JP5223008B2 - 高周波電力増幅器 - Google Patents
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Description
図1に、本発明の第1の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図を示す。
次に、本発明の第2の実施形態に係る高周波電力増幅器について、図10を用いて説明する。図10は、本発明の第2の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。
次に、本発明の第3の実施形態に係る高周波電力増幅器について、図11を用いて説明する。図11は、本発明の第3の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。
次に、本発明の第4の実施形態に係る高周波電力増幅器について、図12を用いて説明する。図12は、本発明の第4の実施形態に係る高周波電力増幅器の回路図である。
102 入力整合回路
103 バイアス端子
104 トランジスタ
105 出力整合回路
106 出力端子
107 リアクタンス制御回路
108 インダクタ
109 バイアス端子
401 マイクロストリップライン
501 インダクタ
502 キャパシタ
601 オープンスタブ
801 入力端子
802 直流電力供給端子
803 チョークインダクタ
804 FET
805 マイクロストリップライン
806 オープンスタブ(λ/8)
807 オープンスタブ(λ/12)
808 出力整合回路
809 負荷抵抗
704、1003 ソース電極
705、705A、1001 ゲート電極
706、1002 ドレイン電極
Claims (14)
- 第1の周波数の高周波信号を増幅する増幅素子と、
前記増幅素子の入力端側に接続された入力整合回路と、
前記増幅素子の出力端側に接続された出力整合回路と、
一端側が前記増幅素子の出力端に接続され、他端側が前記出力整合回路の入力端および直流電源端子に接続されたリアクタンス制御回路と、を有し、
前記増幅素子は、ゲート電極、ドレイン電極およびソース電極を備える電界効果トランジスタであり、
前記ゲート電極および前記ソース電極の少なくとも一方がフィールドプレート構造であり、
前記リアクタンス制御回路は、前記増幅素子の出力端における前記増幅素子の寄生容量との間で第2の周波数で共振するリアクタンスを有し、
前記増幅素子の寄生容量は、前記増幅素子が持つ寄生容量であって、前記ゲート電極、前記ドレイン電極および前記ソース電極のそれぞれの電極間の寄生容量によって算出され、
前記増幅素子の前記出力端を前記ドレイン電極とし、
前記ゲート電極と前記ソース電極との間の寄生容量をCgsとし、
前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の寄生容量をCdgとし、
前記ドレイン電極と前記ソース電極との間の寄生容量をCdsとしたときに、
前記増幅素子の前記寄生容量Cは、
前記第2の周波数は、前記第1の周波数と同一の周波数、または、前記第1の周波数の近傍の周波数である、
高周波電力増幅器。 - 前記第2の周波数は、前記リアクタンス制御回路がない場合よりも電力付加効率が高くなる周波数である、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第1の周波数は、2.4〜2.5GHzであり、
前記第2の周波数は、前記第1の周波数の0.82倍から2.4倍の周波数である、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第2の周波数は、前記第1の周波数の0.87倍から1.9倍の周波数である、
請求項3に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第1の周波数は1〜5GHzであり、
前記第2の周波数は、前記第1の周波数の0.92倍から1.8倍の周波数である、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第2の周波数は、前記第1の周波数の0.93倍から1.4倍の周波数である、
請求項5に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第2の周波数は、前記第1の周波数よりも大きい、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記リアクタンス制御回路は、インダクタで構成されている、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記リアクタンス制御回路は、伝送線路で構成されている、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記伝送線路は、マイクロストリップライン又はコプレーナラインである、
請求項9に記載の高周波電力増幅器。 - 前記リアクタンス制御回路は、キャパシタとインダクタとの直列共振器で構成されている、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記リアクタンス制御回路は、オープンスタブで構成されている、
請求項1記載の高周波電力増幅器。 - 前記増幅素子は、化合物半導体を用いた電界効果トランジスタである、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記増幅素子は、GaNとAlGaNとのヘテロ接合を有する電界効果トランジスタである、
請求項1に記載の高周波電力増幅器。
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