JP6184538B2 - インプリント方法、およびインプリント装置 - Google Patents
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Description
前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
前記工程は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記樹脂と前記型とを接触させることを特徴とするインプリント方法である。
図1は、第1実施形態におけるインプリント装置を示す図である。
0.36 ≦ {S・C+D・(1−C)} ≦ 2.4 (式1)
{S・C+D・(1−C)}が0.2よりも小さい場合には、離型力を低減させる効果が小さく、{S・C+D・(1−C)}が1.2を超える場合には、樹脂に溶解される気体が多くなり過ぎて表面粗さが大きくなってしまう。
図5は、第2実施形態のインプリント装置を示す図である。第2実施形態のインプリント装置は、混合気体を供給する供給口の構成が第1実施形態とは異なる。それ以外の構成については、第1実施形態と同様であるものとして、説明を省略する。
図6は、第3実施形態のインプリント装置を示す図である。第3実施形態のインプリント装置は、混合気体を供給する供給口の構成と、ディスペンサを備えない点が第1実施形態とは異なる。それ以外の構成については、第1実施形態と同様であるものとして、説明を省略する。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、前述したインプリント装置(押印装置)を用いて基板(ウェハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを転写(形成)するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
2 基板チャック
3 モールド
4 モールドチャック
5 光源
11 気体供給部
12 ディスペンサ
13 駆動機構
20 混合気体供給ライン
Claims (17)
- 基板上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させることにより前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給して前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
前記工程は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記樹脂と前記型とを接触させることを特徴とするインプリント方法。 - 基板のショット領域上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させることにより前記ショット領域上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給して前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
前記工程は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させることを特徴とするインプリント方法。 - 基板のショット領域上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させることにより前記ショット領域上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域と前記型との間の空間に凝縮性ガスを供給して前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させる工程を含み、
前記工程は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させることを特徴とするインプリント方法。 - 前記表面粗さに対応する濃度は、前記表面粗さおよび離型力に対応する濃度であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のうちのいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 前記表面粗さを4nm以下とすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のうちいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 前記凝縮性ガスは、ペンタフルオロプロパンを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項5のうちいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 前記工程は、前記凝縮性ガスおよび前記ヘリウムガスの混合ガスを供給することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のインプリント方法。
- 前記工程は、前記ヘリウムガスの代わりに窒素ガスを供給することを特徴とする請求項1、請求項2、請求項7のうちいずれか1項に記載のインプリント方法。
- 基板上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させることにより前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給する供給部と、
前記基板上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
前記供給部および前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記樹脂と前記型とを接触させるように、前記供給部および前記駆動部を制御することを特徴とするインプリント装置。 - 基板のショット領域上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させることにより前記ショット領域上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記ショット領域と前記型との間の空間に凝縮性ガスおよびヘリウムガスを供給する供給部と、
前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
前記供給部および前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させるように、前記供給部および前記駆動部を制御することを特徴とするインプリント装置。 - 基板のショット領域上の未硬化の樹脂と型とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させることにより前記ショット領域上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記ショット領域と前記型との間の空間に凝縮性ガスを供給する供給部と、
前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させるための駆動部と、
前記供給部および前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記空間における前記凝縮性ガスの濃度を前記パターンに許容できる表面粗さに対応する濃度にして前記ショット領域上の前記樹脂と前記型とを接触させるように、前記供給部および前記駆動部を制御することを特徴とするインプリント装置。 - 前記表面粗さに対応する濃度は、前記表面粗さおよび離型力に対応する濃度であることを特徴とする請求項9ないし請求項11のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記表面粗さを4nm以下とすることを特徴とする請求項9ないし請求項12のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記供給部は、前記凝縮性ガスとして、ペンタフルオロプロパンガスを供給することを特徴とする請求項9ないし請求項13のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記供給部は、前記凝縮性ガスおよび前記ヘリウムガスの混合ガスを供給することを特徴とする請求項9または請求項10に記載のインプリント装置。
- 前記供給部は、前記ヘリウムガスの代わりに窒素ガスを供給することを特徴とする請求項9、請求項10、請求項15のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 請求項1ないし請求項8のうちいずれか1項に記載のインプリント方法または請求項9ないし請求項16のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
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