JP6334703B2 - 電子デバイスおよびその使用 - Google Patents

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Description

本発明は電子デバイス、電子デバイスを有するシステム、および電子デバイスの使用に関する。
本発明の解決すべき課題は、改善された電子デバイスを提供することである。
この課題は独立請求項の特徴を有する電子デバイスにより解決される。有利な構成および派生例は従属請求項に示されている。
本発明による電子デバイスは、反射構造体が設けられている機能体を備え、この反射構造体は、この電子デバイスに当たる外部からの放射線をこの機能体から離れるように反射するために配設および形成されている。ここでいう反射とは、好ましくは放射線、特に電磁波放射線の反射に関するものである。本発明による電子デバイスの機能体は、さらに、好ましくはこの電子デバイスおよびその電気特性に重要なものである。したがってこの機能体は、好ましくはハウジングまたはこの電子デバイスの機能に対し重要でない部品のことではない。
上記の反射構造体は、好ましくは非金属の特性を備える。この反射構造体は、１つ以上の層を備える。さらにこの反射構造体は、その機械的、電気的、および光学的特性に関して、顕著に高い温度安定性または熱耐性によって、好ましくは、レジスト層またはレジストおよび／または溶剤を含むコーティングと異なっている。たとえばこの反射構造体の融解温度は１５００℃より上にあってよく、これによってこの融解温度は、レジスト層が分解する温度および／または上記の特性が劣化する温度よりはるか上となりえる。
本発明による電子デバイスによって、とりわけその反射構造体によって、この電子デバイスに当たる外部からの電磁波放射線の反射を有利に大きくすることができる。このようにしてたとえば、光の使用効率、照射される光パワー、および／またはこの電子デバイスと共に１つの機能ユニットを形成する部品またはデバイスの光学的効率を、この電子デバイスがこれらの部品と光学的に相互作用でき、および／またはこの電子デバイスから放出あるいは送出される放射線を反射できれば、高めることができる。
さらなる利点として、本発明による電子デバイスの反射構造体によって、たとえば上述の部品から放出される放射線が上記の反射構造体での大きくなった反放射（Rueckstrahlung）または反射(Reflexion)のおかげで、この電子デバイスの加熱を避けることができる。以上により、たとえばこの電子デバイスがＮＴＣデバイスとして形成されている場合に、温度測定への悪影響を防止することができる。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスは、放射線不活性（strahlungspassiv）なデバイスである。「放射線不活性」という表現は、ここではこの電子デバイスが、電磁波放射線を発生または受信するために形成あるいは構成されているデバイスではないことを意味するものである。このデバイスは好ましくは、たとえば電荷再結合によって電磁波放射線を全く放出または発生しない。この観点では、好ましくはこの電子デバイスは全く光電子デバイスではない。このデバイスは好ましくは、可視、紫外、および／または赤外のスペクトル領域の放射線に対し、少なくとも放射線不活性である。特にこのデバイスは、好ましくは発光ダイオードではない。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体の外側表面の材料は電気絶縁性である。この実施形態によって、この反射構造体を通る電流の大部分の流れが有利に防止される。このことはこの反射構造体が外側表面で他の導電性材料、たとえば外部電極と接触している場合に好適であるが、これは上述の部品間の望ましくない短絡を防止することができるからである。
１つの好ましい実施形態においては、上記の機能体は、機能素子としてセラミックを含み、またはセラミックから成っている。この実施形態によれば、この電子デバイスは、好ましくはバリスタ、コンデンサ、ＰＴＣデバイス、ＮＴＣデバイス、または圧電デバイスとして実現することができる。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスは、バリスタ、コンデンサ、ＰＴＣデバイス、ＮＴＣデバイス、フェライトを含むデバイス、または圧電デバイスである。
１つの実施形態においては、上記の機能体は、機能素子として非セラミックの半導体材料を含み、または半導体材料から成っている。この実施形態によれば、本発明による電子デバイスは、好ましくは半導体デバイスとして、たとえばダイオードとして実現されている。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、１μｍ〜１０μｍの層厚を有し、好ましくは２μｍ〜３μｍの層厚を有する。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、外部から本発明による電子デバイスに当たる上述のスペクトル領域の放射線に対し、上記の機能体よりも大きな反射率および／または反射度を有する。これは上記の基体とは対照的に、放射線、具体的には電磁波放射線のより多くの反射を好適に可能とする。
「反射率」（“Reflexionsfaktor”）または「反射係数」（“Reflexionskoeffizient”）なる用語は、別の伝播媒体への移行、すなわちたとえば外部環境からこの反射構造体への移行の際の反射波と入射波との間の振幅比を表し得る。この際この強度は、好ましくはそれぞれの電磁波の電界強度に関係している。
「反射度」（“Reflexionsgrad”）または「反射性」（“Reflektivitat”）なる用語は、電磁波の反射強度および入射強度の比をエネルギーの大きさとして表し得る。
１つの好ましい実施形態においては、所定のスペクトル領域は、可視光のスペクトル領域を含むかまたはこれから成っている。この可視光のスペクトル領域は、上記の所定のスペクトル領域を定義してよい。
１つの好ましい実施形態においては、所定のスペクトル領域は、赤外光領域、可視光領域、および紫外光領域を含む。赤外光領域は、たとえば１ｍｍ〜７８０ｎｍの電磁波照射の波長領域によって定義される。可視光領域は、たとえば３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの電磁波照射の波長領域（光スペクトル“Lichtspektrum”）によって定義される。これに対し紫外光領域は、たとえば１００ｎｍ〜３８０ｎｍの電磁波照射の波長領域によって定義される。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、外部から本発明による電子デバイスに当たる所定のスペクトル領域の放射線に対し、Ｒ＞０．９の反射率および／または反射度を有するように形成されている。この実施形態によって、外部から本発明による電子デバイスに当たる放射線は、大部分が上記の機能体によって反射されて、この電子デバイスから離れるように反射され、こうして同時にこの機能体による上述の放射線の吸収は大幅に低減される。これによって、上述したように、たとえば光学的にこの電子デバイスと相互作用する他の部品の光パワーを大きくすることができる。換言すれば、この反射構造体によって、外部からこの電子デバイスに当たる放射線の大部分がこの機能体によって吸収されることを防止することができる。これはとりわけ、黒い表面を有するセラミック体に対して利点となる。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスは、電気的に互いに絶縁された複数の内部電極を備え、これらは上記の機能体の内部に配設されている。好ましくはこれらの内部電極は、大部分がこの機能体に配設、あるいはこの機能体の中へ突出している。しかしながらこの際これらの内部電極の、これらの内部電極の電気的接続に必要な、狭いあるいは短い領域は、この機能体から突出しているかまたはこの機能体によって包み込まれていなくてよい。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスは、複数の外部電極を備え、これらは上記の機能体の外部に配設されている。この実施形態によって、たとえば上記の内部電極（複数）が電気的に接続され、この電子デバイスの電気的接続端子からアクセス可能とすることができる。
１つの好ましい実施形態においては、２つの外部電極は電気的に互いに絶縁されており、また互いに絶縁された異なる内部電極と電気的に導通して結合されている。この実施形態は、２つの主外部電極および複数の内部電極を有する多くの電子デバイス、具体的には多層デバイス（複数）にとりわけ好適である。
１つの好ましい実施形態においては、上記の外部電極（複数）は、たとえば上記の機能体の端面（複数）で、部分的に上記の反射構造体を覆っている。この際これらの端面は、好ましくは本発明による電子デバイスの別の主表面と比べて、小さいかまたはさらに小さい表面を形成しているか、またはこのような表面を備えている。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、少なくとも部分的に上記の外部電極（複数）と上記の機能体との間に配設されている。この際さらにこの反射構造体は、上記の外部電極（複数）が上記の内部電極（複数）と電気的に導通して結合されている電極領域（複数）において分断されている。この実施形態によれば、たとえばこの機能体に上記の外部電極を設ける前に、まず反射構造体が敷設または設けられる。さらにこの実施形態は、上記の電極領域においてこの反射構造体を貫通する、上記の外部電極と上記の内部電極との間の電気的に導通した結合を好適に可能とするものである。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、基質材料を含む。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、放射線を反射する粒子（複数）を含んでおり、これらの粒子はこの反射構造体の基質材料中に配設されている。この実施形態により、上述の放射線は、有利にこの反射構造体の粒子によって散乱および／または反射され得る。
１つの好ましい実施形態においては、上記の放射線を反射する粒子は、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化ジルコンの材料の少なくとも１つから成り、またはこれらの材料の少なくとも１つを含んでいる。
「反射する」なる表現は、ここでは上記の反射する粒子がこれらに当たる電磁波放射線に対し、好ましくは０．９（Ｒ＞０．９）以上の反射率および／または反射度または反射係数を有することを意味し得る。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスは保護層を備え、この保護層は上記の反射構造体上に配設されている。この保護層は、好ましくはこの電子デバイスを外部からのあらゆる影響から保護するために形成されている。この実施形態の代替として、上記の反射構造体はそれ自身が保護層として、あるいは上記で説明したような保護特性を有して形成されていてよい。
１つの好ましい実施形態においては、上記の保護層は所定のスペクトル領域において放射線に対し透明である。
１つの好ましい実施形態においては、上記の保護層は、ガラスまたは樹脂、たとえばエポキシ樹脂から成っており、またはこれらの材料の１つを含む。
１つの好ましい実施形態においては、上記の保護層は、化学気相堆積法、たとえばプラズマ化学気相堆積法によって製造されている。この実施形態によれば、上記の反射構造体は、たとえば小さな、および／または正確に規定された層厚または寸法で準備することができる。
１つの実施形態においては、上記の保護層は１０ｎｍ〜１μｍの層厚を有する。この実施形態によれば、この保護層は、好ましくは化学気相堆積法を用いて堆積されるか、または塗布される。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスはバリア層を備え、このバリア層は上記の機能体と上記の反射構造体との間に配設されている。このバリア層は、たとえば機能体から反射構造体への物質拡散、および反射構造体から機能体への物質拡散を阻止または制限するために、好ましくは、上記の機能体と上記の反射構造体との間の「バリア材料」として設けられている。具体的には、上記のバリア層無しでは、この機能体のドーパントは、たとえばこの電子デバイスの製造プロセスの間に、反射構造体の中へ拡散し、その光学的特性に悪影響を与えかねない。この逆に、同様に反射構造体の顔料または他の物質または成分も機能体の中へ拡散し、その電気的特性または誘電体特性に悪影響を与えかねない。
１つの好ましい実施形態においては、本発明による電子デバイスは表面実装可能に、および／または裏面実装すなわちフリップチップ実装で形成されている。
１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、スパッタリング（Aufstauben）、スプレー、またはシルクスクリーン印刷によって製造可能であり、あるいは製造されている。
１つの実施形態においては、上記の反射構造体は、上記の機能体の周囲に沿ってこの機能体を部分的にのみ、たとえばこの機能体の個々の面および／または側面でのみ、この機能体を包囲している。この実施形態によって、この反射構造体の反射特性および光学特性は、有利にこの機能体の個々の面にまたは所望の方向に対してのみ選択的に利用することができる。
１つの実施形態においては、上記の反射構造体は、機能体の周囲に沿ってこの機能体を完全に包囲している。この反射構造体は、機能体を全ての側面で包囲またはカバーしており、これらの側面でこの機能体は上記の外部電極と結合していない。このようにして、この反射構造体の反射特性およびこれと結びついた利点は、本発明による電子デバイスおよび／または機能体の周囲に沿った、この電子デバイスおよび／またはこの機能体の全ての側面に対して利用することができる。さらにこの実施形態には、この機能体が反射構造体によるカバーが部分的のみである場合とは対照的に、１つの部品に本発明による電子デバイスを装着する際には、場合によっては正確な位置での配設または装着を行わなくともよいという利点がある。とりわけこうして装着の手間を最適化することができる。
本出願のもう１つの態様は、放射線を放出する部品と上記の電子デバイスとを有するシステムに関し、ここでこのシステムは、上記の反射構造体が、上記の放射線を放出する部品から放出される、所定のスペクトル領域の放射線を反射するように構成されている。好ましくは上記の放射線を放出する部品は、発光ダイオード（“ＬＥＤ”、英語で“light emitting diode”）または発光ダイオードを備える部品である。好ましくはこの発光ダイオードは可視光を放出する。
上記のシステムの１つの好ましい実施形態においては、基質材料中に顔料が配設されており、ここでこの顔料は、上記の電子デバイスの色をこの電子デバイスのこのシステムにおける周囲の色と合わせるように形成されている。
上記のシステムの１つの好ましい実施形態においては、上記の保護層が顔料を含み、ここでこの顔料は、上記の電子デバイスの色をこの電子デバイスのこのシステムにおける周囲の色と合わせるように形成されている。
この顔料は、上記の電子デバイスおよび／または上記の保護層を可視の電磁波スペクトルの任意の色に色付けする、すなわちこの電子デバイスの観察者にはこれに対応した色刺激を生起するように好適に構成されている。
上記の最後の２つの実施形態により、上記の電子デバイスの色および／または外観は、たとえば上記のシステムまたは１つ以上の、この電子デバイスの動作中にこの電子デバイスと相互作用するかまたは隣接して配設されている部品の色および／または外観に合わせることができる。このようにしてたとえば色に関して統一された全体的印象が生成される。上記の顔料は、たとえば金属を含むかまたは金属から成ってよい。代替としてまたは追加的に、上述の放射線を反射する粒子が顔料として作用することができる。
上記のシステムの１つの好ましい実施形態においては、上記の反射構造体は、この反射構造体の電気的、光学的、および／または機械的特性が、上記の放射線を放出するデバイスの寿命に渡ってずっと安定しているように選択される。具体的にはこの際好ましくは、この放射線を放出するデバイスの２００００時間を超える動作期間に渡って、上述の特性が安定している。「安定している」という表現は主に、たとえば上記の放射線を放出するデバイスまたはシステムの動作の間の熱的な影響によって、上述の特性の少なくとも１つが上述の期間に渡って大幅あるいは顕著に劣化あるいは損壊されないことを意味する。
本出願のもう１つの態様は、上記のシステムへの上記のデバイスの使用に関する。
本発明のさらなる利点，有利な実施形態，および有用性が、以下の実施例で図を参照した説明により示される。
電子デバイスの断面図を概略的に示す。 図１Ａに示す電子デバイスの拡大された縁部領域を示す。 図１Ａに示す電子デバイスの他の縁部領域を拡大された形態で示す。 上記の電子デバイスの概略の斜視図を示す。 １つの代替の実施形態による電子デバイスの少なくとも１つの部分図を概略的に示す。 図２Ａに示す電子デバイスの拡大された縁部領域を示す。 もう１つの代替の実施形態による電子デバイスの少なくとも１つの部分図を概略的に示す。 もう１つの実施形態による電子デバイスの断面図または側面図を概略的に示す。 １つの電子デバイスを有するシステムを概略的に示す。
これらの図中で同じ要素、同様な要素、および同等に機能する要素には、同じ参照符号が付されている。これらの図、およびこれらの図に示された要素相互の大きさの関係は、縮尺通りとはなっていない。むしろ個々の要素は、より見易いように、および／またはより理解しやすいように、誇張して大きく図示されている場合がある。
図１Ａは、電子デバイス１００の断面図を概略的に示す。電子デバイス１００は、好ましくは放射線不活性であり、すなわち発光ダイオードのように能動的に放射線を放出するデバイスでは全くない。この電子デバイス１００は、１つの機能体１を備える。この機能体１は、好ましくは、バリスタ、コンデンサ、ＰＴＣデバイス、ＮＴＣデバイス、フェライトを含むデバイス、圧電デバイス、または半導体デバイス等の機能部品である。したがってこの機能体１は、セラミックを含んでよく、またはこれから成っていてよい。代替として、この機能体１は、好ましくは非セラミック系の半導体材料を含んでよく、またはこれから成っていてよい。上記の半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、またはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）であってよく、またはこれらを含んでよい。この電子デバイス１００は、上記の機能体がセラミックベースでなく、半導体ベースである場合、たとえば、ダイオード、特に過電圧保護ダイオードおよび／またはＴＶＳダイオード（“ＴＶＳ”は英語の“transient-voltage-suppressor”に対応する）であってよい。
機能体１には１つの反射構造体２が設けられている。この反射構造体２は、外部から電子デバイス１００に当たる電磁放射線がこの機能体１から離れるように反射されるように配設されている。起こり得る外部電極間（下記参照）の電気的接触を防止するために、この反射構造体２は、特にこの反射構造体２の外側表面の材料が好ましくは電気絶縁性に形成されている。この反射構造体２は、層堆積方法、たとえばスパッタリング、スプレー、またはシルクスクリーン印刷によって製造可能であり、あるいは製造することができる。好ましくはこの反射構造体２は、たとえば複層または多層である、１つの層である。この電子デバイス１００は、さらに電極（複数）すなわち内部電極(複数）４を備える。
図１Ａには２つの、部分的に重なっている、この電子デバイス１００の互いに反対側にある側面（後述の端面を参照）から延伸している内部電極(複数）が例示的に示されている。代替としてより多くの内部電極が設けられていてもよい。これらの内部電極４は、適宜電気的に互いに分離されている。これらの内部電極４は、好ましくは内部電極層であり、または層で形成されている。さらにこれらの内部電極４は、大部分が機能体１の内部に配設されている。
さらに電子デバイス１００は、電極すなわち外部電極３を備えるが、しかしながらこの電子デバイスにはさらに他の外部電極がもうけられていてもよい。これらの外部電極３は、機能体２の外部に配設されている。さらにこれらの外部電極３は、互いに電気的に絶縁されている。機能体１または電子デバイス１００の１つの端面（図１Ａの左側面および右側面参照）には、それぞれ１つの外部電極が配設または塗布されている。上述の内部電極４の各々は、それぞれ１つの端面で、これらの端面に配設されている外部電極３の１つと電気的に導通して結合されている。
図１Ａには、さらにこれらの外部電極３が上記の反射構造体２を部分的に覆っていることが示されている。
図１Ｂには、電子デバイス１００の縁部部分が拡大されて示されている（下向きの矢印参照）。反射構造体２が、放射線を反射する粒子２１を含んでいることが分る。さらにこの反射構造体２は、上記の放射線を反射する粒子２１のための基質材料２０を含んでいる。この放射線を反射する粒子２１は、適宜この基質材料中に配設されている。この放射線を反射する粒子２１によって、外部から電子デバイス１００または反射構造体２に当たる電磁放射線は、好適に反射すなわち放射し返されるが、これが図１Ｂに示す上向きの矢印で表されている。この際この放射線は、少なくとも部分的に反射構造体２または基質材料２０の中に侵入し、放射線を反射する１つ以上の粒子２１によって、好適にこの機能体１から離れるように反射される。
図１Ｂに示す実施形態によれば、反射構造体２は、好ましくはスプレー法によって堆積されている。このためまず上記の基質材料またはこの基本材料を有するスラリと、顔料すなわち色の元になる、あるいは色を決定する物質である上記の放射線を反射する粒子２１とが準備され、すなわち混合され、これらは一緒に上記の反射構造体を形成あるいは堆積するために上記の機能体上に塗布される。
この放射線を反射する粒子２１の基質材料２０における充填率または充填割合は５％〜５０％であってよい。好ましくはこの充填率は５％〜３０％である。これらの数値は体積％であっても、また質量あるいは重量％であってもよい。
放射線を反射する粒子２１は、以下の材料の少なくとも１つから成るかまたはこれらの材料の少なくとも１つを含んでいる。酸化チタン、たとえばＴｉＯ2、酸化アルミニウム、たとえばＡｌ2Ｏ3、酸化マグネシウム、たとえばＭｇＯ、ケイ酸マグネシウム、たとえばＭｇＯ3Ｓｉ、硫酸バリウム、たとえばＢａＳＯ4、酸化亜鉛、たとえばＺｎＯ、および酸化ジルコニウム、たとえばＺｒＯ2。基質材料２０は、好ましくは樹脂、たとえばエポキシ樹脂、またはガラスを含み、あるいはこれらの材料の１つから成っている。
好ましくはこの基質材料２０の中に顔料２２が配設されている。この顔料２２は、好ましくは、上記の電子デバイスの色がこの電子デバイスの周囲の色、たとえばシステムにおける色に合わせるように（下記参照）形成されている。
さらにこの顔料２２は、上記の電子デバイスを可視の電磁波スペクトルの任意の色に色付けする、すなわちこの電子デバイスの観察者にはこれに対応した色刺激を生起するように好適に構成されている。この顔料２２は、上述したように、この顔料２２が基質材料２０の中に配設されており、またこの放射線を反射する粒子２１がこの顔料に用いられてよい。たとえば基質材料２０の出発原料は、電子デバイス１００の製造の際に、顔料２２が設けられるかまたはこれと置換されてよく、ここでこの顔料は、この基質材料の出発原料の中に押し出されてよい。たとえば、場合によっては、システム、放射線を反射する部品（下記参照）、または他の部品と調和して、観察者または使用者に対し、この電子デバイス１００が色刺激として青色を生起するように、この顔料はコバルト（Ｃｏ）を含んでよい。代替として、他の色印象を実現するための他の顔料が選択されてよい。
図１Ｃは、電子デバイス１００の縁部領域、具体的には電極領域を拡大図で示す（右向きの矢印参照）。図１Ｃは、機能体１の端面すなわち電子バイス１００の端面を例示的に示す。図１Ｃを見ると、反射構造体２が、電極領域５の、外部電極３が内部電極４と電気的に導通して結合されているところで分断されていることが分る。この電極領域５を除き、反射構造体２は機能体１を、たとえば完全に覆ってよい。反射構造体２を分断するために、この反射構造体は、電子デバイスの製造工程において、たとえばエッチング処理によってエッチングされ、電極領域５の中に次の処理ステップにおいてさらなる電極材料が配設されてよい。
図１Ｄは、たとえば図１Ａ〜１Ｃ示されているように、電子デバイス１００の概略的な斜視図を示す。図示されているように、機能体１は、角型であり、たとえば直方体形状に構成されている。代替としてこの機能体は他の形状を有してよい。さらにこの反射構造体２は、機能体１（図１Ｄには顕わに図示せず）を、この機能体の外部電極３が配設されている端面を除く部分で、たとえば全ての４つの側面に渡って完全に覆いあるいは包囲し、こうして特に反射構造体２の反射特性およびこれによってもたらされる利点をこの電子デバイス１００の周囲に沿ったすべての側面で利用することができる。代替としてこの反射構造体２は、機能体１の周囲に沿って、好ましくは外部電極３および／または端面に渡って延在していない周囲に沿って、部分的にのみ、たとえばこの機能体１の個々の側面でのみ、この機能体１を包囲している（図１Ａの機能体１の上側および下側を参照）。
図２Ａは、電子デバイス１００の１つの代替の構成を示す。以上に説明した図とは対照的に、電子デバイス１００は、反射構造体２上の１つの外面に配設されている保護層６を備える。これに対応してこの保護層６は、好ましくは電子デバイス１００の外表面を画定する。たとえばこの保護層６は、機能体１を、反応性および／または腐食性の媒体に対して保護する。この媒体には、たとえば電子デバイス１００の製造の際に、この機能体が曝される。
上述の実施形態の代替としてまたは追加的に、保護層６は顔料を含んでよい。上記の基質材料と同様に（上記説明参照）、この保護層６には顔料２２が設けられてよく、あるいはこの保護層は顔料で置換されてよい。
さらにこの保護層６は、化学的気相堆積（ＣＶＤ、英語で“chemical-vapor-deposition”）によって、たとえばプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ、英語で“plasma-enhanced” CVD）によって製造されてよい。さらにこの保護層６は１０ｎｍ〜１μｍの層厚を有してよい。とりわけ好ましくは、この場合層厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍである。
図１Ａ，１Ｂ，および１Ｃとは対照的に、機能体１内部に配設されている電極はもはや全く示されていない。その代わりに１つの内部電極すなわち電極４が示されており、この電極は、反射構造体２と反対側の機能体１の側でこの反射構造体１の全幅に渡って延伸している。この電極４は、例示的に示されている２つのさらなる外部電極すなわち電極３と電気的に導通して結合されている。これらの電極３は、電極(複数）４の上記の機能体に向いていない側でこれらと電気的に導通して結合されている。この実施形態によれば、電子デバイス１００は、たとえば表面実装可能なおよび／または裏面実装すなわち「フリップチップ」実装（「フリップチップ」実装は、裏面実装（“Wende-Montage”）に対する英語表現である。）で形成あるいは構成されており、ここでたとえばこの電子デバイス１００は、電極３を介して回路基板または別の部品上にはんだ付けされており、すなわちこれによって別に電気的に導通して結合される。
代替としてまたは追加的に、この電子デバイス１００は、たとえば上記の電極３および４を介して、ＬＧＡシステムとして形成することができる。「ＬＧＡ」は、“land-grid-array”（“land”は「コンタクトエリア」（“Kontaktflaeche”）に対する英語表現であり、“grid”は「格子」（“Gitter”、“Raster”、または“Netz”）に対する英語表現であり、“array”は「アレイ」（“Feld”）に対する英語表現である。）の省略形である。ＬＧＡシステムでは、電子デバイスあるいは回路の接続端子は、その下面にコンタクトエリア（複数）のチェス板のような領域の形態（“grid array”）で実装されている。これはＢＧＡシステム（“ball grid array”）と類似しており、このＢＧＡシステムは、はんだ粒すなわちはんだボール（“ball”）を電気的接続に利用している。
図２Ｂには、反射構造体２が設けられている電子デバイス１００の縁部領域が拡大されて示されている。反射構造体２上、すなわち電子デバイス１００の１つの外面上に、保護層６が塗布されるかまたは配設されていることが分る。この保護層６は、好ましくは放射線に対し透明である。さらにこの保護層６は、好ましくは樹脂、またはガラスを含み、あるいはこれらの材料の１つから成っている。この保護層６は、図には顕わに示されていないが、上述の顔料２２を含んでよい。この実施形態によれば、反射構造体２は、さらにたとえば、全体が上記の放射線を反射する粒子２１に関連して示した材料（複数）の１つから成るかまたはこれらの材料の１つを含んでよい。図示されている矢印は、図１Ｂに示すものと同様に、外部からこの電子デバイス１００に当たる放射線の反射を意味しており、この放射線は反射構造体２によって反射される。
図２Ｃは、図２Ａとは対照的な、電子デバイスまたはその部分の実施形態を示し、ここで上記の機能体は、好ましくは半導体材料を含み、特に非セラミックの半導体材料を含む。図２Ａとは対照的に、ここでは機能体１には内部電極４が全く設けられていないが、これは非セラミックの機能体の場合には好適でないからである。
図３は、もう１つの実施形態における電子デバイス１００の概略の側面図または断面図を示す。上述した実施形態とは対照的に、電子デバイス１００は、機能体１と反射構造体との間に配設されたバリア層７を備える。このバリア層は、好ましくは珪酸鉛または硼珪酸から成っており、しかしながら追加的にまたは代替として他の材料から成っていてもよい。図２Ａおよび２Ｂに示すように、ここでは反射構造体上に保護層６が配設されている。これらはしかしながらこの実施形態によれば取り除くこともでき、これよりこの反射構造体が、この電子デバイス１００の外部表面（顕わに表示されていない）を画定している。
図２Ｂあるいは図３に示す実施形態によれば、反射構造体２および／またはバリア層７は、シルクスクリーン印刷法によって生成可能であり、または生成されている。
この反射構造体２は全体として５０μｍ未満の層厚を有してよい。好ましくは、この反射構造体は、１μｍ〜１０μｍの層厚を有する。とりわけ好ましくは、この反射構造体２は、２μｍ〜３μｍの層厚を有する。
好ましくは、上記の反射構造体２は、主に、外部から電子デバイス１００に当たる所定のスペクトル領域の電磁放射線に対し、上記の機能体１よりも大きな反射率および／または反射度を有する。この所定のスペクトル領域は、赤外光、可視光、および紫外光のスペクトル領域を含むか、または、好ましくは可視光のスペクトル領域に設定されてよい。
主に上記の反射構造体２は、好ましくはこの反射構造体が外部から電子デバイスに当たる所定のスペクトル領域の放射線に対し、Ｒ＞０．９の反射率および／または反射度を有するように形成されている。代替として、この反射構造体２は、好ましくはこの反射構造体が外部から電子デバイスに当たる所定のスペクトル領域の放射線に対し、Ｒ＞０．７またはたとえばＲ＞０．８の反射率および／または反射度を有するように形成されている。
図示しないもう１つの実施形態によれば、上記の電子デバイスの反射構造体は、１つの層配列を備え、たとえば複数の互いに重なって配設された単層を含む。この実施形態によれば、光学的干渉および／またはブラッグ反射によって、外部からこの電子デバイスに当たる電磁放射線の反射を、この反射構造体でスペクトル的または波長選択的に行なうことができる。このためこの反射構造体はこれに対応して好適に形成されている。具体的にはこの反射構造体の各々の層は、放射線に対し透明に構成されていてよい。隣接する層はまた、たとえばブラッグミラーにおけるような大きく異なる屈折率を有してよい。この観点から上記の層配列は、たとえば２つの異なる材料が交互に重なって配設されているか、または塗布されているものから成っていてよい。この実施形態によれば、上述の層配列の層（複数）は、また、上記の放射線を放出する粒子に関連して示した材料で、好ましくはＴｉＯ２を除くものから、少なくとも部分的に成っていてよく、そしてスパッタリングまたは陰極スパッタリング（“sputtern”）によって堆積されてよい。
図４は、システム２００の概略図を示す。このシステム２００は、放射線を放出する部品５０を備える。さらにこのシステム２００は、上記の図を参照して示された実施形態の少なくとも１つによる電子デバイス１００を備える。
好ましくはこのシステム２００は、反射構造体２が、放射線を放出する部品５０から放出される所定のスペクトル領域の電磁放射線を反射するように構成されている。このためこの電子デバイスは、好ましくは、上述の部品と光学的な相互作用が可能であるように、この放射線を放出する部品５０に対して相対的に配設されている。具体的にはこの電子デバイス１００は、この放射線を放出する部品５０の照射領域または放射線の進路に配設されていてよい。さらに、この反射構造体２（上記参照）は、好ましくはこの反射構造体の電気的、光学的、および／または機械的特性が、上記の放射線を放出するデバイスの寿命に渡ってずっと安定しているように選択される。具体的にはこの際好ましくは、この放射線を放出するデバイス１００またはシステム２００の、２００００時間を超える動作期間に渡って、上述の特性が安定している。
本発明は上記の実施形態例を参照した説明によって限定されない。むしろ本発明は、特に請求項中の特徴の組み合わせそれぞれが含むいかなる新規な特徴、並びにいかなる新規な特徴の組み合わせをも、たとえその特徴またはその組み合わせがそれ自体として請求項または実施例に明示されていなくとも、含むものである。
１ ： 機能体
２ ： 反射構造体
３ ： 外部電極
４ ： 内部電極
５ ： 電極領域
６ ： 保護層
７ ： バリア層
２０ ： 基質材料
２１ ： 放射線を反射する粒子
２２ ： 顔料
５０ ： 放射線を放出する部品
１００ ： 電子デバイス
２００ ： システム

Claims (18)

  1. 反射構造体（２）が設けられている機能体（１）を有する電子デバイス（１００）であって、
    前記反射構造体（２）は、前記電子デバイス（１００）に当たる外部からの放射線を前記機能体（１）から離れるように反射するように配設および形成されており、
    前記電子デバイス（１００）は、前記反射構造体（２）上に配設されている保護層（６）を備え、
    前記保護層（６）が顔料（２２）を含み、当該顔料は、前記電子デバイス（１００）の色が、前記電子デバイス（２００）が設けられている１つのシステム（２００）における前記電子デバイス（１００）の周囲の色に合わせるように形成されている、
    ことを特徴とする電子デバイス。
  2. 前記反射構造体（２）の外側表面の材料は電気絶縁性であることを特徴とする、請求項１に記載の電子デバイス。
  3. 前記機能体（１）は、機能素子としてセラミックを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
  4. 前記機能体（１）は、機能素子として非セラミックの半導体材料を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
  5. 前記反射構造体（２）は、１μｍ〜１０μｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  6. 前記反射構造体（２）は、外部から前記電子デバイス（１００）に当たる所定のスペクトル領域の電磁放射線に対し、上記の機能体（１）よりも大きな反射率または反射度を有し、当該所定のスペクトル領域は、可視光のスペクトル領域を含むか、または、可視光のスペクトル領域から成ることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  7. 前記反射構造体（２）は、前記反射構造体が外部から前記電子デバイス（１００）に当たる放射線に対し、Ｒ＞０．９の反射率または反射度を有するように形成されていることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  8. 前記電子デバイスは、前記機能体（１）の内部に配設されている、電気的に互いに絶縁された複数の内部電極（４）と、前記機能体（１）の外部に配設されている、複数の外部電極（３）とを備え、
    ２つの外部電極（３）は、電気的に互いに絶縁されており、かつ互いに絶縁された異なる内部電極（４）と電気的に導通して結合されている、
    ことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  9. 前記反射構造体（２）は、少なくとも部分的に前記複数の外部電極（３）と前記の機能体（１）との間に配設されており、かつ前記複数の外部電極（３）が前記複数の内部電極（４）と電気的に導通して結合されている電極領域（５）において分断されていることを特徴とする、請求項８に記載の電子デバイス。
  10. 前記反射構造体（２）は、当該反射構造体（２）の基質材料（２０）中に配設されている、放射線を反射する複数の粒子（２１）を含むことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  11. 前記保護層（６）は、ガラスまたはエポキシ樹脂から成っているか、またはこれらの材料の１つを含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  12. 前記保護層（６）は１０ｎｍ〜１μｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１１に記載の電子デバイス。
  13. 前記電子デバイス（１００）は、前記機能体と前記反射構造体（２）との間に配設されているバリア層（７）を備えることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  14. 前記反射構造体（２）は、前記機能体（１）の周囲に沿って前記機能体（１）を部分的にのみ包囲していることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  15. 前記反射構造体（２）は、前記機能体（１）の周囲に沿って前記機能体（１）を完全に包囲していることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  16. 前記電子デバイスは、バリスタ、コンデンサ、ＰＴＣデバイス、ＮＴＣデバイス、圧電デバイス、フェライトを含むデバイス、または半導体デバイスであることを特徴とする、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  17. 前記電子デバイスは表面実装可能に、および／または裏面実装すなわちフリップチップ実装で形成されていることを特徴とする、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の電子デバイス。
  18. 放射線を放出する部品（５０）と、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の電子デバイス（１００）とを有するシステム（２００）であって、前記システム（２００）は、前記反射構造体（２）が、前記放射線を放出する部品（５０）から放出された放射線を反射するように構成されていることを特徴とするシステム。
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