JP2015149627A - 高周波半導体増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波半導体増幅器は、入力端子電極と出力端子電極とを有する半導体増幅素子と、前記入力端子電極に接続された入力側インピーダンス整合回路と、オープンスタブと、前記オープンスタブの一方の端部と前記半導体増幅素子の前記入力端子電極とを接続するボンディングワイヤと、を有する2倍波短絡回路と、前記半導体増幅素子の前記出力端子電極と接続された出力側インピーダンス整合回路と、を有する。
【選択図】図2
Description
図1は、第1の実施形態にかかる高周波半導体増幅器の構成図である。
高周波半導体増幅器5は、半導体増幅素子10と、入力回路20と、出力回路30と、を有する。
本図において、半導体増幅素子10は、GaN HEMTであるものとする。HEMTは、ゲート端子電極11と、ドレイン端子電極12と、ソース接地電極(図示せず)と、を有する。
HEMTをマルチセル構成とすると、高出力を得ることが容易となる。この場合、複数のセルを並列接続すると、それぞれのセルのゲート端子電極11と、オープンスタブ24bの先端部と、の間で位相差を小さくするには、本図のように、オープンスタブ24bを複数に分割するとよい。
Port1はゲート端子電極11から入力側基本波整合回路22をみたインピーダンスZ sourceで終端され、Port2はゲート端子電極11から半導体増幅素子10をみたインピーダンスZ inで終端されている。Port1とPort2の間に2倍波短絡回路24が接続されている。
なお、インピーダンスは、特性インピーダンスZCC=7Ωで正規化され、z=(r+jx)であらわすものとする。本インピーダンス図において、周波数は、1〜10GHzをスイープし、ゲート端子電極11から、2倍波短絡回路24を含む入力回路側をみたインピーダンス軌跡を表す、
比較例の2倍波短絡回路124は、特性インピーダンスZC124が3Ωであるショートスタブ124bと、その一方の端部と半導体増幅素子110のゲート端子電極111との間を接続するボンディングワイヤ124a(インダクタンス=0.3nH)とを有する。ショートスタブ124bは、直流阻止キャパシタを介して接地に接続されている。
インピーダンスz(=r+jx)は、特性インピーダンスZCC=7Ωで正規化されている。もし、ボンディングワイヤを設けず、ショートのみで2倍波短絡回路を実現するには、その電気長を90度(基本波で)とすればよい。しかし、接続のためにワイヤは必須であり、そのためにそのワイヤのインダクタンスが発生する。ワイヤのインダクタンスが存在するために、ゲート端子電極111には、短絡の効果が十分には現れない。
第2比較例では、ボンディングワイヤ124aにより生じるインダクタンスを補償するために、ショートスタブ124bの電気長E124は90度(基本波で)より短くなり、52.5度(基本波で)近傍となしている。
ショートスタブ124bの電気長E124を52.5度と短くし容量性とすることにより、6GHz近傍でボンディングワイヤのインダクタンスと共振を生じるが第1の実施形態に比べて十分な抑制量をもつ帯域が狭い。例えば約−10dBの抑制量は5.9GHzから6.1GHzの200MHz幅でしか得られない。
第3比較例では、ボンディングワイヤ124aにより生じるインダクタンスを補償するために、ショートスタブ124bの電気長E124は90度(基本波で)より長くし、143.5度(基本波で)近傍としている。ショートスタブ124bの電気長E124を143.5度と長くし容量性にすることにより、6GHz近傍でボンディングワイヤのインダクタンスと共振を生じるが第1の実施形態に比べて十分な抑制量をもつ帯域が狭い。例えば約−10dBの抑制量は5.97GHzから6.02GHzの50MHz幅でしか得られない。また、基本波近傍の2.8GHzにおいて、短絡に近づくので、基本波での隠避−ダンスに影響を当て、基本波でのインピーダンス整合からずれる可能性がある。つまり、ショートスタブではスタブ長を調整して、ボンディングワイヤのインダクタンスを共振により補償しても、十分な効果が得られない。
すなわち、図10(a)はオーピンスタブの特性インピーダンスZC24が28Ωの場合のインピーダンス図、図10(b)は特性インピーダンスZC24が14Ωの場合のインピーダンス図、図10(c)は特性インピーダンスZC24が7Ωの場合のインピーダンス図、図10(d)は特性インピーダンスZC24が3Ωの場合のインピーダンス図、である。
半導体増幅素子10が、HEMTであるものとする。HEMTは、動作層上に設けられたマルチフィンガー電極構造により電流が制御されるセル領域17が並列に複数配置されているものとする。たとえば、マルチフィンガー電極は、複数のフィンガーゲート電極14と、それぞれのフィンガーゲート電極14を挟むように設けられたフィンガードレイン電極15およびフィンガーソース電極16と、を有する。図11において、セル領域17を破線で表す。なお、ソース端子電極13は、バイアホール18を介して共通してHEMTチップ裏面に接続することができる。
Claims (3)
- 入力端子電極と、出力端子電極と、を有する半導体増幅素子と、
前記入力端子電極に接続された基本波に対する入力側インピーダンス整合回路と、
オープンスタブと、前記オープンスタブの一方の端部と前記半導体増幅素子の前記入力端子電極とを接続するボンディングワイヤと、を有する2倍波短絡回路と、
前記半導体増幅素子の前記出力端子電極と接続された出力側インピーダンス整合回路と、
を備えた高周波半導体増幅器。 - 前記オープンスタブは、2倍波の周波数において、前記ボンディングワイヤのインダクタンスと共振する電気長を有する請求項1記載の高周波半導体増幅器。
- 前記オープンスタブの特性インピーダンスは、前記半導体増幅素子の入力インピーダンスの抵抗成分以上である請求項1または2に記載の高周波半導体増幅器。
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