JP2014027095A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板と電子部品との間に介在して、基板と電子部品とを接合する金属焼結体を備える電子装置において、金属焼結体の空孔を、樹脂で隙間なく充填するにあたって、樹脂の含浸を均一且つ短時間に行えるようにする。
【解決手段】基板10のうち金属焼結体30が配置される部位に、貫通孔13を開ける孔開け工程と、貫通孔13を有する基板10の一面11上にペーストを配置するペースト配置工程と、基板10の一面11上にてペーストの上に電子部品20を搭載する部品搭載工程と、その後、ペーストを加熱して焼成することにより金属焼結体30を形成する焼成工程と、金属焼結体30の周りに液状の樹脂40を配置し、基板10の他面12側から貫通孔13を介して吸引を行うことにより、液状の樹脂40を金属焼結体30中に含浸させる含浸工程と、金属焼結体30中に含浸された液状の樹脂40を固化させる樹脂固化工程と、を備える。
【選択図】図3
【解決手段】基板10のうち金属焼結体30が配置される部位に、貫通孔13を開ける孔開け工程と、貫通孔13を有する基板10の一面11上にペーストを配置するペースト配置工程と、基板10の一面11上にてペーストの上に電子部品20を搭載する部品搭載工程と、その後、ペーストを加熱して焼成することにより金属焼結体30を形成する焼成工程と、金属焼結体30の周りに液状の樹脂40を配置し、基板10の他面12側から貫通孔13を介して吸引を行うことにより、液状の樹脂40を金属焼結体30中に含浸させる含浸工程と、金属焼結体30中に含浸された液状の樹脂40を固化させる樹脂固化工程と、を備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板と電子部品との間に介在して、基板と電子部品とを接合する接合材としての金属焼結体を備える電子装置、および、そのような金属焼結体を備える電子装置の製造方法に関する。
この種の電子装置としては、一面と他面とが表裏の関係にある基板と、基板の一面上に搭載された電子部品と、基板と電子部品との間に介在する金属焼結体と、を備えたものが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
ここで、金属焼結体は、Ag等の金属微粒子を焼結してなるもので、基板と電子部品とを機械的、場合によっては電気的にも接合する接合材である。また、金属焼結体は基板と電子部品とを熱伝導可能に接続するものであり、金属焼結体を介して電子部品の熱が基板側へ放熱されるようになっている。
このような電子装置は、金属焼結体を構成する金属微粒子を含むペーストを、基板の一面上に配置し、そのペーストの上に電子部品を搭載した後、ペーストを加熱して焼成することにより金属焼結体を形成することにより、製造される。
このような金属焼結体は、被着体である基板および電子部品の金属電極と金属微粒子とが焼結し、また、金属微粒子同士でも焼結パスを作るため、界面抵抗が小さく、また、高いバルク熱伝導率が期待できる。また、融点が高いAgなどを金属微粒子に用いた場合は高耐熱が期待でき、例えば2次実装工程で再溶融しないなどの利点がある。
しかし、この金属焼結体は、材料形態や硬化条件などによって、空孔をもつポーラスな焼結構造になる。この場合、冷熱サイクル時に金属焼結体に大きな応力が集中し、クラックが発生しやすくなるなど、冷熱サイクル信頼性が低いという問題がある。
しかしながら、金属焼結体を、空孔の無いバルク構造とするには、加熱硬化時に高圧力や高温が必要となり加工が難しい。また、金属焼結体をポーラス構造とした場合には、高温時に焼結が進行して構造変化してしまうなど、構造の制御が困難になるという問題もある。
一方で、特許文献2には、溶剤型の導電性接着剤を介して半導体素子と基板とを接合した構成において、当該導電性接着剤による接合部の信頼性を確保するために、ポーラスな導電性接着剤中に、液状の樹脂を含浸させたものが提案されている。
これを上記金属焼結体に応用すれば、ポーラスな金属焼結体の形成後、液状の樹脂を金属焼結体の周りから金属焼結体中に含浸させ、この含浸された樹脂を固化させることにより、焼結パスを有し且つ樹脂が充填された金属焼結体が形成される。そして、高熱伝導性と高信頼性を両立させることが可能となる。
しかしながら、金属焼結体は、もともと、基板と電子部品との間の狭い間隔に形成されたものであり、且つ、金属焼結体の空孔も微小なものであるから、液状の樹脂を金属焼結体の全体に、均一且つ短時間で含浸させることは困難である。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板と電子部品との間に介在して、基板と電子部品とを接合する金属焼結体を備える電子装置において、金属焼結体の空孔を、樹脂で隙間なく充填するにあたって、金属焼結体への樹脂の含浸を均一且つ短時間に行えるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(11)と他面(12)とが表裏の関係にある基板(10)と、基板の一面上に搭載された電子部品(20)と、金属微粒子を焼結させてなり、基板と電子部品との間に介在し、基板と電子部品とを接合する金属焼結体(30)と、を備える電子装置の製造方法において、
基板、電子部品、および、金属焼結体を構成する金属微粒子を含むペーストを用意する用意工程と、基板のうち金属焼結体(30)が配置される部位に、基板の一面から他面に貫通する貫通孔(13)を開ける孔開け工程と、貫通孔を有する基板の一面上にペーストを配置するペースト配置工程と、基板の一面上にてペーストの上に電子部品を搭載する部品搭載工程と、部品搭載工程の後、ペーストを加熱して焼成することにより金属焼結体を形成する焼成工程と、金属焼結体の周りに液状の樹脂(40)を配置し、基板の他面側から貫通孔を介して吸引を行うことにより、液状の樹脂を金属焼結体中に含浸させる含浸工程と、金属焼結体中に含浸された液状の樹脂を固化させる樹脂固化工程と、を備えることを特徴とする。
基板、電子部品、および、金属焼結体を構成する金属微粒子を含むペーストを用意する用意工程と、基板のうち金属焼結体(30)が配置される部位に、基板の一面から他面に貫通する貫通孔(13)を開ける孔開け工程と、貫通孔を有する基板の一面上にペーストを配置するペースト配置工程と、基板の一面上にてペーストの上に電子部品を搭載する部品搭載工程と、部品搭載工程の後、ペーストを加熱して焼成することにより金属焼結体を形成する焼成工程と、金属焼結体の周りに液状の樹脂(40)を配置し、基板の他面側から貫通孔を介して吸引を行うことにより、液状の樹脂を金属焼結体中に含浸させる含浸工程と、金属焼結体中に含浸された液状の樹脂を固化させる樹脂固化工程と、を備えることを特徴とする。
それによれば、基板の貫通孔から吸引を行った状態で、金属焼結体に液状の樹脂を含浸させるので、金属焼結体内の全体にて隙間の無い含浸が実現されると共に、当該含浸の速度も速くなる。よって、本発明によれば、金属焼結体の空孔を、樹脂で隙間なく充填するにあたって、金属焼結体への樹脂の含浸を均一且つ短時間に行うことができる。
ここで、請求項2に記載の発明のように、請求項1に記載の電子装置の製造方法において、貫通孔を閉塞するように、閉塞部材(50)を基板に取り付けた状態にて、ペースト配置工程、部品搭載工程および焼成工程を行った後、基板から閉塞部材を取り外し、含浸工程を行うことが好ましい。
ペーストの粘性と貫通孔の開口サイズとの関係から、貫通孔が開いていてもペーストが貫通孔から漏れ出さないようにできるが、本発明のように、閉塞部材を用いれば、貫通孔の開口サイズが大きくても上記ペーストの漏れを防止でき、大きな開口サイズで吸引しやすい貫通孔とすることができる。
また、請求項3に記載の発明では、請求項1または2に記載の電子装置の製造方法において、貫通孔は、基板のうち金属焼結体の中央に相当する部位に設けることを特徴とする。それによれば、貫通孔による吸引の流れが、金属焼結体の外側から金属焼結体の中心に向かう流れとなるので、液状の樹脂を金属焼結体の全体に隙間なく含浸させやすい。
また、請求項4に記載の発明では、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法において、基板の一面、電子部品および金属焼結体は、モールド樹脂で封止されるものであり、液状の樹脂として、基板の一面、電子部品および金属焼結体と、モールド樹脂との密着性を向上させる密着付与剤を用いて、含浸工程および樹脂固化工程を行い、含浸工程および樹脂固化工程の後、基板の一面、電子部品および金属焼結体を、モールド樹脂で封止するモールド工程を行うことを特徴とする。それによれば、密着付与剤を含浸工程における樹脂として兼用することができる。
また、請求項5に記載の発明では、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法において、基板の一面、電子部品および金属焼結体は、モールド樹脂で封止されるものであって、モールド樹脂が液状の樹脂を兼用するものであり、焼成工程の後、含浸工程では、貫通孔を介した吸引を行いつつ、基板の一面、電子部品および金属焼結体を、液状のモールド樹脂で封止することにより、液状のモールド樹脂を金属焼結体中に含浸させるようにし、樹脂固化工程では、液状のモールド樹脂を固化させることを特徴とする。
それによれば、モールド樹脂によるモールド工程の中で、含浸工程および樹脂固化工程を行うことができ、工程の簡素化につながる。
請求項6に記載の発明では、一面(11)と他面(12)とが表裏の関係にある基板(10)と、基板の一面上に搭載された電子部品(20)と、金属微粒子を焼結させてなり、基板と電子部品との間に介在し、基板と電子部品とを接合する金属焼結体(30)と、を備え、基板のうち金属焼結体(30)が配置される部位に、基板の一面から他面に貫通する貫通孔(13)が設けられており、金属焼結体中の空孔には、固化された樹脂(40)が充填されていることを特徴とする。
本発明の電子装置は、請求項1の製造方法により適切に製造し得るものであり、金属焼結体の空孔を、樹脂で隙間なく充填するにあたって、樹脂の含浸を均一且つ短時間に行うのに適した構成を実現できる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
本実施形態の電子装置は、大きくは、基板10上に、接合材としての金属焼結体30を介して電子部品20を電気的および機械的に接続してなる。
基板10は、一面11と他面12とが表裏の関係にある板材よりなる。この基板10としては、一面11上に金属焼結体30を介して電子部品20を搭載し接合するものであればよく、リードフレームや、セラミック基板やプリント基板などの配線基板や、筺体等が挙げられる。
ここでは、基板10は、Cuよりなる板状の基部10aと基部10aの一方の板面に設けられた基板電極10bとよりなるリードフレームとして構成されている。ここで、基板電極10bの表面が基板10の一面11とされており、基板電極10bとは反対側の基部10aの板面が、基板10の他面12とされている。
ここで、基板電極10bは、金属焼結体30を構成する金属粒子との接合性に優れた金属よりなるものであり、たとえば、Ag、Au、Pd、Cu等のめっきにより構成されたものにできる。
電子部品20は、基板10の一面11上、つまり基板電極10b上に搭載されている。電子部品20としては、基板10に搭載可能なもの、たとえば表面実装部品等であればよい。典型的に、電子部品20としては、シリコン半導体等よりなる半導体チップが挙げられ、たとえばICチップやパワー素子等が挙げられる。
この電子部品20は、基部20aと基部20a上に形成された部品電極20bとにより構成されている。部品電極21は、電子部品20における基板10の一面11に対向する部位、すなわち金属焼結体30に接触し接合される部位として構成されている。
たとえば、電子部品20の基部20aはシリコン半導体等よりなり、部品電極20bは、金属焼結体30を構成する金属粒子との接合性に優れた金属よりなる。たとえば、部品電極20bとしては、Ag、Au、Pd、Cu等のめっきにより構成されたものが挙げられる。
基板10と電子部品20との間に介在する金属焼結体30は、金属微粒子を焼結させてなるもので、この金属焼結体30により基板10と電子部品30とが接合されている。この金属焼結体30を構成する金属微粒子は、Au、Ag、Cu等よりなる。当該金属微粒子は、たとえばサブミクロンかそれ以下の大きさであり、粒子形状は、特に限定するものではないが、たとえば球状、棒状、フレーク状等である。
この金属焼結体30は、アルコール系の有機溶剤等よりなる溶媒に上記金属微粒子を含有させたペーストを、基板10の一面11に塗布し、これを焼成することにより形成される。この焼成により、上記溶媒が揮発するとともに、金属微粒子が焼結する。こうして、焼結された金属焼結体30は、空孔を有するポーラス構造となる。
本電子装置においては、さらに、金属焼結体30中の空孔には、固化された樹脂40が充填されている。この樹脂40は、溶媒に溶解した状態、または、溶融状態とされることで液状とされた当該樹脂40を、金属焼結体30に含浸させ、これを固化させることにより形成されたものである。
この樹脂40としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは、シリコーン樹脂等の熱可塑性樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂の場合は、樹脂固化は加熱および冷却等による硬化を行うものであり、熱可塑性樹脂の場合は、冷却等により樹脂固化を行うものである。
なお、このように、電子部品20と基板10とは、金属焼結体30を介して電気的および機械的に接続されているが、さらに、電子部品20は、図示しない周囲の端子等に対してワイヤボンディングなどで接続されていてもよい。
そして、本電子装置においては、さらに、基板10のうち金属焼結体30が配置される部位に、基板10の一面11から他面12に貫通する貫通孔13が設けられている。ここでは、図1に示されるように、貫通孔13は、基板10のうち金属焼結体30の中央に相当する部位に1個設けられたものである。
この貫通孔13は、基板10における基部10aおよび金属電極10bを厚さ方向に貫通するもので、たとえばドリルによる孔開け加工やエッチング加工等により形成される。また、貫通孔13の開口形状としては、図1に示される円形状のもの以外にも、角形状等であってもよい。
次に、本実施形態の電子装置の製造方法について、図2、図3を参照して述べる。まず、基板10、電子部品20、および、金属焼結体30を構成する金属微粒子を含むペーストを用意する(用意工程)。
ここで、図2に示されるように、用意された基板10について、当該基板10のうち金属焼結体30が配置される部位に、基板10の一面11から他面12に貫通する貫通孔13を開ける(孔開け工程)。この孔開けは、上述のように、ドリル加工やエッチング加工等により行うが、基板10の形成工程の一部として行ってもよいし、基板10の形成後に別工程として行ってもよい。
次に、本実施形態の製造方法では、この用意工程および孔開け工程の後に、閉塞部材取り付け工程を行う。この工程では、図3(a)に示されるように、貫通孔13を閉塞するように、閉塞部材50を基板10に取り付けた状態とする。
ここで、閉塞部材50は、たとえば栓であり、基板10の他面12側から貫通孔13に圧入またはネジ結合するように挿入されて、貫通孔13を密封するものである。この閉塞部材50は、たとえば樹脂、セラミック、金属等よりなるが、金属の場合には、金属焼結体30の金属微粒子と焼結しない材料、たとえば卑金属等が望ましい。
また、この閉塞部材50は、後述するように、焼成工程後に基板10から引っ張り出すことで取り外すものであるが、その引っ張りにおける掴み所を確保するために、図3(a)に示されるように、基板10に取り付けられた状態では、閉塞部材50の一部が基板10の他面12から突出していることが望ましい。
次に、この貫通孔13を有するとともに貫通孔13が閉塞部材50で閉塞された基板10に対し、当該基板10の一面11上に上記ペーストを配置する(ペースト配置工程)。このペーストは、上述の如くアルコール系の有機溶剤等よりなる溶媒に上記金属微粒子が分散されてなるもので、印刷やディスペンス等で塗布することにより基板電極10b上に配置される。
次に、マウンター等を用いて、基板10の一面11上にて上記ペーストの上に電子部品20を搭載する(部品搭載工程)。そして、この部品搭載工程の後、上記ペーストを加熱して焼成することにより金属焼結体30を形成する(焼成工程)。
この焼成工程では、具体的に、上記ペーストを加熱、場合によっては加圧しながら加熱する。それにより、上記ペースト中の溶媒が揮発するとともに、当該溶媒中に分散していた金属微粒子同士間、金属微粒子と部品電極20b間、金属微粒子と基板電極10b間で焼結がなされ、空孔を有するポーラス構造の金属焼結体30ができあがる。ここまでの状態が図3(a)に示される。
こうして、ペースト配置工程、部品搭載工程および焼成工程を行った後、図3(b)に示されるように、基板10から閉塞部材59を取り外し(閉塞部材取り外し工程)、次に含浸工程を行う。
ここで、閉塞部材50の取り外しは、引き抜きやネジ結合の解除等により、貫通孔13から閉塞部材50を引っ張り出すことで行う。この閉塞部材50の取り外しにより、貫通孔13が開口し、貫通孔13を介して、基板10一面11側の金属焼結体30と基板10の他面12側とが連通する。
そして、含浸工程では、金属焼結体30の周りに液状の樹脂40を配置し、この状態で、基板10の他面12側から貫通孔13を介して吸引を行うことにより、液状の樹脂40を金属焼結体30中に含浸させる。
ここで、液状の樹脂40は、上記図1において金属焼結体30中の空孔に充填された樹脂40が液状とされたものである。具体的には、液状の樹脂40は、上述のように、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは、シリコーン樹脂等の熱可塑性樹脂などよりなるもので、有機溶媒等に溶解した状態、または、溶融状態とされることにより液状とされたものである。
この液状の樹脂40の配置は、たとえば次のようにして行う。図3(b)に示されるように、電子部品20が接合された基板10を、吸着治具K1の上に搭載し、吸着治具K1に支持させる。その後、ディスペンス等により金属焼結体30の外面に、液状の樹脂40を塗布して配置する。
また、この吸着治具Kには、貫通孔13に対応する位置に吸引用の穴K2が設けられており、この穴K2を介して真空ポンプなどにより吸引がなされるようになっている。そして、液状の樹脂40を配置した状態で、基板10の他面12側から貫通孔13を介して吸引を行うと、金属焼結体30の外面から内部に向かって吸引力が作用する。
液状の樹脂40は、表面張力等に起因する浸透力により、ポーラス構造である金属焼結体30中に含浸されていくが、さらに、上記吸引力によって、液状の樹脂40の含浸が大幅に促進される。そして、図3(c)に示されるように、金属焼結体30の全体において、空孔が液状の樹脂40で充填された状態になった後、吸引を停止する。ここまでが含浸工程である。
その後は、金属焼結体30中に含浸された液状の樹脂40を固化させる(樹脂固化工程)。ここで、液状の樹脂40が熱硬化性樹脂の場合は、加熱硬化または冷却等による固化を行い、熱可塑性樹脂の場合は、冷却等による固化を行う。こうして、本実施形態の電子装置ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、基板10の貫通孔13から吸引を行った状態で、金属焼結体30に液状の樹脂40を含浸させるので、金属焼結体30内の全体にて隙間の無い含浸が実現される。それとともに、当該吸引力によって液状の樹脂40の含浸速度も速くなる。
よって、本実施形態によれば、金属焼結体30の空孔を、樹脂40で隙間なく充填するにあたって、金属焼結体30への樹脂40の含浸を、均一且つ短時間に行うことができる。そして、金属焼結体30全体にて、実質的に隙間なく樹脂40が充填された構成を、効率よく製造することが可能となる。
また、本電子装置によれば、金属焼結体30は、被着体10、20や金属微粒子の間で焼結パスを形成しているため、高いバルク熱伝導率と低い界面抵抗を達成できる。また、金属焼結体30の空孔に充填された樹脂40が、応力緩和機能を発揮するため、焼結部の応力集中が低減する。
さらに、金属微粒子間には樹脂40が介在するため、高温時の焼結進行による焼結構造の変化が抑制される。このように本電子装置によれば、金属焼結体30による接合構造について、高熱伝導性と高信頼性とが同時に達成できる。
また、本実施形態では、閉塞部材50で貫通孔13を閉塞した状態にて、ペースト配置工程、部品搭載工程および焼成工程を行い、その後、基板10から閉塞部材50を取り外し、その後、含浸工程を行うようにしている。
このように、閉塞部材50を用いれば、貫通孔13の開口サイズが大きいものであっても、貫通孔13からの上記ペーストの漏れを防止でき、結果、貫通孔13を大きな開口サイズで吸引しやすいものにできる。そのため、含浸工程における吸引力を十分に確保することができ、液状の樹脂40が金属焼結体30の全体に隙間なく含浸しやすくなるという利点がある。
また、本実施形態では、貫通孔13を、基板10のうち金属焼結体30の中央に相当する部位に設けるようにしているため、貫通孔13による吸引の流れが、金属焼結体30の外側から金属焼結体30の中心に向かう流れとなる。
つまり、貫通孔13が基板10のうち金属焼結体30の周辺部に相当する部位に位置する場合に比べて、金属焼結体30の全体において、液状の樹脂40が金属焼結体30の外郭から貫通孔13まで均一に到達しやすくなる。そのため、液状の樹脂40を金属焼結体30の全体に隙間なく含浸させやすくなる。
また、本実施形態の電子装置においては、図1に示される基板10の一面11、電子部品20および金属焼結体30を、更に図示しないモールド樹脂で封止する構成を採用してもよい。この場合、当該モールド樹脂や、被封止部材10、20、30とモールド樹脂との密着性を向上させるポリイミド等の密着性付与剤を、液状の樹脂40として兼用させ、これらを金属焼結体30に含浸させるようにしてもよい。
まず、密着付与剤を液状の樹脂40に用いた製造方法の例を述べる。この密着付与剤は、モールド樹脂で被封止部材10、20、30を封止する前に、被封止部材10、20、30の表面に配置するものであり、たとえば、ポリエーテルアミドイミド(PAI)、ポリアミド(PA)、ポリイミド(PI)などの樹脂よりなる。
そこで、この場合には、用意工程、孔開け工程、ペースト配置工程、部品搭載工程、焼成工程まで行い、その後、液状の樹脂40として密着付与剤を用いて、含浸工程および樹脂固化工程を行う。
含浸工程では、密着付与剤となる上記PAI等の樹脂を、NMP(N−メチル−ピロリドン)やアセトンなどの溶媒に希釈することで、液状の樹脂40として用いる。そして、被封止部材10、20、30の表面に配置された密着付与剤のうち、金属焼結体30の表面に配置されたものは、吸引によって含浸が行われる。
そして、樹脂固化工程では、加熱等により溶媒を揮発させ、密着付与剤となる樹脂を硬化させる。こうして、含浸工程および樹脂固化工程を行った後、密着付与剤で表面が被覆された被封止部材10、20、30を、上記モールド樹脂で封止するモールド工程を行う。これにより、本例の電子装置ができあがる。
本例の製造方法によれば、密着付与剤を含浸工程における樹脂40として兼用することができ、また、金属焼結体30の表面に密着付与剤が存在した状態で、モールド工程が行われるから、金属焼結体30とモールド樹脂との密着性も向上する。
次に、上記モールド樹脂を液状の樹脂40に用いた製造方法の例を述べる。このモールド樹脂としては、たとえばナフタレン型エポキシ樹脂を用いる。そして、この場合には、用意工程、孔開け工程、ペースト配置工程、部品搭載工程、焼成工程まで行い、その後、上記モールド樹脂で被封止部材10、20、30を封止するモールド工程において、含浸工程および樹脂固化工程を同時に行う。
つまり、含浸工程では、貫通孔13を介した吸引を行いつつ、被封止部材10、20、30を、液状のモールド樹脂で封止することにより、液状のモールド樹脂を金属焼結体30中に含浸させる。
たとえばトランスファーモールド法によるモールド工程の場合、含浸工程では、金属焼結体30を介して電子部品20が接合された基板10を、図示しない成型用の金型に投入する。このとき、当該金型としては、基板10の他面12に接触する部分(たとえば下型)のうち貫通孔13に対応する位置に、吸引用の穴が設けられたものを用いる。
そして、当該金型の穴から基板10の貫通孔13を介して吸引を行いながら、溶融した液状のモールド樹脂を、当該金型内に注入して充填する。これにより、被封止部材10、20、30が、溶融した液状のモールド樹脂で封止されるとともに、当該液状のモールド樹脂が金属焼結体30中に含浸する。
この含浸工程の後、液状のモールド樹脂を加熱硬化または冷却等により固化させる。つまり、基板10の一面11、電子部品20および金属焼結体30を封止する液状のモールド樹脂とともに、金属焼結体30中に含浸された液状のモールド樹脂も固化させる。その後は、上記金型からワークを取り出せば、本例の電子装置ができあがる。
本例の製造方法によれば、被封止部材10、20、30がモールド樹脂で封止されるものである場合、当該モールド樹脂を液状の樹脂として兼用することにより、含浸工程および樹脂固化工程がモールド工程を兼ねたものとなる。つまり、本例によれば、モールド樹脂によるモールド工程の中で、含浸工程および樹脂固化工程を行うことができ、工程の簡素化につながる。
次に、本実施形態について、以下の実施例1、比較例1、比較例2を参照して、より具体的に述べる。
(実施例1)
基部10aがCu、基板電極10bがNiめっき/Agめっきよりなり、さらに貫通孔13を有する基板としてのリードフレーム10を用い、このリードフレーム10の当該基板電極10b上に、金属焼結体30となる金属微粒子を含有するペーストを塗布し、その上に、電子部品としての半導体チップ20を搭載した。
基部10aがCu、基板電極10bがNiめっき/Agめっきよりなり、さらに貫通孔13を有する基板としてのリードフレーム10を用い、このリードフレーム10の当該基板電極10b上に、金属焼結体30となる金属微粒子を含有するペーストを塗布し、その上に、電子部品としての半導体チップ20を搭載した。
この半導体チップ20は、5mm角のSiよりなる基部20aに、Tiめっき/Niめっき/Auめっきよりなる部品電極20bを設けたものである。また、ペーストの金属微粒子はAgよりなるものとした。
次に、大気下にて、200℃、60分間、加圧なしで加熱硬化することにより、焼成工程を行い、空孔をもつポーラス構造をなす接合材としての金属焼結体30を形成し、リードフレーム10と半導体チップ20とを接合させた。ここで、金属焼結体30の厚みは50umとした。この金属焼結体30においては、Agの金属微粒子同士間、金属微粒子と基板電極10bのAgめっき間、金属微粒子と部品電極20bのAuめっき間で、焼結が行われた。
次に、液状の樹脂40として、密着付与剤としてのポリアミドをNMP(N−メチル−ピロリドン)で希釈したものを用い、これを金属焼結体30の外面に塗布し、続いて、貫通孔13を介して吸引を行うことにより、金属焼結体30中に密着付与剤を含浸させた(含浸工程)。その後、密着付与剤を乾燥、加熱硬化により固化させた(樹脂固化工程)。こうして、実施例1の電子装置を作製した。
(比較例1)
上記実施例1と同様の、リードフレーム10、半導体チップ20、金属焼結体となるペーストを用い、含浸工程および樹脂固化工程を行わないこと以外は、上記実施例1と同様の工程を行い、比較例1の電子装置を作製した。つまり、この比較例1の電子装置は、上記図1において金属焼結体30に充填される樹脂40が省略された構成のものである。
上記実施例1と同様の、リードフレーム10、半導体チップ20、金属焼結体となるペーストを用い、含浸工程および樹脂固化工程を行わないこと以外は、上記実施例1と同様の工程を行い、比較例1の電子装置を作製した。つまり、この比較例1の電子装置は、上記図1において金属焼結体30に充填される樹脂40が省略された構成のものである。
(比較例2)
上記実施例1と同様の、リードフレーム10、半導体チップ20を用い、金属焼結体30の代わりに、接合材としてAgフィラー接触型の樹脂入り接着剤であるAgペーストを用いた。Agペーストは、大気下にて、150℃、15分間、加圧なしで硬化させ、これにより、リードフレーム10と半導体チップ20とを接合させた。この場合も、当該接着剤の厚みは50umとした。これにより、比較例2の電子装置を作製した。
上記実施例1と同様の、リードフレーム10、半導体チップ20を用い、金属焼結体30の代わりに、接合材としてAgフィラー接触型の樹脂入り接着剤であるAgペーストを用いた。Agペーストは、大気下にて、150℃、15分間、加圧なしで硬化させ、これにより、リードフレーム10と半導体チップ20とを接合させた。この場合も、当該接着剤の厚みは50umとした。これにより、比較例2の電子装置を作製した。
そして、上記実施例1、比較例1、2について、各接合材のバルク熱伝導率を測定した。その結果、上記実施例1、比較例1は、熱伝導率200W/mK以上とはんだ以上の非常に高い熱伝導率を示した。一方、比較例2は、1W/mKとはんだ以下であった。また、実施例1、比較例1は比較例2よりも接合材と被着体間で太い焼結パスを形成しているため、界面熱抵抗も小さいと考えられ、高放熱が期待できる。
また、上記実施例1、比較例1、2について、各接合材の信頼性を評価した。−40℃を5分間、150℃を5分間とする液層冷熱サイクル試験を実施した。1000サイクル後の断面精査(SEM観察等による)の結果、実施例1と比較例2はクラックが発生しなかった。しかし、比較例1は接合部にクラックが発生した。
また、150℃、1500時間の高温放置試験を実施したところ、比較例1では、初期と比較して焼結進行が観察されたが、実施例1と比較例2では、金属微粒子間の空孔が樹脂40で埋められているので、金属微粒子同士の焼結進行が見られなかった。上記した実施例1および比較例1、2の評価結果から、金属焼結体30の空孔に樹脂40を含浸させると、200W/mK以上の高いバルク熱伝導率を示し、かつ高い信頼性を示すことが確認された。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態では、貫通孔13は、基板10のうち金属焼結体30の中央に相当する部位に1個設けられたものであったが、基板10のうち金属焼結体30の中央に相当する部位に設けられた複数個の集合体よりなるものであってもよい。
なお、上記実施形態では、貫通孔13は、基板10のうち金属焼結体30の中央に相当する部位に1個設けられたものであったが、基板10のうち金属焼結体30の中央に相当する部位に設けられた複数個の集合体よりなるものであってもよい。
また、基板10における貫通孔13の位置については、金属焼結体30の設置領域内にあれば、金属焼結体30の中央に限定するものではなく、金属焼結体30の周辺部に位置するものであってもよい。
また、貫通孔13の数も1個でも複数個でもよいが、複数個の貫通孔13とする場合、それぞれの貫通孔13のサイズや形状が同一であってもよいし、互いに相違するものであってもよい。
また、上記含浸工程において、金属焼結体30中に含浸していった液状の樹脂40が、貫通孔13内、さらには、貫通孔13から基板10の他面12側に漏れ出すことが無いことが望ましいが、電子装置の特性や見栄え等に影響が無い程度であれば、当該漏れ出しは多少発生してもかまわない。
また、上記製造方法において、用意工程および孔開け工程を行った後に、閉塞部材50を基板10に取り付けずに貫通孔13を開口させたまま、ペースト配置工程、部品搭載工程、焼成工程、含浸工程を行ってもよい。この場合でも、たとえばペーストを高粘性とし、貫通孔13の開口サイズを調整して、ペーストが貫通孔13から漏れ出さないようにすればよい。
また、基板10における基板電極10b、および、電子部品20における部品電極20bは、金属焼結体30との接合性、具体的には金属微粒子との焼結性を確保するために設けられたものであるが、基板10の基部10a自体および電子部品20の基部20a自体が、当該焼結性に優れたものであるならば、これら電極10b、20bは、省略されたものであってもかまわない。
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。
10 基板
11 基板の一面
12 基板の他面
13 基板の貫通孔
20 電子部品
30 金属焼結体
40 樹脂
50 閉塞部材
11 基板の一面
12 基板の他面
13 基板の貫通孔
20 電子部品
30 金属焼結体
40 樹脂
50 閉塞部材
Claims (7)
- 一面(11)と他面(12)とが表裏の関係にある基板(10)と、
前記基板の一面上に搭載された電子部品(20)と、
金属微粒子を焼結させてなり、前記基板と前記電子部品との間に介在し、前記基板と前記電子部品とを接合する金属焼結体(30)と、を備える電子装置の製造方法において、
前記基板、前記電子部品、および、前記金属焼結体を構成する前記金属微粒子を含むペーストを用意する用意工程と、
前記基板のうち前記金属焼結体(30)が配置される部位に、前記基板の一面から他面に貫通する貫通孔(13)を開ける孔開け工程と、
前記貫通孔を有する前記基板の一面上に前記ペーストを配置するペースト配置工程と、
前記基板の一面上にて前記ペーストの上に前記電子部品を搭載する部品搭載工程と、
前記部品搭載工程の後、前記ペーストを加熱して焼成することにより前記金属焼結体を形成する焼成工程と、
前記金属焼結体の周りに液状の樹脂(40)を配置し、前記基板の他面側から前記貫通孔を介して吸引を行うことにより、前記液状の樹脂を前記金属焼結体中に含浸させる含浸工程と、
前記金属焼結体中に含浸された前記液状の樹脂を固化させる樹脂固化工程と、を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記貫通孔を閉塞するように、閉塞部材(50)を前記基板に取り付けた状態にて、前記ペースト配置工程、前記部品搭載工程および前記焼成工程を行った後、前記基板から前記閉塞部材を取り外し、前記含浸工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
- 前記貫通孔は、前記基板のうち前記金属焼結体の中央に相当する部位に設けることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置の製造方法。
- 前記基板の一面、前記電子部品および前記金属焼結体は、モールド樹脂で封止されるものであり、
前記液状の樹脂として、前記基板の一面、前記電子部品および前記金属焼結体と、前記モールド樹脂との密着性を向上させる密着付与剤を用いて、前記含浸工程および前記樹脂固化工程を行い、
前記含浸工程および前記樹脂固化工程の後、前記基板の一面、前記電子部品および前記金属焼結体を、前記モールド樹脂で封止するモールド工程を行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 - 前記基板の一面、前記電子部品および前記金属焼結体は、モールド樹脂で封止されるものであって、前記モールド樹脂が前記液状の樹脂を兼用するものであり、
前記焼成工程の後、前記含浸工程では、前記貫通孔を介した吸引を行いつつ、前記基板の一面、前記電子部品および前記金属焼結体を、液状の前記モールド樹脂で封止することにより、液状の前記モールド樹脂を前記金属焼結体中に含浸させるようにし、
前記樹脂固化工程では、液状の前記モールド樹脂を固化させることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の電子装置の製造方法。 - 一面(11)と他面(12)とが表裏の関係にある基板(10)と、
前記基板の一面上に搭載された電子部品(20)と、
金属微粒子を焼結させてなり、前記基板と前記電子部品との間に介在し、前記基板と前記電子部品とを接合する金属焼結体(30)と、を備え、
前記基板のうち前記金属焼結体(30)が配置される部位に、前記基板の一面から他面に貫通する貫通孔(13)が設けられており、
前記金属焼結体中の空孔には、固化された樹脂(40)が充填されていることを特徴とする電子装置。 - 前記貫通孔は、前記基板のうち前記金属焼結体の中央に相当する部位に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の電子装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072595A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ニホンハンダ株式会社 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
WO2018168185A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置 |
JP2018190865A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法 |
WO2019153230A1 (zh) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 华为技术有限公司 | 一种具有高稳定性粘结层的半导体装置及其制备方法 |
US11752551B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-09-12 | Nichia Corporation | Resin impregnation method, method of manufacturing wavelength-conversion module, and wavelength-conversion module |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130794A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nippon Retsuku Kk | 半導体の製造方法 |
JP2011249257A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Hitachi Ltd | 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法 |
-
2012
- 2012-07-26 JP JP2012165836A patent/JP2014027095A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07130794A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nippon Retsuku Kk | 半導体の製造方法 |
JP2011249257A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Hitachi Ltd | 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016072595A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ニホンハンダ株式会社 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
WO2018168185A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置 |
JP2018190865A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法 |
WO2019153230A1 (zh) * | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 华为技术有限公司 | 一种具有高稳定性粘结层的半导体装置及其制备方法 |
CN111226308A (zh) * | 2018-02-09 | 2020-06-02 | 华为技术有限公司 | 一种具有高稳定性粘结层的半导体装置及其制备方法 |
EP3723116A4 (en) * | 2018-02-09 | 2021-02-17 | Huawei Technologies Co., Ltd. | SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGHLY STABLE BOND LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING FOR A DEVICE |
US11752551B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-09-12 | Nichia Corporation | Resin impregnation method, method of manufacturing wavelength-conversion module, and wavelength-conversion module |
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