JP6333062B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 176
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 133
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 133
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 88
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 4
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 7
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- -1 sodium alkylsulfonate Chemical class 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Description
従来のジンケート法によって、アルミニウム系電極膜の表面にニッケル膜を形成した場合、アルミニウム系電極膜とニッケル膜との界面において、空隙が形成されることがある。また、このような空隙には、水分または添加剤成分が残留している。
はじめに、本願発明の技術的特徴と効果について具体的に説明するために、アルミニウム系電極膜とニッケル膜との間に酸化膜を介在させる場合(本願発明)と酸化膜を介在させない場合(従来技術)とを比較しながら説明する。
本発明の実施の形態2では、先の実施の形態1における酸化膜形成の工程の処理条件を変化させた場合について、表2を参照しながら説明する。表2は、本発明の実施の形態2において、酸化膜形成の工程の処理条件を変化させた場合における、酸化膜4の厚さと、アルミニウム系電極膜2とニッケル膜3との界面に形成される空隙の数との関係を示す表である。なお、表2中の空隙数とは、1μm×1μm(□1μm)の視野において認められた空隙の数を示している。
本発明の実施の形態3では、酸化膜形成の工程の処理条件で用いる酸化性溶液として、先の実施の形態1、2で使用した硫酸とは異なるものを使用する場合について、表3を参照しながら説明する。表3は、本発明の実施の形態3において、酸化膜形成の工程で使用する酸化性溶液を変化させた場合における、酸化膜4の厚さと、アルミニウム系電極膜2とニッケル膜3との界面に形成される空隙の数との関係を示す表である。
本発明の実施の形態4では、先の実施の形態1とは異なり、プラズマクリーニングの工程の前に酸化膜形成の工程を行う場合について、図3、図4を参照しながら説明する。図3は、本発明の実施の形態4における半導体装置に形成されたアルミニウム系電極膜2およびオーバーコート層6の断面構造を示す説明図である。図4は、本発明の実施の形態4における半導体装置の断面構造を示す説明図である。
本発明の実施の形態5では、先の実施の形態4における酸化膜形成の工程の処理条件を変化させた場合について、表5を参照しながら説明する。表5は、本発明の実施の形態5において、酸化膜形成の工程の処理条件を変化させた場合における、酸化膜4の厚さと、アルミニウム系電極膜2とニッケル膜3との界面に形成される空隙の数との関係を示す表である。
先の実施の形態1〜5では、無電解ニッケルめっきおよび無電解金めっきの工程においてめっきの時間で僅かに差異があるものの、ほぼ同じ工程が行われるものとして説明してきた。これに対して、本発明の実施の形態6では、アルミニウム系電極膜2とニッケル膜3との界面に形成される空隙の数をより減らすために、アルミニウム系電極膜2のエッチング量を削減するプロセスについて説明する。
本発明の実施の形態7では、先の実施の形態1とは異なり、アルミニウム系電極膜2にニッケル膜3および金膜5が形成された後に、真空加熱処理の工程を行う場合について説明する。
Claims (3)
- 半導体基板に形成されたアルミニウム系電極膜の上にニッケル膜および金膜が形成されており、前記アルミニウム系電極膜と前記ニッケル膜との間に酸化膜を介在させた構造となっている半導体装置の製造方法であって、
前記アルミニウム系電極膜の表面を酸化することで前記酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、
前記酸化膜形成ステップで形成された前記酸化膜の表面に対してめっき処理を行うことで前記ニッケル膜および前記金膜を順次形成するめっき膜形成ステップと、
を備え、
前記酸化膜形成ステップでは、前記アルミニウム系電極膜の表面に対してプラズマ酸化処理を行うことで前記酸化膜を形成する
半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき膜形成ステップの前に実行するステップとして、酸性溶液を使用して、めっきの前処理を行うめっき前処理ステップをさらに備える
半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記めっき膜形成ステップの後に実行するステップとして、真空下で前記半導体装置を加熱処理する真空加熱処理ステップをさらに備える
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014104568A JP6333062B2 (ja) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014104568A JP6333062B2 (ja) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015220409A JP2015220409A (ja) | 2015-12-07 |
JP6333062B2 true JP6333062B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=54779537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014104568A Active JP6333062B2 (ja) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6333062B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3260639B2 (ja) * | 1996-10-23 | 2002-02-25 | アルプス電気株式会社 | アルミへの亜鉛置換ニッケルメッキ方法 |
JPH11233545A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-08-27 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2000012605A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | World Metal:Kk | 半導体チップの電極部の形成方法 |
JP2000256864A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-19 | Okuno Chem Ind Co Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金表面の亜鉛置換方法、そのための置換液及び亜鉛置換皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金 |
JP2003013246A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の電極の製造方法 |
JP4203724B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2009-01-07 | 上村工業株式会社 | アルミニウム酸化皮膜用除去液及びアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法 |
JP2005109000A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | 配線基板、配線基板の製造方法、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法 |
JP5549118B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2014-07-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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2014
- 2014-05-20 JP JP2014104568A patent/JP6333062B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015220409A (ja) | 2015-12-07 |
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