KR100801570B1 - 초고주파 증폭기 - Google Patents

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KR100801570B1
KR100801570B1 KR1020060122144A KR20060122144A KR100801570B1 KR 100801570 B1 KR100801570 B1 KR 100801570B1 KR 1020060122144 A KR1020060122144 A KR 1020060122144A KR 20060122144 A KR20060122144 A KR 20060122144A KR 100801570 B1 KR100801570 B1 KR 100801570B1
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장우진
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한국전자통신연구원
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Abstract

본 발명은 무선 통신 시스템에 사용되는 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 고주파 신호를 증폭하기 위한 증폭수단과, 입력단자를 통해 제공되는 고주파 신호를 증폭수단에 정합시키는 입력 정합회로와, 증폭수단으로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부와, 증폭수단에 의해 증폭된 고주파 신호를 출력단자로 전달하는 출력 정합회로, 그리고 입력단자와 입력 정합회로와의 사이 및 출력 정합회로와 출력단자와의 사이에 결합하며 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인이 캐패시턴스를 갖도록 구성되는 DC 블록 및 RF 정합수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 나선형 또는 곡선형의 금속 스트립 라인들로 구성된 DC 블록 및 RF 정합수단을 이용함으로써, 유전체의 두께 변화에 관계없이 일정한 캐패시턴스 및 높은 안정도를 갖고 기존 방법에 비하여 크기를 줄일 수 있으며 입출력 정합이 더욱 용이한 초고주파 증폭기를 제공할 수 있다.
증폭기, 정합수단, 정합회로, 스트립 라인

Description

초고주파 증폭기{Millimeter-wave amplifier}
도 1은 종래 초고주파 증폭기에 사용되는 금속 스트립 필터의 구조도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 초고주파 증폭기를 설명하기 위한 회로도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 초고파 증폭기에 채용가능한 DC 블록 및 RF 정합수단용 마이크로 스트립 필터의 여러 양태를 보여주는 구조도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 입력단자
101, 126, 136: DC 블록 및 RF 정합수단
110, 130: 입력 정합회로
111, 112, 121, 122, 123, 131, 132: 마이크로 스트립 라인
113: 오픈 스터브
114, 134: 트랜지스터
120, 135: 출력 정합회로
124: 캐패시터
125, 133: 쇼트 스터브
140: 출력단자
150, 160, 170, 180: 바이어스 공급부
본 발명은 무선 통신 시스템에 사용되는 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 특히 기존 방법보다 구조적으로 크기를 줄여서 칩의 크기를 축소하는 데 효과적이며 입출력 정합에 효과적인 초고주파 증폭기에 관한 것이다.
일반적으로 무선통신 시스템에 사용되는 초고주파 증폭기는 입력신호를 증폭하는 트랜지스터, 입력신호를 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로, 트랜지스터로 독립적인 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부, 트랜지스터로부터 증폭된 신호의 손실이 없도록 정합시키는 출력 정합회로로 구성되며, 입력단자와 입력 정합회로와의 사이 그리고 출력 정합회로와 출력단자와의 사이에는 바이어스 공급부로부터 제공되는 직류(DC) 바이어스 전압을 차단하고 고주파 신호를 정합시키기 위해 MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 또는 금속 스트립 라인 2개로 구성되는 필터가 연결된다. MIM 캐패시터 또는 금속 스트립 라인 2개로 구성되는 필터는 바이어스를 인가하고자 하는 트랜지스터로 제공되는 독립적인 바이어스 전압에 의해 다른 트랜지스터가 영향을 받지 않도록 하는 동시에 고주파 신호를 정합시키는 역할을 한다.
도 1은 종래의 초고주파 증폭기에 사용되는 금속 스트립 필터의 구조를 보여준다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 30㎓ 이상의 밀리미터파 대역에 사용되는 초고주파 증폭기용 금속 스트립 필터는 제1 금속전극(10)에 연결되며 소정 두께와 폭(W)을 구비한 제1 금속 스트립 라인(11)과, 제2 금속전극(13)에 연결되며 소정 두께와 폭(W)을 구비하고 제1 금속 스트립 라인(11)과 소정 간격(G)을 두고 마주하여 설치되는 제2 금속 스트립 라인(12)으로 구성된다.
상기와 같은 구조는 MIM 캐패시터에 비하여 공정적으로 안정되어 있으므로 공정에 대한 변화로 발생하는 수율의 감소를 줄일 수 있고, 증폭기 설계시의 안정도를 고려할 때 훨씬 우수하므로 안정도 확보를 위해 부가적인 회로를 첨가하지 않고도 증폭기를 설계할 수 있으며 부가적인 회로, 예를 들면, 부궤환회로, 저항 등이 사용되지 않으므로 부가적인 회로에서 발생하는 이득의 감소 없이 증폭기를 제작할 수 있다.
그러나 상기와 같은 금속 스트립 라인을 이용한 필터는 금속 스트립 라인의 길이가 길기 때문에 회로의 크기가 커지는 단점이 있다. 칩의 크기가 커지는 것은 생산 비용 증가에 직접적으로 영향을 주기 때문에 크기를 줄이는 것이 대단히 중요한 과제라고 할 수 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 기존 금속 스트립 라인 2개로 구성된 필터의 크기를 줄이는 동시에 입출력 정합에 용이한 구조를 가지며 기존 금속 스트립 라인이 가지는 장점인 수율 향상 및 안정도 확보 특성을 함께 가지고, 그것에 의하여 증폭기 설계 및 제작에 기여할 수 있는 초고주파 증폭기를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 초고주파 증폭기는 고주파 신호를 증폭하기 위한 증폭수단과, 입력단자를 통해 제공되는 고주파 신호를 증폭수단에 정합시키는 입력 정합회로와, 증폭수단으로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부와, 증폭수단에 의해 증폭된 고주파 신호를 출력단자로 전달하는 출력 정합회로, 그리고 입력단자와 입력 정합회로와의 사이 및 출력 정합회로와 출력단자와의 사이에 결합하며 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인이 캐패시턴스를 갖도록 구성되는 DC 블록 및 RF 정합수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 초고주파 증폭기를 설명하기 위한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예의 2단 구조의 초고주파 증폭기는 입력단자(100), 제1 DC 블록 및 RF 정합수단(101), 제1 입력 정합회로(110), 제1 증폭수단(114), 제1 출력 정합회로(120), 제2 DC 블록 및 RF 정합수단(126), 제2 입력 정합회로(130), 제2 증폭수단(134), 제2 출력 정합회로(135), 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(136), 출력단자(140) 및 제1, 제2, 제3 및 제4 바이어스 공급부(150, 160, 170, 180)를 포함한다.
입력단자(100)로 제공되는 고주파(RF) 신호는 제1 DC 블록 및 RF 정합수단(101)를 통해 제1 입력 정합회로(110)로 입력된다. 제1 입력 정합회로(110)는 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(111, 112)과, 마이크로 스트립 라인(111, 112)과 병렬로 접속되며 캐패시터 역할을 하는 오픈 스터브(open stub)(113)로 구성된다.
제1 입력 정합회로(110)의 출력은 트랜지스터로 구현된 제1 증폭수단(114)을 통해 증폭된 후 제1 출력 정합회로(120)로 입력된다. 제1 출력 정합회로(120)는 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(121, 122), 마이크로 스트립 라인(121, 122)과 병렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 또 다른 마이크로 스트립 라인(123), 마이크로 스트립 라인(123)과 접지 사이에 직렬로 접속되며 캐패시터 및 인덕터 역할을 하는 나선형 또는 곡선형의 한 쌍의 마이크로 스트립 라인(124)과 쇼트 스터브(short stub)(225)로 구성된다.
제1 출력 정합회로(120)의 출력은 제2 DC 블록 및 RF 정합수단(126)을 통해 제2 입력 정합회로(130)로 입력된다. 제2 입력 정합회로(130)는 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인(131, 132), 마이크로 스트립 라인(131, 132)과 접지 사이에 병렬로 접속되며 인덕터 역할을 하는 쇼트 스터브(133)로 구성된다.
제2 입력 정합회로(130)의 출력은 트랜지스터로 구현된 제2 증폭수단(134)를 통해 증폭된 후 마이크로 스트립 라인으로 구현된 제2 출력 정합회로(135) 및 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(136)을 통해 출력단자(140)로 전달된다.
제1 증폭수단(114)에는 제1 및 제2 바이어스 공급부(150, 160)로부터 직류(DC) 바이어스 전압이 공급되고, 제2 증폭수단(134)에는 제3 및 제4 바이어스 공급부(170, 180)로부터 독립적으로 직류 바이어스 전압이 공급된다. 제1, 제2, 제3 및 제4 바이어스 공급부(250, 260, 270, 280)는 각각 출력단자와 접지 간에 직렬 접속된 마이크로 스트립 라인(L) 및 전압원(Vdc)과, 전압원(Vdc)에 병렬로 접속된 캐패시터(C)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 고주파 전력 증폭기에서 제1, 제2 및 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)은 제1 및 제2 증폭수단(114, 134)으로 제공되는 바이어스 전압이 정합회로 또는 다른 트랜지스터에 영향을 미치지 않도록 작용하면서 고주파 신호를 정합시키는 역할을 한다. 따라서 제1 내지 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)은 일정한 캐패시턴스를 갖도록 구성되어야 한다. 이를 위해 본 발명의 제1 내지 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)은 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인으로 구성된다.
또한 제1 및 제2 입력 정합회로(110, 130) 및 제1 출력 정합회로(120)는 각각 입력단자와 출력단자 사이에 직렬로 접속된 다수의 마이크로 스트립 라인과, 다수의 마이크로 스트립 라인과 병렬로 접속되는 캐패시터 및 인덕터 역할을 하는 오픈 스터브 또는 쇼트 스터브로 구성된 것을 특징으로 하며, 특히 제1 출력 정합회로(120)의 캐패시터가 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인으로 구성된 것을 특징으로 한다. 전술한 캐패시터의 캐패시턴스는 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인의 간격과 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인 각각 의 폭과 길이에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다. 또한 전술한 인덕터의 인덕턴스는 나선형 또는 곡선형 스트립 라인이므로 구조적으로 기존 방법보다 더욱 큰 인덕턴스를 얻을 수 있고, 따라서 작은 길이를 사용하여 기존 방법과 같은 인덕턴스를 구현할 수 있는 특징이 있다. 전술한 구성의 정합회로는 초고주파 증폭기의 입력 정합과 출력 정합에 사용이 용이한 특징이 있다.
도 3a, 도 3b, 도 3c 및 도 3d는 본 발명의 초고파 증폭기에 채용가능한 DC 블록 및 RF 정합수단용 마이크로 스트립 필터의 여러 양태를 보여주는 구조도이다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 DC 블록 및 RF 정합수단(200)은 일정한 거리로 이격된 곡선형 제1 스트립 라인(211)과 곡선형 제2 스트립 라인(212)으로 구성된다. 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인(211, 212)의 간격(G)과 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인(211, 212) 각각의 폭(W)과 길이(L)를 조절하면 원하는 캐패시턴스를 설계할 수 있다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 DC 블록 및 RF 정합수단(200)은 일정한 거리로 이격된 나선형 제1 스트립 라인(211)과 나선형 제2 스트립 라인(212)으로 구성된다. 제1 스트립 라인(211)은 제1 스트립 라인(211)의 일단부에 연결되는 패드(210)를 중심으로 시계 방향으로 구부려진 2개의 굴곡부를 구비하고, 제2 스트립 라인(212)은 제1 스트립 라인(211)의 타단부 측에 위치하며 제2 스트립 라인(212)의 일단부에 연결되는 패드(213)를 중심으로 시계 반대 방향으로 구부려진 2개의 굴곡부를 구비한다. 나선형의 제1 및 제2 스트립 라인(211, 212)의 간격과 각각의 폭 및 길이를 조절하여 캐패시턴스를 결정할 수 있다.
전술한 실시예들의 제1 및 제2 스트립 라인(211, 212)은 금속과 같은 도전체로 구현될 수 있다. 제1 스트립 라인(211)에 연결되는 패드(210) 및 제2 스트립 라인(212)에 연결되는 또 다른 패드(213)는 다른 배선과의 연결을 위한 것이며 금속전극으로 구현될 수 있다.
도 3c에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 DC 블록 및 RF 정합수단(200)은 일정한 거리로 이격된 나선형의 제1 스트립 라인(211)과 나선형의 제2 스트립 라인(212)으로 구성된다.
제1 스트립 라인(211)은 제1 스트립 라인(211)의 일단부에 연결되는 패드(210)를 중심으로 시계 방향으로 구부려진 1개의 굴곡부와 시계 반대 방향으로 구부려진 2개의 굴곡부를 구비하며, 나선형의 제2 스트립 라인(212)은 제1 스트립 라인(211)의 타단부 측에 위치하며 제2 스트립 라인(212)의 일단부에 연결되는 패드(213)를 중심으로 시계 방향으로 구부려진 2개의 굴곡부를 구비하고 제1 스트립 라인(211)에 의해 양측면에서 포위되도록 구성된다.
도 3d에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 DC 블록 및 RF 정합수단(200)은 일정한 거리로 이격된 곡선형의 제1 스트립 라인(211)과 곡선형의 제2 스트립 라인(212a, 212b)으로 구성된다.
제1 스트립 라인(211)은 제1 스트립 라인(211)의 일단부에 연결되는 패드(210)를 중심으로 시계 방향으로 원호를 그리며 구부려진다. 제2 스트립 라인(212a, 212b)은 제1 스트립 라인(211)이 그리는 원호의 안쪽 측면에 위치하는 스트립 라인(212a)과 제1 스트립 라인(211)이 그리는 원호의 바깥쪽 측면에 위치하는 또 다른 스트립 라인(212b)으로 구성된다. 두 스트립 라인(212a, 212b)은 제1 스트립 라인(211) 위를 통과하는 에어브릿지(air bridge)로 연결된다. 두 스트립 라인(212a, 212b)은 전술한 또 다른 스트립 라인(212b)의 일단부에 연결되는 패드(213)를 중심으로 시계 반대 방향으로 원호를 그리며 각각 구부려진다.
전술한 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인(211, 212, 212a, 212b)은 예를 들어 2㎛ 내지 3㎛의 두께로 형성된다. 밀리미터파 대역에서는 스킨 이팩트(skin effect)에 의해 고주파 신호가 표면으로만 집중되기 때문에 공정 조건 등에 의해 두께가 ±10% 정도 변화하여도 캐패시턴스에는 영향을 미치지 않는다.
이와 같이 본 발명은 제1 내지 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136)을 나선형 또는 곡선형의 제1 스트립 라인(211)과 제2 스트립 라인(212; 212a, 212b)으로 구성하고, 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인의 간격(G)과 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인 각각의 폭(W)과 길이(L)를 조절하여 캐패시턴스를 결정한다.
또한 본 발명은 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인의 길이를 다르게 설계할 수 있는데 그와 같은 구조의 이점은 일반적으로 고초주파 증폭기에서 입력 정합과 출력 정합이 다른 경우 입출력 정합에 사용이 용이하다는 점이며, 이를 이용할 경우 추가적인 입출력 정합회로가 필요 없게 되는 경우도 있어 칩의 크기 면에서 매우 유리하다. 경우에 따라서는 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인의 길이를 같게 설계할 필요가 있는데, 이때 제1 및 제2 스트립 라인의 길이가 같도록 에어브릿지(air-bridge)를 사용하여 구현할 수 있는 특징이 있다.
또한 본 발명은 인덕턴스 및 입출력 정합의 형태에 따라서 초고주파 증폭기에 사용되는 DC 블록 및 RF 정합수단 및 캐패시터를 도 3a 내지 도 3d에 도시한 바와 같이 다양하게 패턴을 만들어 사용할 수 있다. 다시 말하면, 본 발명의DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136) 및 캐패시터(124)는, 도 2에 도시한 초고주파 증폭기에 사용되는 경우, 같은 형태, 다른 형태 또는 이들이 조합된 형태로 구현될 수 있다. 게다가 본 발명은 DC 블록 및 RF 정합수단(101, 126, 136) 및 캐패시터(124)의 마이크로 스트립 필터의 구조가 전술한 형태로 한정되지 않고, 패턴을 다양하게 하여 원하는 특성을 얻도록 사용할 수 있다.
다시 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 2단 구조의 초고주파 증폭기의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저 입력단자(100)로 제공되는 고주파(RF) 신호는 제1 DC 블록 및 RF 정합수단(101)을 통해 제1 입력 정합회로(110)로 입력되고, 제1 입력 정합회로(110)의 출력은 제1 트랜지스터(114)를 통해 증폭된 후 제1 출력 정합회로(120)로 전달된다. 제1 입력 정합회로(110)는 입력된 고주파 신호가 제1 트랜지스터(114)의 입력단자에 반사되지 않고 제1 트랜지스터(114)에 정합되도록 하며, 제1 출력 정합회로(120)는 증폭 과정에서 생성된 다른 주파수의 신호를 제거한다.
다음으로 제1 출력 정합회로(220)로부터 출력되는 고주파 신호는 제2 DC 블록 및 RF 정합수단(126)을 통해 제2 입력 정합회로(130)로 전달되고, 제2 입력 정합회로(130)의 출력은 제2 트랜지스터(134)를 통해 증폭된 후 제2 출력 정합회로(135)로 전달된다. 제2 입력 정합회로(130)는 입력된 고주파 신호가 제2 트랜지 스터(134)의 입력단자에 반사되지 않고 제2 트랜지스터(134)에 정합되도록 하며, 제2 출력 정합회로(135)는 증폭 과정에서 생성된 다른 주파수의 신호를 제거한다.
다음으로 제2 출력 정합회로(135)로부터 출력되는 고주파 신호는 제3 DC 블록 및 RF 정합수단(136)를 통해 출력단자(140)로 전달된다. 전술한 과정을 통해 원하는 고주파 신호의 증폭이 기존 방법에 비해 효과적으로 이루어진다.
이와 같이 본 발명에서 제안하는 나선형 또는 곡선형의 마이크로 스트립 라인을 사용하면, 기존의 직선 막대 형상의 마이크로 스트립 라인과 비교하여 같은 인덕턴스에 대해 인덕턴스가 커지기 때문에 짧은 길이의 스트립 라인이 요구되며 또한 나선형 또는 곡선형이므로 길이가 줄어드는 효과가 더해져서 증폭기 회로 측면에서는 칩의 크기를 크게 줄일 수 있다.
또한 본 발명의 DC 블록 및 RF 정합수단은, 높은 주파수 대역의 초고주파 증폭기에 적용될 경우, 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인의 길이(L)가 점점 짧아지게 되므로 안정도가 높으며 적은 면적을 차지하는 초고주파 증폭기를 효과적으로 구현할 수 있다.
한편, 전술한 실시예들에서는 2단 구조의 초고주파 증폭기를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한 전술한 실시예들에서는 입력 정합회로(110, 130)와 출력 정합회로(120, 135)를 인덕터 역할을 하는 마이크로 스트립 라인과 캐패시터로 구성하였으나, 이에 한정되지 않고 다른 형태로도 구성할 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시 하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 고주파 신호의 증폭을 위해 제공되는 직류(DC) 바이어스 전압이 정합회로 또는 다른 증폭수단에 영향을 미치지 않도록 하고 이와 함께 고주파 신호를 정합시키는 DC 블록 및 RF 정합수단을 스트립 라인으로만 구성한다. 특히 나선형 또는 곡선형의 금속 스트립 라인으로 구성된 본 발명의 DC 블록 및 RF 정합수단은 유전체의 두께 변화에 관계없이 일정한 캐패시턴스를 가지게 되므로 공정 조건의 변화에 따른 캐패시턴스의 변화량이 최소화되어 수율이 향상될 수 있으며, 안정도가 높아 추가적인 회로의 구성이 불필요해진다. 또한 기존의 스트립 라인으로 구성하면 길이가 길어지는 반면에 본 발명에서 제안한 스트립 라인을 이용하면 길이를 줄일 수 있고 나선형 또는 곡선형이므로 더욱 큰 인덕턴스를 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. 고주파 신호를 증폭하기 위한 증폭수단;
    입력단자를 통해 제공되는 고주파 신호를 상기 증폭수단에 정합시키는 입력 정합회로;
    상기 증폭수단으로 바이어스 전압을 제공하는 바이어스 공급부;
    상기 증폭수단에 의해 증폭된 고주파 신호를 출력단자로 전달하는 출력 정합회로; 및
    상기 입력단자와 상기 입력 정합회로와의 사이, 및 상기 출력 정합회로와 상기 출력단자와의 사이에 결합하며, 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인이 캐패시턴스를 갖도록 구성되는 DC 블록 및 RF 정합수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 나선형의 제1 및 제2 스트립 라인은 복수개의 굴곡부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 스트립 라인을 입출력 정합용으로 사용하는 경우, 상기 고주파 신호 입력과 출력 정합이 다르면, 상기 제1 및 제2 스트립 라인의 구조적인 길이는 서로 다른 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 스트립 라인을 입출력 정합용으로 사용하는 경우, 상기 고주파 신호 입력과 출력 정합이 같으면, 상기 제1 및 제2 스트립 라인의 구조적인 길이는 에어브릿지에 의해 같게 되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 입력 정합회로는 상기 입력단자와 또 다른 출력단자 사이에 직렬로 접속된 다수의 마이크로 스트립 라인과, 상기 다수의 마이크로 스트립 라인과 병렬로 접속되며 캐패시터 역할을 하는 오픈 스터브 또는 쇼트 스터브를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 출력 정합회로는 또 다른 입력단자와 상기 출력단자 사이에 직렬로 접속된 다수의 마이크로 스트립 라인과, 상기 다수의 마이크로 스트립 라인과 병렬로 접속되며 캐패시터 역할을 하는 오픈 스터브 또는 쇼트 스터브를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 입력 정합회로 또는 상기 출력 정합회로의 상기 오프 스터브 또는 상기 쇼트 스터브는 나선형 또는 곡선형 모양을 갖는 또 다른 제1 및 제2 스트립 라인으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐패시턴스는 상기 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인의 간격과 상기 나선형 또는 곡선형의 제1 및 제2 스트립 라인 각각의 폭과 길이에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 증폭수단은 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 증폭기.
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