CN117099221A - 具有混合反射器的部件及其生产方法 - Google Patents

Abstract

提供了用于使用单次点胶构思生产具有混合反射器(6)的多个光电子部件(10)的方法，其中该方法包括：‑提供被布置在壳体结构(30)的多个开口(32)中的多个半导体芯片(1)，其中壳体结构(30)具有升高部分(31)，升高部分(31)垂直突出超过半导体芯片(1)并形成具有平行列的第一断开坝(61)的第一坝结构，其中在俯视图中同列的第一断开坝在空间上被中间空间(6Z)分隔开；以及‑使用单次点胶构思形成具有平行的第二连续坝(62)的第二坝结构，其中第二连续坝(62)填充第一断开坝(61)之间的中间空间(6Z)，并由此邻接第一断开坝(61)以形成光电子部件(10)的混合反射器(6)。此外，提供了光电子部件(10)，其中可以根据上面提及的方法生产光电子部件(10)。

Description

具有混合反射器的部件及其生产方法

本公开内容涉及用于生产具有混合反射器(hybrid reflector)的多个光电子部件的方法以及具有混合反射器的光电子部件。

使用用于形成用于多个光电子部件的多个反射器的所谓的两次点胶(two passdispensing)构思，在第一次点胶期间形成第一平行坝之后，可以在第二次点胶期间形成与第一坝正交的第二坝。为了避免可能导致不良坝交叉的交叉凸起，从而导致不期望的反射器轮廓和较低的产品得色量(color yield)，在第二次期间，需要不断地中断第二坝的形成。也就是说，使用两次反射器点胶构思，通过使泵送处理加量和减量的循环周期不断地中断该处理以避免坝交叉处的凸起。这可能导致低的坝输出、坝高度的高变化、非线性反射器轮廓和降低的产品得色量。

此外，坝点胶的准确度在很大程度上取决于泵定位的准确度。因此，使点胶泵加量和减量的处理可能对限定光电子部件的发光表面具有负面影响，并且第二坝必须与芯片表面保持足够大的距离。

一个目的是提供用于生产具有反射器的多个光电子部件的高效且简化的方法。另一目的是提供具有良好限定的发光表面和提高的得色量的机械上稳定的光电子部件。

这些目的通过根据独立权利要求的用于生产具有混合反射器的多个光电子部件的方法以及具有混合反射器的光电子部件来解决。该方法和光电子部件的其他实施方式是其他权利要求的主题。

根据该方法的至少一个实施方式，为了形成用于多个光电子部件的多个混合反射器，应用了单次点胶构思。特别地，通过单个点胶处理形成具有平行的连续坝的坝结构。可以在不需要不断地开始和停止点胶处理的情况下利用一个单次连续点胶来完成连续坝中的每个连续坝。例如，在生产公差内，连续坝可以形成为具有相同的高度和/或相同的宽度。在形成连续坝之后，可以沿着平行于连续坝延伸的分割线(singulating line)分割连续坝，例如切割成两半，其中每一半可以形成用于多个光电子部件的相邻的混合反射器的侧壁。

使用一次点胶构思(one pass dispensing concept)，可以例如通过提供具有平行列的第一断开坝的第一坝结构来制备或预制(例如，预成型或使用任何其他适当的处理)混合反射器中的每个混合反射器的两个相对的第一侧壁。混合反射器中的每个混合反射器的两个剩余的相对的第二侧壁可以由特别是使用一次点胶构思的具有平行的第二连续坝的第二坝结构形成。形成两个或若干个平行的第二连续坝，结合使用预制的第一断开坝，可以以非常高效的方式即通过使用仅一次运动来形成用于多个光电子部件的多个混合反射器。这节省了生产时间。此外，由第一断开坝和第二连续坝形成的混合反射器在其几何尺寸或几何形状方面示出较小的变化。因此，与使用例如两次点胶构思来形成反射器的情况相比，混合反射器的均匀性或发光表面的均匀性或光电子部件的颜色质量会高得多。此外，与使用两次点胶构思的情况相比，所谓的封装产量更可预测。

使用单次点胶构思或一次点胶构思来生产混合反射器的制造方法可以理解为意指使用特别是用于形成混合反射器的坝或侧壁的仅一个单个点胶步骤的方法。在执行仅一个点胶步骤之后，可以应用与点胶步骤不同的其他方法步骤，例如用于分割混合反射器，但是不需要或不打算进行用于形成混合反射器的另一点胶步骤。

在用于生产具有混合反射器的多个光电子部件的方法的至少一个实施方式中，使用了单次点胶构思。根据该方法，提供了布置在壳体结构的多个开口中的多个半导体芯片。壳体结构具有升高部分，所述升高部分垂直突出超过半导体芯片并且形成具有平行列的第一断开坝的第一坝结构。在俯视图中，同列的第一断开坝在空间上特别是在横向上被中间空间分隔开。使用单次点胶构思形成第二坝结构，其中第二坝结构具有平行的第二连续坝。第二连续坝填充第一断开坝之间的中间空间，并且由此邻接第一断开坝以形成光电子部件的混合反射器。

垂直方向被理解为意指定向为垂直于半导体芯片的或光电子部件的前侧或后侧的方向。横向方向被理解为意指平行于半导体芯片的或光电子部件的前侧或后侧的方向。垂直方向和横向方向彼此正交。

例如，第一断开坝和第二连续坝彼此正交或基本正交。通过填充中间空间，第二连续坝可以直接邻接第一断开坝。例如，在俯视图中，在生产公差内，第二连续坝不覆盖第一断开坝。因此，第二连续坝和第一断开坝一起形成特别是在交叉点处没有凸起的网状结构。

根据该方法的至少一个实施方式，第一断开坝和壳体结构的剩余部分一体式形成。也就是说，包括第一断开坝的壳体结构由单件构成。例如，壳体结构不包括例如使用连接材料彼此连接的单独部件。而是，壳体结构仅包括彼此整体连接的整体部件，即不使用任何附加的连接材料。这些整体部件可以由相同的材料形成。特别地，第一断开坝和壳体结构的剩余部分由相同的材料制成。然而，在这种情况下，第一断开坝可以另外涂覆有反射材料，例如涂覆有含TiO2的材料。因此，如果与壳体结构的剩余部分的材料相比，第一断开坝另外涂覆有反射材料，则它们仍然可以被认为由共同的或相同的材料制成。如果壳体结构被分割成多个壳体，则经分割的壳体中的每一个可以是单件形式。壳体或壳体结构可以由成型材料制成。

根据该方法的至少一个实施方式，在提供壳体结构之前，在共同的制造处理期间形成第一断开坝和壳体结构的剩余部分。这样的共同制造处理可以是成型或铸造处理或者其他处理。

根据该方法的至少一个实施方式，第一断开坝和壳体结构的剩余部分由不同的材料制成。例如，在提供壳体结构之前，在两个不同的制造处理中形成第一断开坝和壳体结构的剩余部分。与此不同的是，第一断开坝和壳体结构的剩余部分可以由相同的材料制成，即使它们是在两个不同的制造处理中形成的。第一断开坝可以形成或固定在壳体结构的剩余部分上。在这种情况下，在已经形成了壳体结构的剩余部分之后，第一断开坝可以机械地或化学地连接至壳体结构的剩余部分。第一断开坝可以涂覆有反射材料。

根据该方法的至少一个实施方式，第二连续坝由相同的材料制成。第二连续坝的材料可以与第一断开坝的材料不同。然而，第二连续坝和第一断开坝也可以由相同的材料制成。

根据该方法的至少一个实施方式，第一断开坝和第二连续坝彼此直接相邻但彼此不交叠。如果例如在交叉点处，第二连续坝没有布置在第一断开坝的顶部，则第一断开坝和第二连续坝彼此不交叠，反之亦然。然而，由于生产公差，第二连续坝可以直接邻接并略微覆盖第一断开坝的一小部分。

根据该方法的至少一个实施方式，在横向方向上，壳体结构围绕被配置用于电接触多个半导体芯片的引线框架结构。在垂直方向上，壳体结构可以在一些地方被布置在引线框架结构上，并且部分地覆盖引线框架结构的前侧。例如，引线框架结构的后侧没有被壳体结构覆盖。

引线框架结构可以包括多个引线框架，其中每个引线框架可以被分配给一个半导体芯片或一个光电子部件。每个引线框架可以包括被分配给半导体芯片或光电子部件的不同电极性的第一子区域和第二子区域。引线框架的第一子区域和第二子区域彼此横向分隔开，并且可以通过壳体或壳体结构的材料彼此机械连接。半导体芯片可以被布置在引线框架的第一子区域上，并且可以使用导电连接层电连接至引线框架的第一子区域。使用布线结构，例如诸如键合线的布线连接，半导体芯片可以电连接至引线框架的第二子区域。

根据该方法的至少一个实施方式，半导体芯片中的每个半导体芯片电连接至布线结构，其中布线结构被第二连续坝覆盖，但是没有被第一断开坝覆盖。例如，分配给半导体芯片中的每个半导体芯片的布线结构包括第一布线连接，该第一布线连接被配置成将半导体芯片电连接至引线框架的子区域。布线结构可以包括第二布线连接，该第二布线连接被配置成将保护二极管例如ESD二极管电连接至引线框架的子区域。保护二极管可以形成为半导体芯片的整体部分或者不同于半导体芯片。

根据该方法的至少一个实施方式，沿着贯穿第一断开坝和/或贯穿第二连续坝的分割线分割光电子部件。例如，沿着平行于一个第一断开坝的一条分割线进行切割，第一断开坝被分割成具有相同长度但基本上仅原始宽度的一半的两半。在交叉点处，第二连续坝中的每个第二连续坝可以被切割成具有相同宽度但不同长度的两件。然而，沿着平行于第二连续坝的一条分割线进行切割，仅第二连续坝被分割成具有相同长度但基本上仅原始宽度的一半的两半。

在分割之后，经分割的光电子部件中的每个光电子部件具有围绕半导体芯片中的一个半导体芯片的混合反射器，其中混合反射器由第一断开坝的经分割部分和第二连续坝的经分割部分形成。特别地，混合反射器包括两个相对的第一侧壁和两个相对的第二侧壁，其中相对的第一侧壁由两个平行的经分割的第一断开坝产生，并且相对的第二侧壁由两个平行的经分割的第二连续坝产生。

在分割处理期间，壳体结构被分割为多个壳体，并且引线框架结构被分割为多个引线框架。光电子部件中的每个光电子部件可以包括壳体和具有第一子区域和第二区域的引线框架。壳体包括半导体芯片布置在其中的开口。半导体芯片电连接至引线框架。特别地，壳体和引线框架分别由沿着分割线分割壳体结构和引线框架结构来产生。

在下文中，特别指定了经分割的光电子部件。

在光电子部件的实施方式中，光电子部件包括半导体芯片、壳体和混合反射器，其中半导体芯片被布置在壳体的开口中。混合反射器垂直突出超过半导体芯片，并且在俯视图中围绕半导体芯片。混合反射器包括两个相对的第一侧壁和两个相对的第二侧壁，其中第一侧壁在界面处直接邻接第二侧壁，所述界面仅由第一侧壁的内侧表面和第二侧壁的内侧表面的交叠区域形成。

特别地，第一侧壁是壳体的升高部分，并且由与第二侧壁的材料不同的同一材料制成。然而，第一侧壁和第二侧壁可以由相同的材料制成。

这样的具有混合反射器的光电子部件可以通过本公开内容中描述的使用一次点胶构思的方法来生产。因此，结合该方法描述的特征和优点可以用于光电子部件，反之亦然。

根据至少一个实施方式，光电子部件是方形扁平无引脚QFN光电子部件，其侧表面至少部分地由壳体的侧表面形成，其中光电子部件没有横向突出超过壳体的侧表面的电连接或引脚。特别地，QFN光电子部件没有横向突出超过其整个侧表面的电连接或引脚。

然而，在这种情况下，部件可以在其侧表面上具有金属结构。这些金属结构可以是经分割的连接臂，其中连接臂用于连接引线框架结构的相邻引线框架，并且因此在光电子部件的生产期间机械地使引线框架结构稳定。然而，这样的金属结构不横向突出超过壳体的侧表面或光电子部件的侧表面。而是，金属结构或经分割的连接臂与壳体的侧表面齐平，从而部分地形成光电子部件的侧表面。金属结构或经分割的连接臂可以在光电子部件的侧表面上示出分割痕迹。

根据光电子部件的至少一个实施方式，该光电子部件包括侧表面，所述侧表面部分地由壳体的侧表面形成并且部分地由第一侧壁的外侧表面和第二侧壁的外侧表面形成。特别地，壳体的侧表面和侧壁的外侧表面示出分割痕迹。

根据光电子部件的至少一个实施方式，第一侧壁和壳体的剩余部分一体式形成并且由相同的材料制成。在第一侧壁和壳体的剩余部分由相同的材料制成的情况下，第一侧壁仍可以另外涂覆有反射材料。这里，反射材料不被认为是第一侧壁的材料，而被认为是施加在第一侧壁上的涂层的材料。

根据光电子部件的至少一个实施方式，第一侧壁被布置在壳体的剩余部分上，其中第一侧壁的材料与壳体的剩余部分的材料不同。特别地，第一侧壁和壳体的剩余部分不一体式形成。而是，在壳体的剩余部分已经形成之后，第一侧壁形成或固定在壳体的剩余部分上。因此，在第一侧壁与壳体的剩余部分之间存在连接表面。

根据光电子部件的至少一个实施方式，光电子部件还包括引线框架，其中引线框架包括第一子区域和第二子区域。第一子区域和第二子区域被分配给光电子部件的不同的电极性。半导体芯片被布置在引线框架的第一子区域上。半导体芯片通过布线连接电连接至第二子区域，其中布线连接部分地嵌入第二侧壁之一内。

根据光电子部件的至少一个实施方式，光电子部件形成为表面可安装的装置，其中光电子部件在其后侧是外部可电接触的，其中引线框架的第一子区域和第二子区域没有被壳体的材料覆盖。

根据光电子部件的至少一个实施方式，半导体芯片被反射层横向围绕。在部件的前侧的平面图中，反射层被特别地布置在半导体芯片与壳体之间。在部件的前侧的平面图中，反射层可以部分地被第二侧壁覆盖，但是例如没有被混合反射器的第一侧壁覆盖。

从下面结合图1A至图3说明的示例性实施方式中，该方法或部件的其他优点和发展将变得明显。

图1A示出了一次点胶构思的示意图。

图1B、图1C、图1D和图1E以剖视图和三维视图的形式示出了部件的一些示意图。

图1F示出了该方法的分割步骤的示意图。

图2和图3示出了部件的一些其他示意图。

相同的、等效的或等效作用的元件在附图中用相同的附图标记指示。附图是示意图，并且因此不一定按真实比例绘制。出于更好地阐明的目的，相对小的元件，并且特别是层厚度可能会被夸大地示出。

图1A示出了一次点胶构思的示意图，根据该一次点胶构思，可以仅在一次运动中使用点胶处理来形成用于多个光电子部件10的混合反射器6。执行一次运动中的点胶处理以用于形成图1A所示的具有平行的连续坝62的坝结构。

在应用单次点胶构思之前，在没有连续坝62的情况下，可以预制图1A所示的剩余结构。

根据该方法，提供了被布置在壳体结构30的多个开口32中的多个半导体芯片1。例如，壳体结构30是模具主体。例如，半导体芯片1是发光二极管。以包括多个行和列的矩阵形式来布置半导体芯片1或开口32。

壳体结构30包括具有平行列的第一断开坝61的第一坝结构。通过壳体结构30的垂直突出超过半导体芯片1的升高部分31来形成第一断开坝61。升高部分31可以是壳体结构30的整体部分，其与壳体结构30的剩余部分一体形成。升高部分31和壳体结构30的剩余部分可以由相同的材料形成。可以仅壳体结构30的升高部分31另外涂覆有反射材料。与此不同的是，升高部分31还可以随后形成或者固定在壳体结构30的剩余部分上。在这种情况下，升高部分31和壳体结构30的剩余部分可以由不同的材料形成。

除了外围的第一断开坝61之外，第一断开坝61还布置在两列半导体芯片1之间。如图1A所指示的，同列的第一断开坝61在空间上被中间空间6Z分隔开。也就是说，中间空间6Z没有用第一断开坝61的材料填充。这例如在图1B中明确地示出。

根据一次点胶构思，使用单次点胶处理形成包括平行的第二连续坝62的第二坝结构，其中第二连续坝62填充并连接第一断开坝61之间的中间空间6Z。特别地，仅在中间空间6Z处，即在第二连续坝62与第一断开坝61之间的交叉点处，第二连续坝62直接邻接第一断开坝61。在平面图中，半导体芯片1中的每个半导体芯片1被第二连续坝62和第一断开坝61的组合完全围绕。

因此，例如在完成引线键合处理之后，特别是沿着引线键合方向控制点胶重量和点胶速度以形成第二连续坝62，从而形成完全封闭的混合反射器6。通过执行该处理，特别地限定了封闭的混合反射器6内的方形发光表面。根据该方法，沿着一个轴线或沿着平行轴线连续地执行点胶处理。因此，点胶材料的泵送不需要反复开始和停止。这使得可以在预定生产时间内生产大量的部件10。

在分割之后，经分割的光电子部件10中的每个光电子部件10包括由第二连续坝62的一部分和第一断开坝61的一部分构成的混合反射器6。特别地，混合反射器6由恰好两个第一断开坝61的经分割部分和两个第二连续坝62的经分割部分形成。断开坝61和连续坝62可以由不同的材料制成以及/或者可以具有不同的反射率。

图1B示出了部件10的不具有连续坝62的经分割部分的示意图。特别是为了简单起见，未在图1B中示出连续坝62的经分割部分。因此，图1B所示的部件10也可以被视为图1A所示的结构在施加第二连续坝62之前的子区域，其中该子区域限定了要生产的一个光电子部件10的尺寸。

根据图1B，部件10包括一个半导体芯片1、壳体3和混合反射器6的两个相对的第一侧壁61H。半导体芯片1被布置在壳体3的开口32中。半导体芯片1与混合反射器6横向间隔开，并且被反射层4横向围绕。反射层4和第一断开坝61上的涂层可以由相同的材料制成。例如，在完成引线键合处理之后，可以将TiO2喷射到开口32中并且喷射到第一断开坝61的顶部上，特别地，喷射到第一断开坝61面向半导体芯片1的发光表面的倾斜表面上。

在图1B中，在部件10的右边缘或左边缘上示出了仅大约一半的断开坝61。这一半的断开坝61形成混合反射器6的两个相对的第一侧壁61H之一。两个相对的第一侧壁61H特别地是壳体3的整体部分，并且可以由与壳体3相同的材料制成。

第一侧壁61H的顶表面可以形成部件10的前侧10A的一部分。第一侧壁61H的外表面61S可以形成壳体3的一个侧表面3S的一部分，从而形成部件10的一个侧表面10S的一部分。第一侧壁61H的内侧表面61I可以形成界面61F，界面61F是第一侧壁61H与第二侧壁62H之间的公共界面或连接表面。界面61F可以是平坦的或弯曲的，或者可以是部分平坦且部分弯曲的。

部件10具有布线结构5，其中例如如图1C和图1D所示，半导体芯片1可以电连接至引线框架2的一个子区域22。图1C和图1D示出了例如图1B所示的部件10的两个剖视图。

如图1C和图1D所示，引线框架2包括第一子区域21和第二子区域22，其中第一子区域21和第二子区域22被分配给光电子部件10的不同电极性。第一子区域21和第二子区域22横向分开并且通过壳体3的材料彼此机械连接。在横向方向上，包括第一子区域21和第二子区域22的引线框架2可以被壳体3围绕，例如被完全围绕。在俯视图中，例如如图1C和图1D所示，壳体3可以部分地覆盖引线框架2的第一子区域21和/或第二子区域22。

每个半导体芯片1可以被分配给恰好一个引线框架2，反之亦然。在分割之前，引线框架2形成引线框架结构20。在生产多个光电子部件10的处理期间，不同引线框架2的第一子区域21和第二子区域22可以通过连接臂8彼此连接。这样的连接臂8示意性地示出在壳体3的侧表面3S上或部件10的侧表面10S上(也参见图3)。

连接臂8用于连接引线框架结构20的相邻引线框架2，并且可以在光电子部件10的生产期间或者在壳体结构30的生产期间机械地使引线框架结构20稳定。为了便于分割处理，连接臂8可以具有例如比引线框架2的对应子部分21或对应子部分22的相关联横截面小至少5倍，例如至少10倍或至少15倍的横截面。在部件10的分割期间，连接臂8被切断，例如被锯穿，并且可以在部件10的侧表面10S上示出分割痕迹。经分割的连接臂8的外表面与壳体3的侧表面3S齐平，并且因此不横向突出超过壳体3的侧表面3S。

半导体芯片1被布置在引线框架2的第一子区域21上，可以直接或经由导电连接层电连接至第一子区域21。半导体芯片1通过布线结构5的布线连接51电连接至第二子区域22。如图1C所示，布线连接51可以部分地嵌入反射层4中。

如图1B所示，布线结构5可以包括另一布线连接52。例如，另一布线连接52被配置成将保护二极管例如ESD二极管电连接至引线框架2的子区域22或子区域21。保护二极管可以形成为半导体芯片1的整体部分。例如，如图1B所指示的，半导体芯片1包括发光区域11和保护区域12。发光区域11和保护区域12可以由半导体芯片1的两个半导体层序列形成，所述两个半导体层序列可以使用布线连接51和另一布线连接52以反并联方式彼此电连接。作为替选，保护二极管可以不是半导体芯片1的一部分，并且可以以反并联方式电连接至半导体芯片1。

如图1B所示，布线结构5没有嵌入第一侧壁61H内。特别地，在俯视图中，布线连接51和/或另一布线连接52没有被第一侧壁61H覆盖。在俯视图中，包括布线连接51和/或另一布线连接52的布线结构5可以部分地位于第一断开坝61之间的中间空间6Z中或如下区域中，所述区域位于由用于形成混合反射器6的第二侧壁62H的第二连续坝62的材料填充的中间空间6Z之间。因此，布线结构5可以仅被第二连续坝62覆盖，而不被第一断开坝61覆盖。在这种情况下，包括布线连接51和/或另一布线连接52的布线结构5部分地嵌入第二侧壁62H内，例如如图1E所示，图1E示出了部件10的具有混合反射器6的第二侧壁62H的另一剖视图。

在图1E中，示出了混合反射器6的第二侧壁62H。第二侧壁62H具有约为对应的第二连续坝61的宽度的一半的横向宽度。第二侧壁62H位于壳体3的两个相对边缘上。在俯视图中，第二侧壁62H与半导体芯片1之间或第二侧壁62H与半导体芯片1的发光表面之间的横向距离可以小于100μm，例如小于70μm或小于50μm。可以使用一次点胶构思以简化的方式实现该小距离。

使用该构思，在形成和设计第一侧壁61H时具有更大的灵活性，所述第一侧壁61H例如通过预成型结构形成。此外，第二侧壁62H可以被容易地定制成遵循第一侧壁61H的轮廓。由于第一侧壁61H是预制的，因此第一侧壁61H与半导体芯片1之间或第一侧壁61H与半导体芯片1的发光表面之间的横向距离也可以小于100μm，例如小于70μm或小于50μm。

如图1E以及图1C和图1D所示，半导体芯片1被布置在引线框架2的前侧2A，特别地被布置在引线框架2的第一子区域21的前侧。半导体芯片1被反射层4横向围绕。在部件10的前侧10A的平面图中，反射层4部分地被混合反射器6的第二侧壁62H覆盖，但是没有被第一侧壁61H覆盖(也参见图1C和图1D)。

在分割之前，位于开口32中的半导体芯片1被布置在引线框架结构20的前侧20A。沿着垂直方向，引线框架2的子区域21和子区域22延伸穿过壳体3或壳体结构30。因此，引线框架2的后侧2B或引线框架结构20的后侧20B没有被壳体3的材料覆盖。因此，部件10可以形成为表面可安装的装置，并且在其后侧10B可以是外部可电接触的。特别地，部件10的后侧10B部分地由引线框架2的后侧2B形成，并且部分地由壳体3的后侧形成。

光电子部件10的侧表面10S可以部分地由第二侧壁62H的外侧表面62S和壳体3的包括第一侧壁61H的外侧表面61S的侧表面3S形成。光电子部件10的侧表面10S还可以包括经分割的连接臂8的侧表面。侧表面10S的任何子区可以示出分割痕迹。

如图1E所示，混合反射器6可以填充有封装层7。例如，封装层7由辐射透射材料形成。光电子部件10A的前侧10A可以在一些地方由封装层7的表面、第一侧壁61H的顶表面和第二侧壁62H的顶表面形成。

根据图1F，光电子部件10可以沿着分割线9进行分割。沿着平行于同列的第一断开坝61的一条分割线9进行分割，同列的第一断开坝61中的每个第一断开坝61被分割成具有相同长度但基本上仅原始宽度的一半的两半。在第一断开坝61与第二连续坝62之间的交叉点处，第二连续坝62中的每个第二连续坝62被切割成具有相同宽度但不同长度的两件。沿着平行于第二连续坝62的一条分割线进行分割，仅第二连续坝62被分割成具有相同长度但基本上仅原始宽度的一半的两半。

因此，例如如图1B至图1E以及图2和图3所示，每个经分割的部件10由在四个相邻的中间空间6Z处相交的四条分割线9所界定的区域来限定。在图2中示出了这样的部件10的三维图示，其中特别是为了简单起见，在图2中未示出封装层7。

图2所示的部件10包括混合反射器6，其中混合反射器6包括两个相对的第一侧壁61H和两个相对的第二侧壁62H。第一侧壁61H在四个界面61F处直接邻接第二侧壁62H，四个界面61F仅由第一侧壁61H的内侧表面61I和第二侧壁62H的内侧表面62I的交叠区域形成。四个界面61F位于混合反射器6的四个角处。

如图2所指示的，布线结构5部分地嵌入第二侧壁62H内。特别地，相对的第二侧壁62H中的一个第二侧壁62H可以部分地覆盖布线连接51。相对的第二侧壁62H中的另一个第二侧壁62H可以部分或完全地覆盖另一布线连接52，因此在图2中未示出布线连接52。

图1D和图1E基本上示出了图2所示的部件10的剖视图。因此，结合图1D和图1E描述的特征也可以用于图2所示的光电子部件10，反之亦然。

图3所示的部件的剖视图与图1D所示的部件的剖视图基本对应。与此相比，在图3中，明确地示出了封装层7以及连接臂8或经分割的连接臂8。此外，与图1D相比，在图3中，指示了升高部分31或第一侧壁61H形成或固定在壳体3的剩余部分上。在这个意义上，第一侧壁61H和壳体3的剩余部分不是以一体方式形成的。第一侧壁61H和壳体3的剩余部分可以由相同的材料或不同的材料形成。

到目前为止，使用两次点胶构思形成坝-反射器是用于形成引线键合封装的一种可行方式，这进一步最小化了形成为芯片尺寸封装(CSP)的部件的封装尺寸。然而，使用一次点胶构思，可以实现关于封装颜色质量、部件的均匀性或生产成本的许多改进。

通过参考示例性实施方式进行的对本发明的描述，本发明不限于这些示例性实施方式。而是，本发明包括任何新颖的特征和特征的任何组合，特别是包括权利要求书中的特征的任何组合，即使该特征或该组合本身未在专利权利要求书或示例性实施方式中明确地指示。

附图标记

10 光电子部件

10A 光电子部件的前侧

10B 光电子部件的后侧

10S 光电子部件的侧表面

1 半导体芯片

11 发光区域

12 保护区域

2 引线框架

2A 引线框架的前侧

2B 引线框架的后侧

20 引线框架结构

20A 引线框架结构的前侧

20B 引线框架结构的后侧

21 引线框架的第一子区域

22 引线框架的第二子区域

3 光电子部件的壳体

3S 壳体的侧表面

30 壳体结构

31 壳体/壳体结构的升高部分

32 壳体/壳体结构的开口

4 反射层

5 布线结构

51 布线连接

52 另一布线连接

6 混合反射器

61 第一断开坝

6Z 第一断开坝之间的中间空间

61H 混合反射器的第一侧壁

61I 第一侧壁的内侧表面

61S 第一侧壁的外侧表面

61F 界面

62 第二连续坝

62H 混合反射器的第二侧壁

62I 第二侧壁的内侧表面

62S 第二侧壁的外侧表面

7 封装层

8 连接臂

9 分割线

Claims (20)

1.一种用于使用单次点胶构思生产具有混合反射器(6)的多个光电子部件(10)的方法，所述方法包括：

-提供被布置在壳体结构(30)的多个开口(32)中的多个半导体芯片(1)，其中，所述壳体结构(30)具有升高部分(31)，所述升高部分(31)垂直突出超过所述半导体芯片(1)并且形成具有平行列的第一断开坝(61)的第一坝结构，其中，在俯视图中，同列的所述第一断开坝在空间上被中间空间(6Z)分隔开；以及

-使用所述单次点胶构思形成具有平行的第二连续坝(62)的第二坝结构，其中，所述第二连续坝(62)填充所述第一断开坝(61)之间的所述中间空间(6Z)，并且由此邻接所述第一断开坝(61)以形成所述光电子部件(10)的所述混合反射器(6)。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，通过点胶处理形成具有平行的第二连续坝(62)的所述第二坝结构，并且在不需要不断地开始和停止所述点胶处理的情况下，利用一个单次连续点胶来完成所述第二连续坝(62)中的每个第二连续坝(62)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，所述第一断开坝(61)和所述壳体结构(30)的剩余部分一体式形成并且由相同的材料制成。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中，在提供所述壳体结构(30)之前，在共同的制造处理期间形成所述第一断开坝(61)和所述壳体结构(30)的剩余部分。

5.根据权利要求1或2所述的方法，

其中，所述第一断开坝(61)和所述壳体结构(30)的剩余部分由不同的材料制成。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，在提供所述壳体结构(30)之前，在两个不同的制造处理中形成所述第一断开坝(61)和所述壳体结构(30)的剩余部分。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，所述第二连续坝(62)由与所述第一断开坝(61)的材料不同或者与所述第一断开坝(61)的材料相同的同一材料制成。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，所述第一断开坝(61)和所述第二连续坝(62)彼此直接相邻但彼此不交叠。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

-其中，在横向方向上，所述壳体结构(30)围绕被配置用于电接触所述多个半导体芯片(1)的引线框架结构(20)，并且

-在垂直方向上，所述壳体结构(30)在一些地方被布置在所述引线框架结构(20)上，并且部分地覆盖所述引线框架结构(20)的前侧(2A、20A)，其中，所述引线框架结构(20)的后侧(2B、20B)没有被所述壳体结构覆盖。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，所述半导体芯片(1)中的每个半导体芯片(1)电连接至布线结构(5)，所述布线结构(5)被所述第二连续坝(62)覆盖，但是没有被所述第一断开坝(61)覆盖。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，

-沿着贯穿所述第一断开坝(61)和/或贯穿所述第二连续坝(62)的分割线(9)分割所述光电子部件(10)，并且

-所述光电子部件(10)中的每个光电子部件(10)具有围绕所述半导体芯片(1)中的一个半导体芯片(1)的混合反射器(6)，所述混合反射器(6)由所述第一断开坝(61)的经分割部分和所述第二连续坝(62)的经分割部分形成。

12.一种光电子部件(10)，包括半导体芯片(1)、壳体(3)和混合反射器(6)，其中

-所述半导体芯片(1)被布置在所述壳体(3)的开口(32)中，

-所述混合反射器(6)垂直突出超过所述半导体芯片(1)，并且在俯视图中围绕所述半导体芯片(1)，并且

-所述混合反射器(6)包括两个相对的第一侧壁(61H)和两个相对的第二侧壁(62H)，其中，所述第一侧壁(61H)在界面(61F)处直接邻接所述第二侧壁(62H)，所述界面(61F)仅由所述第一侧壁(61H)和所述第二侧壁(62H)的内侧表面(61I、62I)的交叠区域形成。

13.根据权利要求12所述的光电子部件(10)，

其中，所述第一侧壁(61H)是所述壳体(3)的升高部分(31)，并且由与所述第二侧壁(62H)的材料不同的材料制成。

14.根据权利要求12或13所述的光电子部件(10)，

所述光电子部件(10)是方形扁平无引脚QFN光电子部件，其侧表面(10S)至少部分地由所述壳体(3)的侧表面(3S)形成，其中，所述光电子部件(10)没有横向突出超过所述壳体(3)的所述侧表面(3S)的电连接或引脚。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的光电子部件(10)，包括侧表面(10S)，所述侧表面(10S)部分地由所述壳体(3)的所述侧表面(3S)形成并且部分地由所述第一侧壁(61H)和所述第二侧壁(62H)的外侧表面(61S、62S)形成，其中，所述壳体(3)的所述侧表面(3S)和所述侧壁(61H、62H)的所述外侧表面(61S、62S)示出了分割痕迹。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的光电子部件(10)，其中，

所述第一侧壁(61H)和所述壳体(3)的剩余部分一体式形成并且由相同的材料制成。

17.根据权利要求12至15中任一项所述的光电子部件(10)，其中，

所述第一侧壁(61H)被布置在所述壳体(3)的剩余部分上，其中，所述第一侧壁(61H)的材料不同于所述壳体(3)的剩余部分的材料。

18.根据权利要求12至17中任一项所述的光电子部件(10)，还包括引线框架(2)，其中，

-所述引线框架(2)包括第一子区域(21)和第二子区域(22)，所述第一子区域和所述第二子区域(21、22)被分配给所述光电子部件(10)的不同电极性，

-所述半导体芯片(1)被布置在所述引线框架(2)的所述第一子区域(21)上，

-所述半导体芯片(1)通过布线连接(5、51)电连接至所述第二子区域(22)，并且

-所述布线连接(5)部分地嵌入所述第二侧壁(62H)中的一个第二侧壁(62H)内。

19.根据权利要求18所述的光电子部件(10)，

所述光电子部件(10)形成为表面可安装的装置，其中，所述光电子部件(10)在其后侧(10B)是外部可电接触的，其中，所述引线框架(2)的所述第一子区域和所述第二子区域(21、22)没有被所述壳体的材料覆盖。

20.根据权利要求12至18中任一项所述的光电子部件(10)，其中，

-所述半导体芯片(1)被反射层(4)横向围绕，

-在所述部件(10)的前侧(10A)的平面图中，所述反射层(4)被布置在所述半导体芯片(1)与所述壳体(3)之间，并且

-在所述部件(10)的前侧(10A)的平面图中，所述反射层(4)部分地由所述第二侧壁(62H)覆盖，但是没有被所述混合反射器(6)的所述第一侧壁(61H)覆盖。