JP2009215599A - 金めっき皮膜構造、金めっき皮膜形成方法およびガラスセラミック配線基板 - Google Patents
金めっき皮膜構造、金めっき皮膜形成方法およびガラスセラミック配線基板 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。
【選択図】 図2
Description
本発明にかかる実施の形態の金めっき皮膜形成方法と、該方法により作成される金めっき皮膜構造を、比較のために作成する3つの比較例を示しながら説明する。図1は、本実施の形態の金めっき皮膜形成方法と、比較例とを対比して説明する図である。本実施の形態の金めっき皮膜形成方法により作成された金めっき皮膜構造をサンプル1、比較のための金めっき皮膜形成方法により作成された金めっき皮膜構造を、サンプル2、3、および4としている。
本実施の形態における金めっき皮膜形成方法によって作成した金めっき皮膜構造であるサンプル1は、図2に示すような層構造となっている。図2において、サンプル1は、ガラスセラミックからなる絶縁基材1の上に、銀を主成分とする金属焼結体の配線パターン2と、この銀の配線パターン2の上に第一層構造である第一の無電解ニッケルめっき膜3、第二層構造である第二の無電解ニッケルめっき膜4、第三層構造である置換型無電解金めっき膜5、および第四層構造である厚付けの還元型無電解金めっき膜6が、この順番で形成された構造となっている。以下に、図1を用いて本実施の形態の方法により作成されたサンプル1の作成工程を説明する。
次に、比較として作成されたサンプル2について説明する。サンプル2は、図2におけるサンプル1の作成工程から第二の無電解ニッケルめっき膜4を形成する工程を削除した作成工程によって作成された。この工程により作成されたサンプル2は、図3のような構造となる。
次に、サンプル2とは異なる比較例として作成されたサンプル3について説明する。サンプル3は、図2におけるサンプル1の作成工程から第一の無電解ニッケルめっき膜3を形成する工程を削除し、第二の無電解ニッケルめっき膜4を作成する工程の時間を30分に変更し、第二の無電解ニッケルめっき膜4の厚さを5μmとした作成工程によって作成された。この工程により作成されたサンプル3には、LTCC基板の配線パターン2の上に、5μmの第二の無電解ニッケルめっき膜4、0.05μmの置換型無電解金めっき膜5、および0.7μmの厚付け還元型無電解金めっき膜6が形成されている。
次に、さらに別の比較例として作成されたサンプル4について説明する。サンプル4は、第二の無電解ニッケルめっき膜4を作成する工程において、イオウ成分であるチオ尿素を含有する市販のプリント基板用の無電解ニッケルめっき液を用いて、1μmのイオウを含有するリン濃度7wt%のニッケル−リン合金を作成したことがサンプル1の作成工程と異なる。すなわち、サンプル4では、LTCC基板の配線パターン2の上に、4μmの第一の無電解ニッケルめっき膜、1μmのイオウを含有する無電解ニッケルめっき膜、0.05μmの置換型無電解金めっき膜5、および0.7μmの厚付け還元型無電解金めっき膜6が形成されている。
2 配線パターン
3 第一の無電解ニッケルめっき膜
4 第二の無電解ニッケルめっき膜
5 置換型無電解金めっき膜
6 還元型無電解金めっき膜
Claims (6)
- ガラスセラミック絶縁基材の上に金属焼結体配線パターンを有するガラスセラミック配線基板へ形成された金めっき皮膜構造であって、
略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて前記金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、
形成される層構造が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて前記第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、
置換型無電解金めっき液を用いて前記第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、
還元型無電解金めっき液を用いて前記第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有することを特徴とする金めっき皮膜構造。 - 前記第二層構造を形成する無電解ニッケルめっきにおいて、無電解ニッケルめっき液が略中性以外のpHであるめっき液を用いる場合、前記第二層構造の厚さは1μm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の金めっき皮膜構造。
- 前記第四層構造は0.3μm以上の厚さであることを特徴とする請求項1または2に記載の金めっき皮膜構造。
- 前記略中性とは、pH6〜7.5の範囲であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1つに記載の金めっき皮膜構造。
- ガラスセラミック絶縁基材の上に金属焼結体配線パターンを有するガラスセラミック配線基板への金めっき皮膜形成方法であって、
略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて前記金属焼結体配線パターンの上にニッケル−リン合金の第一層構造を形成する第一の無電解めっき工程と、
形成される層が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いることによって前記第一層構造の上に非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造を形成する第二の無電解めっき工程と、
置換型無電解金めっき液によって前記第二層構造の上に金の第三層構造を形成する第三の無電解めっき工程と、
還元型無電解金めっき液によって前記第三層構造の上に金の第四層構造を形成する第四の無電解めっき工程と
を含むことを特徴とする金めっき皮膜形成方法。 - 金属焼結体配線パターンを有するガラスセラミック絶縁基材と、
略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて前記金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、
形成される層構造が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて前記第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、
置換型無電解金めっき液を用いて前記第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、
還元型無電解金めっき液を用いて前記第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有することを特徴とするガラスセラミック配線基板。
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