JP2011066782A - 高出力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力端子1に入力される高周波信号を整合する入力整合回路4と、入力整合回路4で整合された高周波信号を増幅させる増幅素子3と、増幅素子3で増幅された高調波信号の出力インピーダンスを、出力端子2の特性インピーダンスに整合する出力整合回路7,8と、増幅素子3と出力整合回路7,8とを接続する出力ワイヤ6とを備え、出力ワイヤ6のワイヤ長を、増幅素子3の出力容量を打ち消すインダクタ成分が得られる長さに略々設定した高出力増幅器である。
【選択図】図3
Description
図3は、この発明の実施の形態1に係る高出力増幅器を示す回路図である。図3において、1は入力端子、2は出力端子、3は増幅素子、4は入力整合回路、5は入力ワイヤ、6は出力ワイヤ、7は1段目のインピーダンス変成回路、8は2段目のインピーダンス変成回路、9は半導体基板、10は入力基板、11はセラミック基板等で構成される出力基板である。
図4は、この発明の実施の形態2に係る高出力増幅器を示す回路図である。図4において、1は入力端子、2は出力端子、3は増幅素子、4は入力整合回路、5は入力ワイヤ、6は出力ワイヤ、7は1段目のインピーダンス変成回路、8は2段目のインピーダンス変成回路、9は半導体基板、10は入力基板、11は出力基板、12はスタブである。
図5は、この発明の実施の形態3に係る高出力増幅器を示す回路図である。図5において、1は入力端子、2は出力端子、3は増幅素子、4は入力整合回路、5は入力ワイヤ、6は出力ワイヤ、7は1段目のインピーダンス変成回路、8は2段目のインピーダンス変成回路、9は半導体基板、10は入力基板、11は出力基板、14は島パターンスタブ、15は島パターン接続ワイヤである。
図6に、この発明の実施の形態4に係る高出力増幅器の断面図を示す。図6は、図4(a)の高出力増幅器の入出力方向の断面図である。図6において、2は出力端子、5は入力ワイヤ、6は出力ワイヤ、7は1段目のインピーダンス変成回路、8は2段目のインピーダンス変成回路、9は半導体基板、10は入力基板、11は出力基板、12はスタブ、13はキャリアである。
Claims (5)
- 入力端子に入力される高周波信号を整合する入力整合回路と、
前記入力整合回路で整合された前記高周波信号を増幅させる増幅素子と、
前記増幅素子で増幅された前記高調波信号の出力インピーダンスを、出力端子の特性インピーダンスに整合する出力整合回路と、
前記増幅素子と前記出力整合回路とを接続する出力ワイヤと
を備え、
前記出力ワイヤのワイヤ長を、前記増幅素子の出力容量を打ち消すインダクタ成分が得られる長さに略々設定したことを特徴とする高出力増幅器。 - 入力端子に入力される高周波信号を整合する入力整合回路と、
前記入力整合回路で整合された前記高周波信号を増幅させる増幅素子と、
前記増幅素子で増幅された前記高調波信号の出力インピーダンスを、出力端子の特性インピーダンスに整合する出力整合回路と、
前記増幅素子と前記出力整合回路とを接続する出力ワイヤと
を備え、
前記出力ワイヤは、前記出力整合回路のパターンの中央部分まで打ち込まれ、
前記出力ワイヤのワイヤ長を、前記増幅素子の出力容量を打ち消すインダクタ成分が得られる長さもしくはそれ以上の長さに略々設定したことを特徴とする高出力増幅器。 - 前記増幅素子は半導体基板に搭載され、
前記出力整合回路は出力基板に形成されているものであって、
前記半導体基板と前記出力基板とは、それらの基板の間の間隔が最小限となるように近接して配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の高出力増幅器。 - 前記出力ワイヤが設けられた下方の前記出力整合回路のパターンの線路の部分を島パターンとしたことを特徴とする請求項3に記載の高出力増幅器。
- 前記増幅素子を搭載した前記半導体基板の表面の高さを、前記出力基板表面よりも高くし、前記出力ワイヤを前記半導体基板側から前記出力基板の順序でワイヤリングしたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の高出力増幅器。
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