JP5245327B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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次に、犠牲酸化膜107上からレジストパターンR´1を除去する。そして、Si基板101に注入されたN型不純物を熱拡散して、断面視でチャネルとなる領域の両側にそれぞれN型のオフセット層111を形成する。
そこで、この発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、コストを抑えつつ、ゲート絶縁膜の耐圧不良を防止できるようにした半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
このような方法によれば、CMP処理の際のストッパーとして、又、不純物拡散層を形成する際のスルー膜として同一のシリコン窒化膜を使用しているので、工程をさらに短縮することができ、TATをより短くすることができる。
また、この方法によれば、CMP処理の際のストッパーとして、又、不純物拡散層を形成する際のスルー膜として、同一のシリコン窒化膜を使用しているので、工程を短縮することができ、TATを短くすることができる。
図1(a)〜図2(b)は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。ここでは、高耐圧トランジスタ(以下、HVトランジスタという。)と、低耐圧トランジスタ(以下、LVトランジスタという。)とを同一のシリコン(Si)基板1に有する半導体装置の製造方法について説明する。
次に、Si基板1上に犠牲酸化膜7を形成し、その上にシリコン窒化(SiN)膜9を形成する。犠牲酸化膜7は例えばSiO2膜であり、その膜厚は例えば100Åである。犠牲酸化膜7の形成は例えば熱酸化またはCVD法で行う。また、SiN膜9の膜厚は例えば1500Åであり、その形成は例えばCVD法で行う。
次に、レジストパターンR2を除去し、窒化膜パターン13下から露出した犠牲酸化膜7をエッチングして、Si基板1表面を露出させる。そして、図2(a)に示すように、窒化膜パターン13をマスクにSi基板1表面を熱酸化してゲート酸化膜15を形成する。HVトランジスタのゲート酸化膜15の膜厚は例えば800Åである。
この実施の形態では、Si基板1が本発明の「半導体基板」に対応し、オフセット層11が本発明の「不純物拡散層」に対応している。また、STI層10が本発明の「埋め込み絶縁層」に対応し、トレンチ内に埋め込まれるSiO2膜が本発明の「絶縁膜」に対応している。そして、ゲート酸化膜15が本発明の「ゲート絶縁膜」に対応している。
Claims (1)
- ゲート絶縁膜が形成される領域の半導体基板に不純物拡散層を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に犠牲酸化膜を形成する工程と、
前記犠牲酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記半導体基板に埋め込み絶縁層を形成する工程と、
前記埋め込み絶縁層を形成する工程では、前記シリコン窒化膜、前記犠牲酸化膜及び前記半導体基板を順次エッチングしてトレンチを形成し、次に、前記トレンチを埋め込むように前記シリコン窒化膜上に絶縁膜を堆積し、その後、前記シリコン窒化膜をストッパーに用いて前記絶縁膜にCMP処理を施すことにより前記埋め込み絶縁層を形成し、
前記シリコン窒化膜及び前記犠牲酸化膜を通して前記半導体基板に不純物をイオン注入することにより前記不純物拡散層を形成する工程と、
前記不純物拡散層の形成後に前記シリコン窒化膜を部分的にエッチングして、前記ゲート絶縁膜が形成される領域の上方を開口する窒化膜パターンを形成する工程と、
前記窒化膜パターンをマスクに前記半導体基板を熱酸化して前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、を含み、
前記窒化膜パターンは、前記シリコン窒化膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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