KR20060034176A - 초고주파 증폭기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 무선 통신 시스템에 사용되는 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 고주파 신호를 증폭하기 위한 트랜지스터, 입력단자를 통해 제공되는 고주파 신호를 상기 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로, 상기 트랜지스터로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부, 상기 트랜지스터에서 증폭된 고주파 신호를 출력단자로 전달하는 출력 정합회로를 포함하며, 상기 입력단자와 상기 입력 정합회로, 그리고 상기 출력 정합회로와 상기 출력단자 사이에 스트립 라인들이 캐패시턴스를 갖도록 구성된 DC 블록 및 RF 정합수단이 각각 구비된다. 금속 스트립 라인들로 구성된 DC 블록 및 RF 정합수단은 유전체의 두께 변화에 관계없이 일정한 캐패시턴스 및 높은 안정도를 가진다.
증폭기, 정합수단, 정합회로, 스트립 라인, 캐패시턴스

Description

초고주파 증폭기 {Millimeter-wave amplifier}
도 1은 종래 초고주파 증폭기에 사용되는 MIM 캐패시터의 구조도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초고주파 증폭기를 설명하기 위한 회로도.
도 3은 본 발명의 초고주파 증폭기에 사용되는 DC 블록 및 RF 정합수단을 설명하기 위한 구조도.
도 4는 본 발명의 DC 블록 및 RF 정합수단과 MIM 캐패시터의 안정도 파라미터(K) 측정 결과를 도시한 그래프.
도 5는 본 발명의 DC 블록 및 RF 정합수단과 MIM 캐패시터의 안정도 파라미터(B1) 측정 결과를 도시한 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 하부전극 2: 상부전극
3: 유전체막 4: 포스트
10, 12: 제 1 및 제 2 스트립 라인
11, 13: 패드 100: 입력단자
101, 126, 136: DC 블록 및 RF 정합수단
110, 130: 입력 정합회로
112, 112, 121, 122, 123, 131, 132: 마이크로 스트립 라인
113: 오픈 스터브 114, 134: 트랜지스터
120, 135: 출력 정합회로 124: 캐패시터
125, 133: 쇼트 스터브 140: 출력단자
150, 160, 170, 180: 바이어스 공급부
본 발명은 무선 통신 시스템에 사용되는 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 안정도 및 제조 수율을 향상시킬 수 있는 초고주파 증폭기에 관한 것이다.
일반적으로 무선통신 시스템에 사용되는 초고주파 증폭기는 입력신호를 증폭하는 트랜지스터, 입력신호를 상기 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로, 상기 트랜지스터로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부, 트랜지스터에 의해 증폭된 신호를 손실이 없이 출력단자에 정합시키는 출력 정합회로로 구성되며, 상기 입력단자와 입력 정합회로, 그리고 상기 출력 정합회로와 출력단자 사이에는 바이어스 공급부로부터 제공되는 직류(DC) 바이어스 전압을 차단하고 고주파 신호를 정합시키기 위해 MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터가 연결된다. 즉, 상기 MIM 캐패시터는 해당 트랜지스터로 제공되는 바이어스 전압에 의해 다른 트랜지스터가 영향을 받지 않도록 하는 동시에 고주파 신호를 정합시키는 역할을 한다.
도 1은 밀리미터파 대역(30GHz 이상)의 초고주파 증폭기에 사용되는 MIM 캐패시터의 구조로서, 하부 금속전극(1), 상부 금속전극(2), 그리고 상기 하부 금속전극(1)과 상부 금속전극(2) 사이에 형성된 유전체막(3)으로 구성되며, 상기 상부 금속전극(2)은 포스트(4)를 통해 다른 하부 금속전극(1)과 연결된다.
상기와 같이 구성된 MIM 캐패시터의 캐패시턴스(capacitance)는 상기 유전체막(3)의 두께와 면적에 의해 결정된다. 그러나 제조 과정에서 유전체막(3)의 면적은 설계값과 거의 같게 구현될 수 있지만, 두께는 공정의 조건에 따라 변화량이 생길 수 있기 때문에 캐패시터마다 일정한 캐패시턴스를 구현하기 어렵다. 제조 회사나 연구소, 학교마다 다르겠지만, 일반적으로 ±10% 정도의 변화량을 보인다. 따라서 이러한 변화량에 의해 설계값과 다른 캐패시턴스를 가지는 캐패시터가 제조될 수 있기 때문에 제조 수율이 저하되고 비용이 많이 소요되는 등 문제점이 발생된다.
밀리미터파 대역의 초고주파 증폭기에서는 약간의 캐패시턴스 변화량에 의해서도 정합회로의 정합 주파수가 쉽게 이동하게 되며, 이로 인해 증폭기의 동작주파수가 이동된다. 동작주파수가 이동하면 원하는 동작주파수에서의 이득 감소 현상이 나타나기 때문에 고주파 증폭기의 설계 및 제작에 중대한 영향을 미친다.
한편, 증폭기 회로의 설계에 있어서 안정도는 매우 중요하다. 하기와 같이 정의되는 파라미터 K 와 B1은 안정도를 나타내며, 무조건적인 안정을 위해서는 K > 1 과 B1 > 0 인 조건을 만족해야 한다. 무조건적인 안정 조건을 만족하지 못하면 일정 주파수에서 발진이 일어나 증폭기로서의 역할을 하지 못하게 된다 (Guillermo Gonzales, "Microwave Transistor Amplifiers", Prentice-Hall, 1984 참조).
Figure 112004047306020-PAT00001
Figure 112004047306020-PAT00002
Figure 112004047306020-PAT00003
그런데 종래의 고주파 전력 증폭기에는 직류(DC) 바이어스 차단 및 고주파 정합을 위해 MIM 캐패시터가 사용되기 때문에 안정도 파라미터(K 와 B1) 향상을 위한 별도의 회로가 추가되었다. 저항과 캐패시터를 포함하는 회로가 추가되면 다른 회로와의 크로스 토크(cross talk)에 의해 성능이 저하되고, 고주파 전력 증폭기가 차지하는 면적이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 공정 조건에 따른 캐패시턴스의 변화량이 최소화되어 수율을 향상시킬 수 있으며, 높은 안정도를 유지하여 추가적인 회로의 구성에 따른 성능 저하가 발생하지 않는 초고주파 증폭기를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 초고주파 증폭기는 고주파 신호를 증폭하기 위한 트랜지스터, 입력단자를 통해 제공되는 고주파 신호를 상기 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로, 상기 트랜지스터로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부, 상기 트랜지스터에 의해 증폭된 고주파 신호를 손실이 없이 출력단자로 정합시키는 출력 정합회로를 포함하며, 상기 입력단자와 상기 입력 정합회로, 그리고 상기 출력 정합회로와 상기 출력단자 사이에 제 1 및 제 2 스트립 라인이 캐패시턴스를 갖도록 구성된 DC 블록 및 RF 정합수단이 각각 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 입력 정합회로 및 출력 정합회로는 각각 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속된 다수의 마이크로 스트립 라인과, 상기 다수의 마이크로 스트립 라인과 병렬로 접속되며 캐패시터 역할을 하는 오픈 스터브 또는 쇼트 스터브로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 캐패시턴스는 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인의 간격과 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인 각각의 폭과 길이에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초고주파 증폭기를 설명하기 위한 회로도이다.
입력단자(100)로 제공되는 고주파(RF) 신호는 DC 블록 및 RF 정합수단(101)을 통해 입력 정합회로(110)로 입력된다. 상기 입력 정합회로(110)는 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(111 및 112)과, 상기 마이크로 스트립 라인(111 및 112)과 병렬로 접속되며 캐패시터 역할을 하는 오픈 스터브(open stub)(113)로 구성된다.
상기 입력 정합회로(110)의 출력은 트랜지스터(114)를 통해 증폭된 후 출력 정합회로(120)로 입력된다. 상기 출력 정합회로(120)는 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(121 및 122), 상기 마이크로 스트립 라인(121 및 122)과 병렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(123), 상기 마이크로 스트립 라인(123)과 접지 사이에 직렬로 접속된 캐패시터(124) 및 인덕터 역할을 하는 쇼트 스터브(short stub)(125)로 구성된다.
상기 출력 정합회로(120)의 출력은 DC 블록 및 RF 정합수단(126)을 통해 입력 정합회로(130)로 입력된다. 상기 입력 정합회로(130)는 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(131 및 132), 상기 마이크로 스트립 라인(131 및 132)과 접지 사이에 병렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 쇼트 스터브(133)로 구성된다.
상기 입력 정합회로(130)의 출력은 트랜지스터(134)를 통해 증폭된 후 출력 정합회로(135) 및 DC 블록 및 RF 정합수단(136)을 통해 출력단자(140)로 전달된다.
상기 트랜지스터(114 및 134) 각각에는 바이어스 공급부(150, 160, 170, 180)로부터 독립적으로 직류(DC) 바이어스 전압이 공급된다. 상기 바이어스 공급부(150, 160, 170, 180)는 각각 출력단자와 접지 간에 직렬 접속된 마이크로 스트립 라인(L) 및 전압원(Vdc)과, 상기 전압원(Vdc)에 병렬로 접속된 캐피새터(C)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 고주파 전력 증폭기에서 상기 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)은 트랜지스터(114, 134)로 제공되는 바이어스 전압이 정합회로 또는 다른 트랜지스터에 영향을 미치지 않도록 하는 동시에 고주파 신호를 정합시키는 역할을 한다. 따라서 상기 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)은 일정한 캐패시턴스를 갖도록 구성되야 한다. 이를 위해 본 발명은 상기 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)을 도 3에 도시된 바와 같이 일정한 거리로 이격된 제 1 스트립 라인(10)과 제 2 스트립 라인(12)으로 구성하며, 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)의 간격(G)과 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12) 각각의 폭(W)과 길이(L)를 조절하여 캐패시턴스를 결정한다. 이 때 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12) 사이에는 공기가 채워지므로 유전율은 공기의 유전상수가 된다. 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)은 금속과 같은 도전체로 구성한다. 도 3에서 부호 11 및 12는 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)을 다른 배선과 연결하기 위한 패드를 지시한다.
상기 출력 정합회로(120)의 캐패시터(124)도 도 3과 같이 구성할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 4단 구조의 초고주파 증폭기를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 입력 정합회로(110, 130)와 출력 정합회로(120, 135)를 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인과 캐패시터로 구성하였으나, 이에 한정되지 않고 다른 형태로도 구성할 수 있다.
그러면 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 초고주파 증폭기의 동작을 설명하면 다음과 같다.
입력단자(100)로 제공되는 고주파(RF) 신호는 DC 블록 및 RF 정합수단(101)을 통해 입력 정합회로(110)로 입력되고, 상기 입력 정합회로(110)의 출력은 트랜지스터(114)를 통해 증폭된 후 출력 정합회로(120)로 전달된다. 상기 입력 정합회로(110)는 입력된 고주파 신호가 상기 트랜지스터(144)의 입력단자에 반사되지 않고 상기 트랜지스터(114)에 정합되도록 하며, 상기 출력 정합회로(120)는 증폭 과정에서 생성된 다른 주파수의 신호를 제거한다.
상기 출력 정합회로(120)로부터 출력되는 고주파 신호는 DC 블록 및 RF 정합수단(120)을 통해 입력 정합회로(130)로 전달되고, 상기 입력 정합회로(130)의 출력은 트랜지스터(134)를 통해 증폭된 후 출력 정합회로(135)로 전달된다. 상기 입력 정합회로(130)는 입력된 고주파 신호가 상기 트랜지스터(134)의 입력단자에 반사되지 않고 상기 트랜지스터(134)에 정합되도록 하며, 상기 출력 정합회로(135)는 증폭 과정에서 생성된 다른 주파수의 신호를 제거한다.
상기 출력 정합회로(135)로부터 출력되는 고주파 신호는 DC 블록 및 RF 정합수단(136)를 통해 출력단자로 전달된다. 따라서 원하는 고주파 신호의 증폭이 이루어진다.
상기와 같이 본 발명은 상기 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)을 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 스트립 라인(10)과 제 2 스트립 라인(12)으로 구성하고, 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)의 간격(G)과 상기 제 1 및 제 2 스트립 라 인(10, 12) 각각의 폭(W)과 길이(L)를 조절하여 캐패시턴스를 결정한다. 즉, 두 스트립 라인(10, 20) 간의 간격을 감소시키면 캐패시턴스는 증가하고, 두 스트립 라인(10, 20)의 길이를 증가시키면 캐패시턴스와 기생 인덕턴스가 증가한다. 이 때 두 스트립 라인(10, 20)의 폭이 작을수록 기생저항이 커진다.
상기 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)은 예를 들어, 2 내지 3㎛의 두께로 형성한다. 밀리미터파 대역에서는 스킨 이팩트(skin effect)에 의해 고주파 신호가 표면으로만 집중되기 때문에 공정 조건 등에 의해 두께가 ±10% 정도 변화하여도 캐패시턴스에는 영향을 미치지 않는다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 사용된 DC 블록 및 RF 정합수단과 MIM 캐패시터의 주파수 변화에 따른 안정도 파라미터(K 및 B1)를 나타낸다. 선 A는 유전체막의 두께가 0.1㎛, 폭이 15㎛, 길이가 15㎛ 인 MIM 캐패시터의 측정 결과이고, 선 B는 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)의 폭(W)이 10㎛, 간격(G)이 10㎛, 길이(L)가 400㎛ 인 DC 블록 및 RF 정합수단의 측정 결과이다.
MIM 캐패시터와 비교하여 본 발명에 사용되는 DC 블록 및 RF 정합수단의 안정도 파라미터(K 및 B1)가 모두 우수함을 알 수 있다. 따라서 이러한 결과로부터 본 발명의 초고주파 증폭기에는 안정도 향상을 위한 별도의 회로가 최소화될 수 있으며, 이에 따라 크로스 토크도 최소화될 수 있다.
본 발명의 DC 블록 및 RF 정합수단은 높은 주파수 대역의 초고주파 증폭기에 적용될 경우 제 1 및 제 2 스트립 라인(10, 12)의 길이(L)가 점점 짧아지게 되므로 안정도가 높으며 적은 면적을 차지하는 초고주파 증폭기를 효과적으로 구현할 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 고주파 신호의 증폭을 위해 제공되는 직류(DC) 바이어스 전압이 정합회로 또는 다른 증폭기에 영향을 미치지 않도록 하는 동시에 고주파 신호를 정합시키는 DC 블록 및 RF 정합수단을 스트립 라인으로만 구성한다. 금속 스트립 라인으로 구성된 본 발명의 DC 블록 및 RF 정합수단은 유전체의 두께 변화에 관계없이 일정한 캐패시턴스를 가지게 되므로 공정 조건의 변화에 따른 캐패시턴스의 변화량이 최소화되어 수율이 향상될 수 있으며, 안정도가 높아 추가적인 회로의 구성이 불필요해진다. 또한, 캐패시턴스가 스트립 라인 간의 간격, 스트립 라인의 폭과 길이에 의해서 결정되기 때문에 아주 적은 캐패시턴스도 용이하게 구현할 수 있으므로 회로 설계상의 제약을 받지 않는다.

Claims (3)

  1. 고주파 신호를 증폭하기 위한 트랜지스터,
    입력단자를 통해 제공되는 고주파 신호를 상기 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로,
    상기 트랜지스터로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부,
    상기 트랜지스터에 의해 증폭된 고주파 신호를 출력단자로 전달하는 출력 정합회로를 포함하며,
    상기 입력단자와 상기 입력 정합회로, 그리고 상기 출력 정합회로와 상기 출력단자 사이에 제 1 및 제 2 스트립 라인이 캐패시턴스를 갖도록 구성된 DC 블록 및 RF 정합수단이 각각 구비된 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 입력 정합회로 및 출력 정합회로는 각각 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속된 다수의 마이크로 스트립 라인과, 상기 다수의 마이크로 스트립 라인과 병렬로 접속되며 캐패시터 역할을 하는 오픈 스터브 또는 쇼트 스터브로 구성된 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 캐패시턴스는 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인의 간격과 상기 제 1 및 제 2 스트립 라인 각각의 폭과 길이에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 회로.
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KR100801570B1 (ko) * 2006-12-05 2008-02-11 한국전자통신연구원 초고주파 증폭기
CN115694380A (zh) * 2022-10-30 2023-02-03 北京航空航天大学 一种双频宽带功率放大器及其匹配枝节设计方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101662263B (zh) * 2008-08-27 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路
CN101510763B (zh) * 2009-03-06 2011-11-16 电子科技大学 一种毫米波单片集成功率放大器
CN102655394B (zh) * 2012-05-23 2014-12-10 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种直流与微波信号交叉布线的放大器电路
CN102655395B (zh) * 2012-05-23 2014-12-10 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种直流与微波信号交叉布线的放大器电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152976A (ja) * 1991-07-04 1993-06-18 Hitachi Ltd 高周波電力増幅回路
CN1076814A (zh) * 1992-11-28 1993-09-29 浙江大学 波导输入输出式微带放大器
JPH10126173A (ja) * 1996-10-18 1998-05-15 Hitachi Denshi Ltd 電力増幅器
JPH11112249A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Hitachi Ltd 高周波電力増幅器モジュール
JP3847262B2 (ja) * 2003-02-12 2006-11-22 シャープ株式会社 高周波回路及びそれを備えた低雑音ダウンコンバータ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100801570B1 (ko) * 2006-12-05 2008-02-11 한국전자통신연구원 초고주파 증폭기
CN115694380A (zh) * 2022-10-30 2023-02-03 北京航空航天大学 一种双频宽带功率放大器及其匹配枝节设计方法
CN115694380B (zh) * 2022-10-30 2023-04-28 北京航空航天大学 一种双频宽带功率放大器及其匹配枝节设计方法

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CN100466466C (zh) 2009-03-04
CN1764064A (zh) 2006-04-26

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