JP6189880B2 - 高周波半導体増幅器 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、高周波半導体増幅器に関する。
近年、無線通信機器、移動通信用基地局、レーダー装置等に用いられ、１ＧＨｚ以上の高周波帯域で動作する増幅器の開発が盛んに行われている。この増幅器には、高周波帯域の信号を、高い電力付加効率で増幅し送信することが要求されている。
マイクロ波において、半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍、３倍波の負荷インピーダンスを開放近傍とするとＦ級モードという高効率動作が可能となる。半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍とするために半導体増幅素子の出力電極端に基本波の１／８波長の先端開放の伝送線路を接続し、３倍波の負荷インピーダンスを開放近傍とするために半導体増幅素子の出力電極端から基本波の１／８波長の伝送線路を介して基本波の１／１２波長の先端開放の伝送線路を接続する技術がある（特許文献１）。
また、マイクロ波において、半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを開放近傍、３倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍とすると逆Ｆ級モードという高効率動作が可能となる。２倍波の負荷インピーダンスを開放近傍とするために高調波インピーダンス調整線路により基本波には影響を与えずに２倍波のインピーダンスを制御する技術がある（特許文献２）。
特開平６−２０４７６４号公報 特開２００９−２０７０６０号公報
半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを開放近傍、３倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍とすることにより、高周波信号を高い電力付加効率で増幅する高周波半導体増幅器を提供する。
実施形態によれば、周波数帯域を有する信号が入力される入力端子と、前記入力端子に接続された入力整合回路と、前記入力整合回路に接続され、前記信号の増幅を行う高周波半導体増幅素子と、前記高周波半導体増幅素子に接続された出力整合回路と、出力端子と、を備えた高周波半導体増幅器が提供される。前記出力整合回路は、前記出力端子に接続され、電気長が前記周波数帯域の中心周波数において７２度から１０８度であり、特性インピーダンスが外部負荷のインピーダンスである５０Ωと比べて低い第１伝送線路と、前記第１伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低い第２伝送線路と、前記第２伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低く、かつ前記第２伝送線路の前記特性インピーダンスおよび前記高周波半導体増幅素子に与えたい所望の負荷インピーダンスの抵抗成分よりもそれぞれ高い第３伝送線路と、前記第３伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において５度から１０度であり、特性インピーダンスが前記所望の負荷インピーダンスの前記抵抗成分と等しい第４伝送線路と、前記第４伝送線路と前記高周波半導体増幅素子との間に接続されたボンディングワイヤと、を有する。
第１の実施形態に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ０から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ１から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。（ａ）は中心点Ｏが５０Ωとなるように正規化している。（ｂ）は中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ２から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ３から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ４から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ５から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 横軸に周波数（ＧＨｚ）をとり縦軸に反射損失（ｄＢ）をとって、図１に示す基準面Ｐ５から見た反射損失を例示するグラフである。 第１の実施形態の第１の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。 図９に示す第１の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ１から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 図９に示す第１の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ２から見た負荷インピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図９に示す第１の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ５から見た負荷インピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 第１の実施形態の第２の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。 図１３に示す第２の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ３から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。 図１３に示す第２の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ５から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
先ず、本実施形態に係る高周波半導体増幅器の構成について説明する。
図１に示すように、高周波半導体増幅器１は、周波数帯域を有する高周波信号が入力される入力端子１０、入力端子１０に接続された入力整合回路１２、入力整合回路１２に接続された高周波半導体増幅素子１４、高周波半導体増幅素子１４に接続された出力整合回路２１及び出力整合回路２１に接続された出力端子１８とから構成されている。
入力整合回路１２は、電源インピーダンスを高周波半導体増幅素子１４の入力インピーダンスに整合させるための回路である。高周波半導体増幅素子１４は、高周波信号を増幅するための素子である。出力端子１８からみて外側には外部負荷ＺＯが接続されている。外部負荷ＺＯのインピーダンスは、例えば５０Ωである。
なお、高周波半導体増幅素子１４に電圧を供給する直流回路は省略してある。
出力整合回路２１は、マイクロストリップ線路１１１、マイクロストリップ線路１１２、マイクロストリップ線路１１３、マイクロストリップ線路１１４及びワイヤ部１１５により形成されている。ワイヤ部１１５は、例えば６本のワイヤにより形成されている。出力整合回路２１は、出力端子１８からみた負荷インピーダンスを高周波半導体増幅素子１４に与えたい所望の負荷インピーダンスへ変換するための回路である。所望のインピーダンスとは、ロードプル測定などにより求める。例えば、１＋ｊ１Ωである。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹ直交座標系を採用する。すなわち図１において、マイクロストリップ線路１１１が延びている方向を「Ｘ方向」とし、それに対して直交する方向を「Ｙ方向」とする。また、「Ｘ方向」の逆方向を「−Ｘ方向」とし、「Ｙ方向」の逆方向を「−Ｙ方向」とする。
また、本明細書においては、基本波は周波数帯域を有しており、周波数帯域内の中心周波数を「基本波の周波数」という。「基本波の周波数」に対応した波長を「基本波の波長」という。「基本波の周波数」の２倍の周波数を「２倍波の周波数」という。「２倍波の周波数」に対応した波長を「２倍波の波長」という。「基本波の周波数」の３倍の周波数を「３倍波の周波数」という。「３倍波の周波数」に対応した波長を「３倍波の波長」という。
マイクロストリップ線路１１１、マイクロストリップ線路１１２、マイクロストリップ線路１１３及びマイクロストリップ線路１１４は、マイクロストリップ線路のパターンを模式的に示している。
マイクロストリップ線路１１２をＹ方向に分離する中央線、マイクロストリップ線路１１３をＹ方向に分離する中央線及びマイクロストリップ線路１１４をＹ方向に分離する中央線は、マイクロストリップ線路１１１をＹ方向に分離する中央線Ｃに重なっている。
基準面Ｐ０は、マイクロストリップ線路１１１のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ１は、マイクロストリップ線路１１２のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ２は、マイクロストリップ線路１１３のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ３は、マイクロストリップ線路１１４のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ４は、マイクロストリップ線路１１４の−Ｘ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。
（表１）は、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189880
マイクロストリップ線路１１１は、Ｘ方向の端部が基準面Ｐ０において出力端子１８と接続され、線路幅Ｗ１１が０．８４６ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１１が９．３１ｍｍだけ延びている。延びた先で基準面Ｐ１においてマイクロストリップ線路１１２に接続されている。マイクロストリップ線路１１１は、特性インピーダンスが１５．９Ω、比誘電率が１０、基板厚が１５０μｍ、電気長が基本波の波長の（１／４）倍程度を有しており９６度である。
マイクロストリップ線路１１２は、基準面Ｐ１から線路幅Ｗ１２が４．４４ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１２が０．７９ｍｍだけ延びている。延びた先で基準面Ｐ２においてマイクロストリップ線路１１３に接続されている。マイクロストリップ線路１１２は、特性インピーダンスが１．１３Ω、比誘電率が９０、基板厚が１３５μｍ、電気長が基本波の波長の（１／１６）倍程度を有しており２６度である。
マイクロストリップ線路１１３は、基準面Ｐ２から線路幅Ｗ１３が２．３８ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１３が１．１３ｍｍだけ延びている。延びた先で基準面Ｐ３においてマイクロストリップ線路１１４に接続されている。マイクロストリップ線路１１３は、特性インピーダンスが４．６７Ω、比誘電率が４０、基板厚が２２０μｍ、電気長が基本波の波長の（１／１６）倍程度を有しており２４度である。
マイクロストリップ線路１１４は、基準面Ｐ３から線路幅Ｗ１４が５．０５ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１４が０．２１ｍｍだけ延び、延びた先でワイヤ部１１５に接続されている。マイクロストリップ線路１１４は、特性インピーダンスが１．００Ω、比誘電率が９０、基板厚が１３５μｍ、電気長が基本波の波長の（１／５０）倍程度を有しており７度である。
ワイヤ部１１５は、マイクロストリップ線路１１４と高周波半導体増幅素子１４との間に設けられ、マイクロストリップ線路１１４と高周波半導体増幅素子１４とを接続している。ワイヤ部１１５は、例えば６本のワイヤで形成されている。
次に、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１の動作について説明する。
図２は、図１に示す基準面Ｐ０から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図３は、図１に示す基準面Ｐ１から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図４は、図１に示す基準面Ｐ２から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図５は、図１に示す基準面Ｐ３から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図６は、図１に示す基準面Ｐ４から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図７は、図１に示す基準面Ｐ５から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図２のインピーダンス図は、中心点Ｏが５０Ωとなるように正規化している。
図３（а）のインピーダンス図は、中心点Ｏが５０Ωとなるように正規化している。図３（ｂ）のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
図４〜図７のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
図３〜図７の図中、ｍ１は基本波の周波数における負荷インピーダンスを示し、ｍ２は２倍波の周波数における負荷インピーダンスを示し、ｍ３は３倍波の周波数における負荷インピーダンスを示す。
図２に示すように、基準面Ｐ０から、外部負荷ＺＯが接続された出力端子１８側を見ると、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２及び３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、５０Ω付近である中心点Ｏにある。
なお、基本波、２倍波及び３倍波の周波数におけるインピーダンスは、測定やシミュレーションにより求めることができ、インピーダンス図に表示される。
（表１）に示すように、マイクロストリップ線路１１１の基本波の周波数における電気長は９６度である。９６度は、（１／４）波長程度なので、マイクロストリップ線路１１１は、４分の１波長変成器に近い動作をする。
マイクロストリップ線路１１１の特性インピーダンスが外部負荷ＺＯのインピーダンスである５０Ωと比べて低いので、図３に示すように、基準面Ｐ１から見た基本波の負荷インピーダンスｍ１は、外部負荷ＺＯのインピーダンスである５０Ωから低インピーダンスへ変換される。周波数帯域の負荷インピーダンスもｍ１周辺に変換される。この部分を、図３の中で部分３Аとして示す。
マイクロストリップ線路１１１は３倍波においては４分の３波長程度となるので、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３と周波数帯域の３倍波の負荷インピーダンスも部分３Аへ変換される。
マイクロストリップ線路１１１は２倍波においては４分の２波長程度となり、２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、あまり変化せずに５０Ω付近のままである。この５０Ω付近の部分を、図３の中で部分３Ｂとして示す。この時点で２倍波の負荷インピーダンスだけが基本波、３倍波の負荷インピーダンスから分離された。
マイクロストリップ線路１１２は、特性インピーダンスをマイクロストリップ線路１１１よりも低く、基本波における電気長を２６度と短くすることにより、図４に示すように、基準面Ｐ２から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１はＲ＝１Ω上の部分４Аへ変換される。Ｒ＝１Ωは高周波半導体増幅素子１４に与えたい所望の負荷インピーダンスの抵抗成分と同じ値である。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、部分４Аとは別の部分４Ｂへ変換される。基本波における電気長を２６度と短くすることにより３倍波においても４分の３波長以下となるので３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、部分４А及び部分４Ｂとは別の部分４Ｃへ変換される。すなわち、基本波、２倍波及び３倍波の周波数における負荷インピーダンスは分離される。
特性インピーダンスがマイクロストリップ線路１１２よりも高く、基本波にける電気長が２４度のマイクロストリップ線路１１３を付加したことより、図５に示すように、基準面Ｐ３から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、１Ω付近である部分５Аに変換される。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、∞Ω付近の誘導性を持つ領域である部分５Ｂへ変換される。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、∞Ω付近で誘導性を持ち、部分５Ｂとは別の部分５Ｃへ変換される。
なお、図５のインピーダンス図において、誘導性を持つインピーダンスはインピーダンス図の上半分の領域に示され、容量性を持つインピーダンスはインピーダンス図の下半分の領域に示される。
基準面Ｐ３から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスに近い特性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路１１４を付加したことにより、図６に示すように、基準面Ｐ４から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、あまり変化せず１Ω付近のままである。この１Ω付近の部分を、図６の中で部分６Аとして示す。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、∞Ω付近の誘導性を持つ領域である部分６Ｂへ変換される。３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、容量性を持つ領域である部分６Ｃへ変換される。この時点で３倍波の負荷インピーダンスは容量性を持つ。
ワイヤ部１１５を付加したことにより、図７に示すように、基準面Ｐ５から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、ワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので１＋ｊ１Ω付近である部分７Аへ変換される。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、∞Ω付近のままである。この∞Ω付近の部分を、図７の中で部分７Ｂとして示す。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、前述の部分６Ｃにおける容量性とワイヤ部１１５が持つ誘導性とが共振して０Ω付近である部分７Ｃへ変換される。
マイクロストリップ線路１１４を付加したことによって発生する容量性の量が、ワイヤ部１１５が持つ誘導性の量よりも小さい場合には、容量性と誘導性とが充分に共振せずに、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は０Ω付近に変換されない。また、マイクロストリップ線路１１４を付加したことによって発生する容量性の量が、ワイヤ部１１５が持つ誘導性の量よりも大きい場合にも、容量性と誘導性とが充分に共振せずに、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は０Ω付近に変換されない。
従って、マイクロストリップ線路１１４を付加することにより発生する容量性と、ワイヤ部１１５の持つ誘導性とが共振するようなマイクロストリップ線路１１４の電気長を選択する必要がある。
なお、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１おいては、基本波の周波数における負荷インピーダンスを１＋ｊ１Ω付近へ変換する場合を例に示したが、これには限定されずに、所望の負荷インピーダンスへ変換してもよい。
次に、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１の効果について説明する。
高周波半導体増幅器において、高い電力付加効率を得るには、高周波半導体増幅素子の出力に接続された出力整合回路により、基本波の周波数における負荷インピーダンスを所望のインピーダンスに整合させ、偶数次高調波、例えば２倍波の周波数におけるインピーダンスを∞Ωにし、奇数次高調波、例えば３倍波の周波数におけるインピーダンスを０Ωとすればよい。このような高周波半導体増幅器の動作を逆Ｆ級動作という。高周波半導体増幅器を逆Ｆ級動作させることにより、電圧の偶数次高調波と電流の奇数次高調波が存在せず、基本波の周波数においてのみ電圧と電流が共に存在することになり高い電力付加効率が実現される。
本実施形態に係る高周波半導体増幅器１においては、マイクロストリップ線路１１２により、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は図４に示す部分４Аへ、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は図４に示す部分４Ｂへ、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は図４に示す部分４Ｃへと分離する。これにより、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１を最終的な目標である１＋j１Ω付近へ、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２を最終的な目標である∞Ω付近へ、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３を最終的な目標である０Ω付近へ変換することが容易になる。
マイクロストリップ線路１１４により、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は１Ω付近のままであるが、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２を∞Ω付近へ変換し、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３を容量性を持つ領域へ変換する。
ワイヤ部１１５により、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１を１＋ｊ１Ω付近へ変換し、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２を∞Ω付近へ変換し、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３をワイヤ部１１５の誘導性と共振させて０Ω付近へ変換する。その結果、高周波半導体増幅器１を逆Ｆ級動作させて高い電力付加効率を実現できる。電力付加効率は５〜１０％程度向上させることができる。
図８は、横軸に周波数（ＧＨｚ）をとり縦軸に高周波半導体増幅素子１４に与えたい負荷インピーダンス（１＋ｊ１Ω）に対する反射損失（ｄＢ）をとって、図１に示す基準面Ｐ５から見た反射損失を例示するグラフである。
２．７ＧＨｚから３．１ＧＨｚ程度までの周波数において、基本波の反射損失を、−３０ｄＢ以下にできる。
次に、第１の実施形態の第１の比較例について説明する。
図９は、本比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
図１０は、図９に示す基準面Ｐ１から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１１は、図９に示す基準面Ｐ２から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１２は、図９に示す基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１０〜図１２のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
（表２）は、本実施形態に係る第１の比較例におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189880
図９に示すように、本比較例における出力整合回路２２は、マイクロストリップ線路２１１、マイクロストリップ線路２１２及びワイヤ部１１５から形成されている。基準面Ｐ０の位置は、前述の第１の実施形態と同様な位置であるため、基準面Ｐ０から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、前述の第１の実施形態と同様である（図２参照）。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２についても、前述の第１の実施形態と同様である。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３についても、前述の第１の実施形態と同様である。
マイクロストリップ線路２１１は、特性インピーダンスが１８．８Ω、基本波の周波数における電気長が９０度、比誘電率が１０、基板厚が１５０μｍ、線路幅Ｗ２１が０．６８ｍｍ、線路長Ｌ２１が８．８３ｍｍである。マイクロストリップ線路２１２は、特性インピーダンスが２．６６Ω、基本波の周波数における電気長が９０度、比誘電率が４０、基板厚が２５０μｍ、線路幅Ｗ２２が５．０６ｍｍ、線路長Ｌ２２が４．１４ｍｍである。
マイクロストリップ線路２１１により、図１０に示すように、基準面Ｐ１から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１と３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、１Ωより高く５０Ωより低いインピーダンスである部分１０Аへ変換される。マイクロストリップ線路２１１は２倍波においては４分の２波長程度なので、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、５０Ω付近のままである。この５０Ω付近の部分を、図１０の中で部分１０Ｂとして示す。
マイクロストリップ線路２１２により、図１１に示すように、基準面Ｐ２から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１と３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、１Ω程度のインピーダンスである部分１１Аへ変換される。マイクロストリップ線路２１２は２倍波においては４分の２波長程度なので、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、５０Ω付近のままである。この５０Ω付近の部分を、図１１の中で部分１１Ｂとして示す。
ワイヤ部１１５によりワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので、図１２に示すように、基準面Ｐ５から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、１＋ｊ１Ω付近である部分１２Аへ変換される。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、∞Ω付近である部分１２Ｂへ変換される。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、部分１２Ｃへ変換される。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は∞Ω付近になるが、３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は０Ω付近にならないので、高周波半導体増幅器２は逆Ｆ級動作とならない。
次に、第１の実施形態の第２の比較例について説明する。
図１３は、第１の実施形態の第２の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
図１４は、図１３に示す基準面Ｐ３から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図１５は、図１３に示す基準面Ｐ５から見た負荷インピーダンスを例示するインピーダンス図である。
図１４及び図１５のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
（表３）は、本実施形態に係る第２の比較例におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189880
図１３に示すように、本実施形態の第２の比較例における出力整合回路２３は、前述の第１の比較例における出力整合回路２２と比べて、マイクロストリップ線路３１３がマイクロストリップ線路２１２とワイヤ部１１５との間に設けられている点が異なっている。このため、基準面Ｐ０、Ｐ１及びＰ２から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、前述の第１の比較例と同様である。基準面Ｐ０、Ｐ１及びＰ２から見た２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、前述の第１の比較例と同様である。基準面Ｐ０、Ｐ１及びＰ２から見た３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、前述の第１の比較例と同様である。マイクロストリップ線路３１３は、特性インピーダンスが１．０Ω、基本波の周波数における電気長が９０度、比誘電率が９０、基板厚が１３５μｍ、線路幅Ｗ３３が５．０５ｍｍ、線路長Ｌ３３が２．７１ｍｍである。
基準面Ｐ２から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスに近い特性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路３１３を付加したことにより、図１４に示すように、基準面Ｐ３から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、基準面Ｐ２から見た場合と同様に１Ω付近のままである。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３も１Ω付近のままである。この１Ω付近の部分を部分１４Аとして示す。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、∞Ω付近の部分１４Ｂへ変換される。
ワイヤ部１１５によりワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので、図１５に示すように、基準面Ｐ５から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、１＋ｊ１Ω付近である部分１５Аへ変換される。インピーダンスが∞Ω付近にある場合にはワイヤを付加してもインピーダンスはさらに大きくなるのみなので、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、あまり変化せずに∞Ω付近のままである。この∞Ω付近の部分を、図１５の中で部分１５Ｂとして示す。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、ワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので、部分１５Ｃへ変換される。第１の比較例と同様に、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３が０Ω付近にならないので、高周波半導体増幅器３は逆Ｆ級動作とならない。
以上説明した実施形態によれば、高周波信号を高い電力付加効率で増幅する高周波半導体増幅器を提供することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
１ 高周波半導体増幅器、２ 高周波半導体増幅器、３ 高周波半導体増幅器、１０ 入力端子、１２ 入力整合回路、１４ 高周波半導体増幅素子、１８ 出力端子、２１ 出力整合回路、２２ 出力整合回路、２３ 出力整合回路、１１１ マイクロストリップ線路、１１２ マイクロストリップ線路、１１３ マイクロストリップ線路、１１４ マイクロストリップ線路、１１５ ワイヤ部、２１１ マイクロストリップ線路、２１２ マイクロストリップ線路、３１３ マイクロストリップ線路、Ｃ 中央線、Ｏ 中心点、ＺＯ 外部負荷、Ｐ０ 基準面、Ｐ１ 基準面、Ｐ２ 基準面、Ｐ３ 基準面、Ｐ４ 基準面、Ｐ５ 基準面、Ｌ１１ 線路長、Ｌ１２ 線路長、Ｌ１３ 線路長、Ｌ１４ 線路長、Ｌ２１ 線路長、Ｌ２２ 線路長、Ｌ３３ 線路長、Ｗ１１ 線路幅、Ｗ１２ 線路幅、Ｗ１３ 線路幅、Ｗ１４ 線路幅、Ｗ２１ 線路幅、Ｗ２２ 線路幅、Ｗ３３ 線路幅、ｍ１ 基本波の周波数におけるインピーダンス、ｍ２ ２倍波の周波数におけるインピーダンス、ｍ３ ３倍波の周波数におけるインピーダンス

Claims (1)

  1. 周波数帯域を有する信号が入力される入力端子と、
    前記入力端子に接続された入力整合回路と、
    前記入力整合回路に接続され、前記信号の増幅を行う高周波半導体増幅素子と、
    前記高周波半導体増幅素子に接続された出力整合回路と、
    出力端子と、
    を備え、
    前記出力整合回路は、
    前記出力端子に接続され、電気長が前記周波数帯域の中心周波数において７２度から１０８度であり、特性インピーダンスが外部負荷のインピーダンスである５０Ωと比べて低い第１伝送線路と、
    前記第１伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低い第２伝送線路と、
    前記第２伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低く、かつ前記第２伝送線路の特性インピーダンスおよび前記高周波半導体増幅素子に与えたい所望の負荷インピーダンスの抵抗成分よりもそれぞれ高い第３伝送線路と、
    前記第３伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において５度から１０度であり、特性インピーダンスが前記所望の負荷インピーダンスの前記抵抗成分と等しい第４伝送線路と、
    前記第４伝送線路と前記高周波半導体増幅素子との間に接続されたボンディングワイヤと、
    を有する、高周波半導体増幅器。
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