JP6210562B2 - 発光ダイオード装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、銀粒子と揮発性分散媒からなり、加熱により該銀粒子が焼結して特定の紫外線反射率を有する焼結物となる、発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板との接合用ペースト状銀粒子組成物、および、該ペースト状銀粒子組成物を使用して発光ダイオード素子をリードフレームもしく配線基板と接合してなる発光ダイオード装置およびその製造方法に関する。また、銀粒子と金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と揮発性分散媒からなり、加熱により該銀粒子と該金属粒子が焼結して特定の紫外線反射率を有する焼結物となる、発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板との接合用ペースト状銀粒子・金属粒子組成物、および、該ペースト状銀粒子・金属粒子組成物を使用して発光ダイオード素子をリードフレームもしく配線基板と接合してなる発光ダイオード装置およびその製造方法に関する。
金属粒子、特には銀粒子を熱硬化性樹脂組成物中に分散させてなる導電性ペーストは、加熱により硬化して導電性被膜が形成されるので、コンデンサ、抵抗、ダイオード、メモリ、演算素子（ＣＰＵ）等のチップ部品の基板への接着、特には発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板との接続に好適に使用されている。
しかし、近年チップ部品の高性能化、高発光化、高出力化により、チップ部品からの発熱量が増え、電気伝導性はもとより、熱伝導性の向上が要求されるため、導電性ペーストの金属粒子の含有率を可能な限り増加して電気伝導性、熱伝導性を向上することが再表２００９-１３３８９７（特許文献１）の背景技術欄に記載されている。
しかし、近年チップ部品の高性能化、高発光化、高出力化により、チップ部品からの発熱量が増え、電気伝導性はもとより、熱伝導性の向上が要求されるため、導電性ペーストの金属粒子の含有率を可能な限り増加して電気伝導性、熱伝導性を向上することが再表２００９-１３３８９７（特許文献１）の背景技術欄に記載されている。
しかしながら、金属粒子含有率を高くすると導電性ペーストの粘度が上昇し、作業性が著しく低下するという問題がある。また、電気伝導性および熱伝導性の低い有機樹脂を多量に含むため、その硬化物は体積抵抗率が大きく、熱伝導率が小さく、よって発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板との接合に用いた場合、往々にして発光ダイオード装置から発せられる発光光度が安定しないことに本発明者らは気がついた。
また、金属粉末としてアルミニウム粉末とそれ以外の金属粉末を含む接着性および耐侯性に優れた樹脂ペーストが特開２００９−２５９８３９（特許文献２）に提案されている。しかしながら、アルミニウムは紫外線全反射率が非常に高く、アルミニウム粉末を含有する金属含有ペーストの硬化物も紫外線全反射率が高くなり、発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板との接合に用いた場合、往々にして発光ダイオード装置から発せられる発光光度が安定しないことに本発明者らは気がついた。
一方、銀粒子と有機溶剤を含む組成物を焼成してその融着物からなる導電性材料を製造する方法、該導電性材料が、電気配線、部品電極、ダイアタッチ接合材または微細バンプの材料として使用される電子機器、および、該導電性材料が、配線基板又はリードフレームと、発光素子との接合材料として使用される発光装置が再表２００９／０９０９１５(特許文献３）で提案されている。
しかしながら、本発明者らは、このような導電性材料を、発光ダイオード装置において、発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板との接合に用いた場合、往々にして発光ダイオード装置から発せられる発光光度が安定しないことに気がついた。
本発明者らは、上記問題点のないペースト状銀粒子組成物を開発すべく鋭意研究した結果、ペースト状銀粒子組成物の焼結物表面の特定波長における紫外線全反射率が発光ダイオード装置における発光光度の安定性に影響していることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明の目的は、加熱すると銀粒子が容易に焼結し、特定波長における紫外線全反射率が一定の範囲内となるペースト状銀粒子組成物、および、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結物により、発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板とを接合することにより、発光光度が安定している発光ダイオード装置とその製造方法を提供することにある。また、加熱すると銀粒子・金属粒子が容易に焼結し、特定波長における紫外線全反射率が一定の範囲内となるペースト状銀粒子・金属粒子組成物、および、該ペースト状銀粒子・金属粒子組成物の加熱焼結物により、発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板とを接合することにより、発光光度が安定している発光ダイオード装置とその製造方法を提供することにある。
この目的は、
［１］（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより、該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物になることを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板との接合用ペースト状銀粒子組成物。
［１-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［１］に記載のペースト状銀粒子組成物。
［２］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［１］または［１-１］に記載のペースト状銀粒子組成物。
［１］（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより、該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物になることを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板との接合用ペースト状銀粒子組成物。
［１-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［１］に記載のペースト状銀粒子組成物。
［２］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［１］または［１-１］に記載のペースト状銀粒子組成物。
［３］（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより、該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結して波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物になることを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板との接合用ペースト状銀粒子・金属粒子組成物。
［３-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［３］に記載のペースト状銀粒子・金属粒子組成物。
［４］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［３］または［３-１］に記載のペースト状銀粒子・金属粒子組成物。；により達成される。
［３-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［３］に記載のペースト状銀粒子・金属粒子組成物。
［４］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［３］または［３-１］に記載のペースト状銀粒子・金属粒子組成物。；により達成される。
この目的は、
[５］発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板間に、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子組成物を介在させ、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該銀粒子（Ａ）同士を焼結することを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが該銀粒子焼結物により接合されてなる発光ダイオード装置の製造方法。
［５-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［５］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
［５-２］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［５］または［５-１］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
[５］発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板間に、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子組成物を介在させ、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該銀粒子（Ａ）同士を焼結することを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが該銀粒子焼結物により接合されてなる発光ダイオード装置の製造方法。
［５-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［５］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
［５-２］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［５］または［５-１］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
［６］発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板間に、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子・金属粒子組成物を介在させ、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士を焼結することを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが該銀粒子・金属粒子焼結物により接合されてなる発光ダイオード装置の製造方法。
［６-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［６］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
［６-２］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［６］または［６-１］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。；により達成される。
［６-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［６］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
［６-２］焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［６］または［６-１］に記載の発光ダイオード装置の製造方法。；により達成される。
この目的は、
［７］発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子組成物の銀粒子焼結物により接合されていることを特徴とする、発光ダイオード装置。
［７-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［７］に記載の発光ダイオード装置。
［８］銀粒子焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［７］または［７-１］に記載の発光ダイオード装置。
［７］発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子組成物の銀粒子焼結物により接合されていることを特徴とする、発光ダイオード装置。
［７-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［７］に記載の発光ダイオード装置。
［８］銀粒子焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［７］または［７-１］に記載の発光ダイオード装置。
［９］発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子・金属粒子組成物の銀粒子・金属粒子焼結物により接合されていることを特徴とする、発光ダイオード装置。
［９-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［９］に記載の発光ダイオード装置。
［１０］銀粒子・金属粒子焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［９］または［９-１］に記載の発光ダイオード装置。；により達成される。
［９-１］極性基を有する有機物は、（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択されることを特徴とする、［９］に記載の発光ダイオード装置。
［１０］銀粒子・金属粒子焼結物の体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする、［９］または［９-１］に記載の発光ダイオード装置。；により達成される。
本発明の請求項１で規定するペースト状銀粒子組成物は、加熱により揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子同士が焼結して、波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるので、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している。なお、この紫外線全反射率は、例えば、実施例中の［紫外線全反射率］欄に記載した方法で測定することができ、この発光光度は、例えば、実施例中の［発光光度の安定性］欄に記載した方法で測定することができる。
本発明の請求項２で規定するペースト状銀粒子・金属粒子組成物は、加熱により揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子および、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）同士が焼結して、波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるので、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している。
本発明の請求項７で規定する発光ダイオード装置は、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板間に、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子組成物を介在させ、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該銀粒子同士を焼結して接合しているので、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している。
本発明の上記発光ダイオード装置の製造方法は、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している発光ダイオード装置を効率よく製造することができる。
本発明の上記発光ダイオード装置の製造方法は、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している発光ダイオード装置を効率よく製造することができる。
本発明の請求項９で規定する発光ダイオード装置は、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満，２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板間に、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子および該金属粒子同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の焼結物となるペースト状銀粒子・金属粒子組成物を介在させ、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該銀粒子および該金属粒子同士を焼結して接合しているので、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している。
本発明の上記発光ダイオード装置の製造方法は、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している発光ダイオード装置を効率よく製造することができる。
本発明の上記発光ダイオード装置の製造方法は、発光ダイオード装置からの発光光度が安定している発光ダイオード装置を効率よく製造することができる。
本発明のペースト状銀粒子組成物は、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなる。
また、本発明のペースト状銀粒子・金属粒子組成物は、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなる。
また、本発明のペースト状銀粒子・金属粒子組成物は、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ａ１）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が極性基を有する有機物で被覆されてなる、金属塩の還元により製造された球状または粒状の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなる。
該銀粒子（Ａ）中の銀粒子の平均粒径、および、該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の平均粒径は、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定した粒度分布の体積基準の積算分率５０％での粒径、すなわち、メジアン径（Ｄ５０）である。
平均粒径が１０μｍを越えると、該銀粒子（Ａ）同士の焼結性、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士の焼結性が低下する恐れがあるので１０μｍ以下である。焼結性の点で平均粒径は小さい方が好ましく、５μｍ以下であることが好ましい。また、０.０１μｍ未満の場合、表面活性が強すぎてペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物の保存安定性が低下する恐れがあるため、０.０１μｍ以上であり、０.０２μｍ以上であることが好ましく、特には０.１μｍ以上であることが好ましい。
平均粒径が１０μｍを越えると、該銀粒子（Ａ）同士の焼結性、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士の焼結性が低下する恐れがあるので１０μｍ以下である。焼結性の点で平均粒径は小さい方が好ましく、５μｍ以下であることが好ましい。また、０.０１μｍ未満の場合、表面活性が強すぎてペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物の保存安定性が低下する恐れがあるため、０.０１μｍ以上であり、０.０２μｍ以上であることが好ましく、特には０.１μｍ以上であることが好ましい。
ペースト状銀粒子・金属粒子組成物における該銀粒子（Ａ）と該金属粒子（Ａ１）の比率は、該金属粒子の種類によって変わるので、一律には定めにくいが、目安として、該銀粒子（Ａ）１００質量％（１００質量％を含まない）〜４０質量％であって残余が該金属粒子（Ａ１）である。もっとも、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物の焼結物の波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％の範囲であるような比率であることが必要である。
該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）は、これら金属の合金であってもよく、また、これら金属によって表面がメッキされていてもよい。なお、該銀粒子（Ａ）中の銀粒子および該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の表面は一部が酸化していても良く、また、加熱により銀になる酸化銀を含んでいても良い。
該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）は、これら金属の合金であってもよく、また、これら金属によって表面がメッキされていてもよい。なお、該銀粒子（Ａ）中の銀粒子および該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の表面は一部が酸化していても良く、また、加熱により銀になる酸化銀を含んでいても良い。
本発明のペースト状銀粒子組成物中の銀粒子、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物中の銀粒子と金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の形状は、球状または粒状である。これらの形状は、例えばＪＩＳ Ｚ ２５００に記載の分類を用いることができる。なお、本発明の目的に反しない範囲において、少量のフレーク（薄片）状・針状・角状・樹枝状・不規則形状・涙滴状・板状・極薄板状・六角板状・柱状・棒状・多孔状・繊維状・塊状・海綿状・けい角状・丸み状等の銀粒子、金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）を併用して良い。
該銀粒子（Ａ）中の銀粒子の製法は銀塩の還元法であり、該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の製法は、金属塩（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の還元法である。例えば、銀粒子（Ａ）中の銀粒子の場合、還元法では、通常、硝酸銀水溶液とアンモニア水とを混合して反応させ銀アンミン錯体水溶液を得て、これとヒドロキノンと無水亜硫酸カリウムもしくはアンモニウムとゼラチンの水溶液を接触反応させて銀粉を還元析出させ、濾過し、残渣を水で洗浄し、加熱下乾燥させて調製する方法が例示される。あるいは、硝酸銀水溶液とアンモニア水とを混合して反応させ銀アンミン錯体水溶液を得て、これと有機還元剤（ヒドロキノン、アスコルビン酸、グルコース等）、特にはヒドロキノンの水溶液を接触反応させて銀粉を還元析出させ、濾過し、洗浄し、乾燥させて調製している。濾過残渣はアンモニアとヒドロキノンと無水亜硫酸カリウムもしくはアンモニウムとゼラチンを含有しており、銀粒子表面にアンモニアとヒドロキノンと無水亜硫酸カリウムもしくはアンモニウムとゼラチンが付着しているため、通常、清浄な水で繰り返し洗浄している。あるいは、濾過残渣はアンモニアと有機還元剤、特にはヒドロキノンを含有しており、銀粒子表面にアンモニアと有機還元剤、特にはヒドロキノンが付着しているため、通常、清浄な水とメタノールで繰り返し洗浄して得ることができる。このようにして製造された銀粒子（Ａ）は通常、球状または粒状である。また、該金属粒子（Ａ１）中の金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の場合は、硝酸金属塩、硫酸金属塩等を使用して、同様の方法により製造することができる。
銀粒子、金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）は、銀粒子同士、銀粒子と金属粒子同士の凝集を防ぎ、揮発性分散媒（Ｂ）への分散性を向上し、優れた焼結性を得るために、意図的に表面が極性基を有する有機物で被覆されていることが必要である。なお、還元法で銀粒子、金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）を製造する工程において使用する還元剤等の有機物が、銀粒子中、金属粒子中に微量残存する場合があるが、これは還元剤等の残存物であるので本発明における銀粒子、金属粒子の被覆剤ではない。本発明における極性基を有する有機物は、銀粒子や金属粒子（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）に会合、結合または吸着していることがあり得るが、被覆に含まれるものとする。極性基を有する有機物は銀粒子や金属粒子を被覆できれば、常温で固体、半固体、液体のいずれでもよい。
上記極性基として、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、カルボン酸塩基、カルボン酸エステル基、水酸基、アルコキシ基、アルキルエーテル基、リン酸基、酸性リン酸エステル基、ホスホン酸基が例示されるが、カルボキシル基、カルボン酸塩基、カルボン酸エステル基、水酸基であることが好ましい。
また、アミノ基、イミノ基(＝NH)、アンモニウム塩基、塩基性窒素原子を有する複素環基が例示されるが、アミノ基であることが好ましい。
炭素原子含有極性基の炭素原子数は好ましくは１〜５４である。
また、アミノ基、イミノ基(＝NH)、アンモニウム塩基、塩基性窒素原子を有する複素環基が例示されるが、アミノ基であることが好ましい。
炭素原子含有極性基の炭素原子数は好ましくは１〜５４である。
極性基を有する有機物は、好ましくは（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステル、（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤、および（ｃ）含窒素有機化合物からなる群から少なくとも一種が選択される。
（ａ）脂肪酸またはそのアルカリ金属塩もしくはエステルにおける脂肪酸として、炭素原子数が３以上であるプロパン酸（プロピオン酸）、ブタン酸（酪酸）、ペンタン酸（吉草酸）、ヘキサン酸（カプロン酸）、ヘプタン酸（エナント酸）、オクタン酸（カプリル酸）、ノナン酸（ペラルゴン酸）、デカン酸（カプリン酸）、ドデカン酸（ラウリン酸）、テトラデカン酸（ミリスチン酸）、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸（パルミチン酸）、ヘプタデカン酸（マルガリン酸）、オクタデカン酸（ステアリン酸）、１２−ヒドロキシオクタデカン酸（１２−ヒドロキシオレイン酸）、エイコサン酸（アラキン酸）、ドコサン酸（ベヘン酸）、テトラコサン酸（リグノセリン酸）、ヘキサコサン酸（セロチン酸）、オクタコサン酸（モンタン酸）等の１価の直鎖飽和脂肪酸；炭素原子数が１４以上である２−ペンチルノナン酸、２−ヘキシルデカン酸、２−ヘプチルドデカン酸、イソオレイン酸等の１価の分枝飽和脂肪酸；ソルビン酸、マレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、イソオレイン酸、エライジン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノール酸、ガドレン酸、エルカ酸、セラコレイン酸等の１価の不飽和脂肪酸が例示される。これら例示した脂肪酸の炭素原子数は最大２４であるが、これに限定されるものではなく、例えば５４であってもよい。
また、このような脂肪酸として、炭素原子数が２以上であるシュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマール酸、オキシジ酢酸（ジグリコール酸）、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ジグリコール酸等の多価の脂肪族カルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等の多価の芳香族カルボン酸が例示される。これら多価の脂肪酸、多価の芳香族カルボン酸の最大炭素原子数は、例えば５４である。
脂肪酸のアルカリ金属塩として、ナトリウム塩とカリウム塩とリチウム塩が例示されるが、好ましくはナトリウム塩とカリウム塩である。
脂肪酸のエステルとして、アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル）、フェニルエステルが例示される。これらアルキルエステルのアルキル基は炭素原子数１〜６が好ましい。
脂肪酸のエステルとして、アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル）、フェニルエステルが例示される。これらアルキルエステルのアルキル基は炭素原子数１〜６が好ましい。
（ｂ）酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤は、高分子からなる分散剤であり、重量平均分子量は通常１，０００以上である。重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（キャリア：テトラヒドロフラン）によって測定されるポリスチレン換算重量平均分子量である。
酸性官能基として、カルボキシル基、酸無水物基、リン酸基、酸性リン酸エステル基、ホスホン酸基が例示されるが、カルボキシル基、リン酸基または酸性リン酸エステル基であることが好ましい。酸性リン酸エステル基は、一部のリン結合水酸基がアルコキシ化されたものである。アルコキシ基としてメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などの低級アルコキシ基が例示される。低級アルコキシ基の炭素原子数は好ましくは１〜８である。
また、塩基性官能基として、アミノ基、イミノ基(＝NH)、アンモニウム塩基、塩基性窒素原子を有する複素環基が例示されるが、アミノ基、アンモニウム塩基（例えば、第３級アンモニウム塩基、第４級アンモニウム塩基）であることが好ましい。アミノ基は、第１級アミノ基(-NH2)、第２級アミノ基(-NHR)、第３級アミノ基(-NRR')のいずれでもよい。前記RとR'はアルキル基、フェニル基、アラルキル基などであり、炭素原子数は好ましくは１〜８である。
また、塩基性官能基として、アミノ基、イミノ基(＝NH)、アンモニウム塩基、塩基性窒素原子を有する複素環基が例示されるが、アミノ基、アンモニウム塩基（例えば、第３級アンモニウム塩基、第４級アンモニウム塩基）であることが好ましい。アミノ基は、第１級アミノ基(-NH2)、第２級アミノ基(-NHR)、第３級アミノ基(-NRR')のいずれでもよい。前記RとR'はアルキル基、フェニル基、アラルキル基などであり、炭素原子数は好ましくは１〜８である。
前記酸性官能基と塩基性官能基を有する高分子は、分子中の酸性官能基の一部を塩基性化合物により中和ないし塩化していてもよい。中和ないし塩化に用いる塩基性化合物として、たとえば、アルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物、アンモニア、アルキルアミン類、アマイドアミン類、アルカノールアミン類、モルホリン等の含窒素有機化合物が挙げられる。上記アルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム等が挙げられ、アルキルアミン類の具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミンが挙げられる。アルキル基とアルキレン基の炭素原子数は１〜８が好ましい。
また、分子中の塩基性官能基の一部を酸性化合物により中和ないし塩化していてもよい。中和ないし塩化に用いる酸性化合物として、たとえば、リン酸,部分アルキルエステル化リン酸(酸性リン酸エステル),カルボン酸（例えば、低級脂肪族モノカルボン酸,低級脂肪族ジカルボン酸）が挙げられる。これらカルボン酸の炭素原子数は１〜８が好ましい。酸性官能基の一部は、塩基性官能基との塩を形成していてもよい。
酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤の酸価は、５〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、１０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。また、高分子分散剤のアミン価は、５〜３００ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、１０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。
酸価とは、高分子分散剤固形分１ｇあたりの酸価を表し、ＪＩＳ Ｋ ００７０に準じ、電位差滴定法によって求めることができる。アミン価とは、高分子分散剤固形分１ｇあたりのアミン価を表し、０.１Ｎの塩酸水溶液を用い、電位差滴定法によって求めたのち、水酸化カリウムの当量に換算した値をいう。
酸価とは、高分子分散剤固形分１ｇあたりの酸価を表し、ＪＩＳ Ｋ ００７０に準じ、電位差滴定法によって求めることができる。アミン価とは、高分子分散剤固形分１ｇあたりのアミン価を表し、０.１Ｎの塩酸水溶液を用い、電位差滴定法によって求めたのち、水酸化カリウムの当量に換算した値をいう。
高分子分散剤において酸性官能基と塩基性官能基の高分子本体への結合位置は、特に限定されず、主鎖であってもよく、側鎖であってもよく、主鎖および側鎖に位置していてもよい。酸性官能基と塩基性官能基は、高分子本体へ直接結合しても良く、連結基を介して結合しても良い。連結基として、エチレン基〜オクチレン基などの低級アルキレン基、フェニレン基、鎖中にエーテル結合を有する低中級アルキレン基、鎖中にカルボン酸エステル結合を有する低中級アルキレン基、鎖中にカルボン酸アミド結合を有する低中級アルキレン基が例示される。低級アルキレン基の炭素原子数は１〜８が好ましく、鎖中にエーテル結合などを有する低中級アルキレン基の合計炭素原子数は２〜１２が好ましい。
市販の酸性官能基および／または塩基性官能基を有する高分子分散剤として、SOLSPERSE24000（酸価：２４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：４７ｍｇＫＯＨ／ｇ）,SOLSPERSE32000（酸価：１５ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：１８０ｍｇＫＯＨ／ｇ）（Lubrizol,Ltd.製）（SOLSPERSEは、リューブリゾル リミテッドの登録商標である）等が例示される。
また、DISPERBYK-106（酸価：１３２ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：７４ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-130（酸価：２ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：１９０ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-140（酸価：７３ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：７６ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-142（酸価：４６ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：４３ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-145（酸価：７６ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：７１ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-180（酸価：９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：９４ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-187（酸価：３５ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３５ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-191（酸価：３０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2001（酸価：１９ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：２９ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2010（酸価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2020（酸価：３７ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３６ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2020N（酸価：３６ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３６ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2025（酸価：３８ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３７ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-102（酸価：１０１ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-174（酸価：２２ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2096（酸価：４０ｍｇＫＯＨ／ｇ）、DISPERBYK-2150（アミン価：５７ｍｇＫＯＨ／ｇ）、などのディスパービックシリーズ品［ビックケミー・ジャパン株式会社販売品］（DISPERBYKは、ビイク―ヘミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシュレンクテル ハフツングの登録商標である）等が例示される。
また、BYK-9076（酸価：３８ｍｇＫOH／ｇ、アミン価：４４ｍｇＫＯＨ／ｇ）、BYK-9077（アミン価：４８ｍｇＫＯＨ／ｇ）、ANTI-TERRA-U（酸価：２４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：１９ｍｇＫＯＨ／ｇ）、ANTI-TERRA-Ｕ100（酸価：５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３５ｍｇＫＯＨ／ｇ）、ANTI-TERRA-204（酸価：４１ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３７ｍｇＫＯＨ／ｇ）、ANTI-TERRA-205（酸価：４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３７ｍｇＫＯＨ／ｇ）、ANTI-TERRA-250（酸価：４６ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：４１ｍｇＫＯＨ／ｇ）などのビックシリーズ品、アンチテラシリーズ品［ビックケミー・ジャパン株式会社販売品］（BYKおよびANTI-TERRAは、ビイク―ヘミー ゲゼルシヤフト ミツト ベシュレンクテル ハフツングの登録商標である）等が例示される。
また、ディスパロンＤＡ−２３４（酸価：１６ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）、ディスパロンＤＡ−３２５（酸価：１４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）などのディスパロンシリーズ品［楠本化成株式会社製］ディスパロンは、楠本化成株式会社の登録商標である）;アジスパーＰＢ−８２１（酸価：１７ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：１０ｍｇＫＯＨ／ｇ）、アジスパーＰＢ−８２２（酸価：１４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：１７ｍｇＫＯＨ／ｇ）、アジスパーＰＢ−８８１（酸価：１７ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：１７ｍｇＫＯＨ／ｇ）、アジスパーＰＮ−４１１（酸価：６ｍｇＫＯＨ／ｇ、アジスパーＰＡ−１１１（酸価：３５ｍｇＫＯＨ／ｇ）、などのアジスパーシリーズ品［味の素ファインテクノ株式会社製］が例示される（アジスパーは、味の素株式会社の登録商標である）。
（ｃ）含窒素有機化合物として、１級、２級もしくは３級のアルキルアミン類、アルキルアミドアミン類、N-アルキルエタノールアミン類、N-アルキルモルホリン、その他の有機アミン化合物が例示される。含窒素有機化合物の炭素原子数は１〜５４が好ましい。
銀粒子（Ａ）、金属粒子（Ａ１）を被覆する極性基を有する有機物の被覆量は、これら粒子の凝集を防止でき、揮発性分散媒（Ｂ）への分散性を向上できれば特に限定されないが、好ましくはこれら粒子の０．０１〜１０質量％であり、より好ましくはこれら粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上０．１μｍ未満の範囲では２〜１０質量％であり、平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下では０．０１〜２質量％である。
本発明のペースト状銀粒子組成物は、該銀粒子（Ａ）と揮発性分散媒（Ｂ）との混合物であり、粉末状の該銀粒子（Ａ）が揮発性分散媒（Ｂ）の作用によりペースト化している。ペースト化することによりシリンダーやノズルから細い線状に吐出でき、またメタルマスクによる印刷塗布が容易であり、微小な面積でも塗布が可能になる。非揮発性分散媒ではなく、揮発性分散媒（Ｂ）を使用するのは、加熱により該銀粒子（Ａ）が焼結する際に分散媒が前もって揮散すると該銀粒子（Ａ）が焼結しやすく、その結果、電気伝導性、熱伝導性、接着性が向上するからである。揮発性分散媒（Ｂ）は、銀粒子表面を変質させず、その沸点は６０℃以上であり、３００℃以下であることが好ましい。沸点が６０℃未満であるとペースト状銀粒子組成物を調製する作業中に揮発性分散媒（Ｂ）が揮散しやすく、沸点が３００℃より大であると、該銀粒子（Ａ）が焼結後も揮発性分散媒（Ｂ）が残留しかねないからである。
また、本発明のペースト状銀粒子・金属粒子組成物も同様に、該銀粒子（Ａ）と該金属粒子（Ａ１）と揮発性分散媒（Ｂ）との混合物であり、粉末状の該銀粒子（Ａ）と該金属粒子（Ａ１）が揮発性分散媒（Ｂ）の作用によりペースト化している。
そのような揮発性分散媒（Ｂ）として、水；エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、ターピネオール等の揮発性一価アルコール；エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキサンジオール、オクタンジオール等の揮発性多価アルコール；低級ｎ−パラフィン、低級イソパラフィン等の揮発性脂肪族炭化水素；トルエン、キシレン等の揮発性芳香族炭化水素；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイゾブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン）、２−オクタノン、イソホロン（３，５，５−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オン）、ジイブチルケトン（２，６−ジメチル−４−ヘプタノン）等の揮発性ケトン；酢酸エチル（エチルアセテート）、酢酸ブチルのような揮発性酢酸エステル；酪酸メチル、ヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、デカン酸メチルのような揮発性脂肪族カルボン酸エステル；テトラヒドロフラン、メチルセロソルブ、プロピレンブリコールモノメチルエーテル、メチルメトキシブタノール、ブチルカルビトール等の揮発性エーテル；低分子量の揮発性シリコーンオイルおよび揮発性有機変成シリコーンオイルが例示される。揮発性分散媒（Ｂ）は２種類以上を併用しても良く、揮発性分散媒同士の相溶性は問わない。また、本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物は加熱する温度でペースト状であれば良いので、揮発性分散媒（Ｂ）は常温で固体状、例えば、ピロガロール、ｐ−メチルベンジルアルコール、ｏ−メチルベンジルアルコール、シル−３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジオール、ピナコールなどのアルコール類；ビフェニル、ナフタレン、デュレンなどの炭化水素類；ジベンゾイルメタン、カルコン、アセチルシクロヘキサンなどのケトン類であっても良い。
揮発性分散媒（Ｂ）の配合量は、該銀粒子（Ａ）または該銀粒子（Ａ）と該金属粒子（Ａ１）をペースト状にするのに十分な量でよく、該銀粒子（Ａ）または該銀粒子（Ａ）と該金属粒子（Ａ１）１００質量部あたり、好ましくは５〜３０質量部であり、より好ましくは７〜２０質量部である。本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物には、本発明の目的・効果に反しない限り該銀粒子（Ａ）、該金属粒子（Ａ１）以外の金属粒子または非金属系の粉体、金属酸化物、金属化合物、金属錯体、チクソ剤、安定剤、焼結促進剤等の添加物を少量ないし微量添加しても良いが、本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物を加熱して得る焼結物の、３１５ｎｍにおける紫外線全反射率を著しく大きくする酸化チタン等の白色系顔料、および、３１５ｎｍにおける紫外線全反射率を著しく低下するカーボン等の黒色系顔料の添加は好ましくない。
本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物は、加熱することにより揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結することにより電気伝導性と熱伝導性と接着性が優れた銀の焼結物または銀・金属（ただし金属は銅、金、白金およびパラジウムからなる群から選択される）の焼結物となる。なお、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物にあっては、該銀粒子（Ａ）同士の焼結物、該金属粒子（Ａ１）同士の焼結物のほか、該銀粒子（Ａ）と該金属粒子（Ａ１）の焼結物が混在していても良い。この際、揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、ついで該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結してもよく、揮発性分散媒（Ｂ）の揮散と共に該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結してもよい。該銀粒子（Ａ）、該金属粒子（Ａ１）は、本来高い電気伝導性と熱伝導性を有するため、その焼結物も高い電気伝導性と熱伝導性を有する。この際の加熱温度は、揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結できる温度であればよく、通常１００℃以上であり、１５０℃以上がより好ましい。しかし、４００℃を越えると揮発性分散媒（Ｂ）が突沸的に蒸発して固形状銀焼結物、固体状銀・金属焼結物の形状に悪影響が出る可能性があるため４００℃以下であることが必要であり、より好ましくは３００℃以下である。
本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物を加熱する際の雰囲気は、大気または酸素ガスを含む酸化性ガス、水素ガスを含む還元性ガス、窒素ガス等の不活性ガス等が例示される。酸化されやすい銅粒子等を含む場合は、水素ガスを含む還元性ガスまたは窒素ガス等の不活性ガスが好ましいが、酸化性ガス中で焼結した後、還元性ガス中で還元するのがより好ましい。
該銀粒子（Ａ）同士が焼結してできた焼結物、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結してできた焼結物は、波長３１５ｎｍにおける該焼結物表面の紫外線全反射率は１〜２０％であり、より好ましくは１〜１０％、特に好ましく１〜５％である。該全反射率が１％未満または２０％を超えると、本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物を発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板の接合に用いた発光ダイオード装置において、発光光度が安定しにくい。
本発明における、該銀粒子（Ａ）同士が焼結してできた焼結物、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結してできた焼結物の波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率は、波長３１５ｎｍの紫外線を該焼結物に照射し、その全反射光（反射スペクトル）を測定することにより、求めることができる。その際、該焼結物は表面が凹凸でしかも多孔質であるため、反射光は正反射光だけでなく、散乱光、拡散光を含めた全反射率として測定する。このような紫外線全反射率の測定は、市販の測定装置（例えば、積分球を付属した株式会社島津製作所製ＵＶ−３１０１ＰＣ型自記分光光度計）により容易に行うことができる。
また、該銀粒子（Ａ）同士が焼結してできた焼結物、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結してできた焼結物は、導電性および熱伝導性に優れていることが必要である。具体的には、その体積抵抗率は１×１０-5Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、熱伝導性は１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。このように本発明のペースト状銀粒子組成物の焼結物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物の焼結物は、優れた導電性と熱伝導性（放熱性）を有するため、発光ダイオード装置の発光光度の安定性向上、長時間発光や断続発光における発光光度の安定性および発光ダイオード装置の信頼性向上等の性能向上に寄与する。なお、体積抵抗率および熱伝導率の測定装置は多数市販されており、容易に測定することができる。
本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物は、加熱すると揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、該銀粒子（Ａ）同士、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結することにより、電気伝導性、熱伝導性、接着性が優れ、接触していた金属製部材、例えば金、金メッキ、銀、銀メッキ、パラジウムメッキ等を有する半導体素子、リードフレーム、金属系基板、電気絶縁性基板上の電極等金属部分への接着性を有する焼結物となるので、電子部品、電子装置、電気部品、電気装置等の接合に有用であり、特に発光ダイオード装置における発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板との接合に有用である。
このような発光ダイオード素子はＬＥＤチップとも称され、本発明においてはレーザーダイオード素子を含む。発光ダイオード装置は、発光ダイオード素子がリードフレームまたは回路基板とボンディング（接合）されており、本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物はボンディング材（接合剤）として使用する。本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物により接合する部分の発光ダイオード素子、リードフレーム、回路基板の材質は、耐光性、耐熱性等を有し接続信頼性が高い、金、銀、銅、パラジウム、白金、それらの金属を含む合金、または、それらの金属または合金によりメッキされていることが好ましい。発光ダイオード装置の形態は限定されず、砲弾型、フラット型、チップ型、アレイ等が例示される。
実施例における砲弾型ＬＥＤを図２に示した。図２は、該砲弾型ＬＥＤの平面図である。この砲弾型ＬＥＤは、凹型の反射用カップ１を有するリードフレーム２のダイパッド３にペースト状銀粒子組成物４またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物４を塗布し、発光ダイオード素子５を載せてから加熱してペースト状銀粒子組成物４またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物４中の銀粒子または銀粒子・金属粒子を焼結してダイボンディングした後、発光ダイオード素子５ともう一方のリードフレーム２とをワイヤ６でボンディングした後、絶縁性で無色透明な熱硬化性エポキシ樹脂７で全体を封止することにより製作される。
図３は、図２の砲弾型ＬＥＤの発光ダイオード素子接合部の拡大図である。発光ダイオード素子５が銀粒子の焼結物または銀粒子・金属粒子の焼結物４により金メッキしたダイパッド３に接合している。
図３は、図２の砲弾型ＬＥＤの発光ダイオード素子接合部の拡大図である。発光ダイオード素子５が銀粒子の焼結物または銀粒子・金属粒子の焼結物４により金メッキしたダイパッド３に接合している。
発光ダイオード素子を構成する元素は、目的とする発光ピーク波長により変わるが、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上の場合は、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ等を使用することができる。なお、発光ダイオード素子が発する光の波長には通常ある程度の幅があり、発光ピーク波長はその内で最も大きい発光強度を示す波長である。発光ピーク波長は、分光光度計により発光スペクトルを測定して容易に知ることができる。
また、これらの元素の比率は適宜選択される。例えば、ＧａＡｌＡｓの比率が０.６５：０.３５：１であると、発光ピーク波長は６６０ｎｍである。ＧａＩｎＰの比率が０.５：０.５：１であると、発光ピーク波長は６５０ｎｍである。ＧａＡｓＰの比率が１：０.３５：０.６５であると、発光ピーク波長は６３５ｎｍであり、１：０.１５：０.８５であると、発光ピーク波長は５８５ｎｍである。ＡｌＧａＩｎＰの比率が０.０２５：０.４７５：０.５：１であると発光ピーク波長は６４７ｎｍであり、０.１：０.４：０.５：１であると発光ピーク波長は６０９ｎｍであり、０.１５：０.３５：０.５：１であると発光ピーク波長は５９１ｎｍであり、０.２２５：０.２７５：０.５：１であると発光ピーク波長は５６０ｎｍである。ＧａＰの比率が１：１であると発光ピーク波長は５６５ｎｍである。ＩｎＧａＮの比率が０.４５：０.５５：１であると発光ピーク波長は５２０ｎｍであり、０.２：０.８：１であると発光ピーク波長は４６５ｎｍであり、０.１：０.９：１であると発光ピーク波長は４０５ｎｍである。
なお、発光ピーク波長が４００ｎｍ〜２００ｎｍの場合は、ＧａＮ、ＡｌＮを用い、各元素の比率を適宜選択することが好ましい。
なお、発光ピーク波長が４００ｎｍ〜２００ｎｍの場合は、ＧａＮ、ＡｌＮを用い、各元素の比率を適宜選択することが好ましい。
発光ダイオード装置の発光光度は、発光ダイオード素子の先端を頂点として、測光軸を頂点からおろした垂線（中心線）とする円すい内の光束を、円すいの底面に対応する立体角について平均した光度である、ＣＩＥ平均化ＬＥＤ光度（単位ｃｄまたはｍｃｄ）として通常の方法で測定することができる。この際、発光ダイオード装置に印加する駆動電圧、駆動電流は発光ダイオード装置によって変わるが、通常は各々数ボルト、数十ｍＡであり、発光光度は数十ｍｃｄから数万ｍｃｄである。
発光ダイオード素子は有機物を分解する性質のある紫外線を発する場合があり、また、発光に伴い多量の熱の発生があるので、紫外線や熱により劣化しやすいエポキシ樹脂等の有機物を含む接合剤の使用は好ましくなく、実質的に焼結後の焼結物中に有機物を含まない本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物を好適に用いることができる。
本発明の実施例と比較例を掲げる。実施例と比較例中、部とあるのは質量部を意味する。平均粒径はメディアン径を意味する。強制循環式オーブン内での加熱は、大気中で行った。銀粒子、金属粒子の被覆剤量、ペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物を加熱して生成した焼結物の紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さおよび発光ダイオード装置における発光光度の安定性は、下記の方法により、断りがない限りは常温で測定した。
［被覆剤量］
示差熱熱重量同時測定装置（島津製作所株式会社製ＤＴＧ−６０ＡＨ型）を用い、大気中で該銀粒子（Ａ）または該金属粒子（Ａ１）を昇温速度１０℃／分にて室温（約２３℃）から５００℃まで昇温して、その減量率を被覆剤量として算出した。銅粒子を含む場合は、大気中の代わりに、窒素ガス中にて測定した。
示差熱熱重量同時測定装置（島津製作所株式会社製ＤＴＧ−６０ＡＨ型）を用い、大気中で該銀粒子（Ａ）または該金属粒子（Ａ１）を昇温速度１０℃／分にて室温（約２３℃）から５００℃まで昇温して、その減量率を被覆剤量として算出した。銅粒子を含む場合は、大気中の代わりに、窒素ガス中にて測定した。
［紫外線全反射率］
幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２.０ｍｍのガラス板上に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍの開口部を有する２ｍｍ厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して板状の焼結物とした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。ガラス板からはずした該焼結物について、積分球を付属した株式会社島津製作所製ＵＶ−３１０１ＰＣ型自記分光光度計により波長と反射率の関係を測定し、３１５ｎｍにおける反射率を紫外線全反射率とした。
幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２.０ｍｍのガラス板上に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍの開口部を有する２ｍｍ厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して板状の焼結物とした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。ガラス板からはずした該焼結物について、積分球を付属した株式会社島津製作所製ＵＶ−３１０１ＰＣ型自記分光光度計により波長と反射率の関係を測定し、３１５ｎｍにおける反射率を紫外線全反射率とした。
［体積抵抗率］
幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２.０ｍｍのガラス板上に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍの開口部を有する２ｍｍ厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して板状の焼結物とした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。ガラス板からはがした該焼結物について、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じた方法により体積抵抗率（単位；Ω・ｃｍ）を測定した。
幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２.０ｍｍのガラス板上に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍの開口部を有する２ｍｍ厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して板状の焼結物とした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。ガラス板からはがした該焼結物について、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じた方法により体積抵抗率（単位；Ω・ｃｍ）を測定した。
［熱伝導率］
幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２.０ｍｍのガラス板上に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍの開口部を有する２ｍｍ厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して板状の焼結物とした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。ガラス板からはがした該焼結物について、レーザーフラッシュ法により熱伝導率（単位；Ｗ／ｍ・Ｋ）を測定した。
幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ２.０ｍｍのガラス板上に、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍの開口部を有する２ｍｍ厚のメタルマスクを用いて、ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して板状の焼結物とした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。ガラス板からはがした該焼結物について、レーザーフラッシュ法により熱伝導率（単位；Ｗ／ｍ・Ｋ）を測定した。
［接着強さ］
幅２５ｍｍ×長さ７０ｍｍ×厚さ１.０ｍｍの銀基板（銀純度９９.９９％）上に、１０ｍｍの間隔をおいて４つの幅２.５ｍｍ×長さ２.５ｍｍの開口部を有する１００μｍ厚のメタルマスクを用いてペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、その上に幅２.５ｍｍ×長さ２.５ｍｍ×厚さ０.５ｍｍの銀チップ（銀純度９９.９９％）を搭載後、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して接合した。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。かくして得られた接着強さ測定用試験体の幅２.５ｍｍ×長さ２.５ｍｍ×厚さ０.５ｍｍの銀チップの側面を接着強さ試験機により押厚速度２３ｍｍ／分で押圧し、接合部がせん断破壊したときの荷重をもって接着強さ（単位；ＭＰａ）とした。
幅２５ｍｍ×長さ７０ｍｍ×厚さ１.０ｍｍの銀基板（銀純度９９.９９％）上に、１０ｍｍの間隔をおいて４つの幅２.５ｍｍ×長さ２.５ｍｍの開口部を有する１００μｍ厚のメタルマスクを用いてペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、その上に幅２.５ｍｍ×長さ２.５ｍｍ×厚さ０.５ｍｍの銀チップ（銀純度９９.９９％）を搭載後、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱して接合した。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。かくして得られた接着強さ測定用試験体の幅２.５ｍｍ×長さ２.５ｍｍ×厚さ０.５ｍｍの銀チップの側面を接着強さ試験機により押厚速度２３ｍｍ／分で押圧し、接合部がせん断破壊したときの荷重をもって接着強さ（単位；ＭＰａ）とした。
［発光光度の安定性］
凹型の反射用カップを有する発光ダイオード装置用リードフレームのダイ部にペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、０.５ｍｍ角のＧａＡｌＡｓ（比率０.６５：０.３５：１）からなる発光ダイオード素子（発光ピーク波長６６０ｎｍ）、または、ＩｎＧａＮ（比率０.２：０.８：１）からなる発光ダイオード素子（発光ピーク波長４６５ｎｍ）を載せ、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱してダイボンディングした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。
発光ダイオード素子の上部の電極ともう一方のリードフレームとをワイヤボンディングしたのち、絶縁性で無色透明な熱硬化性エポキシ樹脂で全体を直径５ｍｍの砲弾型に封止して発光ダイオード装置を製造した。このように製造した各々１０個の発光ダイオード装置について、ＣＩＥ平均化ＬＥＤ光度計を用い駆動電流２０ｍＡでの発光光度（単位；ｍｃｄ）を測定し、その平均値と標準偏差を求めた。標準偏差の値が小さいほど、発光光度は安定性がある。
凹型の反射用カップを有する発光ダイオード装置用リードフレームのダイ部にペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物を塗布し、０.５ｍｍ角のＧａＡｌＡｓ（比率０.６５：０.３５：１）からなる発光ダイオード素子（発光ピーク波長６６０ｎｍ）、または、ＩｎＧａＮ（比率０.２：０.８：１）からなる発光ダイオード素子（発光ピーク波長４６５ｎｍ）を載せ、２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱してダイボンディングした。銅粒子を含む場合は、更に、水素ガス１０体積％と窒素ガス９０体積％の混合ガスであるフォーミングガス中において、２００℃の温度で１０分間加熱した。
発光ダイオード素子の上部の電極ともう一方のリードフレームとをワイヤボンディングしたのち、絶縁性で無色透明な熱硬化性エポキシ樹脂で全体を直径５ｍｍの砲弾型に封止して発光ダイオード装置を製造した。このように製造した各々１０個の発光ダイオード装置について、ＣＩＥ平均化ＬＥＤ光度計を用い駆動電流２０ｍＡでの発光光度（単位；ｍｃｄ）を測定し、その平均値と標準偏差を求めた。標準偏差の値が小さいほど、発光光度は安定性がある。
［参考例］
導電性硬化性組成物を調製するための熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物は以下のように調製した。
ミキサー中で、三菱化学株式会社製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ｊＥＲ８２８、粘度１４Ｐａ・ｓ、エポキシ当量１９０ｇ）３７.５部、ＡＤＥＫＡ株式会社製エポキシ樹脂（商品名：ＥＤ５０９Ｓ、粘度２０ｍＰａ・ｓ、エポキシ当量２０６ｇ）４.０部、硬化剤として味の素ファインケミカル株式会社製のエポキシ樹脂硬化剤（商品名：ＰＮ−４０）８.５部を均一に混合することにより、熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物を調製した。
導電性硬化性組成物を調製するための熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物は以下のように調製した。
ミキサー中で、三菱化学株式会社製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ｊＥＲ８２８、粘度１４Ｐａ・ｓ、エポキシ当量１９０ｇ）３７.５部、ＡＤＥＫＡ株式会社製エポキシ樹脂（商品名：ＥＤ５０９Ｓ、粘度２０ｍＰａ・ｓ、エポキシ当量２０６ｇ）４.０部、硬化剤として味の素ファインケミカル株式会社製のエポキシ樹脂硬化剤（商品名：ＰＮ−４０）８.５部を均一に混合することにより、熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物を調製した。
[実施例１]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬、沸点２１８℃（以後同様））１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表１にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与すること、すなわち、発光ダイオード装置毎の発光光度のバラツキが小さいことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬、沸点２１８℃（以後同様））１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表１にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与すること、すなわち、発光ダイオード装置毎の発光光度のバラツキが小さいことがわかる。
[実施例２]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子５０部、硫酸銅の還元法で製造された平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.８質量％である）球状の銅粒子５０部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬、沸点２４４℃（以後同様））１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子・銅粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子・銅粒子組成物を加熱して生成した銀粒子および銅粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は１８％であった。また、該ペースト状銀粒子・銅粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表１にまとめて示した。このペースト状銀粒子・銅粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子５０部、硫酸銅の還元法で製造された平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.８質量％である）球状の銅粒子５０部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬、沸点２４４℃（以後同様））１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子・銅粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子・銅粒子組成物を加熱して生成した銀粒子および銅粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は１８％であった。また、該ペースト状銀粒子・銅粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表１にまとめて示した。このペースト状銀粒子・銅粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
[実施例３]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が０.０２μｍであり,表面がヘキサン酸で被覆された（ヘキサン酸量は２.２質量％である）球状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１６部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表１にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が０.０２μｍであり,表面がヘキサン酸で被覆された（ヘキサン酸量は２.２質量％である）球状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１６部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表１にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
[実施例４]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が３.０μｍであり,表面がオレイン酸エステルで被覆された（オレイン酸エステル量は０.３質量％である）球状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）８部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表２にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が３.０μｍであり,表面がオレイン酸エステルで被覆された（オレイン酸エステル量は０.３質量％である）球状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）８部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表２にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
[実施例５]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がアミノ基を有する高分子分散剤であるビックケミー・ジャパン株式会社製のDISPERBYK-2150（アミン価：５７ｍｇＫＯＨ／ｇ）で被覆された（DISPERBYK-2150量は０.５質量％である）粒状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表２にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がアミノ基を有する高分子分散剤であるビックケミー・ジャパン株式会社製のDISPERBYK-2150（アミン価：５７ｍｇＫＯＨ／ｇ）で被覆された（DISPERBYK-2150量は０.５質量％である）粒状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表２にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
[実施例６]
実施例５において、表面がアミノ基を有する高分子分散剤であるビックケミー・ジャパン株式会社製のDISPERBYK-2150（アミン価：５７ｍｇＫＯＨ／ｇ）で被覆された（DISPERBYK-2150量は０.５質量％である）粒状の銀粒子の代わりに、表面がリン酸エステル基とアミノ基を有する両性高分子分散剤であるビックケミー・ジャパン株式会社製のDISPERBYK-2020（酸価：３７ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３６ｍｇＫＯＨ／ｇ）で被覆された（DISPERBYK-2020量は０.４量％である）粒状の銀粒子を用いた以外は同様にしてペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表２にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
実施例５において、表面がアミノ基を有する高分子分散剤であるビックケミー・ジャパン株式会社製のDISPERBYK-2150（アミン価：５７ｍｇＫＯＨ／ｇ）で被覆された（DISPERBYK-2150量は０.５質量％である）粒状の銀粒子の代わりに、表面がリン酸エステル基とアミノ基を有する両性高分子分散剤であるビックケミー・ジャパン株式会社製のDISPERBYK-2020（酸価：３７ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価：３６ｍｇＫＯＨ／ｇ）で被覆された（DISPERBYK-2020量は０.４量％である）粒状の銀粒子を用いた以外は同様にしてペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表２にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
[実施例７]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面が１，２-プロパンジアミンで被覆された（１，２-プロパンジアミン量は０.３質量％である）粒状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表３にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面が１，２-プロパンジアミンで被覆された（１，２-プロパンジアミン量は０.３質量％である）粒状の銀粒子１００部に、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が小さく安定していた。
以上の結果を表３にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード素子とリードフレームを強固に接合し、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与することがわかる。
[比較例１]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子５０部に、参考例で調製した熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物５０部とカーボン粉末（和光純薬工業株式会社発売の試薬）０.１部を添加し、均一に混合して熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を調製した。
この熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を加熱して硬化した固形物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は０.５％であった。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度の変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表４にまとめて示した。このペースト状エポキシ樹脂組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子５０部に、参考例で調製した熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物５０部とカーボン粉末（和光純薬工業株式会社発売の試薬）０.１部を添加し、均一に混合して熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を調製した。
この熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を加熱して硬化した固形物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は０.５％であった。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度の変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表４にまとめて示した。このペースト状エポキシ樹脂組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例２]
硫酸銅の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）球状の銅粒子５０部と、参考例で調製した熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物５０部を均一に混合して熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を調製した。
この熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を加熱して硬化した固形物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は２７％であった。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度の変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表４にまとめて示した。このペースト状エポキシ樹脂組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硫酸銅の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）球状の銅粒子５０部と、参考例で調製した熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物５０部を均一に混合して熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を調製した。
この熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を加熱して硬化した固形物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は２７％であった。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度の変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表４にまとめて示した。このペースト状エポキシ樹脂組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例３]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子１００部に、カーボン粉末（和光純薬工業株式会社発売の試薬）０.１部を添加し、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は０.１％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表４にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.７質量％である）粒状の銀粒子１００部に、カーボン粉末（和光純薬工業株式会社発売の試薬）０.１部を添加し、α−ターピネオール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は０.１％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表４にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例４]
硫酸銅の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.８質量％である）球状の銅粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銅粒子組成物を調製した。
このペースト状銅粒子組成物を加熱して生成した銅粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３０％であった。また、該ペースト状銅粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表５にまとめて示した。このペースト状銅粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硫酸銅の還元法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.８質量％である）球状の銅粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銅粒子組成物を調製した。
このペースト状銅粒子組成物を加熱して生成した銅粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３０％であった。また、該ペースト状銅粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表５にまとめて示した。このペースト状銅粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例５]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が０.３μｍ（比表面積２．５４ｍ２／ｇ）であり,表面が有機物で被覆されていない球状の銀粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１２部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。このペースト状銀粒子組成物は、銀粒子表面が有機物で被覆されていない点で、特許文献３の実施例の第２導電性材料組成物に相当している。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表５にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が０.３μｍ（比表面積２．５４ｍ２／ｇ）であり,表面が有機物で被覆されていない球状の銀粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１２部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。このペースト状銀粒子組成物は、銀粒子表面が有機物で被覆されていない点で、特許文献３の実施例の第２導電性材料組成物に相当している。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表５にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例６]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.１μｍであり,表面が有機物で被覆されていない粒状の銀粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。このペースト状銀粒子組成物は、銀粒子表面が有機物で被覆されていない点で、特許文献３の実施例の第２導電性材料組成物に相当している。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表５にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が１.１μｍであり,表面が有機物で被覆されていない粒状の銀粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。このペースト状銀粒子組成物は、銀粒子表面が有機物で被覆されていない点で、特許文献３の実施例の第２導電性材料組成物に相当している。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表５にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例７]
硝酸銀の還元法で製造された銀粒子を用いてフレーク化した,平均粒径が７.９μｍであり,表面がオレイン酸で被覆された（オレイン酸量は０.５質量％である）フレーク状の銀粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１７.６部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表６にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造された銀粒子を用いてフレーク化した,平均粒径が７.９μｍであり,表面がオレイン酸で被覆された（オレイン酸量は０.５質量％である）フレーク状の銀粒子１００部に、オクタンジオール（２−エチル−１，３−ヘキサンジオール）（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１７.６部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表６にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例８]
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が０.００５μｍであり,表面がマロン酸で被覆された（マロン酸量は１０.１量％である）球状の銀粒子１００部に、１−ヘキサノール（和光純薬工業株式会社発売の試薬、沸点１５７℃（以後同様））２４部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表６にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が０.００５μｍであり,表面がマロン酸で被覆された（マロン酸量は１０.１量％である）球状の銀粒子１００部に、１−ヘキサノール（和光純薬工業株式会社発売の試薬、沸点１５７℃（以後同様））２４部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表６にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例９]
硝酸銀の還元法で製造された銀粒子をフレーク化した,平均粒径が１４.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.９質量％である）フレーク状の銀粒子１００部に、１−ヘキサノール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表６にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
硝酸銀の還元法で製造された銀粒子をフレーク化した,平均粒径が１４.０μｍであり,表面がステアリン酸で被覆された（ステアリン酸量は０.９質量％である）フレーク状の銀粒子１００部に、１−ヘキサノール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は３％であった。また、該ペースト状銀粒子組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度は変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表６にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例１０]
アトマイズ法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で処理された（ステアリン酸量は０.３質量％である）球状の銀粒子１００部に、１−ヘキサノール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物は脆くて壊れやすいため、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定することはできなかった。以上の結果を表７にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
アトマイズ法で製造され,平均粒径が１.０μｍであり,表面がステアリン酸で処理された（ステアリン酸量は０.３質量％である）球状の銀粒子１００部に、１−ヘキサノール（和光純薬工業株式会社発売の試薬）１０部を添加し、均一に混合してペースト状銀粒子組成物を調製した。
このペースト状銀粒子組成物を加熱して生成した銀粒子の焼結物は脆くて壊れやすいため、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定することはできなかった。以上の結果を表７にまとめて示した。このペースト状銀粒子組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
[比較例１１]
アトマイズ法で製造され,平均粒径が１０μｍであり,表面がステアリン酸で表面処理された球状のアルミニウム粉末６部、硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が７.９μｍであり,表面がオレイン酸で被覆された（オレイン酸量は０.５質量％である）フレーク状の銀粒子４４部、（該アルミニウム粉末と該銀粒子の体積比は３５：６５である）と参考例で調製した熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物５０部を均一に混合して熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を調製した。
この熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を加熱して硬化した固形物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は２１％であった。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度の変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表７にまとめて示した。このペースト状エポキシ樹脂組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
アトマイズ法で製造され,平均粒径が１０μｍであり,表面がステアリン酸で表面処理された球状のアルミニウム粉末６部、硝酸銀の還元法で製造され,平均粒径が７.９μｍであり,表面がオレイン酸で被覆された（オレイン酸量は０.５質量％である）フレーク状の銀粒子４４部、（該アルミニウム粉末と該銀粒子の体積比は３５：６５である）と参考例で調製した熱硬化性液状エポキシ樹脂組成物５０部を均一に混合して熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を調製した。
この熱硬化性ペースト状エポキシ樹脂組成物を加熱して硬化した固形物について、紫外線全反射率、体積抵抗率、熱伝導率、接着強さを測定した。紫外線全反射率は２１％であった。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて製造した発光ダイオード装置における発光光度の安定性を測定したところ、発光光度の変動が大きく安定していなかった。
以上の結果を表７にまとめて示した。このペースト状エポキシ樹脂組成物は、発光ダイオード装置の発光光度の安定性に寄与していないことがわかる。
本発明のペースト状銀粒子組成物、ペースト状銀粒子・金属粒子組成物は、加熱すると揮発性分散媒（Ｂ）が揮散し、該銀粒子（Ａ）同士、該銀粒子（Ａ）および該金属粒子（Ａ１）同士が焼結することにより、波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜２０％であり、しかも、電気伝導性、熱伝導性の優れた焼結物となるので、発光ダイオード装置における発光ダイオード素子とリードフレームまたは回路基板との接合に有用である。本発明の発光ダイオード装置は、発光光度が安定しているので、安定した表示に有用である。
１ 反射用カップ
２ リードフレーム
３ ダイパッド（金メッキ）
４ ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物（焼結後は銀粒子の焼結物または銀粒子・金属粒子の焼結物である）
５ 発光ダイオード素子（ダイパッドおよびワイヤパッド部は金メッキ）
６ ワイヤ（金製）
７ 熱硬化性エポキシ樹脂
２ リードフレーム
３ ダイパッド（金メッキ）
４ ペースト状銀粒子組成物またはペースト状銀粒子・金属粒子組成物（焼結後は銀粒子の焼結物または銀粒子・金属粒子の焼結物である）
５ 発光ダイオード素子（ダイパッドおよびワイヤパッド部は金メッキ）
６ ワイヤ（金製）
７ 熱硬化性エポキシ樹脂
Claims (1)
- 発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板間に、（Ａ）平均粒径が０.０１〜１０μｍであり、表面が、（ｃ）炭素原子数１〜５４の１級、２級もしくは３級のアルキルアミン類で被覆されてなる、銀塩の還元により製造された球状または粒状の銀粒子と、（Ｂ）揮発性分散媒とからなるペースト状物であり,２００℃の強制循環式オーブン内で１時間加熱することにより該揮発性分散媒が揮散し該銀粒子（Ａ）同士が焼結して,波長３１５ｎｍにおける紫外線全反射率が１〜５％であり、体積抵抗率が１×１０-5Ω・ｃｍ以下であり、かつ、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の焼結物となるペースト状銀粒子組成物を介在させ、１００℃以上４００℃以下で加熱することにより該銀粒子（Ａ）同士を焼結することを特徴とする、発光ピーク波長が７００ｎｍ未満,２００ｎｍ以上である発光ダイオード素子とリードフレームもしくは配線基板とが該銀粒子焼結物により接合されてなる発光ダイオード装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014199716 | 2014-09-30 | ||
| JP2014199716 | 2014-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016072595A JP2016072595A (ja) | 2016-05-09 |
| JP6210562B2 true JP6210562B2 (ja) | 2017-10-11 |
Family
ID=55864944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015029579A Active JP6210562B2 (ja) | 2014-09-30 | 2015-02-18 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6210562B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6431013B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-11-28 | シャープ株式会社 | 窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子 |
| JP6887321B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-06-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、および、その製造方法 |
| CN117043889A (zh) * | 2021-03-24 | 2023-11-10 | 住友电木株式会社 | 导电性膏和半导体装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4828178B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2011-11-30 | ハリマ化成株式会社 | 導電性接着剤および該導電性接着剤を利用する物品の製造方法 |
| WO2006126614A1 (ja) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Nihon Handa Co., Ltd. | ペースト状銀組成物、その製造方法、固形状銀の製造方法、固形状銀、接着方法および回路板の製造方法 |
| EP2239743B1 (en) * | 2008-01-17 | 2020-03-11 | Nichia Corporation | Method for producing conductive material, conductive material obtained by the method, electronic device containing the conductive material, light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting device |
| JP5574761B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2014-08-20 | 国立大学法人山形大学 | 被覆銀超微粒子とその製造方法 |
| JP5416153B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-02-12 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペースト、及びその製造方法、並びに導電接続部材 |
| JP5785023B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2015-09-24 | 第一工業製薬株式会社 | 銀粒子分散体組成物、これを用いた導電性回路および導電性回路の形成方法 |
| JP5971909B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペースト、及び該導電性ペーストを焼成して得られる接合体 |
| JP2014027095A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| TWI592234B (zh) * | 2012-08-07 | 2017-07-21 | Daicel Corp | Method for producing silver nano-particles, silver nano-particles and silver paint composition |
| JP6368924B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2018-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
| KR101558462B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2015-10-13 | 가켄 테크 가부시키가이샤 | 도전성 페이스트 및 다이 본딩 방법 |
| JP5558547B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-07-23 | ニホンハンダ株式会社 | ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法 |
| JP5975911B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2016-08-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2015
- 2015-02-18 JP JP2015029579A patent/JP6210562B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2016072595A (ja) | 2016-05-09 |
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