JP6318568B2 - 半導体チップをフォイルから取り外すための方法 - Google Patents

半導体チップをフォイルから取り外すための方法 Download PDF

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Description

本発明は、いわゆる予備剥離段階中に薄い半導体チップをフォイルから取り外すための方法に関する。
半導体チップは一般的にフレームによって保持されるフォイル上に供給され、それはまた、半導体実装機器、いわゆるダイボンダ上の処理のための、テープとしてこの分野で知られている。半導体チップは、このフォイルに接着する。フォイルを備えたフレームが、移動可能なウエハテーブルによって収容される。ウエハテーブルは、ある位置で次々に半導体チップを供給するために移動され、および、供給された半導体チップはチップグリッパーによって取り上げられて基板上に循環配置される。フォイルからの供給された半導体チップの除去は、フォイルの下に配置される（ダイエジェクタとしてこの分野で知られている）チップエジェクタで支えられる。
半導体チップの取り外しは、一般的に２段階、すなわち、半導体チップがチップグリッパーによる補助なしでダイエジェクタによってフォイルから少なくとも部分的に取り外される第１の段階、およびチップグリッパーが半導体チップをつかんでかつそれをフォイルから完全に取り外す第２の段階で生じる。第１の段階は、「予備剥離」段階として専門家によって知られている。ダイエジェクタは、針または移動可能なキャリッジまたは昇降することができるいくつかのプレートのような機械的に移動可能な手段、および、セットアップ段階で決定され、設定される必要がある機械手段が移動される方法を決定するいくつかのパラメータを備える。パラメータは、予備剥離プロセスが一方では最も短い可能な期間内に生じ、および他方では半導体チップが損傷を受けないような方法で設定される必要がある。予備剥離プロセスがあまりに迅速に実行される場合、半導体チップがバラバラになる可能性がある。
スイス特許出願第４５３／１２号明細書 特開２０１０−１１４４４１Ａ号広報 特開２０１０−１７１４２６Ａ号広報
予備剥離段階中のフォイルからの半導体チップの取り外しを改善することが、本発明の目的である。
本発明は、一般に予備剥離段階中に半導体チップをフォイルから取り外すための方法に関する。予備剥離段階は、チップグリッパーが取り外しに関与していない段階である。第１の態様に従って、本発明は取り外しプロセスの予備剥離ステップの継続期間を各々規定する時間間隔を決定して設定するためのセットアップ段階を含むような方法に関し、各予備剥離ステップ中に半導体チップの少なくとも１つの領域が、まずフォイルにくっついたままで曲げられ、その後フォイルから外れる。セットアップ段階は、以下の諸ステップを含む：
半導体チップの表面上へ実質的に垂直に当る光によって、除去されるべき半導体チップを照明するステップ；
その持続期間が決定されるべき各予備剥離ステップの間以下の諸ステップを実施するステップ：
予備剥離ステップを開始するステップ；
チェックが半導体チップのどの周辺領域も所定の輝度値より暗くない結果に至るまで
２つのステップ：
半導体チップの画像の録画および時間間隔の予備剥離ステップの開始から経過した画像への割り当てステップ、および
画像内で半導体チップの周辺領域が所定の輝度値より暗いかどうかをチェックするステップ；を繰り返すステップ；
ならびに最後の録画された画像と関連する時間間隔またはそこから生じる時間間隔を予備剥離ステップに割り当てるステップ。
第２の態様に従って、本発明は、フォイルの取り外しが予備剥離段階中にリアルタイムで監視される方法に関する。この方法は、以下の諸ステップを含む：
半導体チップの表面上へ実質的に垂直に当る光によって除去されるべき半導体チップを照明するステップ；
少なくとも１つの予備剥離ステップを実施するステップであって、半導体チップの少なくとも１つの領域がまずフォイルにくっついたままで曲げられ、その後フォイルから外れ、少なくとも１つの予備剥離ステップの各々が、以下の諸ステップを含むステップ：
予備剥離ステップを開始するステップ；
チェックが半導体チップのどの周辺領域も所定の輝度値より暗くない結果になるまで
２つのステップ：
半導体チップの画像の録画ステップおよび
画像内で半導体チップの周辺領域が所定の輝度値より暗いかどうかをチェックするステップ；を繰り返すステップ；ならびに
最後の予備剥離ステップの終わりにチップグリッパーによって半導体チップを握持してかつフォイルからの半導体チップの取り外しを完了するステップ。
予備剥離段階でのフォイルからの半導体チップの取り外しが、例えば昇降可能プレートを備えたダイエジェクタを用いて生じる。この場合、予備剥離ステップでの上述した開始は、まだ降ろされてない最も外側のプレートの降下を含有する。
予備剥離段階でのフォイルからの半導体チップの取り外しは、また、フォイルの表面と平行して移動可能であるキャリッジを用いて実行されることができる。この場合、予備剥離ステップでの上述した開始は、所定の距離だけのキャリッジの移動を含む。
本明細書の一部に組み込まれてそれを構成する添付の図面が、本発明の１つ以上の実施態様を例示し、かつ詳細な説明と共に、本発明の原理および実現を説明するのに役立つ。図は、一定の比率でない。図面の説明は以下の通りである：
本発明に従うプロセスを実行するために必要とされる半導体実装装置の構成要素の相互の配置を例証として図式的に示す； 昇降可能プレートの配置の平面図を示す、および カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。 カメラによって録画される画像を示す。
序文ですでに言及されたように、ウエハの半導体チップはフレームに締着されるフォイルに接着する。フォイルを備えたフレームが、ウエハテーブルによって収容される。チップグリッパーを用いて取られるべき次のそれぞれの半導体チップが、ピック位置でウエハテーブルによって利用可能にされる。フォイルからの供給された半導体チップの取り外しは、フォイルの下に配置されるダイエジェクタで支えられる。半導体実装装置は、その視野がピック位置に向けられてかつ供給された半導体チップの位置を決定するために用いられるカメラを含有する。このカメラは、本発明に従ってかつ取り外しプロセスの最適化および／または監視に関する異なるプロセスに対して半導体チップの直接照明と組み合わせて用いられる。これらのプロセスは、以下の通りである：
−ダイエジェクタに対する半導体チップの正確な位置合わせ；
−半導体チップの接着挙動の決定；
−半導体チップをフォイルから取り外すためにダイエジェクタを制御するパラメータの決定；
−フォイルからのチップの取り外しの監視、および
−各半導体チップに対するフォイルからの取り外しプロセスの個々の制御。
これらのプロセスが、以下で詳細に説明される。
図１は、例証として本発明に従うプロセスを実行するために必要である半導体実装装置の構成要素の相互の配置を図式的に示す。これらの構成要素は、半導体チップ３を備えたフォイル２を収容するウエハテーブル１、ダイエジェクタ４、カメラ５、ならびに半透鏡６、光学素子７および光源８を備える照明装置、画像処理装置９を備える。カメラ５は、一般的に半導体チップとして供給され、および、光学素子７は、光源８がその焦点に配置される開口および／またはレンズである。光源８は、例えばＬＥＤである。照明装置の光線１０が、供給された半導体チップ３Ａ上で、数度の所定の許容誤差値内で垂直に当たることが本発明にとって重要である。カメラ５は、それらがカメラ５の視野内に位置する限り、供給された半導体チップ３Ａによって、更に、隣接する半導体チップ３Ｂによって垂直に反射される光線を検出してかつ画像処理装置９に録画された画像を供給する。
本特許出願の出願日になお未公開である（特許文献１）にて詳細に説明されたように、本発明はダイエジェクタ４を参照することで下に説明される。この種のダイエジェクタ４は、ｘおよびｙによって指定される方向に平行にかつ垂直に位置合わせされるいくつかのプレート１１、すなわちこの場合プレート１１ＡおよびＬ字状プレート１１Ｂを備える。図２は、ｚ方向としてここで指定される、フォイル表面に垂直に延在する方向に昇降されることができるプレート１１のこの種の配置を平面図で示す。ｚ方向は、図２の描画面に垂直に延在する。フォイル２は、レベルｚ＝０に位置している。制御装置によって制御される駆動装置が、プレート１１を共に持ち上げて、その後所定の順序および所定の進行で時間とともに、最も外側のプレートから始めて一対ずつそれらを降ろすことを可能にする。
図３から１３は、カメラ５によって録画される、中心半導体チップ３Ａおよび隣接する半導体チップ３Ｂの画像を示す。これらのスナップショットのために用いられる半導体チップは、いわゆるダミーチップ、すなわち無構造チップである。
図３は、ダイエジェクタ４より上に位置している半導体チップ３Ａおよび隣接する半導体チップ３Ｂの一部を示す。半導体チップ３Ａ、更には隣接する半導体チップ３Ｂは平坦であり、それでそれらはチップに垂直に当たる照明装置の光線１０を垂直な方向にカメラ５へ反射して、画像内に明るく見える。鋸引きによって生成された半導体チップ３間の溝１２は、画像内に暗く見える。破線は、十字線の形でカメラ５の視野の中心を示す。図４は、その周辺領域１３が下方へ曲げられている、ダイエジェクタ４より上の半導体チップ３Ａを示す。半導体チップ３Ａの中心平坦領域は、照明装置の光を垂直にカメラ５へ反射して、画像内に明るく見える。半導体チップ３Ａの下方へ曲げられた周辺領域１３は照明装置の光を角度方向に反射し、それでここで反射される光線がカメラ５に到達しない。半導体チップ３Ａの下方へ曲げられた周辺領域１３は、したがって、画像内に暗くまたは黒にさえ見える。ダイエジェクタ４より上に設けられる半導体チップ３Ａの周辺領域１３の挙動がカメラ５を用いて検出されて、かつ上述したプロセスの最適化および／またはチェックのために以下に記載するように用いられる。これは、以下のいくつかのプロセスに対して説明される：
１．ダイエジェクタに対する半導体チップの正確な位置合わせ
ウエハテーブル１は、自動半導体実装機械によって自動的にまたは手動でオペレータによって、半導体チップ３Ａがダイエジェクタ４より上に位置するようにダイエジェクタ４に対して（移動および回転によって）配置されてかつ向けられ、半導体チップ３Ａの縁部が、ダイエジェクタ４の外側Ｌ字状プレート１１とできるだけ平行に位置合わせされる。理想的なセンタリングの場合、半導体チップ３Ａは、一般的に０．３ｍｍである所定の距離だけ全ての側面上で最も外側のプレート１１を越えてはみ出る。ダイエジェクタ４に対する半導体チップ３Ａの正確な位置合わせは、次に以下の諸ステップによって生じる：
−所定の高さｚ１＞０へのプレート１１の持上げ。
高さｚ１は有利には、半導体チップ３Ａの周辺領域１３がフォイル２から取り外されるように必要な大きさにされる。一度半導体チップ３Ａの周辺領域１３がフォイル２から外れると、半導体チップ３Ａは、画像内に明るく見える。隣接する半導体チップ３Ｂの周辺領域１４は、フォイル２によって上方へ曲げられて、したがって、画像内に黒い領域として見える。
−カメラ５による画像の録画。
半導体チップ３Ａが中心におかれた時、画像内に黒く見える隣接する半導体チップ３Ｂの周辺領域１４は全て等しい広さである。半導体チップ３Ａがダイエジェクタ４に対して中心におかれない場合、図５にて図示したように、画像内に黒く見える直接隣接する半導体チップ３Ｂの周辺領域１４は異なる幅を有する。
−４つの黒い周辺領域の幅Ｂ１からＢ４の決定。
−それによってウエハテーブル１がｘ方向およびｙ方向に移動される必要がある、補正値Δｘ＝１／２（Ｂ１−Ｂ３）およびΔｙ＝１／２（Ｂ２−Ｂ４）の算出、または、それによって半導体チップ３がダイエジェクタ４のプレート１１に対して中心におかれるように、ダイエジェクタ４がｘ方向およびｙ方向に移動される必要がある、補正値Δｘ＝１／２（Ｂ３−Ｂ１）およびΔｙ＝１／２（Ｂ４−Ｂ２）の算出。
図６は、半導体チップ３Ａおよび隣接する半導体チップ３Ｂの画像を示し、相互に反対側の隣接する半導体チップ３Ｂ１の周辺領域１４Ａが等しい広さ、および、相互に反対側の隣接する半導体チップ３Ｂ２の周辺領域１４Ｂが等しい広さである。この場合、半導体チップ３Ａはダイエジェクタ４に対して中心におかれる。
このステップは、センタリングを検証するおよび／または改善するために繰り返されることができる。
２．半導体チップの接着挙動の決定
フォイル２の粘着性がフォイル毎に変動するので、半導体チップ３は種々のウエハ内のフォイル２に、異なってより強い程度で接着する。半導体チップの接着挙動またはフォイルの粘着性は、以下の諸ステップによって決定されることができる：
１．所定の高さｚ０へのプレート１１の持上げ。
２．ｚＫ＝ｚ０の設定。
３．所定の持続期間Δｔｖが経過することの許容。
４．カメラ５による画像の録画。
５．半導体チップの表面全体が画像内に明るく見えるかの検証。画像内に暗く見える周辺領域がなおある場合、これは周辺領域がフォイルになお接着していることを意味する。
６．これが事実ならば：
半導体チップがもはやいかなる暗い周辺領域も含有しないようになるまで以下の諸ステップを繰り返す：
６．１ 所定の距離ΔｚＫだけのプレート１１の更なる持上げ；
６．２ 新規の値ｚＫ＝ｚＫ＋ΔｚＫの設定；
６．３ 持続期間Δｔｖが経過することの許容、および
６．４ カメラ５による画像の録画、および
６．５ 半導体チップの表面全体が画像内に明るく見えるか、またはそれがなお暗い周辺領域を含有するかの検証。
決定された高さｚＫは、粘着性に対する測度である。
３．予備剥離段階で半導体チップをフォイルから取り外すためにダイエジェクタを制御するパラメータの決定
フォイルからの半導体チップの取り外しに関するパラメータは、通常、実装プロセスの開始より前に各ウエハに対して個々に、または任意選択で１ロットのいくつかのウエハに対して決定される必要があり、かつ、自動半導体実装機械の上に設定される必要がある。パラメータは一方ではできるだけ迅速にかつ他方ではどの半導体チップも損傷されるかまたは破壊されることがないような遅さで、取り外しプロセスが生じるような方法で決定される必要がある。昇降可能プレート１１を備えたダイエジェクタ４の選ばれた例では、プレート１１が所定の順序および所定の時間的進行で最も外側のプレートから始めて、最初は所定の高さｚ２に共同で持ち上げられ、その後、プレート１１が降ろされるような方法でフォイル２からの半導体チップ３Ａの取り外しプロセスが生じる。全てのプレート１１が高さｚ２に持ち上げられた時点が、ｔ０＝０によって指定される。２つの最も外側のプレート１１が降ろされる時点が、ｔ１によって指定される。第２の最も外側のプレート１１が降ろされる時点が、ｔ２によって指定される。第３の最も外側のプレート１１が降ろされる時点が、ｔ３によって指定される、など。
以下のパラメータが決定される必要がある：
−高さｚ２
フォイル２が高さを増加させることによってより容易に半導体チップ３Ａから外れるので、高さｚ２は一方ではできるだけ高いべきである。他方では、取り外されるべき半導体チップ３Ａに面するそれらの周辺領域１４がこのプロセスで上方へ曲げられるので、高さｚ２は、隣接する半導体チップ３Ｂ内の応力があまり高くならないようなだけの高さでなければならない。
−持続期間Δｔ１＝ｔ１−ｔ０、Δｔ２＝ｔ２−ｔ１、Δｔ３＝ｔ３−ｔ２など
まだ降ろされてないプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域がそれぞれの持続期間の終わりでフォイル２から完全に取り外されるような方法で、持続期間Δｔ１、Δｔ２、Δｔ３などの各々が決定されなければならない。この種の持続期間があまりに短い長さに設定される場合、半導体チップ３Ａが更なる取り外しプロセス中に破壊される高い確率がある。持続期間があまりに長い長さに設定される場合、取り外しプロセスは必要以上に長くなり、それが自動半導体実装機械のスループットを低下させる。
高さｚ２は、以下の諸ステップによって決定される：
１．所定の高さｚ０へのプレート１１の持上げ。
２．ｚ２＝ｚ０の設定。
３．カメラ５による画像のYPS_英日・日英トライアル（特許）録画および直接隣接する半導体チップ３Ｂの黒い周辺領域１４の幅Ｂｉ（ｉ＝１から４）の測定。幅Ｂ１からＢ４まで導かれる幅Ｂの決定。
４．決定された幅Ｂが所定の全幅を上回らない場合：
決定された幅Ｂが全幅より大きくなるまで、以下の諸ステップを繰り返す：
４．１ 所定の距離Δｚだけのプレート１１の更なる持上げ；
４．２ 新規の値ｚ２＝ｚ２＋Δｚの設定、および
４．３ カメラ５による画像の録画および直接隣接する半導体チップ３Ｂの黒い周辺領域１４の新規の幅Ｂ１からＢ４の決定；
４．４ 新規の幅Ｂの決定；
４．５ 決定された幅Ｂが全幅を上回るかのチェック。
５．最終値ｚ２＝ｚ２−Δｚまでの高さｚ２の決定。
幅Ｂ１からＢ４に導かれる幅Ｂは、例えばＢ１からＢ４の平均または幅Ｂ１からＢ４の最大である。
図７から９は、次のように半導体チップ３Ａおよび隣接する半導体チップ３Ｂの状態を示す：
図７：ステップ３の後、すなわちプレート１１が高さｚ０に持ち上げられた状態。
図８：ステップ４．１から４．５を通しての第１の経過の後、すなわちプレート１１が高さｚ０＋Δｚに持ち上げられた状態。
図９：ステップ４．１から４．５の３回経過の後、すなわちプレート１１が高さｚ０＋３＊Δｚに持ち上げられた状態。
ダイエジェクタ４のプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域がすでにフォイル２から取り外された時点で、図７から９内に示される録画が、それぞれなされた。
持続期間Δｔ１、Δｔ２、Δｔ３などは、プレート１１が、高さｚ２に持ち上げられおよび、なおまだ降ろされていないプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３の周辺領域でフォイル２が完全に取り外される時点を決定するために、フォイル２からの半導体チップの取り外しがプレート１１の段階的な降下中に監視されるように決定される。プレート１１は少なくともそれらがフォイル２にもはや接触しないような程度までそれぞれ降ろされる。
これは、例えば以下の諸ステップによって生じる：
１．最も外側のプレート１１の降下。
２．半導体チップ全体が初めて明るく見えるまで、以下の諸ステップの繰り返し：
２．１ カメラ５による画像の録画、および
２．２ 半導体チップ３Ａの周辺領域１３の少なくとも１つがなお黒いかまたは半導体チップ３Ａの全体が明るく見えるかどうかという点での画像処理装置９による画像の評価；
３．半導体チップ３Ａ全体が明るく見えた第１の画像の録画までのステップ１でのプレート１１の降下からの持続期間の決定。
ステップ２はまた、カメラ５が所定の時間的進行で次々に画像を録画し、および、画像がその後評価されるような方法で、実行されることができる。
図１０から１３は、次のように半導体チップ３Ａおよび隣接する半導体チップ３Ｂの状態を示す：
図１０：時点ｔ０で、すなわちプレート１１の持上げのすぐ後、プレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域１３がフォイル２からまだ外れていない状態。
図１１：時点ｔ１で、プレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域１３がフォイル２から外れ、したがって、また明るく見える状態。
図１２：時点ｔ１の直後で、２つの最も外側のプレート１１が降ろされた後で、かつ高さｚ２にとどまっているプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域１３がフォイル２から外れる前の状態。
図１３：時点ｔ２で、高さｚ２にとどまっているプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域１３が、フォイル２から外れた状態。
時点ｔ２の直後の状態、２つの第２の最も外側のプレート１１が降ろされた後、および高さｚ２でとどまっているプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域１３がフォイル２から外れる前は、図４内に示される状態に対応する。時点ｔ３の状態は、図１３内に再び示される状態に対応する。
半導体チップ３がフォイル２により強く接着するウエハの領域が、通常知られている。持続期間Δｔ１、Δｔ２、Δｔ３などはしたがって有利には、ウエハのいくつかの位置で決定され、および、その最も長いものが次いで最終の持続期間として選ばれてかつプロセスパラメータとして記憶される。代わりとして、決定された持続期間Δｔ１、Δｔ２、Δｔ３などから導かれる持続期間がプロセスパラメータとして記憶されることができる。導かれた持続期間は、例えば所定の安全持続期間Δｔだけ延長された持続期間である。その後、ウエハは、次いでこのように決定された取り外しプロセスに対するパラメータによって処理される。
４．予備剥離段階でのフォイルからの半導体チップの取り外しの監視
フォイルからの半導体チップの取り外しがチップグリッパーのいかなる援助もなしで予備剥離として生じ、かつ、チップグリッパーがカメラ５の視野内にまだない限り、カメラ５が、例えば以下の諸ステップによって、取り外しプロセスを監視するために用いられることができる：
１．それぞれの持続期間Δｔ１またはΔｔ２またはΔｔ３などの満了の後のカメラ５による画像の録画。
２．半導体チップ全体が画像内に明るく見えるかどうかの、画像処理装置９による画像の評価。
これが事実ならば：取り外しプロセスの継続。
これが事実でない場合：現在の取り外しプロセスの終了と警報の発行。
５．予備剥離段階での各半導体チップに対するフォイルからの取り外しプロセスの個々の制御
方法３および４は、各半導体チップに対する予備剥離段階中にフォイルからの取り外しプロセスを個々に制御するために組み合わせられてかつわずかに変更されることができる。これは、例えば以下の諸ステップによる方法によって提供される：
１．新規のウエハに対して個々にまたはウエハのロット全体に対してのどちらかで、方法３内に記述されるような高さｚ２の決定。
２．以下の諸ステップによるウエハの半導体チップの処理：
２．１ 高さｚ２へのプレート１１の持上げ。
２．２ 以下を含む少なくとも１つの予備剥離ステップの実施
２．２．１ 最も外側のプレート１１の降下。
２．２．２ 任意選択で、所定の持続期間の間の待機。
２．２．３ カメラ５による画像の録画。
２．２．４ 半導体チップ全体が画像内に明るく見えるかどうかという点での画像処理装置９による画像の評価。
これが事実でない場合：ステップ２．２．２から２．２．４の繰り返し。
これが事実ならば：次の最も外側のプレートの降下、すなわちまだ降ろされていない次の最も外側のプレートに対するステップ２．２．１によって次の予備剥離ステップを続けるか、またはチップグリッパーによって半導体チップを握持し続け、かつフォイルからの半導体チップの取り外しを完了する。
このプロセスでは、まだ降ろされてないプレート１１を越えてはみ出る半導体チップ３Ａの周辺領域内の半導体チップ３Ａからフォイル２が完全に外れるときはいつでも、次のプレート１１が常に降ろされる。最後のプレートが降ろされるまで、またはチップグリッパーが半導体チップをつかむことが可能でかつ取り外しプロセスの最後の部分を支持するまで、これは生じる。
本発明は、上述したダイエジェクタ４に限定されず、フォイル２が段階的にまたは連続的に半導体チップから取り外される各プロセスに適用されることができる。特に、本発明に従う方法は、また、例えば（特許文献２）内に記述されるダイエジェクタのような降下可能プレートを備えた他のダイエジェクタに、または（特許文献３）内に記述されるダイエジェクタのような移動可能なキャリッジを備えたダイエジェクタに用いられることができる。この場合、プレートの段階的降下は、キャリッジの段階的移動に対応する。
本発明の実施態様および用途が図と共に記載されたとはいえ、前述されたものよりさらに多くの変更が本願明細書において発明の概念から逸脱することなく可能であることは、この開示の恩恵を有する当業者に明白である。本発明は、それゆえに添付の請求の範囲およびそれらの同等物の趣旨における以外制限されるべきでない。
１ ウエハテーブル
２ フォイル
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｂ１、３Ｂ２ 半導体チップ
４ ダイエジェクタ
５ カメラ
６ 半透鏡
７ 光学素子
８ 光源
９ 画像処理装置
１０ 光線
１１、１１Ａ、１１Ｂ プレート
１２ 溝
１３、１４、１４Ａ、１４Ｂ 周辺領域

Claims (4)

  1. 半導体チップをフォイルから取り外すための方法であって、前記方法が、各々が前記取り外しプロセスの予備剥離ステップの継続期間を規定する時間間隔を決定してかつ設定するためのセットアップ段階を含み、各予備剥離ステップ中に、前記半導体チップの少なくとも１つの領域が、まず前記フォイルにくっついたままでかつ曲げられ、かつその後前記フォイルから外れ、前記セットアップ段階が以下のステップ、すなわち：
    前記半導体チップの表面上へ実質的に垂直に当たる光によって除去されるべき半導体チップを照明するステップ；
    その持続期間が決定されるべき各予備剥離ステップに対して以下の諸ステップ、すなわち：
    前記予備剥離ステップを開始するステップ；
    下記チェックが前記半導体チップのどの周辺領域も所定の輝度値より暗くない結果に至るまで
    ２つのステップ：
    前記半導体チップの画像の録画および前記予備剥離ステップの開始から経過した前記画像に時間間隔を割り当てるステップ、および、
    前記画像の中で、前記半導体チップの周辺領域が所定の輝度値より暗いかどうかチェックするステップ；を繰り返すステップ；ならびに
    前記予備剥離ステップを最後の録画された画像と関連する時間間隔またはそこから導かれる時間間隔に割り当てるステップを実施するステップを含むことを特徴とする方法。
  2. 半導体チップをフォイルから取り外すための方法であって、前記方法が、以下のステップ、すなわち：
    前記半導体チップの表面上へ実質的に垂直に当たる光によって除去されるべき半導体チップを照明するステップ；
    少なくとも１つの予備剥離ステップを実施するステップであって、前記半導体チップの少なくとも１つの領域が、まず前記フォイルにくっついたままでかつ曲げられ、かつその後前記フォイルから外れ、前記少なくとも１つの予備剥離ステップの各々が、以下の諸ステップ、すなわち：
    前記予備剥離ステップを開始するステップ；
    下記チェックが前記半導体チップのどの周辺領域も所定の輝度値より暗くない結果に至るまで
    ２つのステップ、すなわち：
    半導体チップの画像の録画ステップおよび、
    前記画像の中で、前記半導体チップの周辺領域が所定の輝度値より暗いかどうかチェックするステップ；を繰り返すステップを含むステップ；ならびに
    最後の予備剥離ステップの終わりに、チップグリッパーによって前記半導体チップを握持してかつ前記フォイルからの前記半導体チップの取り外しを完了するステップを含むことを特徴とする方法。
  3. 前記方法がさらに、前記フォイル（２）からの前記半導体チップ（３）の前記取り外しのために昇降可能プレート（１１）を備えたダイエジェクタ（４）を用いるステップであって、前記少なくとも１つの予備剥離ステップ内の上述した開始が、まだ降ろされていない最も外側のプレートの降下を含有するステップを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
  4. 前記方法がさらに、前記フォイル（２）からの前記半導体チップ（３）の取り外しのために、前記フォイル（２）の表面と平行して移動可能であるキャリッジを備えたダイエジェクタ（４）を用いるステップであって、前記少なくとも１つの予備剥離ステップ内の上述した開始が、所定の距離だけの前記キャリッジの移動を含むステップを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
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