JP5628425B2 - 半導体部品および半導体部品の製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (12)
- 少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)と、前記半導体チップ(2)が上に配置されている接続領域(53)を有する接続キャリア(5)と、を備えている半導体部品(1)であって、
− 反射層(4)が前記接続キャリア(5)の上に形成されており、
− 範囲制限構造(3)が、前記接続キャリア(5)の上に形成されており、横方向において前記半導体チップ(2)の周囲の少なくとも一部分に延在しており、
− 前記反射層(4)の少なくとも一部分が、横方向において前記半導体チップの側面(21)と前記範囲制限構造(3)との間に延在しており、
前記半導体チップ(2)が、垂直方向において前記範囲制限構造(3)よりも突き出しており、
前記接続領域(53)が接続領域層(530)によって形成されており、前記範囲制限構造(3)が、前記接続領域層(530)のうち前記接続領域(53)から隔てられている部分領域(531)によって形成されている、
半導体部品(1)。 - 前記反射層が、前記半導体チップの少なくとも一部分に直接隣接している、
請求項1に記載の半導体部品。 - 前記反射層が電気絶縁性として具体化されている、
請求項1または請求項2に記載の半導体部品。 - 前記反射層が、前記半導体部品の平面視において、完全に前記範囲制限構造の内側に配置されている、
請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体部品。 - 前記接続キャリアが、回路基板である、
請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体部品。 - 少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)と、前記半導体チップ(2)が上に配置されている接続領域(53)を有する接続キャリア(5)と、を備えている半導体部品(1)であって、
− 反射層(4)が前記接続キャリア(5)の上に形成されており、
− 範囲制限構造(3)が、前記接続キャリア(5)の上に形成されており、横方向において前記半導体チップ(2)の周囲の少なくとも一部分に延在しており、
− 前記反射層(4)の少なくとも一部分が、横方向において前記半導体チップの側面(21)と前記範囲制限構造(3)との間に延在しており、
前記半導体チップ(2)が、垂直方向において前記範囲制限構造(3)よりも突き出しており、
前記範囲制限構造(3)が、前記接続キャリア上の隆起部(32)によって形成されており、
前記隆起部が、結合層(35)によって前記接続キャリアに固定されている、
半導体部品。 - 少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)と、前記半導体チップ(2)が上に配置されている接続領域(53)を有する接続キャリア(5)と、を備えている半導体部品(1)であって、
− 反射層(4)が前記接続キャリア(5)の上に形成されており、
− 範囲制限構造(3)が、前記接続キャリア(5)の上に形成されており、横方向において前記半導体チップ(2)の周囲の少なくとも一部分に延在しており、
− 前記反射層(4)の少なくとも一部分が、横方向において前記半導体チップの側面(21)と前記範囲制限構造(3)との間に延在しており、
前記半導体チップ(2)が、垂直方向において前記範囲制限構造(3)よりも突き出しており、
前記範囲制限構造が、前記接続キャリアにおける凹部(34)によって形成されている、
半導体部品。 - 少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップ(2)と、前記半導体チップ(2)が上に配置されている接続領域(53)を有する接続キャリア(5)と、を備えている半導体部品(1)であって、
− 反射層(4)が前記接続キャリア(5)の上に形成されており、
− 範囲制限構造(3)が、前記接続キャリア(5)の上に形成されており、横方向において前記半導体チップ(2)の周囲の少なくとも一部分に延在しており、
− 前記反射層(4)の少なくとも一部分が、横方向において前記半導体チップの側面(21)と前記範囲制限構造(3)との間に延在しており、
前記半導体チップ(2)が、垂直方向において前記範囲制限構造(3)よりも突き出しており、
前記範囲制限構造が前記接続キャリア上の領域(33)によって形成されており、前記領域(33)が、前記接続キャリアに面している面における、前記反射層に隣接している材料よりも、前記反射層の材料に対する低い濡れ性を有する、
半導体部品。 - 半導体部品を製造する方法であって、
a) 接続領域(53)を有する接続キャリア(5)を形成するステップと、
b) 前記接続キャリアの上に範囲制限構造(3)を配置するステップと、
c) 接続領域(53)の上に半導体チップ(2)を配置するステップと、
d) 反射層(4)を形成するステップであって、前記反射層(4)の少なくとも一部分が、前記半導体チップ(2)と前記範囲制限構造(3)との間に延在しており、前記半導体チップ(2)が垂直方向において前記範囲制限構造(3)よりも突き出している、ステップと、
前記反射層が形成された後に、前記範囲制限構造を除去するステップと、
を含んでいる、方法。 - 前記反射層がディスペンサによって形成される、
請求項9に記載の方法。 - 半導体部品を製造する方法であって、
a) 接続領域(53)を有する接続キャリア(5)を形成するステップと、
b) 前記接続キャリアの上に範囲制限構造(3)を配置するステップと、
c) 接続領域(53)の上に半導体チップ(2)を配置するステップと、
d) 反射層(4)を形成するステップであって、前記反射層(4)の少なくとも一部分が、前記半導体チップ(2)と前記範囲制限構造(3)との間に延在しており、前記半導体チップ(2)が垂直方向において前記範囲制限構造(3)よりも突き出している、ステップと、
を含んでおり、
前記範囲制限構造が、局所的に濡れ性を小さくすることによって形成される、
方法。 - 請求項8に記載の半導体部品が製造される、
請求項11に記載の方法。
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US6614122B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-09-02 | Intel Corporation | Controlling underfill flow locations on high density packages using physical trenches and dams |
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JP4415717B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-02-17 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006093672A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
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KR101204115B1 (ko) * | 2005-02-18 | 2012-11-22 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치 |
JP4343137B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2009-10-14 | 株式会社フジクラ | 発光素子実装用基板、光源、照明装置、表示装置及び交通信号機、発光素子実装用基板の製造方法 |
WO2007012992A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Nxp B.V. | A package and manufacturing method for a microelectronic component |
US7365371B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-29 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants |
US7521728B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-04-21 | Cree, Inc. | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same |
US7804147B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-09-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement |
JP5167707B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-03-21 | 株式会社リコー | 積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、並びに電子表示装置 |
JP5250949B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2013-07-31 | デクセリアルズ株式会社 | 発光素子モジュール |
KR100828900B1 (ko) * | 2006-09-04 | 2008-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
DE102007021904A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper |
JP4205135B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2009-01-07 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム |
JP4438006B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-03-24 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN101436557A (zh) * | 2007-11-13 | 2009-05-20 | 香港科技大学 | Led阵列封装的晶圆级封装方法及其制造的led封装器件 |
JP5526782B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2014-06-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5119917B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5169263B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2009194213A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品 |
KR100957787B1 (ko) * | 2008-03-24 | 2010-05-12 | 삼성전기주식회사 | 다층 기판 제조 방법 및 다층 기판 |
KR101526567B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2015-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
CN201265758Y (zh) * | 2008-07-01 | 2009-07-01 | 研晶光电股份有限公司 | 改进型发光二极管结构 |
RU2503092C2 (ru) * | 2008-09-25 | 2013-12-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него |
JP5280818B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-09-04 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP4808244B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
DE202009018419U1 (de) * | 2009-03-09 | 2011-08-17 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit verbesserter Lichtleistung |
US9048404B2 (en) * | 2009-07-06 | 2015-06-02 | Zhuo Sun | Thin flat solid state light source module |
DE102010029368A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung |
DE102010031945A1 (de) | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
KR101817807B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2018-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
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