JP6189881B2 - 高周波半導体増幅器 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、高周波半導体増幅器に関する。
近年、無線通信機器、移動通信用基地局、レーダー装置等に用いられ、１ＧＨｚ以上の高周波帯域で動作する高周波半導体増幅器の開発が進められている。この高周波半導体増幅器には、高周波帯域の信号を、高い電力付加効率で増幅し送信することが要求されている。
マイクロ波において、半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍、３倍波の負荷インピーダンスを開放近傍とするとＦ級モードという高効率動作が可能となる。半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍とするために半導体増幅素子の出力電極端に基本波の１／８波長の先端開放の伝送線路を接続し、３倍波の負荷インピーダンスを開放近傍とするために半導体増幅素子の出力電極端から基本波の１／８波長の伝送線路を介して基本波の１／１２波長の先端開放の伝送線路を接続する技術がある（特許文献１）。
また、マイクロ波において、半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを開放近傍、３倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍とすると逆Ｆ級モードという高効率動作が可能となる。２倍波の負荷インピーダンスを開放近傍とするために高調波インピーダンス調整線路により基本波には影響を与えずに２倍波のインピーダンスを制御する技術がある（特許文献２）。
特開平６−２０４７６４号公報 特開２００９−２０７０６０号公報
半導体増幅素子の出力電極端からみた２倍波の負荷インピーダンスを開放近傍、３倍波の負荷インピーダンスを短絡近傍とするとともに線路幅の変化を小さくすることにより、高周波信号を高い電力付加効率で増幅する高周波半導体増幅器を提供する。
実施形態によれば、周波数帯域を有する信号が入力される入力端子と、前記入力端子に接続された入力整合回路と、前記入力整合回路に接続され、前記信号の増幅を行う高周波半導体増幅素子と、前記高周波半導体増幅素子に接続された出力整合回路と、出力端子と、を備えた高周波半導体増幅器が提供される。前記出力整合回路は、前記出力端子に接続され、電気長が前記周波数帯域の中心周波数において７２度から１０８度であり、特性インピーダンスが外部負荷のインピーダンスである５０Ωと比べて低い第１伝送線路と、前記第１伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低い第２伝送線路と、前記第２伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低く、かつ前記第２伝送線路の前記特性インピーダンスおよび前記高周波半導体増幅素子に与えたい所望の負荷インピーダンスの抵抗成分よりもそれぞれ高く、線路幅が前記第２伝送線路の線路幅の０．８倍から１．２倍である第３伝送線路と、前記第３伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において５度から１０度であり、特性インピーダンスが前記所望の負荷インピーダンスの前記抵抗成分と等しい第４伝送線路と、前記第４伝送線路と前記高周波半導体増幅素子との間に並列に接続された複数のボンディングワイヤと、を有する。
第１の実施形態に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。（а）は平面図、（ｂ）は断面図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ０から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ１から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。（ａ）は中心点Ｏが５０Ωとなるように正規化している。（ｂ）は中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ２から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ３から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ４から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図１に示す第１の実施形態の半導体増幅装置の基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 横軸に周波数（ＧＨｚ）をとり縦軸に反射損失（ｄＢ）をとって、図１に示す基準面Ｐ５から見た反射損失を例示するグラフである。 第１の実施形態の第１の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。 図９に示す第１の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ１から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図９に示す第１の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ２から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図９に示す第１の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 第１の実施形態の第２の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。 図１３に示す第２の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ３から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 図１３に示す第２の比較例の半導体増幅装置の基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。 第１の実施形態の第３の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
先ず、本実施形態に係る高周波半導体増幅器の構成について説明する。
図１に示すように、高周波半導体増幅器１は、周波数帯域を有する高周波信号が入力される入力端子１０、入力端子１０に接続された入力整合回路１２、入力整合回路１２に接続された高周波半導体増幅素子１４、高周波半導体増幅素子１４に接続された出力整合回路２１及び出力整合回路２１に接続された出力端子１８とから構成されている。
入力整合回路１２は、電源インピーダンスを高周波半導体増幅素子１４の入力インピーダンスに整合させるための回路である。高周波半導体増幅素子１４は、高周波信号を増幅するための素子である。出力端子１８からみて外側には外部負荷ＺＯが接続されている。外部負荷ＺＯのインピーダンスは、例えば５０Ωである。
なお、高周波半導体増幅素子１４に電圧を供給する直流回路は省略してある。
出力整合回路２１は、マイクロストリップ線路１１１、マイクロストリップ線路１１２、マイクロストリップ線路１１３、マイクロストリップ線路１１４及びワイヤ部１１５により形成されている。ワイヤ部１１５は、例えば６本のワイヤにより形成されている。出力整合回路２１は、出力端子１８からみた負荷インピーダンスを高周波半導体増幅素子１４に与えたい所望の負荷インピーダンスへ変換するための回路である。所望のインピーダンスとは、ロードプル測定などにより求める。例えば、１＋ｊ１Ωである。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を採用する。すなわち図１において、マイクロストリップ線路１１１が延びている方向を「Ｘ方向」とし、それに対して直交する方向を「Ｙ方向」とする。また、「Ｘ方向」の逆方向を「−Ｘ方向」とし、「Ｙ方向」の逆方向を「−Ｙ方向」とする。また、Ｘ方向及びＹ方向を含む平面をＸＹ平面とし、このＸＹ平面に垂直な上方向を「Ｚ方向」とする。
また、本明細書においては、基本波は周波数帯域を有しており、周波数帯域内の中心周波数を「基本波の周波数」という。「基本波の周波数」に対応した波長を「基本波の波長」という。「基本波の周波数」の２倍の周波数を「２倍波の周波数」という。「２倍波の周波数」に対応した波長を「２倍波の波長」という。「基本波の周波数」の３倍の周波数を「３倍波の周波数」という。「３倍波の周波数」に対応した波長を「３倍波の波長」という。
マイクロストリップ線路１１１、マイクロストリップ線路１１２、マイクロストリップ線路１１３及びマイクロストリップ線路１１４は、マイクロストリップ線路のパターンを模式的に示している。
マイクロストリップ線路１１２をＹ方向に分離する中央線、マイクロストリップ線路１１３をＹ方向に分離する中央線及びマイクロストリップ線路１１４をＹ方向に分離する中央線は、マイクロストリップ線路１１１をＹ方向に分離する中央線Ｃに重なっている。
基準面Ｐ０は、マイクロストリップ線路１１１のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ１は、マイクロストリップ線路１１２のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ２は、マイクロストリップ線路１１３のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ３は、マイクロストリップ線路１１４のＸ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。基準面Ｐ４は、マイクロストリップ線路１１４の−Ｘ方向の端部と接し、Ｘ方向に垂直な平面である。
（表１）は、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189881
マイクロストリップ線路１１１は、Ｘ方向の端部が基準面Ｐ０において出力端子１８と接続され、線路幅Ｗ１１が０．８４６ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１１が９．３１ｍｍだけ延びている。延びた先で基準面Ｐ１においてマイクロストリップ線路１１２に接続されている。マイクロストリップ線路１１１は、特性インピーダンスが１５．９Ω、比誘電率が１０、基板厚が１５０μｍ、電気長が基本波の波長の（１／４）倍程度を有しており９６度である。
マイクロストリップ線路１１２は、基準面Ｐ１から線路幅Ｗ１２が５．０ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１２が０．５６ｍｍだけ延びている。延びた先で基準面Ｐ２においてマイクロストリップ線路１１３に接続されている。マイクロストリップ線路１１２は、特性インピーダンスが１．１３Ω、比誘電率が１８０、基板厚が２２０μｍ、電気長が基本波の波長の（１／１６）倍程度を有しており２６度である。
マイクロストリップ線路１１３は、基準面Ｐ２から線路幅Ｗ１３が５．１１ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１３が２．１９ｍｍだけ延びている。延びた先で基準面Ｐ３においてマイクロストリップ線路１１４に接続されている。マイクロストリップ線路１１３は、特性インピーダンスが４．６７Ω、比誘電率が１０、基板厚が２２０μｍ、電気長が基本波の波長の（１／１６）倍程度を有しており２４度である。
マイクロストリップ線路１１４は、基準面Ｐ３から線路幅Ｗ１４が５．２４ｍｍで、−Ｘ方向に線路長Ｌ１４が０．２１ｍｍだけ延び、延びた先でワイヤ部１１５に接続されている。マイクロストリップ線路１１４は、特性インピーダンスが１．００Ω、比誘電率が９０、基板厚が１４０μｍ、電気長が基本波の波長の（１／５０）倍程度を有しており７度である。
ワイヤ部１１５は、マイクロストリップ線路１１４と高周波半導体増幅素子１４との間に設けられ、マイクロストリップ線路１１４と高周波半導体増幅素子１４とを接続している。ワイヤ部１１５は、例えば６本のワイヤで形成されている。
次に、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１の動作について説明する。
図２は、図１に示す基準面Ｐ０から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図３は、図１に示す基準面Ｐ１から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図４は、図１に示す基準面Ｐ２から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図５は、図１に示す基準面Ｐ３から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図６は、図１に示す基準面Ｐ４から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図７は、図１に示す基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図２のインピーダンス図は、中心点Ｏが５０Ωとなるように正規化している。
図３（а）のインピーダンス図は、中心点Ｏが５０Ωとなるように正規化している。図３（ｂ）のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
図４〜図７のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
図３〜図７の図中、ｍ１は基本波の周波数における負荷インピーダンスを示し、ｍ２は２倍波の周波数における負荷インピーダンスを示し、ｍ３は３倍波の周波数における負荷インピーダンスを示す。
図２に示すように、基準面Ｐ０から、外部負荷ＺＯが接続された出力端子１８側を見ると、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２及び３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、５０Ω付近である中心点Ｏにある。
なお、基本波、２倍波及び３倍波の周波数におけるインピーダンスは、測定やシミュレーションにより求めることができ、インピーダンス図に表示される。
（表１）に示すように、マイクロストリップ線路１１１の基本波の周波数における電気長は９６度である。９６度は、（１／４）波長程度なので、マイクロストリップ線路１１１は、４分の１波長変成器に近い動作をする。
マイクロストリップ線路１１１の特性インピーダンスが外部負荷ＺＯのインピーダンスである５０Ωと比べて低いので、図３に示すように、基準面Ｐ１から見た基本波の負荷インピーダンスｍ１は、外部負荷ＺＯのインピーダンスである５０Ωから５０Ωよりも低いインピーダンスへ変換される。周波数帯域の負荷インピーダンスもｍ１周辺に変換される。この部分を、図３の中で部分３Аとして示す。
マイクロストリップ線路１１１は３倍波においては４分の３波長程度となるので、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３と周波数帯域の３倍波の負荷インピーダンスも低インピーダンスである部分３Аへ変換される。
マイクロストリップ線路１１１は２倍波においては４分の２波長程度となり、２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、あまり変化せずに５０Ω付近のままである。この５０Ω付近の部分を、図３の中で部分３Ｂとして示す。この時点で２倍波の負荷インピーダンスだけが基本波、３倍波の負荷インピーダンスから分離された。
マイクロストリップ線路１１２は、特性インピーダンスをマイクロストリップ線路１１１よりも低く、基本波における電気長を２６度程度と短くすることにより、図４に示すように、基準面Ｐ２から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１はＲ＝１Ω上の部分４Аへ変換される。Ｒ＝１Ωは高周波半導体増幅素子１４に与えたい所望の負荷インピーダンスの抵抗成分と同じ値である。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、部分４Аとは別の部分４Ｂへ変換される。基本波にける電気長を２６度程度と短くすることにより３倍波においても４分の３波長以下となるので、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、部分４А及び部分４Ｂとは別の部分４Ｃへ変換される。すなわち、基本波、２倍波及び３倍波の周波数における負荷インピーダンスは分離される。
特性インピーダンスがマイクロストリップ線路１１２よりも高く、基本波にける電気長が２４度程度のマイクロストリップ線路１１３を付加したことより、図５に示すように、基準面Ｐ３から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、１Ω付近である部分５Аへ変換される。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、∞Ω付近の誘導性を持つ領域である部分５Ｂへ変換される。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、∞Ω付近で誘導性を持ち、部分５Ｂとは別の部分５Ｃへ変換される。
なお、図５のインピーダンス図において、誘導性を持つインピーダンスはインピーダンス図の上半分の領域に示され、容量性を持つインピーダンスはインピーダンス図の下半分の領域に示される。
基準面Ｐ３から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスに近い特性インピーダンスを持つマイクロストリップ線路１１４を付加したことにより、図６に示すように、基準面Ｐ４から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、あまり変化せず１Ω付近のままである。この１Ω付近の部分を、図６の中で部分６Аとして示す。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、∞Ω付近の誘導性を持つ領域である部分６Ｂへ変換される。３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、容量性を持つ領域である部分６Ｃへ変換される。この時点で３倍波の負荷インピーダンスは容量性を持つ。
ワイヤ部１１５を付加したことにより、図７に示すように、基準面Ｐ５から見た基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は、ワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので１＋ｊ１Ω付近である部分７Аへ変換される。２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は、∞Ω付近のままである。この∞Ω付近の部分を、図７の中で部分７Ｂとして示す。３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は、前述の部分６Ｃにおける容量性とワイヤ部１１５が持つ誘導性とが共振して０Ω付近である部分７Ｃへ変換される。
マイクロストリップ線路１１４を付加したことによって発生する容量性の量が、ワイヤ部１１５が持つ誘導性の量よりも小さい場合には、容量性と誘導性とが充分に共振せずに、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は０Ω付近に変換されない。また、マイクロストリップ線路１１４を付加したことによって発生する容量性の量が、ワイヤ部１１５が持つ誘導性の量よりも大きい場合にも、容量性と誘導性とが充分に共振せずに、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は０Ω付近に変換されない。
従って、マイクロストリップ線路１１４を付加することにより発生する容量性と、ワイヤ部１１５の持つ誘導性とが共振するようなマイクロストリップ線路１１４の電気長を選択する必要がある。
なお、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１おいては、基本波の周波数における負荷インピーダンスを１＋ｊ１Ω付近へ変換する場合を例に示したが、これには限定されずに、所望の負荷インピーダンスへ変換してもよい。
次に、本実施形態に係る高周波半導体増幅器１の効果について説明する。
高周波半導体増幅器において、高い電力付加効率を得るには、高周波半導体増幅素子の出力に接続された出力整合回路により、基本波の周波数における負荷インピーダンスを所望のインピーダンスに整合させ、偶数次高調波、例えば２倍波の周波数における負荷インピーダンスを∞Ωにし、奇数次高調波、例えば３倍波の周波数における負荷インピーダンスを０Ωとすればよい。このような高周波半導体増幅器の動作を逆Ｆ級動作という。高周波半導体増幅器を逆Ｆ級動作させることにより、電圧の偶数次高調波と電流の奇数次高調波が存在せず、基本波の周波数においてのみ電圧と電流が共に存在することになり高い電力付加効率が実現される。
本実施形態に係る高周波半導体増幅器１においては、マイクロストリップ線路１１２により、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は図４に示す部分４Аへ、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２は図４に示す部分４Ｂへ、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３は図４に示す部分４Ｃへと分離する。これにより、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１を最終的な目標である１＋j１Ω付近へ、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２を最終的な目標である∞Ω付近へ、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３を最終的な目標である０Ω付近へ変換することが容易になる。
マイクロストリップ線路１１４により、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１は１Ω付近のままであるが、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２を∞Ω付近へ変換し、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３を容量性を持つ領域へ変換する。
ワイヤ部１１５により、基本波の周波数における負荷インピーダンスｍ１を１＋ｊ１Ω付近へ変換し、２倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ２を∞Ω付近へ変換し、３倍波の周波数における負荷インピーダンスｍ３をワイヤ部１１５の誘導性と共振させて０Ω付近へ変換する。その結果、高周波半導体増幅器１を逆Ｆ級動作させて高い電力付加効率を実現できる。電力付加効率は５〜１０％程度向上させることができる。
図８は、横軸に周波数（ＧＨｚ）をとり、縦軸に高周波半導体増幅素子１４に与えたい負荷インピーダンス（１＋ｊ１Ω）に対する反射損失（ｄＢ）をとって、図１に示す基準面Ｐ５から見た反射損失を例示するグラフである。
２．７ＧＨｚから３．１ＧＨｚ程度までの周波数において、基本波の反射損失を、−３０ｄＢ以下にできる。
基本波の負荷インピーダンスの変換だけを行なう高周波半導体増幅器では、高いインピーダンスを複数のインピーダンス変換線路で高周波半導体増幅素子１４に与えたい負荷インピーダンスまで下げていくので、変換するインピーダンスが下がるに従って線路の特性インピーダンスは順次下がっていく。その結果、線路幅も順次広がっていく。しかし、本発明の高周波半導体増幅器では２倍波と３倍波の負荷インピーダンスを制御するためにマイクロストリップ線路１１３の特性インピーダンスは、マイクロストリップ線路１１２およびマイクロストリップ線路１１４の特性インピーダンスよりも高くする必要があるので、後述する第３の比較例に示す表４のように、マイクロストリップ線路４１２、マイクロストリップ線路４１３およびマイクロストリップ線路４１４を同じ誘電率、かつ同じ厚さの基板上に形成すると図１６のように、線路幅が順次に広がらず、凹みが生じる。そこで、マイクロストリップ線路１１３の基板厚と基板の比誘電率を流通している中から選定するとともに基板厚を最適化することにより、線路幅Ｗ１３を線路幅Ｗ１２及び線路幅Ｗ１４と同程度にすることができる。その結果、マイクロストリップ線路１１２、１１３及び１１４において、マイクロストリップ線路のパターンの不連続性が無くなり、このパターンの不連続性に起因したマイクロストリップ線路からの不要な放射が低減できる。
次に、第１の実施形態の第１の比較例について説明する。
図９は、本比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
図１０は、図９に示す基準面Ｐ１から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１１は、図９に示す基準面Ｐ２から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１２は、図９に示す基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１０〜図１２のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
（表２）は、本実施形態に係る第１の比較例におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189881
図９に示すように、本比較例における出力整合回路２２は、マイクロストリップ線路２１１、マイクロストリップ線路２１２及びワイヤ部１１５から形成されている。基準面Ｐ０の位置は、前述の第１の実施形態と同様な位置であるため、基準面Ｐ０から出力端子１８側を見た場合には、基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１は、前述の第１の実施形態と同様である（図２参照）。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２についても、前述の第１の実施形態と同様である。３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３についても、前述の第１の実施形態と同様である。
マイクロストリップ線路２１１は、特性インピーダンスが１８．８Ω、基本波の周波数における電気長が９０度、比誘電率が１０、基板厚が１５０μｍ、線路幅Ｗ２１が０．６８ｍｍ、線路長Ｌ２１が８．８３ｍｍである。マイクロストリップ線路２１２は、特性インピーダンスが２．６６Ω、基本波の周波数における電気長が９０度、比誘電率が４０、基板厚が２５０μｍ、線路幅Ｗ２２が５．０６ｍｍ、線路長Ｌ２２が４．１４ｍｍである。
図１０に示すように、基準面Ｐ１から出力端子１８側を見た場合には、基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１と３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、１Ωより高く５０Ωより低いインピーダンスである部分１０Аへ変換される。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、５０Ω付近のままである。この５０Ω付近の部分を、図１０の中で部分１０Ｂとして示す。
図１１に示すように、基準面Ｐ２から出力端子１８側を見た場合には、基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１と３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、１Ω程度のインピーダンスである部分１１Аへ変換される。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、５０Ω付近のままである。この５０Ω付近の部分を、図１１の中で部分１１Ｂとして示す。
図１２に示すように、基準面Ｐ５から出力端子１８側を見た場合には、ワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので、基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１は、１＋ｊ１Ω付近である部分１２Аへ変換される。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、∞Ω付近である部分１２Ｂへ変換される。３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、部分１２Ｃへ変換される。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は∞Ω付近になるが、３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は０Ω付近にならないので、高周波半導体増幅器２は逆Ｆ級動作させにくい。
次に、第１の実施形態の第２の比較例について説明する。
図１３は、第１の実施形態の第２の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
図１４は、図１３に示す基準面Ｐ３から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１５は、図１３に示す基準面Ｐ５から見たインピーダンスを例示する負荷インピーダンス図である。
図１４及び図１５のインピーダンス図は、中心点Ｏが１Ωとなるように正規化している。
（表３）は、本実施形態に係る第２の比較例におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189881
図１３に示すように、本実施形態の第２の比較例における出力整合回路２３は、前述の第１の比較例における出力整合回路２２と比べて、マイクロストリップ線路３１３がマイクロストリップ線路２１２とワイヤ部１１５との間に設けられている点が異なっている。このため、基準面Ｐ０、Ｐ１及びＰ２から出力端子１８側を見た基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１は、前述の第１の比較例と同様である。基準面Ｐ０、Ｐ１及びＰ２から出力端子１８側を見た２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、前述の第１の比較例と同様である。基準面Ｐ０、Ｐ１及びＰ２から出力端子１８側を見た３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、前述の第１の比較例と同様である。マイクロストリップ線路３１３は、特性インピーダンスが１．０Ω、基本波の周波数における電気長が９０度、比誘電率が９０、基板厚が１３５μｍ、線路幅Ｗ３３が５．０５ｍｍ、線路長Ｌ３３が２．７１ｍｍである。
図１４に示すように、基準面Ｐ３から出力端子１８側を見た場合には、基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１は、基準面Ｐ２から見た場合と同様に１Ω付近のままである。３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３も１Ω付近のままである。この１Ω付近の部分を部分１４Аとして示す。インピーダンスが部分１４Аにある場合は、ストリップ線路やワイヤ等を付加して位相を調整することが可能である。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、∞Ω付近の部分１４Ｂへ変換される。インピーダンスが∞Ω付近にある場合は、ストリップ線路等を付加して位相を調整してもインピーダンスはあまり変化しない。
図１５に示すように、基準面Ｐ５から出力端子１８側を見た場合には、ワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので、基本波の周波数におけるインピーダンスｍ１は、１＋ｊ１Ω付近である部分１５Аへ変換される。２倍波の周波数におけるインピーダンスｍ２は、あまり変化せずに∞Ω付近のままである。この∞Ω付近の部分を、図１５の中で部分１５Ｂとして示す。３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３は、ワイヤ部１１５の持つ誘導性が追加されるので、部分１５Ｃへ変換される。第１の比較例と同様に、３倍波の周波数におけるインピーダンスｍ３が０Ω付近にならないので、高周波半導体増幅器３は逆Ｆ級動作させにくい。
次に、第１の実施形態の第３の比較例について説明する。
図１６は、第１の実施形態の第３の比較例に係る高周波半導体増幅器の構成を示す模式図である。
（表４）は、本実施形態に係る第３の比較例におけるマイクロストリップ線路の電気的特性及び寸法を例示する表である。

Figure 0006189881
表４に示すように、本比較例に係る高周波半導体増幅器においては、マイクロストリップ線路４１２、マイクロストリップ線路４１３及びマイクロストリップ線路４１４を同じ誘電率、かつ同じ厚さの基板上に形成している。このとき、図１６に示すように、マイクロストリップ線路４１３の線路幅がマイクロストリップ線路４１２の線路幅より小さく、マイクロストリップ線路４１３の線路幅がマイクロストリップ線路４１４の線路幅より小さくなっている。線マイクロストリップ路４１２、マイクロストリップ線路４１３及びマイクロストリップ線路４１４の線路幅が一定では無くなり凹みが生じる。これにより、マイクロストリップ線路４１２、マイクロストリップ線路４１３及びマイクロストリップ線路４１４から不要な電波が放射される。
以上説明した実施形態によれば、高周波信号を高い電力付加効率で増幅する高周波半導体増幅器を提供することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
１ 高周波半導体増幅器、２ 高周波半導体増幅器、３ 高周波半導体増幅器、１０ 入力端子、１２ 入力整合回路、１４ 高周波半導体増幅素子、１８ 出力端子、２１ 出力整合回路、２２ 出力整合回路、２３ 出力整合回路、１１１ マイクロストリップ線路、１１２ マイクロストリップ線路、１１３ マイクロストリップ線路、１１４ マイクロストリップ線路、１１５ ワイヤ部、２１１ マイクロストリップ線路、２１２ マイクロストリップ線路、３１３ マイクロストリップ線路、４１１ マイクロストリップ線路、４１２ マイクロストリップ線路、４１３ マイクロストリップ線路、４１４ マイクロストリップ線路、４１５ ワイヤ部、Ｃ 中央線、Ｏ 中心点、ＺＯ 外部負荷、Ｐ０ 基準面、Ｐ１ 基準面、Ｐ２ 基準面、Ｐ３ 基準面、Ｐ４ 基準面、Ｐ５ 基準面、Ｌ１１ 線路長、Ｌ１２ 線路長、Ｌ１３ 線路長、Ｌ１４ 線路長、Ｌ２１ 線路長、Ｌ２２ 線路長、Ｌ３３ 線路長、Ｌ４１ 線路長、Ｌ４２ 線路長、Ｌ４３ 線路長、Ｌ４４ 線路長、Ｗ１１ 線路幅、Ｗ１２ 線路幅、Ｗ１３ 線路幅、Ｗ１４ 線路幅、Ｗ２１ 線路幅、Ｗ２２ 線路幅、Ｗ３３ 線路幅、ｍ１ 基本波の周波数におけるインピーダンス、ｍ２ ２倍波の周波数におけるインピーダンス、ｍ３ ３倍波の周波数におけるインピーダンス

Claims (7)

  1. 周波数帯域を有する信号が入力される入力端子と、
    前記入力端子に接続された入力整合回路と、
    前記入力整合回路に接続され、前記信号の増幅を行う高周波半導体増幅素子と、
    前記高周波半導体増幅素子に接続された出力整合回路と、
    出力端子と、
    を備え、
    前記出力整合回路は、
    前記出力端子に接続され、電気長が前記周波数帯域の中心周波数において７２度から１０８度であり、特性インピーダンスが外部負荷のインピーダンスである５０Ωと比べて低い第１伝送線路と、
    前記第１伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低い第２伝送線路と、
    前記第２伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において１８度から２７度であり、特性インピーダンスが前記第１伝送線路の前記特性インピーダンスよりも低く、かつ前記第２伝送線路の前記特性インピーダンスおよび前記高周波半導体増幅素子に与えたい所望の負荷インピーダンスの抵抗成分よりもそれぞれ高く、線路幅が前記第２伝送線路の線路幅の０．８倍から１．２倍である第３伝送線路と、
    前記第３伝送線路に接続され、電気長が前記中心周波数において５度から１０度であり、特性インピーダンスが前記所望の負荷インピーダンスの前記抵抗成分と等しい第４伝送線路と、
    前記第４伝送線路と前記高周波半導体増幅素子との間に並列に接続された複数のボンディングワイヤと、
    を有する、高周波半導体増幅器。
  2. 前記第２伝送線路の基板の比誘電率が、前記第４伝送線路の基板の比誘電率の１．６倍から２．４倍である請求項１記載の高周波半導体増幅器。
  3. 前記第３伝送線路の基板の比誘電率が、前記第４伝送線路の前記基板の前記比誘電率の０．０８倍から０．１２倍である請求項２記載の高周波半導体増幅器。
  4. 前記第２伝送線路の前記特性インピーダンスが、前記第４伝送線路の前記特性インピーダンスよりも高い請求項１〜３のいずれか１つに記載の高周波半導体増幅器。
  5. 前記第３伝送線路の前記線路幅が、前記第４伝送線路の線路幅の０．８倍から１．２倍である請求項１〜４のいずれか１つに記載の高周波半導体増幅器。
  6. 前記第２伝送線路の基板厚が、前記第４伝送線路の基板厚の１．３倍から１．９倍である請求項２記載の高周波半導体増幅器。
  7. 前記第２伝送線路の基板の比誘電率が、前記第４伝送線路の基板の比誘電率の１．６倍から２．４倍であり、前記第３伝送線路の基板の比誘電率が前記第４伝送線路の前記基板の前記比誘電率の０．０８倍から０．１２倍である請求項１記載の高周波半導体増幅器。
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