CN107750393A - 发光二极管装置和用于制造发光二极管装置的方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中提供一种发光二极管装置(10)。发光二极管装置(10)具有基板(12)、布置在基板(12)上的第一LED(20)和在基板(12)上侧向地布置在第一LED(20)旁边的第二LED(22)。发光二极管装置(10)的至少一个覆盖体(24)覆盖第一LED(20)。发光二极管装置的至少一个围挡(26)布置在基板(12)上并且在侧向方向上包围第一LED(20)和第二LED(22)。第一灌封材料(28)覆盖第二LED(22)并且在侧向方向上由围挡(26)和覆盖体(24)限界，其中覆盖体(24)和/或第一灌封材料(28)具有用于转换电磁辐射的第一转换材料。

Description

发光二极管装置和用于制造发光二极管装置的方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管装置和用于制造发光二极管装置的方法。
背景技术
在常规的发光二极管装置中，多个LED布置在基板上并且与构造在基板上的电线电连接。LED能够电并联和/或电串联。例如，一组LED中的LED能够电串联，另一组LED中的LED能够电串联并且这两组能够电并联。LED能够构造成结构相同或不同的。例如，一组LED能够具有表面发射的发光二极管，表面发射的发光二极管典型地具有在其上侧的电触点和在其下侧的电触点，并且另一组LED能够具有体积发射的发光二极管，体积发射的发光二极管典型地具有在其上侧上的两个电触点。此外，一组LED能够具有发射蓝光的发光二极管并且另一组LED能够具有发射红光的发光二极管。LED例如能够构造在基板上，基板具有陶瓷主体，在陶瓷主体上构造用于电接触LED的电线。
发明内容
本发明的一个目的是：提供一种发光二极管装置，发光二极管装置能够简单地和/或成本低廉地制造，发光二极管装置是特别高效的，其具有特别长的使用寿命和/或是特别紧凑的。
本发明的一个目的是：提供一种用于制造发光二极管装置的方法，方法能够简单地和/或成本低廉地执行，和/或方法有助于：使发光二极管装置特别高效、具有特别长的使用寿命和/或是特别紧凑的。
该目的根据本发明的一个方面通过一种发光二极管装置实现，发光二极管装置具有：基板；第一LED，其布置在基板上；第二LED，其在基板上侧向地布置在第一LED旁边；至少一个覆盖体，其覆盖第一LED；至少一个围挡，其布置在基板上并且在侧向方向上包围第一LED和第二LED；和第一灌封材料，第一灌封材料覆盖第二LED并且在侧向方向上由围挡和覆盖体限界，其中覆盖体和/或第一灌封材料具有用于转换电磁辐射的第一转换材料。
布置在第一LED上方、尤其布置在第一LED上的覆盖体防止第一LED受到外部力作用，例如防止碰撞和/或刮蹭，并且在制造发光二极管装置时能够用于：防止第一灌封材料高于第一LED流动。因此，覆盖体和围挡形成了腔室的侧向限界部，在制造发光二极管装置时第一灌封材料填充到腔室中并且在腔室中后续地布置有第一灌封材料。因此，覆盖体具有双重功能，其一方面保护第一LED并且另一方面用作为用于第一灌封材料的侧向限界部。能够布置有一个、两个、三个或更多个覆盖体，覆盖体分别覆盖和保护多个第一LED。一个或多个覆盖体例如能够具有塑料和/或硅树脂或由这些形成。发光二极管装置能够在色彩方面进行调整和/或是CCT可调谐的。
电磁辐射由第一LED和/或第二LED发射。电磁辐射的至少一部分借助于转换材料被转换。特别地，转换材料吸收电磁辐射的具有特定波长的部分或者位于特定的波长范围中的部分，并且发射具有不同波长的或处于另一波长范围中的电磁辐射。电磁辐射例如能够是可见波长范围中的光。例如，电磁辐射能够是红光、绿光或蓝光。转换的电磁辐射例如能够是红光或白光。
分别从基板的表面起测量的覆盖体的竖直高度和/或围挡的竖直高度能够大于由第一灌封材料形成的层的厚度。第一LED例如能够沿着一条线布置。此外，这种由第一LED形成的两条或更多条线能够彼此平行地或沿着交叉线布置。一条这种线中的第一LED例如能够电串联。第二LED例如能够沿着一条线布置。此外，这种由第二LED形成的两条或更多条线能够彼此平行地或沿着交叉线布置。一条这种线中的第二LED例如能够电串联。LED线能够电并联或电串联。
在一个改进方案中，覆盖体构造为射束成形元件、尤其构造为光学透镜，其用于影响由第一LED发射的电磁辐射的辐射路径。换而言之，覆盖体不仅用作为对于第一LED的保护装置和作为用于对第一灌封材料的限界部，而且也用于对由第一LED发射的电磁辐射的一个或多个辐射路径进行射束成形。附加地，借助于作为射束成形元件的覆盖体能够提高发光二极管装置、尤其第一LED的效率，因为由第一LED产生的电磁辐射的、作为有效光离开发光二极管装置的份额能够相对于没有相应的射束成形元件的发光二极管装置被提高。特别地，射束成形元件能够用于：降低由第一LED产生的电磁辐射的内部全反射，使得电磁辐射的很大份额能够离开发光二极管装置。这在第一LED发射红光的情况下是特别有利的，因为在红光的情况下全反射的临界角是特别小的。
因此，覆盖体具有以下四重功能：保护第一LED、用于对第一灌封材料限界、将由第一LED发射的电磁辐射进行射束成形和提高发光二极管装置的效率。这除了这些功能自有的优点之外具有附加的优点，即在基板上所需要的空间特别小，因为对于单个功能而言不必布置单个体部，而是全部这些功能由一个或多个覆盖体承担。
在一个改进方案中，覆盖体构造为透明的，并且第一灌封材料具有第一转换材料。因此，由第一LED产生的电磁辐射在没有波长转换的情况下从覆盖体中射出。由第二LED产生的电磁辐射相反于此至少部分地在其波长谱(Wellenlaengenspektrum)方面进行转换。例如，由第二LED产生的电磁辐射的一部分能够被转换，并且与由第二LED产生的电磁辐射的未被转换的部分混合。由此，产生具有如下波长谱的混合光，该波长谱由第二LED产生的电磁辐射的波长谱和转换的电磁辐射的波长谱组成。由第二LED产生的电磁辐射和/或转换的电磁辐射能够与由第一LED发射的电磁辐射混合。由此，又能够产生具有由各个波长谱组成的波长谱的电磁辐射。例如，能够产生以下电磁辐射并且产生以下波长谱，即发光二极管装置发射白光。
替选于仅第一灌封材料具有转换材料，能够仅使覆盖体具有转换材料并且第一灌封材料能够是透明的。替选于此，覆盖体和第一灌封材料都能够具有转换材料。在后一种情况下，覆盖体和第一灌封材料能够具有相同的或不同的转换材料。
在一个改进方案中，第一LED发射红色可见光波长范围中的电磁辐射，尤其红光，并且第二LED发射蓝色可见光波长范围中的电磁辐射，尤其蓝光。这能够有助于：借助于发光二极管装置产生白光，其中对此蓝光能够完全地或部分地被转换，例如转化成薄荷色光或黄光。
在一个改进方案中，第一LED是表面发射的发光二极管，并且第二LED是体积发射的发光二极管。例如，第一LED能够是产生红光的表面发射的发光二极管，并且第二LED能够是产生蓝光的体积发射的发光二极管。这能够有助于：能够简单地制造第一LED、尤其发射红光的发光二极管。
在一个改进方案中，基板具有：陶瓷体，陶瓷体具有高反射性的表面，在高反射性的表面上布置有第一LED和第二LED；和电线，电线构造在陶瓷体上，并且电线与第一LED和第二LED电耦合。这使得陶瓷体的高反射性的表面能够用作为用于第一LED和第二LED的容纳面。
在一个改进方案中，基板具有金属芯电路板，在金属芯电路板上布置有第一LED；和金属模板，金属模板布置在金属芯电路板上，金属模板的背离金属芯电路板的表面是高反射性的，在该表面上布置有第二LED并且该表面具有凹部，在凹部中布置第一LED并且覆盖体穿过凹部伸出。这使得第一LED能够布置在金属芯电路板上，由此能够尤其良好地从第一LED导出热量，并且第二LED布置在金属模板的高反射性的表面上，由此来自第二LED的光耦合输出特别良好。这当第一LED是发射红光的发光二极管时是尤其有利的，因为其典型地在如下方面是温度特别敏感的：即随着温度升高其效率强烈下降，并且因为由于经由金属芯电路板进行了良好的热耦合，第一LED的效率且进而发光二极管装置的效率能够是特别高的。此外，这当第二LED是体积发射的发光二极管时是尤其有利的，因为其光耦合输出与金属模板的高反射性表面的共同作用是特别好的。此外，如果第一LED是表面发射的发光二极管，第一LED就能够直接布置在金属芯电路板上并与其电连接、例如借助于焊接来电连接。
金属模板的厚度与覆盖体的竖直高度相比更小、例如明显地更小。金属模板和/或陶瓷体的表面是高反射性的例如能够意味着：高反射性的表面的反射率处于例如90％至98％、例如92％至96％、例如94％至95％的范围中。
在一个改进方案中，发光二极管装置具有第三LED，第三LED在基板上侧向地布置在第一LED和第二LED旁边。第三LED能够用于：产生具有如下波长谱的光，该波长谱既不对应于借助第一LED产生的电磁辐射的波长谱也不对应于借助第二LED产生的电磁辐射的波长谱。替选地或附加地，第三LED的电磁辐射能够借助于第二转换材料如下地转换，使得被转换的电磁辐射的波长谱既不对应于借助第一LED产生的电磁辐射的波长谱也不对应于借助第二LED产生的电磁辐射的波长谱，更不对应于借助第一转换材料产生的电磁辐射的波长谱。
在一个改进方案中，第三LED构造成与第一LED或第二LED结构相同的。
在一个改进方案中，第二灌封材料覆盖第三LED，第二灌封材料具有用于转换电磁辐射的第二转换材料。例如，第二LED和第三LED能够构造成结构相同的并且第一LED能够由具有第一转换材料的第一灌封材料覆盖，并且第二LED能够由具有第二转换材料的第二灌封材料覆盖。这使得，尽管第二LED和第三LED结构相同，借助于二者仍产生具有不同波长谱的光。
在一个改进方案中，发光二极管装置具有至少一个中间围挡，中间围挡在基板上侧向地布置在第一LED、第二LED和/或第三LED之间，并且中间围挡在侧向方向上对第一灌封材料和/或第二灌封材料进行限界。中间围挡能够直观地理解为模拟(Dummy)覆盖体，其尽管不覆盖LED进而既不用作为射束成形元件也不具有保护功能，但是在其他方面起到与覆盖体一样的作用。特别地，中间围挡用作为用于第一灌封材料和/或第二灌封材料的限界部。此外，中间围挡可选地能够在其形状方面与覆盖体对应。中间围挡的从基板起测量的竖直高度能够大于第一灌封材料的和/或第二灌封材料的高度。
根据本发明的一个方面，所述目的通过一种用于制造发光二极管装置的方法来实现。在该方法中：提供基板；在基板上布置第一LED；在基板上在第一LED旁边侧向地布置第二LED；在第一LED上方构造和布置至少一个覆盖体，使得覆盖体覆盖第一LED；在基板上布置至少一个围挡，使得围挡在侧向方向上包围第一LED和第二LED；将液态的第一灌封材料在第二LED上方灌注在覆盖体与围挡之间，使得第一灌封材料在侧向方向上由围挡和覆盖体限界，其中覆盖体和/或第一灌封材料具有用于转换电磁辐射的第一转换材料，并且将第一灌封材料干燥和/或硬化。
覆盖体和围挡形成用于第一灌封材料的侧向限界部和腔室，第一灌封材料能够填充到腔室中。覆盖体和围挡引起：第一灌封材料在液态下停留在对于第一灌封材料特定的位置处，尤其停留在第二LED上方，并且没有不受阻碍地越过基板流动。
在一个改进方案中，覆盖体构造为射束成形元件，尤其构造为光学透镜，其用于影响由第一发光二极管发射的电磁辐射的辐射路径。
在一个改进方案中，第一LED布置在金属芯电路板上。覆盖体布置在第一LED上方。构造金属模板，其中金属模板的背离金属芯电路板的表面是高反射性的并且具有凹部，并且金属模板布置在金属芯电路板上，使得第一LED布置在凹部中并且覆盖体穿过凹部伸出。第二LED布置在金属模板的高反射性的表面上。金属芯电路板和金属模板形成基板。
在一个改进方案中，在基板上在第一LED和第二LED旁边侧向地布置第三LED。将液态的第二灌封材料灌注到第三LED上方，使得第二灌封材料覆盖第三LED，其中第二灌封材料具有用于转换电磁辐射的第二转换材料。干燥和/或硬化第二灌封材料。
在一个改进方案中，将中间围挡在基板上侧向地构造在第一LED、第二LED和/或第三LED之间，使得中间围挡在侧向方向上对第一灌封材料和/或第二灌封材料进行限界。
附图说明
在附图中示出本发明的实施例并且在下文中详细阐述。
附图示出：
图1示出发光二极管装置的一个实施例的透视图；
图2示出贯穿图1的发光二极管装置的透视剖面图；
图3示出根据图1的发光二极管装置在其制造时的状态的透视图；
图4示出贯穿根据图3的发光二极管装置的透视剖面图；
图5示出金属模板的透视图；
图6示出根据图1的发光二极管装置在其制造时的状态的透视图；
图7示出贯穿根据图6的发光二极管装置的透视剖面图；
图8示出根据图1的发光二极管装置在其制造时的状态的透视图；
图9示出贯穿根据图8的发光二极管装置的透视剖面图；
图10示出根据图1的发光二极管装置在其制造时的状态的透视图；
图11示出贯穿根据图10的发光二极管装置的透视剖面图；
图12示出根据图1的发光二极管装置在其制造时的状态的剖面图；
图13示出发光二极管装置的一个实施例在其制造时的剖面图；
图14示出发光二极管装置的一个实施例的透视图。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，附图形成本说明书的一部分，并且其中示出能够实施本发明的具体的实施例以用于说明。因为实施例的组成部分能够以多个不同的方面来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施例并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的实施例的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解进行限制的意义，并且本发明的保护范围不通过所附的权利要求来限定。在附图中，只要适当的话，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。
发光二极管装置能够具有两个、三个或更多个发光二极管(LED)。可选地，发光二极管装置也能够具有一个、两个或更多个电子器件。电子器件例如能够包括有源器件和/或无源器件。有源器件例如能够包括计算单元、控制单元和/或调节单元和/或晶体管。无源的电子器件例如能够包括电容器、电阻、二极管或线圈。
LED是发射电磁辐射的器件。电磁辐射例如能够是可见范围中的光、UV光和/或红外光。
图1示出发光二极管装置10的一个实施例的透视图。发光二极管装置10具有基板12。基板12具有：主体，尤其是金属芯电路板14；和在主体上的层，层尤其由金属模板16形成。在基板12上布置第一LED20。在基板12上，在第一LED20旁边侧向地布置第二LED22。在第一LED20上方布置覆盖体24，覆盖体覆盖和保护第一LED20。在第二LED22的上方构造第一灌封材料28，第一灌封材料覆盖第二LED22。围挡26布置在基板12上并且围绕着第一LED20、第二LED22和覆盖体24延伸并且在侧向方向上包围第一LED20、第二LED22和覆盖体24。第一灌封材料28在侧向方向上由覆盖体24和围挡26限界。第一灌封材料28在图1中是透明的进而以不可见的方式示出，并且第一灌封材料在图12中示出并且尤其参考图12详细阐述。
第一LED20布置在金属芯电路板14上、尤其直接地布置在金属芯电路板14上。第一LED20沿着三条直线布置，其中直线彼此平行。替选于此，第一LED20能够沿着更多或更少直线布置和/或第一LED20能够沿着非直线的线，例如弧形线、圆形线或成角度的线布置。
第一LED20是表面发射的发光二极管。第一LED20是发射红光的发光二极管。此外，第一LED20具有薄膜芯片。替选于此，第一LED20能够是体积发射的发光二极管和/或发射不同于红光的、例如发射蓝光的发光二极管和/或具有蓝宝石芯片。
第二LED22布置在金属模板16上、尤其直接布置在金属模板16上。第二LED22沿着直线布置，其中直线彼此平行。替选于此，第二LED22能够沿着更多或更少的直线布置和/或第二LED22能够沿着非直线的线，例如弧形线、圆形线或成角度的线布置。
第二LED22是体积发射的发光二极管。第二LED22是发射蓝光的发光二极管。此外，第二LED22具有蓝宝石芯片。替选于此，第二LED22能够是表面发射的二极管和/或是发射不同于蓝光的、例如发射红光的发光二极管和/或具有薄膜芯片。
金属芯电路板14具有：金属芯，例如由铝或铜制成的金属芯；施加在金属芯上的介电层；和施加在介电层上的导电层，例如由铜制成的导电层。由于金属芯，金属芯电路板14具有特别良好的导热性。导电层用于第一LED20的电接触，其中由导电层能够形成多个未示出的电线。
金属模板16例如能够具有载体，载体涂覆有高反射性的层。可选地，高反射性的层能够涂覆有透明的保护层。
例如，金属模板16具有铝载体，铝载体涂覆有高反射性的银层，银层为了保护而涂覆有透明的介电质。此外，金属模板16能够具有多个未示出的印制导线，印制导线例如能够构造在透明的介电质上并且印制导线能够用于第二LED22的电接触。
覆盖体24直接地布置在第一LED20上且直接地布置在基板12上，尤其直接地布置在金属芯电路板14上。至少邻接于第一灌封材料28地从基板12的表面起测量，覆盖体24的高度大于第一灌封材料28的高度。覆盖体24在其背离第一LED20的一侧上具有光学透镜的形状，其用于由第一LED20产生的电磁辐射的辐射路径的射束成形。因此，覆盖体24构造为射束成形元件。替选于此，覆盖体2在其背离第一LED20的一侧上能够不具有用于由第一LED20产生的电磁辐射的辐射路径的射束成形的光学透镜的形状，而是例如构造成扁平或平坦的。覆盖体24构造成透明的或至少半透明的。这意味着，覆盖体至少基本上是透明的或者具有用于使由第一LED20产生的电磁辐射散射的散射元件。覆盖体24能够具有硅树脂、例如HRI(High Refractive Index高折射率)硅树脂或玻璃或由这些形成。
围挡26具有塑料或由塑料形成。例如，围挡26具有硅树脂或者由其形成。此外，围挡26能够具有高反射性材料、例如二氧化钛。高反射性材料例如能够嵌入在围挡26中。至少邻接于第一灌封材料28地从基板12的表面起测量，围挡26的高度大于第一灌封材料28高度的高度。
可选地，发光二极管装置10能够具有用于运行LED20、22的驱动电路。替选于此，发光二极管装置10能够与用于运行LED20、22的驱动电路电连接。
图2示出贯穿根据图1的发光二极管装置10的透视剖面图。
图3示出根据图1的发光二极管装置10在其制造时的状态的透视图。特别地，图3示出金属芯电路板14，在金属芯电路板上已经布置有第一LED20并且将覆盖体24布置在第一LED20上方。第一LED20固定在金属芯电路板14上并且与金属芯电路板14的电线电连接。例如，第一LED20借助于焊接与金属芯电路板14机械地和/或电连接。布置在同一覆盖体24下方的第一LED20电串联。布置在一个覆盖体24下方的第一LED20与布置在另一个覆盖体24下方的第一LED20电并联。替选于此，布置在同一覆盖体24下方的第一LED20能够电并联，和/或，布置在一个覆盖体24下方的第一LED20能够与布置在另一个覆盖体24下方的第一LED20电串联。
图4示出贯穿根据图3的发光二极管装置的透视剖面图。
图5示出金属模板16的透视图。金属模板16具有多个、尤其三个平行的且线形的凹部30。替选于此，金属模板16能够根据覆盖体24的数量和形状而具有更多或更少和/或其他形状的和/或不同布置的凹部。
图6示出根据图1的发光二极管装置10在其制造时的状态的透视图。特别地，图6示出发光二极管装置10的在图3和4中所示状态之后的状态。特别地，图5中示出的金属模板16布置在金属芯电路板14上，使得第一LED20布置在凹部30中并且覆盖体24穿过凹部30延伸。从金属芯电路板14的表面起测量，覆盖体24的高度大于金属模板16的厚度。
图7示出贯穿根据图6的发光二极管装置10的透视剖面图。
图8示出根据图1的发光二极管装置10在其制造时的状态的透视图。特别地，图8示出发光二极管装置10的在图6和7中所示状态之后的状态。特别地，第二LED22布置在金属模板16上。第二LED22机械地固定在金属模板16上并且在LED22之间彼此电连接，例如借助于芯片间键合连接(chip-to-chip bonding)。第二LED22例如借助于粘结材料与金属模板16机械连接。第二LED20沿着彼此平行的线布置。沿着一条线的第二LED22电串联。沿着一条线的第二LED22与沿着另一条线的第二LED22电并联。替选于此，第二LED22能够沿着一条线电并联和/或沿着一条线的第二LED22能够与沿着另一条线的第二LED22电串联。
图9示出贯穿根据图8的发光二极管装置10的透视剖面图。
图10示出根据图1的发光二极管装置10在其制造时的状态的透视图。特别地，图10示出发光二极管装置10的在图8和9中所示状态之后的状态。特别地，围挡26构造在基板12上。围挡26能够构造在金属模板16上或金属芯电路板14上。围挡26和覆盖体24形成腔室的侧向限界部，腔室在图11中向下由金属模板16限界并且向上敞开。腔室适合于填充液态的第一灌封材料28，其中如下地选择第一灌封材料28的填充高度，即第一灌封材料28不能够高于围挡26和/或高于覆盖体24流动。
图11示出贯穿根据图11的发光二极管装置10的透视剖面图。
图12示出根据图1的发光二极管装置10在其制造时的状态的剖面图。特别地，图12示出发光二极管装置10的在图10和11所示状态之后的状态。特别地，第一灌封材料28构造在第二LED22上，尤其直接构造在第二LED22上。在填充第一灌封材料28之后，将第一灌封材料28干燥和/或硬化，例如在热作用下和/或在干燥室中或在干燥炉中干燥和/或硬化。覆盖体24具有第一高度H1。围挡26具有第二高度H2。第一灌封材料28具有第三高度H3。高度H1、H2、H3分别从基板12的表面起测量，尤其从金属模板16的表面起测量。灌封材料28的第三高度H3小于覆盖体24的第一高度H1和/或围挡26的第二高度H2。
第一灌封材料28具有第一转换材料。例如，第一转换材料嵌入到第一灌封材料28的载体材料中。第一转换材料能够具有转换颗粒34。替选地，第一灌封材料28能够由第一转换材料形成。第一转换材料适合于对电磁辐射在其波长方面进行转换。特别地，第一转换材料转换由第二LED22产生的电磁辐射。例如，第二LED22发射蓝光，第一转换材料吸收蓝光的至少一部分并且发射黄光或薄荷色光，由此能够产生白光。替选于此，蓝光能够借助于第一转换材料转换成黄光，并且借助于第二转换材料转换成青白色光，由此能够产生可调整的或可调谐的白光。
替选于此，覆盖体24能够具有第一转换材料或第二转换材料，和/或第二灌封材料能够不具有转换材料。必要时，第二转换材料与第一转换材料不同。例如，受激发的第二转换材料能够发射与第一转换材料不同波长的光，和/或第二转换材料能够借助于与第一转换材料不同波长的光来激发。此外，在一个覆盖体24侧向旁边能够将第一转换材料布置在相对应的覆盖体24的第一侧上并且能够将第二灌封材料布置在相对应的覆盖体24的背离第一侧的第二侧上。因此，例如在图12中示出的实施例中能够布置分别通过覆盖体24彼此分开的四个不同灌封材料。
图13示出发光二极管装置10的一个实施例的剖面图，发光二极管装置大部分对应于之前阐述的发光二极管装置10。发光二极管装置10沿着以下剖线示出，在该剖线上不存在覆盖体24且该剖线例如平行于覆盖体24之一延伸。发光二极管装置10具有至少一个中间围挡36，例如三个中间围挡36。中间围挡如果未布置在第一LED20之上，那么就不具有保护功能并且也不具有射束成形功能。中间围挡36仅用于对不同的灌封材料进行划界，其中不同的灌封材料例如相应地能够具有不同的转换材料。替选于此，也能够布置有两个或超过三个中间围挡36。
图14示出发光二极管装置10的一个实施例的透视图。发光二极管装置10和用于制造发光二极管装置10的方法能够大部分地对应于之前阐述的发光二极管装置10或用于制造发光二极管装置10的方法，其中基板12具有陶瓷体32以代替金属芯电路板14和金属模板16，陶瓷体具有至少一个高反射性的表面。第一LED20和第二LED22直接布置在陶瓷体32上和/或布置在未示出的印制导线上并且与印制导线电连接，印制导线直接构造在陶瓷体32上。围挡26和覆盖体24又形成用于填充液态的第一灌封材料28的腔室。

Claims (16)

1.一种发光二极管装置(10)，具有
基板(12)，
第一LED(20)，所述第一LED布置在所述基板(12)上，
第二LED(22)，所述第二LED在所述基板(12)上侧向地布置在所述第一LED(20)旁边，
至少一个覆盖体(24)，所述覆盖体覆盖所述第一LED(20)，
至少一个围挡(26)，所述围挡布置在所述基板(12)上并且在侧向方向上包围所述第一LED(20)和所述第二LED(22)，和
第一灌封材料(28)，所述第一灌封材料覆盖所述第二LED(22)，并且所述第一灌封材料在侧向方向上由所述围挡(26)和所述覆盖体(24)限界，其中所述覆盖体(24)和/或所述第一灌封材料(28)具有用于转换电磁辐射的第一转换材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置(10)，其中，所述覆盖体(24)构造为射束成形元件，尤其构造为光学透镜，所述射束成形元件用于影响由所述第一LED(20)发射的电磁辐射的辐射路径。
3.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10)，其中，所述覆盖体(24)构造为透明的，并且所述第一灌封材料(28)具有所述第一转换材料。
4.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10)，其中，所述第一LED(20)发射红色可见光波长范围中的电磁辐射，并且其中所述第二LED(22)发射蓝色可见光波长范围中的电磁辐射。
5.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10)，其中，所述第一LED(20)是表面发射的发光二极管，并且其中所述第二LED(22)是体积发射的发光二极管。
6.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10)，其中，所述基板(12)具有
陶瓷体(32)，所述陶瓷体具有高反射性的表面，在所述高反射性的表面上布置有所述第一LED(20)和所述第二LED(22)，和
电线，所述电线构造在所述陶瓷体(32)上，并且所述电线与所述第一LED(20)和所述第二LED(22)电耦合。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的发光二极管装置(10)，其中，所述基板(12)具有
金属芯电路板(14)，在所述金属芯电路板上布置有所述第一LED(20)，和
金属模板(16)，所述金属模板布置在所述金属芯电路板(14)上，所述金属模板的背离所述金属芯电路板(14)的表面是高反射性的，在该表面上布置有所述第二LED(22)并且该表面具有凹部(30)，所述第一LED(20)布置在所述凹部中并且所述覆盖体(24)穿过所述凹部伸出。
8.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10)，所述发光二极管装置具有第三LED，所述第三LED在所述基板(12)上侧向地布置在所述第一LED(20)和所述第二LED(22)旁边。
9.根据权利要求8所述的发光二极管装置(10)，其中，所述第三LED构造成与所述第一LED(20)或所述第二LED(22)结构相同。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的发光二极管装置(10)，其中，第二灌封材料覆盖所述第三LED，所述第二灌封材料具有用于转换电磁辐射的第二转换材料。
11.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管装置(10)，具有至少一个中间围挡，所述中间围挡在所述基板(12)上侧向地布置在所述第一LED(20)、所述第二LED(22)和/或所述第三LED之间，并且所述中间围挡在侧向方向上对所述第一灌封材料(28)和/或所述第二灌封材料进行限界。
12.一种用于制造发光二极管装置(10)的方法，其中
提供基板(12)，
在所述基板(12)上布置第一LED(20)，
在所述基板(12)上在所述第一LED(20)旁边侧向地布置第二LED(22)，
构造至少一个覆盖体(24)，并且所述覆盖体布置在所述第一LED(20)上方，使得所述覆盖体覆盖所述第一LED(20)，
在所述基板(12)上布置至少一个围挡(26)，使得所述围挡在侧向方向上包围所述第一LED(20)和所述第二LED(22)，
将液态的第一灌封材料(28)在所述第二LED(22)上方灌注在所述覆盖体(24)与所述围挡(26)之间，使得所述第一灌封材料在侧向方向上由所述围挡(26)和所述覆盖体(24)限界，其中所述覆盖体(24)和/或所述第一灌封材料(28)具有用于转换电磁辐射的第一转换材料，并且
干燥和/或硬化所述第一灌封材料(28)。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述覆盖体(24)构造为射束成形元件，尤其构造为光学透镜，所述射束成形元件用于影响由所述第一LED(20)发射的电磁辐射的辐射路径。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其中
在金属芯电路板(14)上布置所述第一LED(20)，
在所述第一LED(20)上方布置所述覆盖体(24)，
构造金属模板(16)，所述金属模板的背离所述金属芯电路板(14)的表面是高反射性的并具有凹部(30)，并且所述金属模板布置在所述金属芯电路板(14)上，使得所述第一LED(20)布置在所述凹部(30)中且所述覆盖体(24)穿过所述凹部(30)伸出，
和
在所述金属模板(16)的高反射性的表面上布置所述第二LED(22)，其中所述金属芯电路板(14)和所述金属模板(16)形成了所述基板(12)。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中
在所述基板(12)上在所述第一LED(20)和所述第二LED(22)旁边侧向地布置第三LED，
将液态的第二灌封材料灌注到所述第三LED上方，使得所述第二灌封材料覆盖所述第三LED，其中所述第二灌封材料具有用于转换电磁辐射的第二转换材料，和
干燥和/或硬化所述第二灌封材料。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法，其中，在所述基板(12)上在所述第一LED(20)、所述第二LED(22)和/或所述第三LED之间侧向地布置中间围挡(36)，使得所述中间围挡在侧向方向上对所述第一灌封材料(28)和/或所述第二灌封材料进行限界。
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