JP2004080826A - マイクロ波増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】ボンディングワイヤと長さ4分の1波長未満の容量性の結合線路からなる整合回路を用いることで、DC成分漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得ることができるマイクロ波増幅器を得る。
【解決手段】この発明に係るマイクロ波増幅器は、動作周波数にて容量性となるスタブ(24,25)を含むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ4分の1波長未満の結合線路及び26伝送線路(22)を有する整合回路と能動素子20とをボンディングワイヤ21で接続することにより、DC成分漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得る。
【選択図】図4
【解決手段】この発明に係るマイクロ波増幅器は、動作周波数にて容量性となるスタブ(24,25)を含むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ4分の1波長未満の結合線路及び26伝送線路(22)を有する整合回路と能動素子20とをボンディングワイヤ21で接続することにより、DC成分漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得る。
【選択図】図4
Description
この発明は、マイクロ波およびミリ波において、小型な特徴を有するマイクロ波増幅器に関するものである。
マイクロ波増幅器の整合回路として、先端開放あるいは先端短絡のスタブが広く用いられてきた。図7は従来の2段増幅器のマイクロ波増幅器の構成図を示すものである(非特許文献1参照)。図7において、33、35は整合素子であるマイクロストリップ線路、34、36は先端開放スタブ、37は動作周波数で長さ4分の1波長のマイクロストリップ線路、38は動作周波数で長さ4分の1波長の先端開放スタブ、39は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用回路、40、41はバイアス印加用の端子、43は能動素子、44は動作周波数で長さ4分の1波長の結合線路で、直流成分の漏洩を防止するためのものである。
"W-band Monolithic Low Noise Amplifiers for Advanced Microwave Scanning Radiometer"(1995年 IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS)
上述した構成を有するマイクロ波増幅器は、整合回路と能動素子を同一のプロセスで半導体基板上に形成するモノリシックマイクロ波集積回路を示すものであるが、マイクロ波、とりわけ周波数が高くなるミリ波帯においては、能動素子の特性のばらつきにより、所望の増幅器の特性が得られなくなる問題点があった。製造後のばらつきを調整する場合は、整合回路と能動素子を同一のプロセスで半導体基板上に形成するモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC:Monolithic Microwave Integrated Circuit)よりも、整合回路と能動素子を異なる基板で構成するHMIC(HMIC:Hybrid Microwave Integrated Circuit)の方が有利である。しかし、HMICの場合、整合回路と能動素子をボンディングワイヤで接続する必要が生じる。
ボンディングワイヤを用いる場合、そのインダクタンス成分のために能動素子のインピーダンスはスミスチャート上のG=1の定コンダクタンス円よりも外側の誘導性の領域に位置する。そのため、従来の増幅器のように先端開放スタブを用いて整合を取ると、能動素子とスタブ間に必要となる伝送線路が長くなり、整合回路が大型となる上に特性の狭帯域化を招いてしまう問題があった。さらに、従来の増幅器においては、直流成分漏洩を防止するためにMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタや、動作周波数にて4分の1波長となる結合線路を接続する必要があり、回路の大型化、損失の増加を招いてしまう問題点があった。
この発明は上記の問題を解決するためになされたもので、ボンディングワイヤと長さ4分の1波長未満の容量性の結合線路からなる整合回路を用いることで、DC成分漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得ることができるマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波増幅器は、動作周波数にて容量性となるスタブを含むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ4分の1波長未満の結合線路及び伝送線路を有する整合回路と能動素子とをボンディングワイヤで接続したものである。
この発明に係るマイクロ波増幅器は、DC成分漏洩を防止する素子を別途接続する必要をなくし、小型で高利得な増幅器を得るという利点がある。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示す構成図である。図1において、1は増幅器の整合回路を含む基板、2は整合回路内の伝送線路、3は本来は伝送線路2に接続されて整合素子として機能するスタブ、4は伝送線路2とスタブ3を接続するために設けられた複数のボンディングワイヤ(あるいはエアブリッジ)である。
図1はこの発明の実施の形態1であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示す構成図である。図1において、1は増幅器の整合回路を含む基板、2は整合回路内の伝送線路、3は本来は伝送線路2に接続されて整合素子として機能するスタブ、4は伝送線路2とスタブ3を接続するために設けられた複数のボンディングワイヤ(あるいはエアブリッジ)である。
上記構成においては、整合回路のインピーダンスを、ボンディングワイヤ4(あるいはエアブリッジ)を切断することで調整することができ、増幅器の特性を所望のものとすることができる。
したがって、増幅器内の能動素子がその製造プロセスにおいて特性のばらつきを生じた場合においても、整合素子と他の回路素子との間をボンディングワイヤ(あるいはエアブリッジ)で数点接続し、その接続を切断することで、整合回路のインピーダンスを調整することができるために、所望の増幅器の特性を得ることができる。
したがって、増幅器内の能動素子がその製造プロセスにおいて特性のばらつきを生じた場合においても、整合素子と他の回路素子との間をボンディングワイヤ(あるいはエアブリッジ)で数点接続し、その接続を切断することで、整合回路のインピーダンスを調整することができるために、所望の増幅器の特性を得ることができる。
実施の形態2.
図2はこの発明の実施の形態2であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示す構成図である。
図2において、5は整合回路中の伝送線路、6は整合素子であるスタブ、7はスイッチとして機能する能動素子、8はそのスイッチ素子へのバイアス印加用端子、9は直流成分阻止用のコンデンサ、10は増幅機能を有する能動素子である。
図2はこの発明の実施の形態2であるマイクロ波増幅器の整合回路部を示す構成図である。
図2において、5は整合回路中の伝送線路、6は整合素子であるスタブ、7はスイッチとして機能する能動素子、8はそのスイッチ素子へのバイアス印加用端子、9は直流成分阻止用のコンデンサ、10は増幅機能を有する能動素子である。
上記構成においては、整合用のスタブ6は、能動素子でなるスイッチ7のバイアス条件を変化させることでそのインピーダンスを調整することができ、スタブのインピーダンスを制御することができる。
したがって、スイッチ7のバイアス条件を変化させることで整合用スタブのインピーダンスを変化させ、増幅器の特性を制御することが可能となり、能動素子10の特性のばらつきを整合回路で吸収することができる。さらに、上記のバイアス条件を変化させることで整合回路のインピーダンスを広範に変化させることが可能となるため、増幅器を異なる複数の周波数帯域で動作させることも可能となる。
したがって、スイッチ7のバイアス条件を変化させることで整合用スタブのインピーダンスを変化させ、増幅器の特性を制御することが可能となり、能動素子10の特性のばらつきを整合回路で吸収することができる。さらに、上記のバイアス条件を変化させることで整合回路のインピーダンスを広範に変化させることが可能となるため、増幅器を異なる複数の周波数帯域で動作させることも可能となる。
実施の形態3.
図3はこの発明の実施の形態3であるマイクロ波増幅器の能動素子を搭載した基板と整合回路を搭載した基板の接続構成を示すものである。
図3において、12、13は整合回路を搭載した整合回路基板、14はこれら整合回路基板12と13間に設けられた能動素子を搭載した能動素子基板、15は整合回路基板12と13間の距離を調整するためのスペーサとしてはたらく金属片、16、17は能動素子と整合回路基板を接続するためのボンディングワイヤである。
図3はこの発明の実施の形態3であるマイクロ波増幅器の能動素子を搭載した基板と整合回路を搭載した基板の接続構成を示すものである。
図3において、12、13は整合回路を搭載した整合回路基板、14はこれら整合回路基板12と13間に設けられた能動素子を搭載した能動素子基板、15は整合回路基板12と13間の距離を調整するためのスペーサとしてはたらく金属片、16、17は能動素子と整合回路基板を接続するためのボンディングワイヤである。
上記構成において、金属片15は、能動素子に隣接して配置され、整合回路の間の距離を一定に保つスペーサとして機能する。
したがって、金属片15を整合回路基板12と13の間の距離を一定に保つスペーサとして用いることで、ボンディングワイヤ16,17の長さのばらつきを抑えることができる。ボンディングワイヤ16,17はマイクロ波帯においてはインダクタンスとして働きその長さによって整合状態が変化するため、長さのばらつきを抑えることで所望の増幅器の特性を得ることが可能となる。
したがって、金属片15を整合回路基板12と13の間の距離を一定に保つスペーサとして用いることで、ボンディングワイヤ16,17の長さのばらつきを抑えることができる。ボンディングワイヤ16,17はマイクロ波帯においてはインダクタンスとして働きその長さによって整合状態が変化するため、長さのばらつきを抑えることで所望の増幅器の特性を得ることが可能となる。
実施の形態4.
図4はこの発明の実施の形態4であるマイクロ波増幅器の整合回路と能動素子との接続構成を示すものである。
図4において、20は能動素子、21はボンディングワイヤ、22はマイクロストリップ線路、24は増幅器の動作周波数で4分の1波長以上の長さを有するマイクロストリップ線路、25は動作周波数で長さ4分の1波長となる先端開放スタブ、26は動作周波数にて長さ4分の1波長未満の結合線路、27は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用の回路で、28はバイアス印加用の端子である。
図4はこの発明の実施の形態4であるマイクロ波増幅器の整合回路と能動素子との接続構成を示すものである。
図4において、20は能動素子、21はボンディングワイヤ、22はマイクロストリップ線路、24は増幅器の動作周波数で4分の1波長以上の長さを有するマイクロストリップ線路、25は動作周波数で長さ4分の1波長となる先端開放スタブ、26は動作周波数にて長さ4分の1波長未満の結合線路、27は抵抗とキャパシタンスからなる低周波発振抑圧用の回路で、28はバイアス印加用の端子である。
次に動作について図5のスミスチャート及び図6に示す結合線路の等価回路図を参照して説明する。
マイクロ波より周波数の高いミリ波帯のHMIC増幅器においては、ボンディングワイヤを含む能動デバイスのインピーダンスはそのインダクタンス成分のために、同図の点AのようにG=1の円の外側の誘導性の領域に位置する。その場合、整合回路基板内のマイクロストリップ線路22により点Bへ動き、容量性スタブとして機能するマイクロストリップ線路24,先端開放スタブ25からなる回路により点Cへ動く。
マイクロ波より周波数の高いミリ波帯のHMIC増幅器においては、ボンディングワイヤを含む能動デバイスのインピーダンスはそのインダクタンス成分のために、同図の点AのようにG=1の円の外側の誘導性の領域に位置する。その場合、整合回路基板内のマイクロストリップ線路22により点Bへ動き、容量性スタブとして機能するマイクロストリップ線路24,先端開放スタブ25からなる回路により点Cへ動く。
さらに、長さが4分の1波長未満の結合線路26は、図6に示すように、直列のキャパシタンス30と伝送線路31からなる等価回路で表現できることを考えると、図4中の結合線路26により、図5に示す点Cは、点D、点D’を通りスミスチャートの中心へ動くため、整合を取ることができる。
したがって、図5の破線で示す従来の技術である伝送線路と先端開放スタブを用いた整合に比べてスミスチャート上を動く軌跡が短くなるため、回路の小型化が可能となる上に、周波数に対する感受性が低くなるため広帯域な特性を得ることができる。さらに、結合線路26は、整合素子として機能するだけでなく、DC成分の漏洩を防止する機能を併せ持つため、従来の技術のように長さ4分の1波長の結合線路やMIMキャパシタを別途接続する必要がなくなり、小型、高利得な増幅器が実現できる。なお以上の説明は能動素子の入力側について行ったが、出力側に関しても全く同様である。
動作周波数にて容量性となるスタブを含むバイアス供給回路と、動作周波数において長さ4分の1波長未満の結合線路により整合回路を構成し、またその整合回路と能動素子をボンディングワイヤで接続する構造を用いることで、小型、広帯域、高利得な増幅器を実現することができる。
1 整合回路を含む基板、2 整合回路内の伝送線路、3 整合用スタブ、4 ボンディングワイヤ(あるいはエアブリッジ)、5 整合回路内の伝送線路、6 整合用スタブ、7 スイッチとして機能する能動素子、8 スイッチのバイアス印加用端子、9 直流成分阻止用のコンデンサ、10 増幅機能を有する能動素子、12,13 整合回路基板、14 能動素子基板、15 金属片、16、17 ボンディングワイヤ、20 能動素子、21 ボンディングワイヤ、22 マイクロストリップ線路、24 長さ4分の1波長以上のマイクロストリップ線路、25 長さ4分の1波長の先端開放スタブ、26 長さ4分の1波長未満の結合線路、27 低周波発振抑圧用の回路、28 バイアス印加用端子、30 キャパシタンス、31 伝送線路、33、35 マイクロストリップ線路、34,36 先端開放スタブ、37 長さ4分の1波長のマイクロストリップ線路、38 長さ4分の1波長の先端開放スタブ、39 低周波発振抑圧用の回路、40、41 バイアス印加用端子、43 能動素子、44 長さ4分の1波長の結合線路。
Claims (1)
- 動作周波数にて容量性となるスタブを含むバイアス供給回路、動作周波数にて長さ4分の1波長未満の結合線路及び伝送線路を有する整合回路と能動素子とをボンディングワイヤで接続したマイクロ波増幅器。
Priority Applications (1)
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JP2003358982A JP2004080826A (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | マイクロ波増幅器 |
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JP2008005128A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
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-
2003
- 2003-10-20 JP JP2003358982A patent/JP2004080826A/ja not_active Abandoned
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JP4641285B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2011-03-02 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波増幅器 |
KR100801570B1 (ko) | 2006-12-05 | 2008-02-11 | 한국전자통신연구원 | 초고주파 증폭기 |
KR100998603B1 (ko) | 2009-06-17 | 2010-12-07 | 연세대학교 산학협력단 | 이중 대역 필터 및 그 설계 방법 |
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