JP2015149626A - 高周波半導体増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(a)は第1の実施形態にかかる高周波半導体増幅器の平面的構成を示す模式図、図1(b)は等価回路図、である。
図1(a)に表すように、高周波半導体増幅器は、入力端子10、入力回路12、半導体増幅素子14、出力回路30、出力端子22、を有しており、たとえばパッケージに収納されている。なお、半導体増幅素子14に電圧を供給する直流回路は省略してある。
L=360°×M/λeff
但し M:実効的な伝送線路の長さ
λeff:所定の周波数での実効波長
周波数帯域は、たとえば、1〜20GHzの中のいずれかの範囲とする。出力整合回路30が、基本波に対して整合を取り、かつ2倍波に対して短絡インピーダンスに近く、かつ3倍波に対して開放インピーダンスに近くすると、周波数帯域の下限周波数flと、上限周波数fhと、の間で電力付加効率が高い使用周波数帯域とできる。
なお、本明細書において、インピーダンスを表すスミス図は、特性インピーダンスZCCを0.5Ωとした正規化インピーダンスを表すものとする。すなわち、インピーダンスZ(=R+jX)に対する正規化インピーダンスzは、次式で表される。
z=Z/ZCC=(R+jX)/ZCC=r+jx
第2の伝送線路18の特性インピーダンスZ2は、第1の伝送線路20の特性インピーダンスZ1よりも小さいので、第2の伝送線路の正規化インピーダンスz2(=Z2/ZCC)は、図3のようにスミス図の中心に近づく。第1基準面P1における負荷側をみた中心周波数fcにおける基本波インピーダンスz_P11@fcは、第2の伝送線路18に沿って電源に向かって基本波軌跡(実線)のように変化し、90度の第2の電気長L2を移動した基準面P2において基本波インピーダンスz_P21@fcとなる。すなわち、r=1、x=0の近傍とすることができる。
但しショートスタブが接続されていないものとする。半導体増幅素子14の出力電極と第2の伝送線路18とを接続するボンディングワイヤ15は、インダクタンスによる2πf×Lw/Zccをリアクタンス成分を生じ、第2基準面P2のインピーダンスz_P21に加算される。たとえば、ボンディングワイヤ15において中心周波数fcにおける基本波インピーダンスz_P31@fcの軌跡は、実線で表すように、略r=1の円とほぼ一致し、半導体増幅素子14の出力インピーダンスZoutと整合することができる。
ショートスタブ16は基本波での電気長が略90度であり、基本波において略開放インピーダンスとなる。このため、基本波に対して整合状態を維持できる。ショートスタブ16は3倍波での電気長は略270度であり、3倍波インピーダンスz_P33は、帯域内で開放インピーダンス近傍となる。このため3倍波に対して影響を与えない。他方、ショートスタブ16は2倍波での電気長は略180度であり、このショートスタブ16を設けることにより、2倍波インピーダンスz_P21を帯域内で短絡近傍にすることができる。
高周波半導体増幅器は、入力端子(図示せず)、入力回路(図示せず)、半導体増幅素子114、出力回路130、出力端子122、を有している。
比較例では、第3基準面P3において、負荷側をみた2倍波インピーダンスz_P32および3倍波インピーダンスz_P33をともに開放インピーダンス近傍にして電圧成分をゼロに近づける。すなわち、2倍波インピーダンスz_P32を短絡近傍にすることはできない。
Claims (4)
- 出力端子が外部負荷と接続され、所定の周波数帯域を有する高周波半導体増幅器であって、
入力電極と、出力電極と、を有し、前記周波数帯域において容量性出力インピーダンスを有する半導体増幅素子と、
前記入力電極に接続された入力回路と、
第1の伝送線路と、第2の伝送線路と、伝送線路を含むショートスタブと、ボンディングワイヤと、を有する出力回路であって、前記ボンディングワイヤの一方の端部は前記半導体増幅素子の前記出力電極と接続され前記ボンディングワイヤの他方の端部は前記第2の伝送線路に一方の端部に接続され、前記第1の伝送線路は前記第2の伝送線路と前記出力端子との間に設けられ、前記ショートスタブは前記半導体増幅素子の前記出力電極に接続された、出力回路と、
を備え、
前記第1の伝送線路は第1の特性インピーダンスと前記周波数帯域の中心周波数において90度である第1の電気長とを有し、
前記第2の伝送線路は前記第1の特性インピーダンスよりも低い第2の特性インピーダンスと前記周波数帯域の前記中心周波数において90度である第2の電気長とを有し、
前記ショートスタブは前記周波数帯域の中心周波数の2倍波に対して180度となる電気長を有し、
前記出力回路は、前記周波数帯域において前記半導体増幅素子の前記容量性出力インピーダンスと前記外部負荷のインピーダンスとを整合する高周波半導体増幅器。 - 前記ショートスタブの前記伝送線路の特性インピーダンスは、前記第1の特性インピーダンスよりも高い請求項1記載の高周波半導体増幅器。
- 前記ショートスタブの前記伝送線路の特性インピーダンスは、前記第2の特性インピーダンスよりも高い請求項1または2に記載の高周波半導体増幅器。
- 前記ショートスタブの一方の端部は、前記半導体増幅素子と前記第2の伝送線路との間に設けられた請求項1〜3のいずれか1つに記載の高周波半導体増幅器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014021727A JP2015149626A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | 高周波半導体増幅器 |
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JP2015149626A true JP2015149626A (ja) | 2015-08-20 |
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JP2014021727A Pending JP2015149626A (ja) | 2014-02-06 | 2014-02-06 | 高周波半導体増幅器 |
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JP (1) | JP2015149626A (ja) |
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