JP6909837B2 - 高周波低雑音増幅器 - Google Patents
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Description
図1(a)は第1の実施形態にかかる高周波低雑音増幅器の模式平面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、図1(c)は理想状態のソース・接地間の等価回路図、である。
高周波低雑音増幅器10は、基板80と、ボンディングワイヤ52、54と、電界効果トランジスタ20と、を有する。
第1のマイクロストリップ線路31における一方の端部と他方の端部との間の距離(電気長EL1)と、第2のマイクロストリップ線路32における一方の端部と他方の端部との間の距離(EL2)と、は異なるように設定される。なお、電気長EL1は、ボンディング位置(の中心)B1と、貫通孔H1の中心と、の間の距離とする。電気長EL2は、ボンディング位置(の中心)B2と、貫通孔2の中心と、の間の距離とする。
高周波低雑音増幅器110は、基板(図示せず)と、ボンディングワイヤ152、154と、電界効果トランジスタ120と、を有する。
高周波低雑音増幅器10は、基板80と、ボンディングワイヤ52、54と、電界効果トランジスタ20と、を有する。
電界効果トランジスタ20が接着されるダイパッド領域(図示せず)は、第1、第2マイクロストリップ線路31、32と離間している。このため、ボンディングワイヤ52、54と第1、第2マイクロストリップ線路31、32の他方の端部との接続位置にダイパッド領域は接続されない。このため、図5(b)の等価回路図に表すように寄生容量を十分に小さくできる。すなわち、第1の実施形態と比較して並列共振によりソース電極Sが開放になることを回避し、発振を抑制できる。
第3の実施形態では、第1のマイクロストリップ線路31の電気長EL1と、第2のマイクロストリップ線路32の電気長EL2と、は異なる。また、電界効果トランジスタ20が接着されるダイパッド領域は、第1および第マイクロストリップ線路31、32と接続されない。このため、マイクロストリップ線路に並列に加わる寄生容量は十分に小さくできる。寄生容量がない場合でも、その線路長が4分の1波長となる周波数では線路端のインピーダンスは開放近傍となるが、第1のマイクロストリップ線路31の電気長EL1と、第2のマイクロストリップ線路32の電気長EL2と、は異なるので2つの線路のインピーダンスが同時に開放となることはない。
1/L0=1/(L1a+L2)+1/(L1b+L3) 式(1)
但し、L1a:ボンディングワイヤ52のインダクタンス
L1b:ボンディングワイヤ54のインダクタンス
L2:マイクロストリップ線路31のインダクタンス
L3:マイクロストリップ線路32のインダクタンス
図7(a)に表した電界効果トランジスタ20のソース電極(S)72、73と電界効果トランジスタ20の裏面導体78との間には容量90、92が生じる。図4に表す第2の実施形態のようにダイパッド33がある場合、ダイパッド33と基板80の接地導体82との間の容量91、93が生じる。
第5の実施形態では、チップに裏面導体が設けられず、電界効果トランジスタ20の裏面の絶縁領域と基板80の表面絶縁領域81aとの間が絶縁性接着剤79で接着される。このため、ソース電極(S)72、73と接地導体82との間のみが容量となり寄生キャパシタ94の容量、寄生キャパシタ95の容量が第2の実施形態よりも低減でき、不要な発振がさらに抑制される。
Claims (1)
- 裏面側に設けられた接地導体と、前記裏面とは反対側の表面上に設けられたマイクロストリップ線路と、前記表面上において前記マイクロストリップ線路に並んだ表面絶縁領域と、を含む基板であって、前記マイクロストリップ線路は、帯域内において所望のインダクタンスを有し、前記マイクロストリップ線路の一方の端部は前記接地導体に接続される、基板と、
ボンディングワイヤと、
絶縁性接着剤と、
前記基板の前記表面絶縁領域上に前記マイクロストリップ線路から離間して配置された、ソース電極を表面に有する電界効果トランジスタであって、前記マイクロストリップ線路の他方の端部と前記ソース電極とは前記ボンディングワイヤにより接続された、電界効果トランジスタと、
を備え、
前記電界効果トランジスタは、裏面導体を含み、
前記裏面導体のサイズは、前記電界効果トランジスタのサイズよりも小さく、
前記裏面導体と前記表面絶縁領域とが前記絶縁性接着剤を介して接合され、
前記電界効果トランジスタの前記裏面側は、前記マイクロストリップ線路から絶縁され、
前記電界効果トランジスタの前記ソース電極と前記接地導体との間のインピーダンスは、前記帯域内において所望の範囲のインダクタンス成分を有する、高周波低雑音増幅器。
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JP2019167602A JP6909837B2 (ja) | 2015-08-28 | 2019-09-13 | 高周波低雑音増幅器 |
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JP2020010386A JP2020010386A (ja) | 2020-01-16 |
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