JP6233033B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について、図1から図8を参照して説明する。
Claims (3)
- 不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法であって、
シリコン基板上に第一のシリコン酸化膜を形成する工程と、
不純物拡散領域を形成するシリコン基板上の前記第一のシリコン酸化膜を除去する工程と、
前記シリコン基板上および前記第一のシリコン酸化膜上に不純物が導入されたポリシリコン膜を形成する工程と、
熱酸化処理により前記ポリシリコン膜を所定の膜厚を残して第二のシリコン酸化膜にすると同時に、前記ポリシリコン膜中の不純物を前記シリコン基板中に拡散させる工程と、
前記ポリシリコン膜上に形成された前記第二のシリコン酸化膜を除去する工程と、
残された前記ポリシリコン膜を熱酸化処理により第三のシリコン酸化膜にする工程と、
シリコン基板上の前記第三のシリコン酸化膜および前記第一のシリコン酸化膜を一度に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ポリシリコン膜を第二のシリコン酸化膜にする工程において、残される前記ポリシリコン膜の所定の膜厚を100nmとすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ポリシリコン膜は、その形成時の膜厚が200nm以上で、かつその不純物濃度が5.0×1020/cm3以上のリンが導入されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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