JP2018518059A - 発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法 - Google Patents
発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018518059A JP2018518059A JP2017565094A JP2017565094A JP2018518059A JP 2018518059 A JP2018518059 A JP 2018518059A JP 2017565094 A JP2017565094 A JP 2017565094A JP 2017565094 A JP2017565094 A JP 2017565094A JP 2018518059 A JP2018518059 A JP 2018518059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- emitting diode
- light emitting
- substrate
- cover body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
本発明によれば、様々な実施例で発光ダイオード装置(10)が提供される。この発光ダイオード装置(10)は、基板(12)と、該基板(12)上に配置された第1のLED(20)と、当該基板(12)上で第1のLED(20)の横に隣接して配置された第2のLED(22)とを備えている。発光ダイオード装置(10)の少なくとも1つのカバー体(24)は、第1のLED(20)を覆っている。発光ダイオード装置(10)の少なくとも1つのダム(26)は、基板(12)上に配置され、第1のLED(20)および第2のLED(22)を横方向で取り囲んでいる。第1の注封材料(28)は第2のLED(22)を覆い、横方向でダム(26)およびカバー体(24)によって画定されている。この場合カバー体(24)および/または第1の注封材料(28)は、電磁ビームを変換する第1の変換材料を有している。
Description
本発明は、発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法に関する。
従来の発光ダイオード装置では、複数のLEDが基板上に配置され、当該基板上に形成された複数の電線と電気的に接続されている。これらのLEDは、電気的に並列にかつ/または電気的に直列に接続されていてもよい。例えば複数のLEDのうちの一方のグループのLEDが電気的に直列に接続され、複数のLEDのうちの他方のグループのLEDも電気的に直列に接続され、さらにこの2つのグループが電気的に並列に接続されていてもよい。これらのLEDは同じ構造かまたは異なった構造で形成されていてもよい。例えば複数のLEDのうちの一方のグループは、典型的にはそれらの上面に電気的コンタクトを有しかつそれらの下面にも電気的コンタクトを有する面発光型発光ダイオードを有し、複数のLEDのうちの他方のグループは、典型的にはそれらの上面に2つの電気的コンタクトを有するボリューム発光型ダイオードを有することができる。さらに複数のLEDのうちの一方のグループは青色光を発光する発光ダイオードを有し、複数のLEDのうちの他方のグループは赤色光を発光する発光ダイオードを有することができる。これらのLEDは、例えば複数の電線が当該LEDとの電気的な接触接続のために表面に形成されているセラミック基体を有する基板上に形成されていてもよい。
本発明の1つの課題は、簡単および/または安価に製造可能であり、特に効率的で、特に長寿命でかつ/または特にコンパクトである発光ダイオード装置を提供することである。
本発明の1つの課題は、簡単および/または安価に実施可能であり、かつ/または発光ダイオード装置が特に効率的で、特に長寿命でかつ/または特にコンパクトであるということに寄与する、発光ダイオード装置を製造するための方法を提供することである。
1つの課題は、本発明の一態様によれば、基板と、基板上に配置された第1のLEDと、基板上で第1のLEDの横に隣接して配置された第2のLEDと、第1のLEDを覆う少なくとも1つのカバー体と、基板上に配置され、横方向で第1のLEDおよび第2のLEDを取り囲む少なくとも1つのダムと、第2のLEDを覆い、横方向でダムおよびカバー体によって画定された第1の注封材料とを備え、この場合カバー体および/または第1の注封材料は、電磁ビームを変換する第1の変換材料を有している、発光ダイオード装置によって解決される。
第1のLEDの上方、特にその上に配置されるカバー体は、第1のLEDを外部の力作用から、例えば衝撃作用および/またはひっかき作用から保護し、さらに発光ダイオード装置の製造中に第1の注封材料が第1のLEDの上方に流れることを阻止するために用いることができる。それにより、カバー体およびダムは、発光ダイオード装置の製造中に第1の注封材料の充填に続いて第1の注封材料が配置される空洞の横の境界を形成する。これによりカバー体は、一方では第1のLEDを保護し、他方では第1の注封材料の横の境界として用いられるという二重の機能を有する。1つ、2つ、3つまたはそれ以上のカバー体が配置されていてもよく、それらはそれぞれ第1のLEDのいくつかを覆い、保護する。1つ以上のカバー体は、例えばプラスチックおよび/またはシリコーンを有するか、またはそれらから形成されていてもよい。発光ダイオード装置は、色設定可能および/またはCCT調整可能である。
電磁ビームは、第1のLEDおよび/または第2のLEDによって発光される。電磁ビームの少なくとも一部は、変換材料を用いて変換される。特にこの変換材料は、特定の波長を有するかまたは特定の波長領域にある電磁ビームの一部を吸収し、他の波長を有するかまたは他の波長領域にある電磁ビームを発光する。電磁ビームは、例えば可視波長領域の光であってもよい。例えば電磁ビームは、赤色光、緑色光または青色光であってもよい。変換された電磁ビームは、例えば赤色光または白色光であってもよい。
カバー体の垂直高さおよび/またはダムの垂直高さは、それぞれ基板の表面から測定される、第1の注封材料によって形成される層の厚さより高くてもよい。第1のLEDは、例えば1つのラインに沿って配置されてもよい。その他に、第1のLEDの2つ以上のこのようなラインは互いに平行に、または交差するラインに沿って配置されてもよい。これらのラインのうちの1つにおける第1のLEDは、例えば電気的に直列に接続されてもよい。第2のLEDは、例えば1つのラインに沿って配置されてもよい。その他に、第2のLEDの2つ以上のこのようなラインは互いに平行に、または交差するラインに沿って配置されてもよい。これらのラインのうちの1つにおける第2のLEDは、例えば電気的に直列に接続されてもよい。LEDのこれらのラインは、電気的に並列接続されてもよいし、電気的に直列接続されてもよい。
一発展形態では、カバー体は、第1のLEDによって発光される電磁ビームの光路に作用するビーム整形素子として、特に光学レンズとして形成されている。換言すれば、カバー体は、第1のLEDのための保護として、および第1の注封材料とのための境界としてだけでなく、第1のLEDによって発光される電磁ビームの1つ以上の光路のビーム整形のためにも役立つ。付加的に、ビーム整形素子としてのカバー体を用いることにより、発光ダイオード装置の、特に第1のLEDの効率を高めることができる。なぜなら、第1のLEDによって生成され有用光として発光ダイオード装置から出射する電磁ビームの成分を、相応のビーム整形素子を持たない発光ダイオード装置に比べて高めることができるからである。特にこのビーム整形素子は、第1のLEDによって生成された電磁ビームの内部全反射を低減することができ、そのため特に多くの電磁ビーム成分を、発光ダイオード装置から出射させることができる。このことは、第1のLEDが赤色光を発光する場合に特に有利である。なぜなら赤色光では、全反射に対する臨界角が特に小さいからである。
それにより、カバー体は、第1のLEDの保護、第1の注封材料に対する境界、第1のLEDによって発光された電磁ビームのビーム整形および発光ダイオード装置の効率向上の4つの機能を有する。このことには、これらの機能に備わる利点の他に、基板上での所要スペースが特に少なくなるという付加的利点も備わってくる。なぜなら個々の機能のために、個別のカバー体を配置する必要はなく、これらの全機能がカバー体によって引き受けられるからである。
一発展形態では、カバー体が透明に形成され、第1の注封材料は第1の変換材料を有する。それにより、第1のLEDによって生成された電磁ビームは、波長変換なしでカバー体から出射する。それとは対照的に第2のLEDによって生成された電磁ビームは、それらの波長スペクトルに関して少なくとも部分的に変換される。例えば第2のLEDによって生成された電磁ビームの一部が変換され、第2のLEDによって生成された電磁ビームの未変換部分と混合され得る。これにより、第2のLEDによって生成された電磁ビームの波長スペクトルと、変換された電磁ビームの波長スペクトルとからなる波長スペクトルを有する混合光が生成される。第2のLEDによって生成された電磁ビームおよび/または変換された電磁ビームは、第1のLEDによって発光された電磁ビームと混合することができる。これにより、個々の波長スペクトルからなる波長スペクトルを有する電磁ビームも生成することができる。例えば発光ダイオード装置が白色光を発光するように電磁ビームを生成し、波長スペクトルを混合することができる。
第1の注封材料のみが変換材料を有することに対しては代替的に、カバー体のみが変換材料を有し、第1の注封材料は透明であってもよい。それに対して代替的に、カバー体および第1の注封材料が変換材料を有することもできる。後者の場合、カバー体および第1の注封材料は、同じかまたは異なる変換材料を有することができる。
一発展形態では、第1のLEDは、赤色可視光、特に赤色光の波長領域の電磁ビームを発光し、第2のLEDは、青色可視光、特に青色光の波長領域の電磁ビームを発光する。このことは、発光ダイオード装置を用いて白色光を生成することに寄与し得る。この場合青色光はこの目的のために完全にまたは部分的に例えばミント色光または黄色光に変換することができる。
一発展形態では、第1のLEDは、面発光型発光ダイオードであり、第2のLEDは、ボリューム発光型発光ダイオードである。例えば第1のLEDは、赤色光を生成する面発光型の発光ダイオードであってもよく、第2のLEDは、青色光を生成するボリューム発光型の発光ダイオードであってもよい。このことは、第1のLED、特に赤色光を発光する発光ダイオードが容易に製造可能であることに寄与し得る。
一発展形態では、基板は、高反射面を有しかつ第1のLEDおよび第2のLEDが配置されたセラミック体と、該セラミック体上に形成されかつ第1のLEDおよび第2のLEDと電気的に結合された電線とを含む。このことは、セラミック体の高反射面を、第1のLEDおよび第2のLEDのための収容面として使用できることを可能にさせる。
一発展形態では、基板は、第1のLEDが配置されたメタルコア基板と、メタルコア基板上に配置されかつメタルコア基板とは反対側の面が高反射性でかつ第2のLEDが配置されたメタルテンプレートとを含み、さらにメタルテンプレートは、第1のLEDが配置されかつカバー体が貫通して突出する凹部を含む。このことは、第1のLEDをメタルコア基板上に配置することを可能にさせ、それにより第1のLEDからの特に良好な熱伝導放出が可能となり、さらに第2のLEDをメタルテンプレートの高反射面上に配置することを可能にさせ、それにより第2のLEDからの光出力が特に良好となる。このことは、特に第1のLEDが赤色光を発光する発光ダイオードである場合に有利となる。なぜなら、この発光ダイオードは典型的には、温度の上昇に伴ってその効率が大きく低下することに基づき特に温度に敏感だからであり、さらにメタルコア基板を介した良好な熱結合によって、第1のLEDの効率、ひいては発光ダイオード装置の効率が特に高くなり得るからである。その他にこのことは、第2のLEDがボリューム発光型LEDである場合に特に有利となる。なぜならその光出力がメタルテンプレートの高反射面と相互作用して特に良好になるからである。その他に、第1のLEDは、自身が面発光型発光ダイオードである場合には、直接メタルコア基板上に配置することができ、それと例えば半田付けを用いて電気的に接続させることができる。
メタルテンプレートの厚さは、カバー体の垂直高さよりも小さく、例えば著しく小さい。メタルテンプレートおよび/またはセラミック体の表面が高反射性であるということは、例えば、高反射表面の反射率が例えば90%〜98%、例えば92%〜96%、例えば94%〜95%の範囲にあることを意味する。
一発展形態では、発光ダイオード装置は、基板上で第1のLEDおよび第2のLEDの横に隣接して配置された第3のLEDを備えている。これらの第3のLEDは、第1のLEDを用いて生成された電磁ビームの波長スペクトルにも、第2のLEDを用いて生成された電磁ビームの波長スペクトルにも相応しない波長スペクトルを有する光を生成するために用いることができる。代替的または付加的に、第3のLEDの電磁ビームは、第2の変換材料を用いて次のように変換することができる。すなわち、変換された電磁ビームの波長スペクトルが、第1のLEDを用いて生成された電磁ビームの波長スペクトルにも、第2のLEDを用いて生成された電磁ビームの波長スペクトルにも、第1の変換材料を用いて生成された電磁ビームの波長スペクトルにも相応しないように変換することができる。
一発展形態では、第3のLEDは、第1のLEDまたは第2のLEDと同じ構造で形成される。
一発展形態では、電磁ビームを変換するための第2の変換材料を有する第2の注封材料が第3のLEDを覆う。例えば第2のLEDと第3のLEDとは同じ構造で形成されてもよいし、第1のLEDは第1の変換材料を有する第1の注封材料で覆われ、第2のLEDは第2の変換材料を有する第2の注封材料で覆われてもよい。このことは、第2のLEDおよび第3のLEDを用いて、それらが同じ構造であるにもかかわらず、異なる波長スペクトルを有する光を生成することを可能にさせる。
一発展形態では、発光ダイオード装置は、第1のLED、第2のLEDおよび/または第3のLEDの間の基板上で横に配置されかつ横方向で第1の注封材料および/または第2の注封材料を画定する少なくとも1つの中間ダムを備える。この中間ダムは、明示的にいかなるLEDも覆わず、ひいてはビーム整形素子としても用いられず、保護機能も持たないが、それ以外ではカバー体のように作用するダミーのカバー体として理解することができる。特に中間ダムは、第1の注封材料および/または第2の注封材料のための境界として用いられる。その他にこの中間ダムは、その形態に関して任意にカバー体に相応し得る。基板から測定される中間ダムの垂直高さは、第1の注封材料および/または第2の注封材料の高さより高くてもよい。
1つの課題は、本発明の一態様によれば、発光ダイオード装置を製造するための方法によって解決される。この方法では、基板を準備し、基板上に第1のLEDを配置し、基板上で第1のLEDの横に隣接して第2のLEDを配置し、第1のLEDの上方で当該第1のLEDを覆うように少なくとも1つのカバー体を形成して配置し、基板上で第1のLEDおよび第2のLEDを横方向で取り囲むように少なくとも1つのダムを配置し、第2のLEDの上方でカバー体とダムとの間に、横方向で当該ダムおよび当該カバー体によって画定されるように液状状態で第1の注封材料を注ぎ、ここでカバー体および/または第1の注封材料は、電磁ビームを変換するための第1の変換材料を有しており、第1の注封材料を乾燥および/または硬化させる。
カバー体およびダムは、第1の注封材料および第1の注封材料が充填可能な空洞のための横の境界を形成する。カバー体およびダムは、液状状態の第1の注封材料が、第1の注封材料のために意図された場所に、特に第2のLEDの上方に残留するように作用し、妨げられることなく基板上へ流れることがないようにしている。
一発展形態では、カバー体は、第1のLEDによって発光された電磁ビームの光路に作用するビーム整形素子として、特に光学レンズとして形成される。
一発展形態では、第1のLEDがメタルコア基板上に配置される。カバー体は、第1のLEDの上方に配置される。メタルコア基板とは反対側の面が高反射性でありかつ凹部を有しているメタルテンプレートは、第1のLEDが当該凹部内に配置されかつカバー体が当該凹部を貫通して突出するように形成されてメタルコア基板上に配置される。第2のLEDは、メタルテンプレートの高反射面に配置される。このメタルコア基板とメタルテンプレートとが基板を形成している。
一発展形態では、第3のLEDは、基板上で第1のLEDおよび第2のLEDの横に隣接して配置される。電磁ビームを変換するための第2の変換材料を有する第2の注封材料は、液状状態で第3のLEDを覆うように当該第3のLED上に注がれる。この第2の注封材料は、乾燥および/または硬化される。
一発展形態では、中間ダムは、横方向で第1の注封材料および/または第2の注封材料を画定するように、第1のLED、第2のLEDおよび/または第3のLEDの間の基板上で横に形成される。
本発明の実施例は図面に示されており、以下でより詳細に説明される。
以下の詳細な説明では、本明細書の一部を形成しかつ例証のために本発明を実施することができる特定の実施例を示す添付の図面が参照される。これらの実施例のコンポーネントは、多数の異なる配向で位置決めできるため、方向性に係る用語は例証のために用いられ、いかなる限定も意味するものではない。そのためここでは本発明の権利範囲から逸脱することなく、他の実施例を利用して構造的または論理的変更を行うことが可能なことを理解されたい。また本明細書に記載される様々な実施例の特徴は、特に断りがない限り、相互に組み合わせることが可能なことを理解されたい。それゆえ以下の詳細な説明は、限定の意味でとらえられるべきではなく、本発明の権利範囲は、添付の特許請求の範囲によって特定される。図面において、同一または類似の要素には、それが合目的的である限り、同じ参照番号が付される。
発光ダイオード装置は、2つ、3つまたはそれ以上の発光ダイオード(light emitting diode;LED)を有することができる。任意選択的に、発光ダイオード装置は、1つ、2つまたはそれ以上の電子素子を有することもできる。電子素子は、例えば能動素子および/または受動素子を有することができる。能動的電子素子は、例えば計算ユニット、開ループ制御ユニットおよび/または閉ループ制御ユニットおよび/またはトランジスタを有することができる。受動的電子素子は、例えばコンデンサ、抵抗器、ダイオードまたはコイルを含むことができる。
LEDは、電磁ビームを発光する素子である。この電磁ビームは、例えば可視範囲の光、UV光および/または赤外線であってもよい。
図1は、発光ダイオード装置10の一実施例の透視図を示す。発光ダイオード装置10は、基板12を有する。この基板12は、基体、特にメタルコア基板14と、当該基体上の特にメタルテンプレート16によって形成されている層とを有する。基板12上には第1のLED20が配置されている。第1のLED20の横に隣接して、第2のLED22が基板12上に配置されている。第1のLED20の上方にはカバー体24が配置されており、このカバー体24は第1のLED20を覆って保護している。第2のLED22の上方には第1の注封材料28が形成されており、この第1の注封材料28は第2のLED22を覆っている。基板12上にはダム26が設けられており、このダム26は、第1のLED20、第2のLED22およびカバー体24の周囲に延在し、かつ当該第1のLED20、第2のLED22およびカバー体24を横方向で取り囲んでいる。第1の注封材料28は、横方向でカバー体24およびダム26によって画定されている。第1の注封材料28は、図1では透明であり、そのため見えないように示されている。第1の注封材料28は図12に示されており、特に図12に関連してより詳細に説明される。
第1のLED20は、メタルコア基板14上に、特に直接メタルコア基板14上に配置される。第1のLED20は、相互に平行な3つの直線に沿って配置されている。それに対して代替的に、第1のLED20は、多かれ少なかれ直線に沿って配置されてもよく、かつ/または第1のLED20は、直線ではないライン、例えば弓形ライン、円形ラインまたは角度を付けられたラインに沿って配置されてもよい。
第1のLED20は、面発光型発光ダイオードである。第1のLED20は赤色光を発光する発光ダイオードである。その他に第1のLED20は、薄膜チップを有している。それに対して代替的に、第1のLED20は、ボリューム発光型発光ダイオードであってもよいし、かつ/または赤色光とは異なる光、例えば青色光を発光する発光ダイオードであってもよいし、かつ/またはサファイアチップを有していてもよい。
第2のLED22は、メタルテンプレート16上に、特に直接メタルテンプレート16上に配置される。第2のLED22は、相互に平行な直線に沿って配置されている。それに対して代替的に、第2のLED22は、多かれ少なかれ直線に沿って配置されてもよいし、かつ/または第2のLED22は、直線ではないライン、例えば弓形ライン、円形ラインまたは角度を付けられたラインに沿って配置されてもよい。
第2のLED22は、ボリューム発光型発光ダイオードある。この第2のLED22は、青色光を発光する発光ダイオードである。その他に第2のLED22は、サファイアチップを有する。それに対して代替的に、第2のLED22は、面発光型発光ダイオードであってもよいし、かつ/または青色光とは別の光、例えば赤色光を発光する発光ダイオードであってもよいし、かつ/または薄膜チップを有するものであってもよい。
メタルコア基板14は、例えばアルミニウムまたは銅からなるメタルコアと、該メタルコア上に被着された誘電体層と、該誘電体層上に被着された例えば銅からなる導電層とを有している。メタルコアに基づいてメタルコア基板14は、特に良好な熱伝導率を有する。導電層は、第1のLED20の電気的な接触接続のために用いられる。ここでは当該導電層によって、図示されていない複数の電線が形成されていてもよい。
メタルテンプレート16は、例えば高反射層でコーティングされた支持体を有することができる。任意選択的に、高反射層は透明保護層でコーティングされていてもよい。
例えばメタルテンプレート16は、アルミニウム支持体を有し、このアルミニウム支持体は、保護用に透明な誘電体でコーティングされた高反射銀層でコーティングされている。さらにメタルテンプレート16は、図示されていない複数の導体線路を有することができ、これらの導体線路は、例えば透明な誘電体上に形成されていてもよい。これらの導体線路は、第2のLED22の電気的な接触接続のために用いることができる。
カバー体24は、直接第1のLED20上に、そして直接基板12上に、特に直接メタルコア基板14上に配置される。少なくとも第1の注封材料28に隣接するカバー体24は、基板12の表面から測定される、第1の注封材料28よりも高い高さを有する。カバー体24の第1のLED20とは反対側は、当該第1のLED20によって生成された電磁ビームの光路をビーム整形するために光学レンズの形態を有している。そのためカバー体24は、ビーム整形素子として形成される。それに対して代替的に、カバー体24の第1のLED20とは反対側は、当該第1のLED20によって生成された電磁ビームの光路をビーム整形するための光学レンズの形態を有するのではなく、例えばフラットにもしくはプレート状に形成されていてもよい。カバー体24は、透明もしくは少なくとも半透明に形成される。これは、カバー体が少なくとも実質的に透明であるかまたは第1のLED20によって生成された電磁ビームを散乱させるための散乱素子を有していることを意味する。カバー体24は、シリコーン、例えばHRI(High Refractive Index;高屈折率)シリコーンもしくはガラスを有するかまたはそれらから形成されてもよい。
ダム26は、プラスチックを含むかまたはプラスチックから形成される。例えばダム26は、シリコーンを含むかまたはシリコーンから形成される。その他にダム26は、高反射性材料、例えば二酸化チタンを有する。高反射性材料は、例えばダム26内に埋め込まれていてもよい。少なくとも第1の注封材料28に隣接するダム26は、基板12の表面から測定される、第1の注封材料28の高さよりも高い高さを有する。
任意選択的に、発光ダイオード装置10は、LED20,22を動作させるためのドライバ回路を有することができる。それに対して代替的に、発光ダイオード装置10は、LED20,22を動作させるためのドライバ回路と電気的に接続されていてもよい。
図2は、図1による発光ダイオード装置10の透視断面図を示す。
図3は、図1による発光ダイオード装置10のその製造中の一状態の透視図を示す。特に図3は、メタルコア基板14を示し、その上には既に第1のLED20と、当該第1のLED20上方のカバー体24とが配置されている。第1のLED20は、メタルコア基板14に固定され、このメタルコア基板14の電線と電気的に接続される。例えば第1のLED20は、はんだ接合を用いてメタルコア基板14と機械的および/または電気的に接続されている。同一のカバー体24の下方に配置された第1のLED20は、電気的に直列に接続されている。複数のカバー体24のうちの1つのカバー体24の下方に配置された第1のLED20は、複数のカバー体24のうちの別のカバー体24の下方に配置された第1のLED20と電気的に並列に接続されている。それに対して代替的に、同一のカバー体24の下方に配置された第1のLED20が電気的に並列に接続されていてもよいし、かつ/または複数のカバー体24のうちの1つのカバー体24の下方に配置された第1のLED20が、複数のカバー体24のうちの別のカバー体24の下方に配置された第1のLED20と電気的に直列に接続されていてもよい。
図4は、図3による発光ダイオード装置の透視断面図を示す。
図5は、メタルテンプレート16の透視図を示す。このメタルテンプレート16は、複数の、特に3つの平行なライン状の凹部30を有している。それに対して代替的に、メタルテンプレート16は、カバー体24の形態および数に応じて、多かれ少なかれ、かつ/または異なる形状の、かつ/または異なる配置の凹部を有することができる。
図6は、図1による発光ダイオード装置10のその製造中の一状態の透視図を示す。特に図6は、図3および図4において示された状態の後の発光ダイオード装置10の一状態を示している。特に図5に示されたメタルテンプレート16は、第1のLED20が凹部30内に配置され、カバー体24がこれらの凹部30を貫通して延在するように、メタルコア基板14上に配置される。メタルコア基板14の表面から測定される、カバー体24の高さは、メタルテンプレート16の厚さよりも高い。
図7は、図6による発光ダイオード装置10の透視断面図を示す。
図8は、図1による発光ダイオード装置10のその製造中の一状態の透視図を示す。特に図8は、図6および図7において示された状態の後の発光ダイオード装置10の一状態を示している。特に第2のLED22は、メタルテンプレート16上に配置される。第2のLED22は、メタルテンプレート16に機械的に固定され、例えばチップトゥチップ接合を用いてLED22からLED22に電気的に相互に接続される。第2のLED22は、例えば接着材料を用いてメタルテンプレート16と機械的に接続される。第2のLED22は、相互に平行なラインに沿って配置される。第2のLED22は、複数のラインのうちの1つに沿って電気的に直列に接続される。複数のラインのうちの1つに沿った第2のLED22は、複数のラインのうちの別のラインに沿った第2のLED22に対して電気的に並列に接続される。それに対して代替的に、第2のLED22は、複数のラインのうちの1つに沿って電気的に並列に接続されてもよいし、かつ/または複数のラインのうちの1つに沿った第2のLED22は、複数のラインのうちの別のラインに沿った第2のLED22に対して電気的に直列に接続されていてもよい。
図9は、図8による発光ダイオード装置10の透視断面図を示す。
図10は、図1による発光ダイオード装置10のその製造中の一状態の透視図を示す。特に図10は、図8および図9において示された状態の後の発光ダイオード装置10の一状態を示している。特にダム26は、基板12上に形成されている。このダム26は、メタルテンプレート16上またはメタルコア基板14上に形成されていてもよい。ダム26およびカバー体24は、図11において下方に向かってメタルテンプレート16によって画定されかつ上方に向かって開口する空洞の横の境界を形成する。この空洞は、液状状態の第1の注封材料28を充填するのに適しており、ここでは第1の注封材料28の充填高さは、当該第1の注封材料28が第1のダム26および/またはカバー体24を越えて流れることができないように選択される。
図11は、図10による発光ダイオード装置10の透視断面図を示す。
図12は、図1による発光ダイオード装置10のその製造中の一状態の断面図を示す。特に図12は、図10および図11において示された状態の後の発光ダイオード装置10の一状態を示している。特に第1の注封材料28は、第2のLED22上に、特に直接第2のLED22上に形成される。第1の注封材料28が充填された後では、第1の注封材料28は例えば熱作用のもとでかつ/または乾燥室もしくは乾燥炉において、乾燥および/または硬化される。カバー体24は、第1の高さH1を有する。ダム26は、第2の高さH2を有する。第1の注封材料28は、第3の高さH3を有する。これらの高さH1,H2,H3は、それぞれ基板12の表面から、特にメタルテンプレート16の表面から測定される。注封材料28の第3の高さH3は、カバー体24の第1の高さH1よりも低くかつ/またはダム26の第2の高さH2よりも低い。
第1の注封材料28は、第1の変換材料を有する。例えば第1の変換材料は、第1の注封材料28の支持体材料内に埋め込まれている。第1の変換材料は、変換粒子34を有することができる。代替的に、第1の注封材料28は、第1の変換材料によって形成されていてもよい。第1の変換材料は、電磁ビームのその波長に関して変換するのに適している。特に第1の変換材料は、第2のLED22によって生成された電磁ビームを変換する。例えば第2のLED22は青色光を発光し、第1の変換材料は青色光の少なくとも一部を吸収して黄色光またはミント色光を発光する。これにより、白色光を生成することができる。それに対して代替的に、青色光は、第1の変換材料によって黄色光に変換され、第2の変換材料を用いて青白色光に変換することができる。これにより設定可能もしくは調整可能な白色光を生成することができる。
それに対して代替的に、カバー体24は、第1の変換材料または第2の変換材料を有することができ、かつ/または第2の注封材料は、変換材料を有さないことが可能である。場合によっては、第2の変換材料は、第1の変換材料とは異なる。例えば励起された第2の変換材料は、第1の変換材料とは異なる波長の光を発光することができ、かつ/または第2の変換材料は、第1の変換材料とは異なる波長の光を用いて励起可能である。さらに複数のカバー体24のうちの1つの横に隣接して、対応するカバー体24の第1の側に、第1の変換材料が配置され、対応するカバー体24の、第1の側とは反対側の第2の側に、第2の注封材料が配置されていてもよい。それにより、例えば図12において示された実施例において、4つの異なる注封材料が、それぞれカバー体24によって相互に分離されて配置され得る。
図13は、先に説明した発光ダイオード装置10のうちの1つに十分に相応し得る発光ダイオード装置10の実施例の断面図を示す。この発光ダイオード装置10は、カバー体24が存在せずかつ例えばカバー体24のうちの1つに平行に延びる切断線に沿って示されている。この発光ダイオード装置10は、少なくとも1つの中間ダム36、例えば3つの中間ダム36を有する。これらの中間ダムは、第1のLED20の上方に配置されていなければ、保護機能を持たず、ビーム整形機能も持たない。中間ダム36は、異なる注封材料の画定のためにだけ用いられ、この場合異なる注封材料は、例えば異なる変換材料に応じて有することができる。それに対して代替的に、2つかまたは3つ以上の中間ダム36を配置することもできる。
図14は、発光ダイオード装置10の一実施例の透視図を示す。この発光ダイオード装置10および該発光ダイオード装置10を製造するための方法は、先に説明した発光ダイオード装置10もしくは該発光ダイオード装置10を製造するための方法に十分に対応し得るものである。ここでは、基板12は、メタルコア基板14およびメタルテンプレート16の代わりに、少なくとも1つの高反射面を有するセラミック体32を有する。第1のLED20および第2のLED22は、直接このセラミック体32に配置され、かつ/または図示されていないが当該セラミック体32に直接形成される電気的導体線路に配置され、当該電気的導体線路と電気的に接続される。ダム26およびカバー体24は、液状状態の第1の注封材料28を充填するための空洞も形成する。
Claims (16)
- 発光ダイオード装置(10)であって、
基板(12)と、
前記基板(12)上に配置された第1のLED(20)と、
前記基板(12)上で前記第1のLED(20)の横に隣接して配置された第2のLED(22)と、
前記第1のLED(20)を覆う少なくとも1つのカバー体(24)と、
前記基板(12)上に配置され、横方向で前記第1のLED(20)および前記第2のLED(22)を取り囲む少なくとも1つのダム(26)と、
前記第2のLED(22)を覆い、横方向で前記ダム(26)および前記カバー体(24)によって画定された第1の注封材料(28)とを備え、
前記カバー体(24)および/または前記第1の注封材料(28)は、電磁ビームを変換するための第1の変換材料を有している、発光ダイオード装置(10)。 - 前記カバー体(24)は、前記第1のLED(20)によって発光された電磁ビームの光路に作用するビーム整形素子として、特に光学レンズとして形成されている、請求項1記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記カバー体(24)は、透明に形成され、前記第1の注封材料(28)は、前記第1の変換材料を有する、請求項1または2記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記第1のLED(20)は、赤色可視光の波長領域の電磁ビームを発光し、前記第2のLED(22)は、青色可視光の波長領域の電磁ビームを発光する、請求項1から3までのいずれか1項記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記第1のLED(20)は、面発光型発光ダイオードであり、前記第2のLED(22)はボリューム発光型発光ダイオードである、請求項1から4までのいずれか1項記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記基板(12)は、高反射面を有しかつ前記第1のLED(20)および前記第2のLED(22)が配置されたセラミック体(32)と、前記セラミック体(32)上に形成されかつ前記第1のLED(20)および前記第2のLED(22)と電気的に結合された電線とを含む、請求項1から5までのいずれか1項記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記基板(12)は、前記第1のLED(20)が配置されたメタルコア基板(14)と、前記メタルコア基板(14)上に配置されかつ前記メタルコア基板(14)とは反対側の面が高反射性でかつ前記第2のLED(22)が配置されたメタルテンプレート(16)とを含み、さらに前記メタルテンプレート(16)は、前記第1のLED(20)が配置されかつ前記カバー体(24)が貫通して突出する凹部(30)を含む、請求項1から5までのいずれか1項記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記基板(12)上で前記第1のLED(20)および前記第2のLED(22)の横に隣接して配置された第3のLEDを備えている、請求項1から7までのいずれか1項記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記第3のLEDは、前記第1のLED(20)または前記第2のLED(22)と同じ構造で形成されている、請求項8記載の発光ダイオード装置(10)。
- 電磁ビームを変換するための第2の変換材料を有する第2の注封材料が、前記第3のLEDを覆っている、請求項8または9記載の発光ダイオード装置(10)。
- 前記第1のLED(20)、前記第2のLED(22)および/または前記第3のLEDの間の前記基板(12)上で横に配置されかつ横方向で前記第1の注封材料(28)および/または前記第2の注封材料を画定する少なくとも1つの中間ダムを備える、請求項1から10までのいずれか1項記載の発光ダイオード装置(10)。
- 発光ダイオード装置(10)を製造するための方法であって、
基板(12)を準備し、
前記基板(12)上に第1のLED(20)を配置し、
前記基板(12)上で前記第1のLED(20)の横に隣接して第2のLED(22)を配置し、
前記第1のLED(20)の上方で当該第1のLED(20)を覆うように少なくとも1つのカバー体(24)を形成して配置し、
前記基板(12)上で前記第1のLED(20)および前記第2のLED(22)を横方向で取り囲むように少なくとも1つのダム(26)を配置し、
前記第2のLED(22)の上方で前記カバー体(24)と前記ダム(26)との間に、横方向で当該ダム(26)および当該カバー体(24)によって画定されるように液状の第1の注封材料(28)を注ぎ、ここで前記カバー体(24)および/または前記第1の注封材料(28)は、電磁ビームを変換するための第1の変換材料を有しており、
前記第1の注封材料(28)を乾燥および/または硬化させる、方法。 - 前記カバー体(24)は、前記第1のLED(20)によって発光された電磁ビームの光路に作用するビーム整形素子として、特に光学レンズとして形成される、請求項12記載の方法。
- 前記第1のLED(20)をメタルコア基板(14)上に配置し、前記カバー体(24)を前記第1のLED(20)の上方に配置し、前記メタルコア基板(14)とは反対側の面が高反射性でありかつ凹部(30)を有しているメタルテンプレート(16)を、前記第1のLED(20)が前記凹部(30)内に配置されかつ前記カバー体(24)が前記凹部(30)を貫通して突出するように形成して前記メタルコア基板(14)上に配置し、前記第2のLED(22)を前記メタルテンプレート(16)の高反射面に配置し、ここでは前記メタルコア基板(14)および前記メタルテンプレート(16)が前記基板(12)を形成する、請求項12または13記載の方法。
- 第3のLEDを前記基板(12)上で前記第1のLED(20)および前記第2のLED(22)の横に隣接して配置し、電磁ビームを変換するための第2の変換材料を有する液状の第2の注封材料を、前記第3のLEDを覆うように当該第3のLED上に注ぎ、前記第2の注封材料を乾燥および/または硬化させる、請求項12から14までのいずれか1項記載の方法。
- 中間ダム(36)が、横方向で前記第1の注封材料(28)および/または前記第2の注封材料を画定するように、前記第1のLED(20)、前記第2のLED(22)および/または前記第3のLEDの間の前記基板(12)上で横に形成される、請求項12から15までのいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015007750.3 | 2015-06-17 | ||
DE102015007750.3A DE102015007750A1 (de) | 2015-06-17 | 2015-06-17 | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung |
PCT/EP2016/062626 WO2016202609A1 (de) | 2015-06-17 | 2016-06-03 | Leuchtdiodenanordnung und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenanordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018518059A true JP2018518059A (ja) | 2018-07-05 |
Family
ID=56098257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017565094A Pending JP2018518059A (ja) | 2015-06-17 | 2016-06-03 | 発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180182739A1 (ja) |
JP (1) | JP2018518059A (ja) |
CN (1) | CN107750393A (ja) |
DE (1) | DE102015007750A1 (ja) |
WO (1) | WO2016202609A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017000185A1 (de) * | 2017-01-12 | 2018-07-12 | Osram Gmbh | Lichtemittierende Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Baugruppe |
CN110447101A (zh) * | 2017-03-21 | 2019-11-12 | 昕诺飞控股有限公司 | 发光组件、聚光灯和灯具 |
DE102018123559A1 (de) * | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Sensorvorrichtung |
CN117099221A (zh) * | 2021-02-25 | 2023-11-21 | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 | 具有混合反射器的部件及其生产方法 |
EP4322217A3 (en) * | 2022-08-11 | 2024-02-28 | Ningbo Sunpu Led Co., Ltd. | Led human centric lighting device and method for manufacturing same |
DE102022120594A1 (de) * | 2022-08-16 | 2024-02-22 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches modul und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen moduls |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186297A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2011049516A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd | 演色性と輝度を高める混光式ledパッケージ構造 |
JP2011096740A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2011192703A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2012004519A (ja) * | 2010-05-17 | 2012-01-05 | Sharp Corp | 発光装置および照明装置 |
JP2012134204A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Kyushu Institute Of Technology | Ledパッケージの製造方法 |
US20120187865A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-07-26 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co.,Ltd. | Light-mixing multichip package structure |
WO2012165007A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
WO2013015058A1 (ja) * | 2011-07-25 | 2013-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2013051375A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2013182898A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Panasonic Corp | 発光装置およびそれを備えた照明装置 |
WO2014203839A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | シャープ株式会社 | 光源装置および発光装置 |
JP2015084397A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-04-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101325193B (zh) * | 2007-06-13 | 2010-06-09 | 先进开发光电股份有限公司 | 发光二极管封装体 |
US7985980B2 (en) * | 2007-10-31 | 2011-07-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Chip-type LED and method for manufacturing the same |
CN101572012A (zh) * | 2008-04-28 | 2009-11-04 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管模组及使用该模组的交通指示灯 |
US8820950B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-09-02 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light emitting device and illumination apparatus |
DE102010027875A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
CN202111089U (zh) * | 2011-06-22 | 2012-01-11 | 浙江英特来光电科技有限公司 | 可调光调色cobled结构 |
KR101262051B1 (ko) * | 2012-02-13 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
TWI631697B (zh) * | 2012-02-17 | 2018-08-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件及其製造方法 |
CN103633229A (zh) * | 2012-08-29 | 2014-03-12 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管模组及其制造方法 |
JP2014146661A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Panasonic Corp | 発光モジュール、照明装置および照明器具 |
JP6524624B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2019-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10026877B2 (en) * | 2014-09-29 | 2018-07-17 | Citizen Electronics Co., Ltd. | LED module |
-
2015
- 2015-06-17 DE DE102015007750.3A patent/DE102015007750A1/de not_active Ceased
-
2016
- 2016-06-03 WO PCT/EP2016/062626 patent/WO2016202609A1/de active Application Filing
- 2016-06-03 CN CN201680035150.3A patent/CN107750393A/zh active Pending
- 2016-06-03 US US15/736,790 patent/US20180182739A1/en not_active Abandoned
- 2016-06-03 JP JP2017565094A patent/JP2018518059A/ja active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186297A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-07-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2011049516A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd | 演色性と輝度を高める混光式ledパッケージ構造 |
JP2011096740A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2011192703A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2012004519A (ja) * | 2010-05-17 | 2012-01-05 | Sharp Corp | 発光装置および照明装置 |
JP2012134204A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Kyushu Institute Of Technology | Ledパッケージの製造方法 |
US20120187865A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-07-26 | Paragon Semiconductor Lighting Technology Co.,Ltd. | Light-mixing multichip package structure |
WO2012165007A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
WO2013015058A1 (ja) * | 2011-07-25 | 2013-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2013051375A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2013182898A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Panasonic Corp | 発光装置およびそれを備えた照明装置 |
WO2014203839A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | シャープ株式会社 | 光源装置および発光装置 |
JP2015084397A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-04-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180182739A1 (en) | 2018-06-28 |
WO2016202609A1 (de) | 2016-12-22 |
CN107750393A (zh) | 2018-03-02 |
DE102015007750A1 (de) | 2016-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6599295B2 (ja) | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 | |
JP2018518059A (ja) | 発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法 | |
US10586901B2 (en) | LED module having a highly reflective carrier | |
KR101937643B1 (ko) | 발광 모듈, 램프, 조명기구 및 디스플레이 장치 | |
US9082946B2 (en) | Light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device | |
US7842960B2 (en) | Light emitting packages and methods of making same | |
EP2899762B1 (en) | Light emitting device package | |
KR100752586B1 (ko) | 발광장치 및 조명장치 | |
US8283691B2 (en) | Light emitting device package and a lighting device | |
EP2197048B1 (en) | Light-emitting device | |
KR20120082192A (ko) | 발광소자 패키지 | |
US10347803B2 (en) | Light emitting device package and light system including the same | |
KR102116749B1 (ko) | 반사기를 구비한 소자 및 소자들을 제조하기 위한 방법 | |
JP5613475B2 (ja) | 発光素子パッケージ及びそれを備えた発光素子パッケージ群 | |
JP5936885B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6537259B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2005310911A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 | |
KR20140004351A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP2018032693A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
TW201403870A (zh) | 發光二極體元件及其封裝方法 | |
JP2018022859A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR20180020829A (ko) | 자외선 발광 다이오드 패키지 | |
JP2013187269A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
CN110870064B (zh) | 带有bsy发射器的rgb led封装件 | |
JP2013140904A (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190910 |