JP6358469B2 - 無電解Niめっき方法 - Google Patents
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すなわち、上記従来のNi無電解めっきの方法では、貴金属上に卑金属をめっきすることができなかった。
すなわち、この無電解Niめっき方法では、卑金属を析出させる工程で、貴金属膜の表面に析出した卑金属の少なくとも一部が酸化する前に熱処理を停止するので、析出した卑金属が酸化してPd膜が形成されなくなってしまうことを防止できる。
すなわち、本発明に係る無電解Niめっき方法によれば、熱処理を行って貴金属膜の表面に卑金属膜の卑金属を析出させる工程と、析出した卑金属にPdを含有したディップ液を接触させることで析出した卑金属上にPd膜を形成するPd膜形成工程とを有しているので、熱処理で貴金属膜表面に析出した卑金属膜の卑金属にPd膜を形成することができ、このPd膜からNi膜を増殖させ、貴金属膜上にもNiめっき膜を形成することができる。
なお、上記卑金属2aを析出させる工程では、貴金属膜3の表面に析出した卑金属2aが酸化する前に熱処理を停止する。
なお、本実施形態では、基板1としてポリイミドフィルムを採用しているが、シリコン等の他の基板も採用可能である。
次に、貴金属膜形成工程として、図1の(a)に示すように、卑金属膜2上に貴金属膜3として例えばAu膜をスパッタリングにより形成する。このときのスパッタ条件は、厚み500nm、スパッタガス圧:0.1Pa、ターゲット投入電力(出力):100Wで、Arガス50sccmとする。
また、Au膜の厚みは500nm以上に設定される。なお、Au膜が500nm未満であると、膜が完全に埋まらずに複数の貫通孔が開いた状態の不完全な膜の状態となる。
この無電解Niめっきは、例えばリンを数%含有する無電解ニッケル−リン(Ni−P)めっき浴を用いる。
また、卑金属2aを析出させる工程で、貴金属膜3の表面に析出した卑金属2aの少なくとも一部が酸化する前に熱処理を停止するので、析出した卑金属2aが酸化してPd膜4が形成されなくなってしまうことを防止できる。
なお、大気雰囲気中で200℃を超える温度(例えば230℃、24時間)の熱処理を行うと、卑金属2aが酸化されて酸化クロムが形成されてしまい、そのままではめっきができない場合があることから、その場合は、酸化クロムを除去する表面エッチング処理が必要になる。
また、酸化クロムが形成されるものの、一部金属Crが残ることでめっきが可能な熱処理条件としては、大気雰囲気中ならば200℃以下の加熱であることが好ましいが、200℃を超える熱処理であっても還元雰囲気中であれば卑金属2aが酸化されず、めっきが可能である。
なお、上記熱処理をした各実施例の基板について、Pd膜形成工程とNiめっき工程とを行うことで、貴金属膜上にNi膜が形成されることが確認されている。
Claims (2)
- 基板上にPdよりもイオン化傾向が高い卑金属膜を形成する卑金属膜形成工程と、
前記卑金属膜上にPdよりもイオン化傾向が低い貴金属膜を形成する貴金属膜形成工程と、
前記貴金属膜上にNi膜を無電解めっきするNiめっき工程とを有し、
前記Niめっき工程前に、熱処理を行って前記貴金属膜の表面に前記卑金属膜の卑金属を析出させる工程と、
前記析出した卑金属にPdを含有したディップ液を接触させることで前記析出した卑金属上にPd膜を形成するPd膜形成工程とを有していることを特徴とする無電解Niめっき方法。 - 請求項1に記載の無電解Niめっき方法において、
前記卑金属を析出させる工程で、前記貴金属膜の表面に析出した前記卑金属の少なくとも一部が酸化する前に前記熱処理を停止することを特徴とする無電解Niめっき方法。
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