 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
WO2008156366A1 (en) 2007-06-21 2008-12-24 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
JP5145524B2 (ja) * 2007-10-25 2013-02-20 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
DE102008019681B4 (de) 2008-04-11 2013-10-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mittels aerostatischer Lagerelemente geführter Tisch für Vakuumanwendung
US8101010B2 (en) * 2009-05-28 2012-01-24 Corning Incorporated Gas separation module
US8699001B2 (en) * 2009-08-20 2014-04-15 Nikon Corporation Object moving apparatus, object processing apparatus, exposure apparatus, object inspecting apparatus and device manufacturing method
US20110042874A1 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Nikon Corporation Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
NL2006514A (en) 2010-05-11 2011-11-14 Asml Netherlands Bv Apparatus and method for contactless handling of an object.
US8593613B2 (en) * 2011-09-13 2013-11-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. LCD exposure stage device and exposure system
JP5995567B2 (ja) 2012-07-12 2016-09-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533153A (ja) * 2004-04-14 2007-11-15 コアフロー サイエンティフィック ソリューションズ リミテッド 距離調整用非接触支持台
JP2006146195A (ja) * 2004-11-05 2006-06-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法および基板テーブル
JP2013524289A (ja) * 2010-04-12 2013-06-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 基板ハンドリング装置及びリソグラフィ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022536569A (ja) * 2019-12-26 2022-08-18 ナンジン リアン セミコンダクター リミテッド 半導体産業におけるウェハ幾何学形状測定のためのツールアーキテクチャ
JP7378481B2 (ja) 2019-12-26 2023-11-13 ナンジン リアン セミコンダクター リミテッド 半導体産業におけるウェハ幾何学形状測定のためのツールアーキテクチャ
WO2021240598A1 (ja) * 2020-05-25 2021-12-02 株式会社日立ハイテク 基板保持装置及び基板処理装置
JPWO2021240598A1 (ja) * 2020-05-25 2021-12-02
JP7383147B2 (ja) 2020-05-25 2023-11-17 株式会社日立ハイテク 基板保持装置及び基板処理装置

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